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当前位置：那诺-马斯特中国 > 最新动态 > 不使用NH3生长氮化物的ALD技术

不使用NH3生长氮化物的ALD技术

那诺-马斯特中国

2017/10/26 09:48

阅读：72

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经过一系列的工艺开发、设备开发，以及客户实际使用的探索，NANO-MASTER宣告已经实现了不使用NH3气体来生长氮化物薄膜的PEALD技术和设备。

该技术建基于高密度ICP离子源以及高真空环境，我们可以获得光学薄膜品质的GaN等氮化物薄膜，使用N2替代NH3的最新工艺技术，一方面大大节省了后期尾气处理的巨大成本，另一方面是的H元素的掺杂得到最佳的控制，可以获得超高品质的GaN等氮化物薄膜。基于在该领域的杰出贡献，2016年11月份美国CS（复合半导体）杂志专访了NANO-MASTER的CEO Birol Kuyel博士。到目前为止，该专利工艺技术同时应用于NANO-MASTER的全球首台的PA-MOCVD系统当中，并成功通过该工艺技术的应用，获得出色的半导体薄膜。

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