半导体&电子测试测量,投稿:kangpc@instrument.com.cn
6月8日,美国MOCVD设备厂商Veeco 宣布,中国台湾半导体研究所(TSRI、Narlabs)已选择Veeco的Propel® R&D Metal Organic Chemical Vapor Deposition(MOCVD)设备,用于以氮化镓(GaN)为基础的功率和射频器件相关的前沿开发和协作。
据官方介绍,Veeco的Propel® GaN MOCVD系统专为功率半导体和射频应用设计,配置了一个单晶圆反应器平台,能够沉积高质量GaN膜,用于生产高效功率器件和射频器件。
单晶圆反应器是基于Veeco的Turbo Disc®技术,包括Iso Flange™和Symm Heat™突破性技术,能够帮助实现整个晶圆的均质层流及一致的温度曲线,它是大批量生产和300mm功能以及研发应用的理想选择。
Veeco 表示,Propel® R&D MOCVD设备已安装在TSRI新竹实验室,能够联合协作推动技术创新,以及GaN新兴市场开发和展示技术的能力。此次双方将共同努力和协作加速第三代半导体技术在200和300mm衬底上的大批量、低成本应用。
[来源:全球半导体观察]
2022.03.29
2024.08.24
仪器情报,科学家首次发现SrTa2S5超导性与条纹电子相的证据!
2024.08.24
仪器情报,科学家首次发现了高达3 THz频谱的太赫兹声子超材料!
2024.08.24
2024.08.24
2024.08.24
版权与免责声明:
① 凡本网注明"来源:仪器信息网"的所有作品,版权均属于仪器信息网,未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用。已获本网授权的作品,应在授权范围内使用,并注明"来源:仪器信息网"。违者本网将追究相关法律责任。
② 本网凡注明"来源:xxx(非本网)"的作品,均转载自其它媒体,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责,且不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如其他媒体、网站或个人从本网下载使用,必须保留本网注明的"稿件来源",并自负版权等法律责任。
③ 如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起两周内与本网联系,否则视为默认仪器信息网有权转载。
谢谢您的赞赏,您的鼓励是我前进的动力~
打赏失败了~
评论成功+4积分
评论成功,积分获取达到限制
投票成功~
投票失败了~