碳化硅器件测试仪

本测试系统具有高测试精度、高灵敏度、高可靠性、高安全性的特点，实现碳化硅二极管、MOSFET器件开通时间、关断时间、快恢复二极管反向恢复时间、反向电流及反向恢复电荷等测试，通过计算机控制，示波器采集波形，由计算机处理数据并显示测试结果。

主要技术参数

测试产品：SiC FRD,MOSFET（兼容Si基产品）

测试能力：

a，开关时间测试

测试条件：ID：1A~1000A, VDS:5V~3500V, VGS:-10V~20V, Rg:手动可调，阻性，感性负载可切换。

测试参数：td(on)\tr\td(off)\tf:0.1nS-200nS, Eon\Eoff:10uJ-100mJ

b，反向恢复特性测试

测试条件：IF:1A~1000A, VR:5V~3500V,di\dt:50A\us~10000A\us

测试参数：trr:0.1nS-200nS,Qc:1nC~1uC,lrm:1A~200A,Erec:0.1uJ~1mJ

c，短路电流测试

测试条件：Pulse width:1us~100us,VDS:5V~3500V

测试参数：Peak ID:10A~1000A, Delta Vds:10V~200V