核心参数
加热方式: 其它
产地类别: 国产
应用领域: 半导体
沉积速率: 10-15μm/H
控制气体: H2 /CH4 /N2 /O2 或CO2 或Ar ,可扩展为5路
沉积薄膜种类: 金刚石,石墨烯,SiC
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其它参数
沃特塞恩HMPS-2080SP的微波等离子体CVD设备沃特塞恩2023年全新推出的一款多用途、高性能的适用于高品质金刚石及多种碳基材料制备的综合实验和产业化设备,该设备可提供2英寸的金刚石材料生长能力。
. 搭载沃特塞恩8kW分体式高稳定固态功率源;选用最新一代大容积圆柱型水冷放电腔。
. 性能先进,安全、可靠性强、重现性好,操作简便。
. 多参数实时监测、采集与记录,PLC屏幕控制,多重联锁保护。
应用范围
高品质单晶金刚石、多晶金刚石的批量生长;
多种薄膜的CVD制备、材料表面处理和改性、低温氧化物的生长等。
企业名称
成都沃特塞恩电子技术有限公司
企业信息已认证
企业类型
信用代码
91510100327517669B
成立日期
2015-01-26
注册资本
247
经营范围
电子产品
成都沃特塞恩电子技术有限公司
公司地址
四川成都天府软件园G区G3栋3F
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