CMP

GNP POLI-762是高通用性12英寸(300mm) CMP工艺而开发，也为先进晶圆制造商和耗材供应商设计的。
GNP POLI-500广泛用于耗材供应商，衬底制造商和芯片开发商的8“(200mm)高级研发评估。
GNP POLI-400L是专为先进的化学机械抛光工艺开发应用，如MEMS, as以及化学机械抛光特性研究。该系统拥有成本低，占地面积小。

GNP POLI-762是高通用性12英寸(300mm) CMP工艺而开发，也为先进晶圆制造商和耗材供应商设计的。

规格：机头，工作台:30 200 rpm，旋转运动，机头振荡(±15mm)。尺寸:1580W * 1480D * 1960H mm。压板尺寸:Φ 762毫米(30英寸)，特氟龙涂层铝。压制方式:可变空气压力电子控制器。膜型:70~ 350g /cm2 (1psi ~ 5psi)用于12"晶圆片。工艺:自动顺序，干/湿。可增添选项：垫式调理方法:摆头式或摆臂式、单头或双头系统、摩擦力和温度监测系统、自动上下料系统、应用程序、工件:最大12英寸晶圆片、CMP制程:Si CMP、氧化物CMP(BPSG、TEOS、SC)、金属CMP(W、Cu)、STI、PGI等。

GNP POLI-500广泛用于耗材供应商，衬底制造商和芯片开发商的8"(200mm)高级研发评估。

规格：机头，工作台:30 200rpm，旋转运动，机头振荡(±15mm)。尺寸:1200W* 1160D * 1960H mm。压板尺寸:508毫米(20英寸)，阳极氧化铝(可选:特氟龙涂层)。压制方式:可变空气压力电子控制器。膜型:70~ 500g /cm2 (1psi ~ 7.1 psi)。工艺:自动顺序，干/湿。

可增添选项：垫式调理方法:摆头式或摆臂式双头系统、摩擦力和温度监测系统。

应用程序工件:最大8英寸晶圆片，MEMS结构，贴片CMP制程:Si CMP、氧化物CMP(BPSG、TEOS、SC)、金属CMP(W、Cu)、STI、PGI等

GNP POLI-400L是专为先进的CMP工艺开发应用，如MEMS, as以及CMP特性研究。该系统拥有成本低，占地面积小。

规格：机头，工作台:30- 200rpm，旋转运动，机头振荡(±15mm)。尺寸:970W * 1010D * 1850H mm。压板尺寸:Ф 406毫米(16英寸)，阳极氧化铝(可选:特氟龙涂层)。压制方式:可变空气压力电子控制器。膜型:70~ 500g /cm2 (1psi ~ 7psi)适用于4"，6"硅片。工艺:自动顺序，干/湿。

选项垫式调理方法:摆头式或摆臂式双头系统、摩擦力和温度监测系统。

应用程序工件:最大6英寸晶圆片，MEMS结构，贴片CMP制程:Si CMP、氧化物CMP(BPSG、TEOS、SC)、金属CMP(W、Cu)、STI、PGI等。