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核心参数
产地类别： 国产
图像分辨率： 3000 (H) × 3000 (V)
像素尺寸： 3.75 μm x 3.75 μm
量子效率： 92% @ 530 nm
<0.0005 e-/p/s暗电流
可替代冷CCD长曝光应用
FL 9BW暗电流已低至0.0005 e-/p/s, 制冷深度可达-25℃，关键性能达到了深度制冷CCD相当的水平。在~10分钟长曝光的条件下，FL 9BW仍能获取高信噪比(SNR)的图像，且在正常曝光时间内 (60分钟)，信噪比都优于695 CCD。
背景均一
定量分析更精准
FL 9BW同时集成了索尼芯片优异的辉光抑制能力和鑫图先进图像降噪处理技术，基本杜绝了边角亮光、坏点像素等不良制程因素对正常信号的干扰，成像背景均一，更适合定量分析应用。
SONY 背照式科学级芯片
综合成像性能优越
FL 9BW采用索尼新一代背照式科学级CMOS芯片，不仅长曝光性能和CCD相当，峰值量子效率高达92%，读出噪声仅0.9 e-，弱光成像能力碾压CCD，动态范围更是传统CCD的4倍以上，综合成像性能十分优越。
技术参数
| 芯片类型 | BSI CMOS |
| 芯片型号 | SONY IMX533CLK-D |
| 彩色/黑白 | 黑白 |
| 对角线尺寸 | 15.96 mm （1”） |
| 有效面积 | 11.28 mm × 11.28 mm |
| 像素大小 | 3.76 μm × 3.76 μm |
| 分辨率 | 3000 × 3000, 9 MP |
| 峰值量子效率 | 92% @ 530nm |
| 暗电流 | < 0.0005e-/p/s |
| 位深 | 14 bit@bin1; FPGA bining 自动扩展到16bit |
| 增益模式 | Gain 0 - 高满阱 Gain 1 - 平衡 Gain 2 - 高灵敏 |
| 满阱容量 | Gain 0：47 ke- @ bin1; > 180 ke- with binning Gain 1：16 ke- @ bin1; > 64 ke- with binning Gain 2: 3 ke- @ bin1; > 12 ke- with binning |
| 读出模式 | Standard, Low-Noise |
| 读出噪声 | Standard: 3.2 e- @ Gain 0; 1.2 e- @ Gain 1, 1.0 e-@ Gain 2 Low-Noise: 2.5 e- @ Gain 0; 1.0 e- @Gain 1, 0.9 e- @ Gain 2 |
| 读出噪声 | Standard: 3.2 e- @ Gain 0; 1.2 e- @ Gain 1, 1.0 e-@ Gain 2 Low-Noise: 2.5 e- @ Gain 0; 1.0 e- @Gain 1, 0.9 e- @ Gain 2 |
| 帧率 | 18fps @ Standard Mode, 12fps @ Low Noise Mode |
| 快门类型 | 卷帘 |
| 曝光时间 | 12.2 μs ~ 60 min |
| 图像校正 | DPC |
| ROI | 支持 |
| Binning | 2 x 2 , 3 x 3, 4 x 4 , 6 x 6 , 8 x 8 |
| 制冷方式 | 风冷 |
| 制冷温度 | -25 ℃ @ 室温（22 ℃） |
| 触发模式 | 硬件, 软件 |
| 触发输出 | 曝光开始, 全局, 读出结束, 高电平, 低电平 |
| 触发接口 | Horise |
| SDK | C, C++, C# |
| 数据接口 | USB 3.0 |
| 光学接口 | C-Mount, 支持定制 |
| 电源 | 12 V / 6A |
| 功耗 | ≤ 40W |
| 操作环境 | 温度 0~40 °C, 湿度 10~85% |
| 储存环境 | 温度 -10~60 °C, 湿度 0~85% |
| 相机尺寸 | 76 mm x 76 mm x 98.5 mm |
| 操作系统 | Windows/Linux |
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