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上海伯东美国 KRI 离子源又获半导体离子蚀刻 IBE 订单!
上海伯东美国 KRI 离子源又获半导体离子蚀刻 IBE 订单!
上海伯东代理美国 KRI 考夫曼离子源 RFICP 220 安装于离子蚀刻机 IBE 中, 实现半导体 8寸晶圆 wafer 的线路刻蚀.
---------------------- 上海伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 ------------------------------
KRI 射频离子源 RFICP 220 高能量栅极离子源, 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 800 mA. 适用于预清洗,
辅助镀膜, 溅镀和蒸发镀膜, 离子蚀刻.
| 型号 | RFICP 220 |
Discharge 阳极 | RF 射频 | |
离子束流 | >800 mA | |
离子动能 | 100-1200 V | |
栅极直径 | 20 cm Φ | |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 | |
流量 | 10-40 sccm | |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 | |
典型压力 | < 0.5m Torr | |
长度 | 30 cm | |
直径 | 41 cm | |
中和器 | LFN 2000 |
若您需要进一步的了解 KRI 射频离子源, 请参考以下联络方式
上海伯东: 叶女士 台湾伯东: 王女士
T: +86-21-5046-3511 ext 109 T: +886-3-567-9508 ext 161
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