KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 成功用于多靶磁控溅射镀膜机

上海伯东

2021/02/24 15:30

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某 OEM 厂商为了提高镀膜机镀膜的品质, 其为客户搭建的多靶磁控溅射镀膜机的溅射源采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380, 清洗源采用 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000, 真空腔体搭配的是伯东 Pfeiffer 涡轮分子泵 HiPace 2300.

KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:

射频离子源型号	RFICP380
Discharge 阳极	射频 RFICP
离子束流	>1500 mA
离子动能	100-1200 V
栅极直径	30 cm Φ
离子束	聚焦, 平行, 散射
流量	15-50 sccm
通气	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力	< 0.5m Torr
长度	39 cm
直径	59 cm
中和器	LFN 2000

KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000 技术参数:

离子源型号	eH3000	eH3000LO	eH3000MO
Cathode/Neutralizer	HC
电压	50-250V	50-300V	50-250V
电流	20A	10A	15A
散射角度	>45
可充气体	Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others
气体流量	5-100sccm
高度	6.0“
直径	9.7“
水冷	可选

F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current

涡轮分子泵 HiPace 2300 技术参数：

型号	接口 DN		抽速 l/s			压缩比	zui高启动压强hPa	极限压力	全转速气体流量hPa l/s	启动时间	重量
型号	进气口	排气口	氮气N2	氦气He	氢气 H2	氮气N2	氮气N2	hPa	氮气N2	min	kg
HiPace 2300	250	40	1,900	2,000	1,850	> 1X10⁸	1.8	< 1X10^–7	20	4	34 – 47

镀膜机实际运用案例：

采用多靶磁控溅射镀膜机在 UO_2 陶瓷 IFBA 芯块表面上溅射沉积 ZrB_2 涂层，与其他未引用 KRI 离子源和 Pfeiffer 分子泵的多靶磁控溅射镀膜机相比, 引进 KRI 离子源和 Pfeiffer 分子泵后, 其镀制的 ZrB_2 涂层附着力明显提高, 涂层厚度更加均匀, 晶粒更加细小, 沉积率更高.

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:

上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士
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