普林斯顿仪器 PIXIS-XO 软X射线相机

适用于紫外，深紫外的X射线相机

高敏感度，热电制冷的PIXIS-XO相机有多款不同的深耗尽式和背照式CCD芯片，用于直接探测 ~30 eV and ~20 KeV 能量范围的X射线。 可旋转型的ConFlat 法兰的高真空设计，可软件选择的增益和读出速度，使得这款相机非常适合各种高真空的应用。

PIXIS-XO具有以下优点:

•    多样的芯片选择（1340 x 100 to 2048 x 2048 pixel arrays; 13 x 13 µm to 20 x 20 µm pixel sizes）

•    可探测范围：<30 eV to ~20 keV

•    可旋转的CF法兰接口

•    灵活的双读出放大器

•    高速USB2.0接口

•    LightField可实现全面的控制

探测到更多的X射线光子!

PIXIS-XO相机致力于提供非常高的直接探测性能，广泛用于X射线谱仪，X射线成像，X射线显微镜，X射线等离子诊断，深紫外刻蚀技术。

伴随着众多可选的CCD格式，100%覆盖率，低噪声电子电路，-70℃ 到 -90℃的热电制冷等，PIXIS-XO为用户提供了方便快捷的实验操作和OEM条件。

可探测范围：<30 eV to ~20 keV

适合各类应用

高速USB2.0数据接口:

任何电脑直接连接，无需额外硬件

即插即用

真正的16位数据传输能力，最高可达2MHz读出速度

可旋转的CF法兰盘: 

方便准直X射线光路，提高成像和成谱质量。

灵活的双读出放大器:

灵活设置，优化实验

高敏度ADC提供最低的读出噪声

大容量ADC提供最高的动态范围

最好的线性度

LightField的64-位操作平台:

直观易上手的用户界面设计

自动背景扣除，平场纠正和误差检测

PICAM（64）位通用程序语言，方便的程序修改与编译

型号

像素

像素尺寸

传感器型号

100B 

1340 x 100

20 x 20 μm

背照式

100BR 

1340 x 100

20 x 20 μm

背照式, 深度耗尽

400B 

1340 x 400

20 x 20 μm

背照式

400BR 

1340 x 400

20 x 20 μm

背照式, 深度耗尽

1024B 

1024 x 1024

13 x 13 μm

背照式

1024BR 

1024 x 1024

13 x 13 μm

背照式, 深度耗尽

1300B 

1340 x 1300

20 x 20 μm

背照式

2KB 

2048 x 512

13.5 x 13.5 μm

背照式

2048B 

2048 x 2048

13.5 x 13.5 μm

背照式

PIXIS-XO 直接探测型相机的量子效率*

有关各型号中可用的 CCD 类型，请参阅数据表。