脉冲激光沉积分子束外延系统MBE

优异的性能, PVD公司生产的脉冲激光沉积分子束外延系统在国内有较多用户，为众多老师开启薄膜外延制备的新篇章。欢迎前来参观咨询。
主腔室，样品传输腔，1100度加热系统，样品旋转，PLD靶材操控器及光路，K-cell热蒸发源，电子束蒸发源，射频RF离子源

PVD公司是美国主要制造商，是一家专业从事脉冲激光沉积分子束外延（PLD MBE）和超高真空薄膜沉积系统及组件的设计和制造的公司，提供超高真空薄膜沉积系统，应用于分子束外延、UHV溅射和脉冲激光沉积。产品主要集中在小型研究开发系统，其应用主要包括：
用分子束外延进行半导体材料、ZnO、GaN、SiGe和金属/氧化物外延生长；
UHV磁控溅射磁性薄膜；
脉冲激光沉积超导薄膜、氧化物和陶瓷材料。

脉冲激光沉积（PLD）系统通常使用聚焦脉冲准分子或Nd：YAG激光器在真空室中蒸发一小部分固体目标材料，以产生与原始目标材料具有相同化学成分的薄膜。PLD工艺能够在各种背景气体成分和压力下沉积许多复杂材料。此外，可以使用其他类型的激光器，包括ps和fs激光器，并且可以使用适当的激光器提供替代技术，例如矩阵辅助脉冲激光蒸发（MAPLE）和谐振红外脉冲激光蒸发系统。

PVD 产品为尺寸从 5 mm 方形到 300 mm 的基板提供各种 PLD 系统。我们还可以为卷对卷应用提供PLD系统。PVD产品将很乐意协助您为您的特定应用选择合适的PLD工具。大多数系统完全由计算机控制，易于使用。

应用主要包括：

分子束外延系统（MBE）
GaAs、InP和GaSb外延
HgCdTe外延
GaN、InN和AlN外延
Ⅱ-Ⅵ族外延
SiGe外延
Si/金属/氧化物外延

超高真空物理气相沉积（PVD）系统
磁控溅射系统
脉冲激光沉积（PLD）系统
电子束蒸发系统
离子束沉积系统
热蒸发系统

已经在全球范围内安装了超过100套的超高真空系统。绝大部分的产品都是针对用户定制设计复杂的沉积系统。在标准系统制造业中有着深厚的为用户定制设计的背景，在用户中具有很好的声誉。许多的标准系统最初都是起源于针对某些客户对沉积过程特殊需求的解决方案,与广大的中国用户开展更为广泛的交流与合作，为广大的中国用户提供国际顶尖PLD MBE和超高真空薄膜沉积系统制造商的产品和服务。