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伯东 KRI 考夫曼平行型射频离子源 RFICP220 辅助 DC/DC 混合电路生产
在 DC/DC 混合电路生产各工艺环节中会有不希望出现的物理接触面状态变化、相变等, 对质量带来不利影响, 对其生产中表面状态的控制已成为必不可少的关键控制环节.
某大型工厂在生产过程中采用 KRI 考夫曼平行型射频离子源 RFICP220 辅助 DC/DC 混合电路生产, 其主要目的是：
1. 去除处理物体表面的外来物层, 如沾污层、氧化层等
2. 改善物体表面状态, 提高物体表面活性, 提高物体表面能等
伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:
离子源型号 | RFICP220 |
Discharge | RFICP 射频 |
离子束流 | >800 mA |
离子动能 | 100-1200 V |
栅极直径 | 20 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 10-40 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型压力 | < 0.5m Torr |
长度 | 30 cm |
直径 | 41 cm |
中和器 | LFN 2000 |
客户存在的问题:
客户的背银芯片很容易发生银的硫化及氧化,将直接影响芯片的贴装质量.被硫化或氧化背银的芯片采用导电胶粘接、氢气烧结、再流焊贴装均将有空洞率增大导致接触电阻、热阻增大和粘接强度下降等问题.
解决方案:
客户采用 KRI 考夫曼平行型射频离子源 RFICP220 , 氩气作为清洗气体, 清洗时间200~300 s, 气体流量40 sccm, 经过 KRI 考夫曼平行型射频离子源 RFICP220 产生的离子束清洗芯片背面
运行结果:
1. KRI 考夫曼平行型射频离子源 RFICP220 有效去除背银芯片硫化银及氧化银, 保证了芯片贴装质量
2. 可有效提高 DC/DC 混合电路组装质量及可靠性
伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 罗先生 台湾伯东: 王女士
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
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