核心参数
加热方式: 其它
产地类别: 国产
应用领域: 半导体
沉积速率: 10-15μm/H
控制气体: 标配四路MFC:H2:1000sccm,CH4:100sccm,O2:10sccm,N2:5sccm;可扩展为5路
沉积薄膜种类: 光学、电子、工具级金刚石膜或单晶、石墨烯等的沉积,材质表面处理、低温氧化物的生长
工作气压: 5-255 torr
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企业名称
成都沃特塞恩电子技术有限公司
企业信息已认证
企业类型
信用代码
91510100327517669B
成立日期
2015-01-26
注册资本
247
经营范围
电子产品
成都沃特塞恩电子技术有限公司
公司地址
四川成都天府软件园G区G3栋3F
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