金属蒸发镀膜沉积系统

可以用于蒸镀半导体、金属膜，纳米级单层及多层功能膜。

1、真空室：

1.1、真空室内腔尺寸：600×600×700mm3。

1.2、真空室材料： 整个真空室采用钢铁 SUS304 不锈钢材料制造，内表面抛 光，外表面喷丸处理；极限真空度高。

1.3、真空室结构：真空室四周配有不锈钢防污染屏蔽板（提供两套、一套 备用）；前开门后置抽气系统结构， 四壁壳体外壳水冷，采用不锈钢水冷槽通水冷却。

1.4、观察窗： Φ100mm 观察窗 2 个，观察窗内有遮挡活动板，配有两套防辐 射射玻璃（一套备用）。

1.5、CF35 陶瓷封接引线法兰：2 个（照明及内烘烤引线 1 个、预留空置 6 芯电极法兰 1 个）。

1.6、晶振膜厚仪接口 1 个。

2、工件架旋转与烘烤：

2.1、采用调速电机调节转速、磁流体密封；3 到 60rpm 无级调速。

2.2、样品托盘尺寸分别为：可放 4 片 6 英寸样片且样品可公转可自转 2.3、样品加热温度。

2.4、基片与蒸发源之间距离 350～550mm 可调，由腔外电动波纹管调节机构 在线控制。

3、电子束蒸发源：

3.1、用超高真空 E 型电子枪；

3.2、270 °E 型电子枪及高压电源，电子枪功率 0--10KW 可调； 

3.3、电子枪阳极电压：4kv、10 kv；两挡；

3.4、电子束可二维扫描调节，最大扫描正负 15mm（X，Y）；

3.5、六工位水冷式电动坩埚；每穴容积 11-22ml；

3.6、可调角度气动控制蒸发挡板，采用磁流体密封；

3.7、电子枪配有触摸屏，可远控； 3.8、带有高压灭弧自动复位功能。 电阻式蒸发源；

配备一套电阻蒸发源，含一套 3KW 数字式蒸发电源。

 4、真空抽气系统

4.1、低温泵： 可达 8.0×10-6Pa，真空漏率≤10-7Pa.l/s，真空室从大气到 抽到≤6.0×10-4Pa，小于 20min；

4.2、低温泵与真空室连接采用 DN250 气动插板阀门； 4.3、机械泵和低温泵连接采用不锈钢金属波纹管；

4.4 系统漏率：系统停泵关机 12 小时后，真空室的真空度≤10Pa。

5、石英晶体测厚仪：

采用石英晶体振荡膜厚监控仪

◇用于监控镀膜蒸发速率及控制膜层物理厚度

◇配单个水冷探头

◇监测膜厚显示范围：0～99 μ9999Å

◇厚度分辨率：0.01Å

◇速率显示分辨率：  0～9999.9  Å

◇控制精度：        0.01   Å

◇监测时间显示范围：1 分～99 小时

6、真空测量系统：莱宝 PTR90N 全量程真空计。

7、水冷系统

配备水冷循环系统：满足设备需求（功率大于 2kW）。

8、其他：

8.1 不锈钢紧固螺栓、螺母、垫片等；

8.2 产品相关的金属密封铜圈及氟橡胶密封圈     1 套

8.3 电子枪灯丝                    5

8.4 坩埚                           10

8.5 配一套质量流量计（0-100sccm），用来控制工艺气体通断。 二 主要技术性能指标。