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半导体芯片冷热冲击试验方法高低温冲击试验箱
2023/08/19 12:43
阅读：67
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方案摘要：
产品配置单：
高低温交变湿热试验箱配拉力机GDW-90L荣计达仪器
型号： GDW-90L
产地： 上海
品牌： 荣计达仪器
¥3000 - 3.78万
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液槽冷热冲击试验箱高低温交变测试机DTS2.0
型号： DTS-2.0
产地： 上海
品牌： 荣计达仪器
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方案详情：
半导体芯片冷热冲击试验方法高低温冲击试验箱：
目的：
芯片在生产过程中，需要对其进行冷热冲击试验。一般情况下，民用芯片的正常工作温度范围是 0℃-70℃，其他芯片性能更高，正常工作温度范围是 -55℃-125℃。以上温度范围都是芯片工作下的温度范围，当芯片不工作时，可以承受超过 200℃ 的焊接温度。
试件：
将试件芯片通电置于置物架上;
根据要求设定试验温度:
首先对试件进行低温试验，再进行高温试验，循环次数依要求进行:记录半导体芯片工作状态下，在设定温度下的相关参数，对产品分析，工艺改进以及批次的定向品质追溯提供确实的数据依据。
试件从低温或是高温试验开始，不同标准有不同的解析。若试验从低温段开始，试验结束在高温段，若试验从高温段开始，结束在低温段。为防止试件在试验结束后表面产品凝露，试验结束在低温段时需要增加烘干恢复的过程，这样就增加了试验周期，建议试验从低温段开始，结束在高温段。
温度范围：-65℃～150℃
低温冲击：-40℃，-55℃，-65℃
高温冲击：65℃，85℃，125℃
温度冲击时间小于3min，1min
温度保持时间30min，60min
测试时间不能少于1000个循环
热压器/无偏压 HAST测试 参考标准：JESD22-A118
温度范围：100℃～143℃
湿度范围：70%RH～100%RH
压力范围：0.5kg～3.5kg
测试时间不能少于200小时，具体根据用户实际要求，有些需要达到500小时到1000小时等不同时间
其他测试标准：GB/T 2423.1-2001 试验A：低温试验方法，试验B：高温试验方法，GJB 150.3-1986 高温试验， 低温试验， GB 11158《高温试验箱技术条件》， IEC60068-2-14 等测试标准。
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