可以用于蒸镀半导体、金属膜,纳米级单层及多层功能膜。
1、真空室:
1.1、真空室内腔尺寸:600×600×700mm3。
1.2、真空室材料: 整个真空室采用钢铁 SUS304 不锈钢材料制造,内表面抛 光,外表面喷丸处理;极限真空度高。
1.3、真空室结构:真空室四周配有不锈钢防污染屏蔽板(提供两套、一套 备用);前开门后置抽气系统结构, 四壁壳体外壳水冷,采用不锈钢水冷槽通水冷却。
1.4、观察窗: Φ100mm 观察窗 2 个,观察窗内有遮挡活动板,配有两套防辐 射射玻璃(一套备用)。
1.5、CF35 陶瓷封接引线法兰:2 个(照明及内烘烤引线 1 个、预留空置 6 芯电极法兰 1 个)。
1.6、晶振膜厚仪接口 1 个。
2、工件架旋转与烘烤:
2.1、采用调速电机调节转速、磁流体密封;3 到 60rpm 无级调速。
2.2、样品托盘尺寸分别为:可放 4 片 6 英寸样片且样品可公转可自转 2.3、样品加热温度。
2.4、基片与蒸发源之间距离 350~550mm 可调,由腔外电动波纹管调节机构 在线控制。
3、电子束蒸发源:
3.1、用超高真空 E 型电子枪;
3.2、270 °E 型电子枪及高压电源,电子枪功率 0--10KW 可调;
3.3、电子枪阳极电压:4kv、10 kv;两挡;
3.4、电子束可二维扫描调节,最大扫描正负 15mm(X,Y);
3.5、六工位水冷式电动坩埚;每穴容积 11-22ml;
3.6、可调角度气动控制蒸发挡板,采用磁流体密封;
3.7、电子枪配有触摸屏,可远控; 3.8、带有高压灭弧自动复位功能。 电阻式蒸发源;
配备一套电阻蒸发源,含一套 3KW 数字式蒸发电源。
4、真空抽气系统
4.1、低温泵: 可达 8.0×10-6Pa,真空漏率≤10-7Pa.l/s,真空室从大气到 抽到≤6.0×10-4Pa,小于 20min;
4.2、低温泵与真空室连接采用 DN250 气动插板阀门; 4.3、机械泵和低温泵连接采用不锈钢金属波纹管;
4.4 系统漏率:系统停泵关机 12 小时后,真空室的真空度≤10Pa。
5、石英晶体测厚仪:
采用石英晶体振荡膜厚监控仪
◇用于监控镀膜蒸发速率及控制膜层物理厚度
◇配单个水冷探头
◇监测膜厚显示范围:0~99 μ9999Å
◇厚度分辨率:0.01Å
◇速率显示分辨率: 0~9999.9 Å
◇控制精度: 0.01 Å
◇监测时间显示范围:1 分~99 小时
6、真空测量系统:莱宝 PTR90N 全量程真空计。
7、水冷系统
配备水冷循环系统:满足设备需求(功率大于 2kW)。
8、其他:
8.1 不锈钢紧固螺栓、螺母、垫片等;
8.2 产品相关的金属密封铜圈及氟橡胶密封圈 1 套
8.3 电子枪灯丝 5
8.4 坩埚 10
8.5 配一套质量流量计(0-100sccm),用来控制工艺气体通断。 二 主要技术性能指标。