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当前位置: 上海麦科威 > 等离子体刻蚀设备 > ICPECVD等离子沉积设备SI 500 D

ICPECVD等离子沉积设备SI 500 D

品牌: 德国SENTECH
产地: 德国
型号: SI 500 D
报价: 面议
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核心参数

刻蚀原理: 等离子体刻蚀

产地类别: 进口

产品介绍



高密度等离子体

SI 500 D具有优异的等离子体特性,如高密度,低离子能量和低压等离子沉积介质膜。

平行板ICP等离子体源

SENTECH专利特有的平行板三螺旋天线(PTSA)ICP等离子体源实现了低功率耦合。

优异的沉积性能

低刻蚀速率,高击穿电压,低应力、不损伤衬底以及在低于100°C的沉积温度下的低界面态密度,使得所沉积的薄膜具有优异的性能。

动态温度控制

动态温度控制结合氦气背冷的衬底电极,以及衬底背面温度传感在从室温到+350°C的广泛温度范围内提供了优异稳定工艺条件。


SI 500 D等离子沉积设备代表了等离子体增强化学气相沉积的前沿技术,如介质膜、a-Si、SiC和其他材料。它基于PTSA等离子体源、独立的反应气体进气口、动态温度控制衬底电极、全自动控制的真空系统、采用远程现场总线技术的先进SENTECH控制软件,以及操作SI 500 D的用户友好的通用用户界面。

SI 500 D等离子沉积设备可以加工各种各样的衬底,从直径高达200 mm的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室保证了稳定的工艺条件,并实现在不同工艺之间的便捷切换。

SI 500 D等离子增强沉积设备用于在从室温到350℃的温度范围内沉积SiO2、SiNx、SiONx和a-Si薄膜。通过液态或气态前驱体,SI 500 D可以为TEOS, SiC,和其它材料的沉积提供解决方案。SI 500 D特别适用于在低温下在有机材料上沉积保护层和在既定的温度下无损伤地沉积钝化膜。

SENTECH提供不同级别的自动化程度,从真空片盒载片到一个工艺腔室或六个工艺模块端口,可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统,目标是高灵活性或高产量。SI 500 D也可用作多腔系统中的一个工艺模块。

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德国SENTECH等离子体刻蚀SI 500 D的工作原理介绍

等离子体刻蚀SI 500 D的使用方法?

德国SENTECHSI 500 D多少钱一台?

等离子体刻蚀SI 500 D可以检测什么?

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工商信息

企业名称

上海麦科威半导体技术有限公司

企业信息已认证

企业类型

有限责任公司(自然人独资)

信用代码

91310112MAE0AUKG7R

成立日期

2024-09-23

注册资本

人民币100.0000万元整

经营范围

一般项目:技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广;仪器仪表修理;日用电器修理;专用设备修理;信息咨询服务(不含许可类信息咨询服务);信息技术咨询服务;软件开发;科技中介服务;组织文化艺术交流活动;会议及展览服务;安全咨询服务;信息系统集成服务;市场营销策划;半导体分立器件销售;半导体照明器件销售;半导体器件专用设备销售;电子元器件批发;电子元器件零售;光电子器件销售;仪器仪表销售;光学仪器销售;智能仪器仪表销售;电子产品销售;电子专用材料销售;电子专用设备销售;电力电子元器件销售;集成电路销售;集成电路芯片及产品销售;电子真空器件销售;通信设备销售;机械设备销售;网络设备销售;计算机软硬件及辅助设备批发;计算机软硬件及辅助设备零售;互联网销售(除销售需要许可的商品);办公用品销售;金属材料销售;电气设备销售;通讯设备销售;货物进出口;技术进出口。(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法自主开展经营活动)

联系方式
上海麦科威半导体技术有限公司为您提供德国SENTECHICPECVD等离子沉积设备SI 500 D,德国SENTECHSI 500 D产地为德国,属于进口等离子体刻蚀设备,除了ICPECVD等离子沉积设备SI 500 D的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供更多等离子体刻蚀设备,上海麦科威客服电话400-860-5168转6289,售前、售后均可联系。
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