可以用于蒸镀半导体、金属膜,纳米级单层及多层功能膜。
1、真空室:
1.1、真空室内腔尺寸:500×500×680mm 可与手套箱联接使用。
1.2、真空室材料:整个真空室采用 SUS304 不锈钢材料制造,内表面抛光,
外表面喷丸处理;极限真空度高。
1.3、真空室结构:真空室四周配有不锈钢防污染屏蔽板;前滑门、后拉门、
侧面抽气系统结构,四壁壳体外壳水冷,采用不锈钢水冷槽通水冷却。
1.4、观察窗:Φ100mm 观察窗 2 个,观察窗内有遮挡活动板,配有两套防
辐射射玻璃(一套备用)。
1.5、CF35 陶瓷封接引线法兰:2 个(照明及内烘烤引线 1 个、预留空置 6
芯电极法兰 1 个)
1.6、晶振膜厚仪接口 1 个
2、工件架旋转与烘烤:
2.1、采用调速电机调节转速、磁流体密封;3 到 60rpm 无级调速
2.2、样品托盘尺寸:可放置单片 4 英寸(配有单独样品托和样品夹具)。
2.3、样品温度:样品盘带有水冷;
2.4、基片与蒸发源之间距离 350~500mm 可调,
3、直流离子轰击
3.1、离子轰击:轰击电压 3000V,电流 160mA 及以上。可清洗样品表面。
3.2、配轰击铝棒 1 根
4、蒸发源:
电子束蒸发源
4.1、用超高真空 E 型电子枪;
4.2、270°E 型电子枪及高压电源,电子枪功率 0--8KW 可调;
4.3、电子枪阳极电压:6kv、8 kv;两挡
4.4、电子束可二维扫描调节,最大扫描正负 15mm(X,Y);
4.5、六工位水冷式电动坩埚;每穴容积 11-22ml
4.6、可调角度气动控制蒸发挡板,采用磁流体密封;
4.7、电子枪配有触摸屏,可远控;
4.8、带有高压灭弧自动复位功能。
5、真空抽气系统
5.1、复合分子泵与控制电源:可达 6.0×10-5Pa,真空漏率≤10-7Pa.l/s,
真空室从大气到抽到≤6.0×10-4Pa,小于 30min。
5.2、分子泵与真空室连接采用 DN200 气动挡板阀门;
5.3、机械泵和分子泵连接采用不锈钢金属波纹管;
5.4、 系统漏率:系统停泵关机 12 小时后,真空室的真空度≤10Pa。
6、石英晶体测厚仪:
采用石英晶体振荡膜厚监控仪
◇用于监控镀膜蒸发速率及控制膜层物理厚度
◇配单个水冷探头
◇监测膜厚显示范围:0~99μ9999Å
◇厚度分辨率:1Å
◇速率显示分辨率: 0~9999.9 Å
◇控制精度: 0.01 Å
◇监测时间显示范围:1 分~99 小时
7、真空测量系统:
复合数显真空计
热偶规: 1.0x103Pa ---1.0x10-1Pa
电离规:(CF35 刀口法兰) 1.0x10-1Pa ---1.0x10-5Pa
8、水冷系统
配备水冷循环系统:满足设备需求(功率大于 2kW)
9、其他:
9.1 不锈钢紧固螺栓、螺母、垫片等
9.2 产品相关的金属密封铜圈及氟橡胶密封圈 1 套
9.3 电子枪灯丝 5
9.4 坩埚 10