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核心参数
仪器种类： 管式炉
产地类别： 国产
最高温度： 1200
控温精度： ±0.1℃
最大功率： 18*（1Kw-220V/根）
升温速度（达到最高温）： 45℃/sec-100℃/sec
加热方式： 红外辐射
内部尺寸： φ35管式或边长120mm
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红外退火炉采用红外辐射加热技术同时搭配高精度温度控制系统，极大程度上改善了电阻式加热的弊病，同时可实现样品快速升温和退火。可广泛应用于强诱导体薄膜的结晶化退火、注入离子后的扩散退火、半导体材料的烧成与退火条件研究、快速热处理(RTP)、快速退火(RTA)、快速热氧化(RTO)、快速热氮化(RTN)、电极合金化、碳纳米管等外延生长、单晶基板热处理等功能中，对新材料相关的RTP研究工作起到重要作用。
型号 | 红外退火炉IRLA-1200 | 快速退火炉LRTP-1200 | 石墨烯退火炉GRTP-1200 |
产品图片 |
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温度范围 | RT-1150℃ | RT-1200℃ | |
控温精度 | ±0.1℃ | ≤0.1℃ | ±0.1℃ |
最大升温速率 | 45℃/s (真空) 40℃/s (氮气) | 100℃/s（真空，惰性气体） | 45℃/s (真空) 40℃/s (氮气) |
最快降温速度 | 200℃/min(1000℃-->400℃)，降到室温20min左右 | ||
腔体冷却 | 水冷方式、独立冷却源 | ||
寸底冷却 | 自然冷却 | 氮气吹扫 | 自然冷却 |
测试气氛 | 真空及氩气、氮气等惰性气体 | ||
样品大小 | 20 x 20 x 2，单位mm（最大） | 4英寸 | 30 x 30x 4,单位mm |
处理材料类型 | 薄膜、粉体、块体、液体 | ||
温度传感器 | 石墨烯定制版热电偶 | 石墨烯定制版热电偶 | 石墨烯定制版热电偶 |
额定功率 | 4x(1KW-110V/根） | 18x(1KW-110V/根） | 4x(1KW-110V/根） |
温度程序模式 | 温度-时间设置，最高256步，32个程序，循环、保温等功能模糊PID逻辑控温，手动/自动开始，USB485连接 | ||
工艺气路 | MFC控制，1路(惰性气体) | MFC控制，最多4路(可选氮气、氩气、氧气、氢氮混合气) | 4路(可选氮气、氩气等) |
外观尺寸 | 420X320X220，单位mm | 450×625×535，单位mm | 420X220X320,单位mm |
质量 | 20.5kg | -- | 20.5kg |
应用案例：
●快速热处理，快速退火，快速热氧化，快速热氮化
●强诱导体薄膜的结晶化退火
●注入离子后的扩散退火
● SiAu, SiAl, SiMo合金化
●太阳能电池片键合
●半导体材料的烧成与退火条件研究
●低介电材料热处
●晶体化，致密化
●电极合金化
●晶向化和坚化
●石墨烯等气相沉积
●碳纳米管等外延生长
●单晶基板热处理
●去除有机残留和光刻胶残留，降低残余应力
●电阻烧结
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