图为:光刻胶产品制作工艺流程图
“光刻作为集成电路制程中的核心步骤,其过程中的试剂及材料的金属离子污染会直接导致制程良率降低甚至废品产生,尤其对于影响最为严重的碱金属、碱土金属,管控最为严格。而光刻胶作为光刻制程中的核心材料,其产品品质要求逐步提升。金属离子含量管控需求已从成品逐步发展到全产业链,尤其对于基础原料中金属离子含量的控制,会直接影响后续工艺和最终成品。”
安捷伦新一代 ICP-OES 可提供有机类样品直接进样的简便分析方法,同时具有更加智能化的分析模式,全谱扫描可自动鉴定光谱干扰,可用于筛查高含量杂质元素,这也为最终光刻胶产品的分析方法提供一定的指导信息,可最大程度减少样品复测率、保证测试准确性,为原料选择及追溯提供可靠保证。
紧随半导体集成电路技术的发展需求,安捷伦 ICP-MS 通过不断的技术革新和行业经验积累,满足半导体行业对于痕量金属离子分析能力数量级式的提升。对于光刻制程用到的光刻胶及其配套试剂等有机化学品的检测,安捷伦专有的温焰模式(Warm Plasma)分析方法可对有机基体产生稳定的等离子体,同时加之样品引入部分特有的补偿气调节,可达到高灵敏度、低背景值检测,大大优化信噪比,有效实现 ppt 级及以下的检出能力。
针对半导体光刻胶,从样品制备,到针对各种有机样品ICP-MS仪器参数选择,安捷伦与业内专家共同整理了《ICP-MS/MS 测定半导体光刻胶中的杂质元素 SOP》,期望助力光刻胶国产化。
[来源:安捷伦科技]
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