热分析&电镜&表面分析,分享最新国内外仪器技术成果进展
闻泰科技11月3日在投资者互动平台表示,安世半导体在行业推出领先性能的第三代半导体氮化镓功率器件 (GaN FET),目标市场包括电动汽车、数据中心、电信设备、工业自动化和高端电源,特别是在插电式混合动力汽车或纯电动汽车中,氮化镓技术是其使用的牵引逆变器的首选技术。目前公司的650V氮化镓(GaN)技术,已经通过车规级测试。碳化硅(SiC)产品目前已经交付了第一批晶圆和样品。2021年上半年,公司半导体业务研发投入3.93亿元(全年规划9.4亿元),进一步加强了在中高压Mosfet、化合物半导体产品SiC和GaN产品、以及模拟类产品的研发投入。在化合物半导体产品方面,目前氮化镓已推出硅基氮化镓功率器件(GaN FET),已通过AEQC认证测试并实现量产,碳化硅技术研发也进展顺利,碳化硅二极管产品已经出样。
[来源:第三代半导体产业技术战略联盟]
版权与免责声明:
① 凡本网注明"来源:仪器信息网"的所有作品,版权均属于仪器信息网,未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用。已获本网授权的作品,应在授权范围内使用,并注明"来源:仪器信息网"。违者本网将追究相关法律责任。
② 本网凡注明"来源:xxx(非本网)"的作品,均转载自其它媒体,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责,且不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如其他媒体、网站或个人从本网下载使用,必须保留本网注明的"稿件来源",并自负版权等法律责任。
③ 如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起两周内与本网联系,否则视为默认仪器信息网有权转载。
谢谢您的赞赏,您的鼓励是我前进的动力~
打赏失败了~
评论成功+4积分
评论成功,积分获取达到限制
投票成功~
投票失败了~