上海伯东KRI 射频离子源典型应用 IBE 离子蚀刻

上海伯东

2022/03/17 13:19

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KRI 射频离子源典型应用 IBE 离子蚀刻
客户案例一: 上海伯东美国考夫曼 KRI 大口径射频离子源 RFICP 220, RFICP 380 成功应用于 12英寸和 8英寸磁存储器刻蚀机, 8英寸量产型金属刻蚀机中, 实现 8英寸 IC 制造中的 Al, W 刻蚀工艺, 适用于 IC, 微电子,光电子, MEMS 等领域.

作为蚀刻机的核心部件, KRI 射频离子源提供大尺寸, 高能量, 低浓度的离子束, 接受客户定制, 单次工艺时间更长, 满足各种材料刻蚀需求!
离子源安装于金属蚀刻机

客户案例二: 射频离子源 RFICP 220 集成于半导体设备, 实现 8寸芯片蚀刻
射频离子源 RFICP 220离子蚀刻
------------ 上海伯东美国 KRI 射频离子源 RFICP 220安装于蚀刻机中--------

客户案例三: KRI 射频离子源安装在日本 NS 离子蚀刻机中, 对应用于半导体后端的 6寸晶圆进行刻蚀
Hakuto (NS) 离子蚀刻机技术规格:

型号	NS 7.5IBE	NS 10IBE	NS 20IBE-C	NS 20IBE-J
适用范围	适用于科研院所,实验室研究	适合小规模量产使用和实验室研究	适合中等规模量产使用的离子刻蚀机	适合大规模量产使用的离子刻蚀机
基片尺寸	Φ4 X 1片或 Φ6 X 1片	φ8 X 1片	φ3 inch X 8片 φ4 inch X 6片 φ8 inch X 1片	Φ4 inch X 12片 φ5 inch X 10片 φ6 inch X 8片
离子源	8cm 或 10cm 考夫曼离子源	10cm NS离子源	20cm 考夫曼离子源	20cm 考夫曼离子源

上海伯东美国 KRI 考夫曼离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长
RFICP 系列提供完整的套装, 套装包含离子源, 电子供应器, 中和器, 电源控制等
RFICP 系列离子源是制造精密薄膜和表面的有效工具, 有效改善靶材的致密性光透射,均匀性,附着力等

上海伯东是美国考夫曼离子源 Kaufman & Robinson, Inc 中国总代理. 美国考夫曼公司离子源已广泛应用于离子溅射镀膜 IBSD. 考夫曼离子源可控制离子的强度及浓度, 使溅射时靶材被轰击出具有中和性材料分子而获得高致密, 高质量之薄膜. 考夫曼离子源可依客户溅射工艺条件选择 RFICP 射频电源式考夫曼离子源或是 KDC 直流电原式考夫曼离子源.

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