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物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)技术是指在真空条件下采用物理方法将材料源(固体或液体)表面气化成气态原子或分子,或部分电离成离子,并通过低压气体(或等离子体)过程,在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术, 物理气相沉积是主要的表面处理技术之一。PVD(物理气相沉积)镀膜技术主要分为三类:真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。物理气相沉积的主要方法有:真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜和分子束外延等。相应的真空镀膜设备包括真空蒸发镀膜机、真空溅射镀膜机和真空离子镀膜机。
2021年是“十四五”开局之年,中国政府也推出了一系列激励政策来鼓励半导体产业发展,明确了半导体产业在产业升级中的重要地位,同时全球自2020年爆发的“芯片荒”在全球范围内愈演愈烈,却迟迟得不到缓解,各行各业都受到了一定的影响,受此影响包括仪器产业、新能源产业等在内的诸多产业都面临产品涨价、缺货的危机。危中有机,全球半导体行业的巨震却是中国半导体产业的发展契机。通过分析海关物理气相沉积设备的进口情况,可以从一个侧面反映出中国物理气相沉积设备市场的一些情况,进而了解到中国半导体产业的一些情况。
海关统计中,根据物理气相沉积设备的应用领域将其分为制造半导体器件或IC的物理气相沉积装置 (84862022)和制造平板显示器用的物理气相沉积设备(PVD)(84863022)。 为了解2021年物理气相沉积设备的进出口情况,仪器信息网特别对2021年1-11月,物理气相沉积设备(商品编码84862022、84863022)进口数据进行了分析汇总,为大家了解中国目前物理气相沉积设备市场做一个参考。
2021年1-11月物理气相沉积设备进口额变化(人民币/万元)
2021年1-11月物理气相沉积设备进口数据
商品名称 | 进口额(元) | 数量(台) | 均价(元/台) |
制造半导体器件或IC的物理气相沉积装置 | 6,273,882,950 | 709 | 8848918 |
制造平板显示器用的物理气相沉积设备(PVD) | 4,290,243,273 | 280 | 15322297 |
总计 | 10,564,126,223 | 989 |
2021年1-11月,中国进口物理气相沉积设备总额约106亿元,总台数达989台,其中绝大部分用于制造半导体器件和集成电路,此类设备多达709台,总额约63亿元,占比高达59%。海关数据显示,去年全年的用于半导体器件和IC制造的PVD进口额约35.5亿元。可以看出今年用于集成电路和半导体器件的进口PVD设备总额明显增加。这表明,今年我国晶圆代工厂的建设热度不减,这也和如今的半导体投资热、芯片荒有关。
2021年1-11月进口物理气相沉积设备贸易伙伴变化(人民币/万元)
从进口PVD设备的贸易伙伴分布可以看出,主要进口的贸易伙伴为新加坡和美国,其中新加坡进口额最多且全部用于半导体器件和IC制造。新加坡处在马六甲海峡,扼太平洋及印度洋之间的航运要道,是全球海运的几大必经路线之一,战略地位十分重要——早在新加坡建国之前,“新加坡港”已发展成为国际著名的转口港。世界各国的将需要出口的货物运输到新加坡港,存放几天或几十天(其中20%的堆存时间仅为1天),然后再转运到进口国。由于新加坡的自由贸易港,通过新加坡的“转口贸易”可变成躲避贸易制裁的有效方式之一。从新加坡进口用于半导体器件和IC制造的PVD可能是为了规避以美国为首的西方集团对我国日益收紧的高端装备进口限制。进一步分析用于平板显示器制造的PVD数据发现,中国台湾、韩国和日本是此类PVD的主要贸易伙伴,且占比接近。而从用于半导体器件和集成电路制造的PVD主要贸易伙伴是新加坡、美国和瑞士。
2021年1-11月物理气相沉积设备各注册地进口数据变化(单位/万元)
那么这些物理气相沉积设备主要销往何处?通过对进口数据的注册地进行分析发现,上海市的PVD设备进口额最高约22亿元,占比约21%。其次福建和重庆市分列第二、第三。上海市的物理气相沉积主要用于集成电路或半导体器件生产中,这表明上海在新建或改造集成电路生产线上投入较大,对半导体设备的需求也在激增。而重庆市则正好相反,其进口PVD主要用于平板显示器生产中,在平板显示器用PVD注册地中排名首位,这可能和京东方在重庆的生产线有关,京东方是我国面板产业的龙头企业,其对进口额影响较大。近几年,重庆市也出台了一系列政策之前平板显示制造行业发展。而在平板显示器用PVD的注册地分布中可以看出,除了重庆市独占鳌头,福建省进口平板显示器用PVD仅次于重庆,这可能与位于厦门的天马微电子有关。
商品1:PVD磁控溅射镀膜线(商品编码:84862022)
PVD磁控溅射镀膜线:形成导电膜,用于将产生的电流收集导出。
商品1:镀膜机/制造平板显示器专用(商品编码:84863022)
型号:Applied Materials牌/NAR 1400L(4Mo+5 Al)型。原理:本设备将工作腔抽成真空后灌入氩气,高温高压条件下氩气形成离子层,氩离子在电场作用下,高速冲击靶材(氧化铟锡),使靶材分离出的金属离子在电场作用下附在玻璃基板表面形成薄膜,玻璃基板即可导电。
[来源:仪器信息网] 未经授权不得转载
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