主要功能：主要用于半导体应用，及各种需要进行微纳工艺溅射镀膜的情形。可以用于金属材料（金、银、铜、镍、铬等）的直流溅射、直流共溅射，绝缘材料（如陶瓷等）的射频溅射，以及反应溅射能力。基片可支持硅片，氧化硅片，玻璃片，以及对温度敏感的有机柔性基片等。 工作原理：通过分子泵和机械泵组成的两级真空泵对不锈钢腔体抽真空，当广域真空计显示的读数达到10-6Torr量级或更高的真空时，主系统的控制软件通过控制质量流量计精确控制Ar气体(如需要溅射氧化物薄膜，可增加O2)，此时可以设定工艺所要求的真空（一般在0.1-10Pa范围）。这时可以根据溅射的需要开启RF或DC电源，并通过软件选择所要溅射的靶枪，产生的Ar等离子轰击相应的靶枪(如果增加O2，氧原子则会与溅射出来的原子产生反应，实现反应溅射)。并在样品台上方的基片上沉积出相应的薄膜，薄膜的膜厚可以通过膜厚监控仪自动控制。工艺状况可通过腔门上的观察视窗实时观看。自动遮板则可以遮挡每一次除了被选中的靶枪外的其它靶枪，防止被污染。 我们的优势：考虑实验应用要求工艺数据的可靠性，NANO-MASTER的磁控溅射设备在镀膜均匀性、重复性和设备稳定性等方面均有优势。1、镀膜均匀性：在最为关键的镀膜均匀性方面，对于6”硅片的金属材料镀膜，NM设备可以达到优于3%的镀膜均匀度。2、设备制造工艺：在配备相似等级的分子泵及机械泵的情况下，NM设备普遍具有更快的抽真空速率，可在20-25分钟左右就达到高真空工艺。腔体真空的稳定度影响镀膜的性能。3、工艺的可重复性：NM设备在工艺控制方面，有更高的自动化能力，通过PC控制，减少人工干预造成的工艺偏差。相比需要人工配合的设备，导致不同人采用同样的工艺做出来的效果却不同，甚至同一个人在不同时间运行相同的工艺做出来的效果也不同。4、设备的紧凑性：在满足相同性能情况下，由于加工精密度方面的优势，NM设备具有更紧凑的设计，占地面积较小，节约实验室宝贵的空间。5、设备的稳定性：NM设备的维护率较低，可以保证设备较长时间的稳定运行，保证科研进度。

    经过一系列的工艺开发、设备开发，以及客户实际使用的探索，NANO-MASTER宣告已经实现了不使用NH3气体来生长氮化物薄膜的PEALD技术和设备。    该技术建基于高密度ICP离子源以及高真空环境，我们可以获得光学薄膜品质的GaN等氮化物薄膜，使用N2替代NH3的最新工艺技术，一方面大大节省了后期尾气处理的巨大成本，另一方面是的H元素的掺杂得到最佳的控制，可以获得超高品质的GaN等氮化物薄膜。基于在该领域的杰出贡献，2016年11月份美国CS（复合半导体）杂志专访了NANO-MASTER的CEO Birol Kuyel博士。到目前为止，该专利工艺技术同时应用于NANO-MASTER的全球首台的PA-MOCVD系统当中，并成功通过该工艺技术的应用，获得出色的半导体薄膜。

        继NANO-MASTER独家专利技术的带淋浴头气流分布的平面ICP离子源应用于NANO-MASTER的刻蚀系统，ICPECVD沉积系统，PA-MOCVD生长系统之后，该ICP离子源顺利应用于ALD系统。由于该型专利技术设计的ICP源为平面设计的远程等离子源，可以在更低电源下达到更高的离子密度，具有电子温度低、离子密度高、腔体空间占比低等优势，确保了该ALD系统具有薄膜无损伤、生长速度快、脉冲周期短（沉积效率可以达到两倍以上）的先进性能。此外，可以实现低温（100度以内）的薄膜生长。