SiC MOSFET功率循环试验方法等两项团体标准公开征求意见

由工业和信息化部电子第五研究所提出，并主责起草的《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率循环试验方法》（T/CASA 015）和《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法》（T/CASA 016）两项团体标准已完成征求意见稿的编制，根据《CASAS管理和标准制修订细则》有关规定，为保证标准的科学性、严谨性和适用性，现公开征求意见。

《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率循环试验方法》（T/CASA 015）规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率循环试验方法，评价器件在承受规定应力的条件下是否符合规定的循环次数。对于提升SiC MOSFET器件的可靠性评价与分析技术能力，支撑SiC MOSFET器件的可靠性改进具有重要意义。

《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法》（T/CASA 016）规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法，适用于SiC MOSFET分立器件的结壳热阻测试。

具体通知如下：

关于《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率循环试验方法》等2项团体标准征求意见的通知

各有关单位：

由工业和信息化部电子第五研究所提出，并主责起草的《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率循环试验方法》（T/CASA 015）和《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法》（T/CASA 016）两项团体标准已完成征求意见稿的编制，根据《CASAS管理和标准制修订细则》有关规定，为保证标准的科学性、严谨性和适用性，现公开征求意见。

请各有关单位及专家对本标准提出宝贵建议和意见，于2021年11月30日前以邮件的形式将《团体标准征求意见反馈表》反馈至联盟秘书处。

特此通知。

北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

2021年11月3日