美国 KRi 射频离子源应用于氧化物薄膜及异质结制备系统上海伯东美国 KRi 射频离子源 RFICP 40 成功应用于氧化物薄膜及异质结制备系统, 协助客户完成 MgO, Y2O3, Al2O3 等金属氧化物在 6寸单晶硅上均匀沉积多层膜的需要, 单晶硅镀氧化薄膜的工艺过程, 用于研发磁学薄膜, 半导体薄膜, 光学薄膜和高温超导薄膜等.KRi 射频离子源在氧化物薄膜及异质结制备系统中的作用设备: 氧化物薄膜及异质结制备系统离子源型号: KRi 射频离子源 RFICP 40, 功率 600W, 频率 2MHz应用: 通过 IBAD 辅助镀膜工艺, 实现单晶硅氧化物薄膜的制备.膜厚均匀性: 6 英寸样品, 蒸 MgO 薄膜 200nm, 片内测试 9 个点. 片内均匀性 ≤±5%, 片间膜厚均匀性 ≤±5%, 批次间膜厚均匀性≤±5%真空环境下, KRi 射频离子源通过向生长的薄膜中添加能量来增强分子动力学, 以增加表面和原子 / 分子的流动性, 实现薄膜的致密化或通过向生长薄膜中添加活性离子来增强薄膜化合物的化学转化, 从而得到需要的材料. 同时 KRi 射频离子源可以对工艺过程优化, 无需加热衬底, 对温度敏感材料进行低温处理, 简化反应沉积.美国 KRi 射频离子源 RFICP 40 特点:RFICP 40 是美国 KRi 射频离子源系列尺寸最小, 低成本高效离子源. 适用于集成在小型的真空腔体内. 设计采用创新的栅极技术用于研发和开发应用, 无需电离灯丝设计, 适用于通气气体是活性气体时的工业应用. 标准配置下 RFICP 40 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.型号RFICP 40Discharge 阳极RF 射频, 电感耦合离子束流>100 mA离子动能100-1200 eV栅极直径4 cm Φ栅极材质钼或石墨离子束聚焦, 平行, 散射流量3-10 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度12.7 cm直径13.5 cm中和器LFN 2000 or RFN上海伯东美国 KRi RF 射频离子源无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长!  提供完整的系列, 包含离子源本体, 电子供应器, 中和器, 自动控制器等. 适合多层膜的制备, 离子溅镀镀膜和离子蚀刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等.上海伯东同时提供各类真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源在真空环境中实现薄膜沉积, 干式纳米刻蚀和修改材料表面性能, 广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域.若您需要进一步的了解 KRi 射频离子源, 请参考以下联络方式上海伯东:罗女士

     离子束抛光适用于大面积、异型、特殊材料等加工对象的超高精度非接触式修形及抛光, 精度可达亚纳米级, 被誉为终极抛光. 离子束抛光机的最核心部件是可聚焦的高能量离子源. 上海伯东某客户为专业精密光学元器件设备制造商, 主要产品为离子束抛光机、磁流变抛光机等, 提供超精密光学工艺制造研发服务, 是一家超精密光学元器件解决方案提供商. 经推荐, 该客户采用上海伯东美国 KRi 直流电源式考夫曼离子源 KDC 系列成功应用于光学镀膜离子束抛光机. KRI 离子源用于离子束抛光机:  应用方向：非接触式亚纳米离子束表面修形应用领域：半导体/精密光学产品类别：高精密光学器件加工指标：1. 加工尺寸能力 5-1200mm ；2. 采用非接触式加工, 无边缘效应, 不产生亚表面损伤；3. 亚纳米加工精度, 可实现面型 RMS4. 加工光学元器件形状有：平面、球面、非球面、自由曲面、离轴非球面等；5. 加工光学元器件材料有：石英玻璃、微晶、超低膨胀玻璃、KDP 晶体、蓝宝石、硅、碳化硅、红外材料等.      美国 KRI 考夫曼公司新升级 Gridded KDC 系列离子源, 新的特性包含自对准离子光学和开关式电源控制. 考夫曼离子源 KDC 系列包含多种不同尺寸的离子源满足各类应用. 考夫曼离子源通过控制离子的强度及浓度, 使抛光刻蚀速率更快更准确, 抛光后的基材上获得更平坦, 均匀性更高的薄膜表面. KDC 考夫曼离子源内置型的设计更符合离子源在离子抛光机内部的移动运行. 上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 系列根据客户离子抛光工艺条件提供如下型号: 型号KDC 10KDC 40KDC 75KDC 100KDC 160Discharge 阳极DC 电流DC 电流DC 电流DC 电流DC 电流离子束流>10 mA>100 mA>250 mA>400 mA>650 mA离子动能100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V栅极直径1 cm Φ4 cm Φ7.5 cm Φ12 cm Φ16 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量1-5 sccm2-10 sccm2-15 sccm2-20 sccm2-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度11.5 cm17.1 cm20.1 cm23.5 cm25.2 cm直径4 cm9 cm14 cm19.4 cm23.2 cm中和器灯丝 KRI 考夫曼离子源其余相关应用：美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 40 热蒸镀机应用 离子源表面预清洁 Pre-clean 应用 伯东 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 辅助沉积高铝超硬涂层增强切削性能   相关产品:美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 75 美国 KRI 考夫曼离子源 Gridded KDC 系列KRI 考夫曼离子源 KDC 100美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 40 美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 10 上海伯东同时提供真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗女士

      紫外滤光片是一种光学元件, 通过使用分散在玻璃材料表面的光学薄膜控制入射光通过膜层后不同波长光的透反比. 222nm是紫外不可避免的一个波段, 因为其生物体透过率低, 被誉为对人体安全的紫外线.222nm远紫外杀菌产品一定程度上解决了传统紫外线不能直接照射人体的痛点问题, 兼顾了功能性和安全性, 实现了人机友好共存, 有效减少和灭杀身体表面多达99.9%的细菌和病原体.    紫外线在222nm下工作对滤光片生产厂家来说是一项挑战, 因为许多常用材料在这个波段有较大的吸收、甚至不通光. 大多数干涉滤光片的设计都假设光只被透射或反射而不被吸收, 而远紫外波段由于吸收较大、材料选择有限, 镀膜难以获得较高的透过成为业内的一个难题. 为了解决传统紫外滤光片膜层光谱吸收严重等问题, 经过推荐上海伯东某客户采用光学镀膜机加装美国原装进口 KRi 大尺寸射频离子源 RFICP 380 镀制222nmUVC 紫外滤光片, 选取紫外通光性能及高低折射率较好的基底和材料, 镀膜效果可达到客户高品质要求. KRI 离子源用于UVC人机共存紫外滤光片镀膜 上海伯东美国原装进口 KRi 大尺寸射频离子源 RFICP 380辅助沉积镀制222nm紫外滤光片, 能够尽可能地减小材料在紫外波段的吸收, 并且沉积过程稳定, 加以合理的膜系设计和均匀性修正, 可以很好地镀制出透过率高、截止深度高、温度漂移小、膜层致密性好、使用寿命长的产品, 解决业内在紫外波段镀膜透过率不高以及温漂的难题. 上海伯东美国 KRi 射频离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长! 射频离子源 RFICP 系列提供完整的系列, 包含离子源本体, 电子供应器, 中和器, 自动控制器等. 射频离子源适合多层膜的制备, 离子溅镀镀膜和离子蚀刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等.  射频离子源 RFICP 系列技术参数: 型号RFICP 40RFICP 100RFICP 140RFICP 220RFICP 380Discharge 阳极RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频离子束流>100 mA>350 mA>600 mA>800 mA>1500 mA离子动能100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V栅极直径4 cm Φ10 cm Φ14 cm Φ22 cm Φ38 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量3-10 sccm5-30 sccm5-30 sccm10-40 sccm15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度12.7 cm23.5 cm24.6 cm30 cm39 cm直径13.5 cm19.1 cm24.6 cm41 cm59 cm中和器LFN 2000 or RFN 上海伯东同时提供真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗女士

        黑膜镀制, 是指将入射到材料表面的光线, 包括紫外光、可见光、近红外光以及中远红外波段的光, 几乎全部吸收而基本没有反射的表面处理技术. 超高的吸收率使黑膜有着广阔的应用前景. 如可在精密光学仪器和光学零件、医疗仪器、航空航天、外观装饰品等产品上得到广泛使用, 可大幅度提高产品品质, 开拓新的产品方向.    然而, 由于传统黑色表面处理工艺存在膜层太厚、粗糙多孔、结合力不佳、高低温环境不稳定、有害有机物释放、制备过程有大量污染物产生等问题, 因此, 探索黑膜镀制工艺升级是大势所趋. 上海伯东某客户借助 KRI 霍尔离子源镀制高信耐性黑膜, 通过镀膜工艺控制膜层透过指标, 以达到不同的效果. 试验效果很好地满足客户要求, 工艺性能优质. KRi 霍尔离子源应用于黑膜镀制    客户打样指标要求：黑膜吸收92%~95.5%, 反射率8%~4.5%, HR 面反射率>95%@400~700nm, 上海伯东美国 KRI 霍尔离子源辅助沉积镀制增透吸收膜, 可以获得非常好的单质 SI 材料可见波段的吸收常数, 离子源辅助沉积过程稳定, 膜层致密性高, HR 膜更加得心应手, 加以合理工艺匹配, 可获得高信耐性、工艺性能良好的黑膜和 HR 膜. 使用离子源辅助的电子束蒸发来在不加热基板上进行蒸发, 可得到附着力良好, 遮盖力强, 材料可均匀融化, 工艺性能良好, 能很好地粘附于多种基底类型, 并表现出良好的环境稳定性的黑膜. 美国进口 KRI 霍尔离子源辅助镀制, 可达到行业顶级水准的效果.     美国 KRI 霍尔离子源 eH 系列紧凑设计, 高电流低能量宽束型离子源, 提供原子等级的细微加工能力, 霍尔离子源 eH 可以以纳米精度来处理薄膜及表面, 多种型号满足科研及工业, 半导体应用. 霍尔离子源高电流提高镀膜沉积速率, 低能量减少离子轰击损伤表面, 宽束设计提高吞吐量和覆盖沉积区. 整体易操作, 易维护. 霍尔离子源 eH 系列在售型号:型号eH400eH1000eH2000eH3000eH Linear中和器F or HCF or HCF or HCF or HCF阳极电压50-300 V50-300 V50-300 V50-250 V50-300 V离子束流5A10A10A20A根据实际应用散射角度>45>45>45>45>45气体流量2-25 sccm2-50 sccm2-75 sccm5-100 sccm根据实际应用本体高度3.0“4.0“4.0“6.0“根据实际应用直径3.7“5.7“5.7“9.7“根据实际应用水冷可选可选是可选根据实际应用* F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current KRI 霍尔离子源其余相关应用：美国 KRi 霍尔离子源辅助镀膜 IBAD 应用 (hakuto-china.cn)KRI 考夫曼霍尔离子源辅助光学镀膜 (hakuto-china.cn)伯东 KRI霍尔离子源在样品清洗前处理中的应用 (hakuto-china.cn)KRI 霍尔离子源辅助制备碳化硅改性薄膜 (hakuto-china.cn) 相关产品:美国 KRI 霍尔离子源 eH 3000 (hakuto-china.cn)美国 KRI 霍尔离子源 eH 2000 (hakuto-china.cn)美国 KRI 霍尔离子源 eH 1000 (hakuto-china.cn)美国 KRI 霍尔离子源 eH 400 (hakuto-china.cn)美国 KRI 线性霍尔离子源 eH Linear (hakuto-china.cn)  上海伯东同时提供真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域. 上海伯东是美国Gel-pak 芯片包装盒, 日本 NS 离子蚀刻机, 德国 Pfeiffer  真空设备, 美国  KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 比利时原装进口 Europlasma 等离子表面处理机 和美国 Ambrell 感应加热设备等进口知名品牌的指定代理商 .我们真诚期待与您的合作!若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗女士

 HUD 已经成为一种常见的汽车配置与功能, 通过它来直观显示速度、发动机转速或其他悬停在驾驶员视野中的信息, 减少因低头查看仪表盘而造成的分心, 提升驾驶安全. 目前量产的车用抬头显示 HUD 正在从风挡型 W-HUD 逐渐向增强现实型的 AR-HUD 发展：从单纯的信息展示屏幕, 变成了具有在实际路况位置产生警示符号的增强现实(AR) 效果. W-HUD/AR-HUD 一直都依赖光学凹面镜成像原理实现距离与视觉尺寸的放大, AR-HUD最大的技术挑战在于:高放大倍率所衍生的高倍率畸变差晕眩问题与太阳光倒灌烧毁光机的问题. 要使用越小的体积产生同样的长虚像距离 (VID) 距离, 放大倍率就得越大. 放大倍率越大, 阳光倒灌与晕畸变差眩就越严重. 防阳光倒灌滤光片可通过 RGB 窄带滤光片来实现. 滤光片可实现可见光波段的高透过率, 同时截止近红外和紫外波段, 获得极高的亮度测量灵敏度和动态范围. KRi 离子源应用于车载AR-HUD 镀膜 上海伯东某客户使用自主研发的高端镀膜设备, 配备美国 KRI 射频离子源辅助镀膜通过测验, 得到具有高透过率、高匹配精度、膜层致密度和牢固度优质, 高低温变化波长不漂移, 恶劣环境下耐久性良好的 RGB 窄带滤光片, 上海伯东为车载AR-HUD TFT 防阳光倒灌提供了优质镀膜解决方案.  上海伯东美国 KRi 射频离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长! 射频源 RFICP 系列提供完整的系列, 包含离子源本体, 电子供应器, 中和器, 自动控制器等. 射频离子源适合多层膜的制备, 离子溅镀镀膜和离子蚀刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等. 射频离子源 RFICP 系列技术参数:型号RFICP 40RFICP 100RFICP 140RFICP 220RFICP 380Discharge 阳极RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频离子束流>100 mA>350 mA>600 mA>800 mA>1500 mA离子动能100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V栅极直径4 cm Φ10 cm Φ14 cm Φ22 cm Φ38 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量3-10 sccm5-30 sccm5-30 sccm10-40 sccm15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度12.7 cm23.5 cm24.6 cm30 cm39 cm直径13.5 cm19.1 cm24.6 cm41 cm59 cm中和器LFN 2000  KRI 射频离子源其余相关应用：KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用 (hakuto-china.cn)KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 溅射沉积立方氮化硼薄膜 (hakuto-china.cn)KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 溅射制备微晶硅薄膜 (hakuto-china.cn)KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 溅射沉积 Ir 膜 (hakuto-china.cn)  相关产品:美国 KRi 射频离子源 RFICP 380,满足 300 mm (12英寸)晶圆应用. (hakuto-china.cn)美国 KRI 射频离子源 RFICP 220 (hakuto-china.cn)美国 KRI 射频离子源 RFICP 140 (hakuto-china.cn)美国 KRI 射频离子源 RFICP 100 (hakuto-china.cn)美国 KRI 射频离子源 RFICP 40 (hakuto-china.cn)  上海伯东同时提供真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗女士

 带通滤光片也叫干涉滤光片, 主要起到过滤不想要的杂光, 只让想要的光通过的作用. 385nm 紫外带通滤光片是带通滤光片中一款 UV 紫外波段的滤光片, 广泛应用于荧光检测, 警用多波段滤光片. 它具有高透过率, 其深截止可保证探测器接收不到其它波长的光, 因此可保证图像的高亮度和更大的信噪比. 385nm 紫外带通滤光片采用多层硬膜经离子辅助沉积纳米材料高真空蒸发而成, 膜层致密性好, 成像清晰度高, 厚度薄. 为了得到更优质效果, 经过推荐上海伯东某客户采用光学镀膜机加装美国原装进口 KRi 大尺寸射频离子源 RFICP 380 镀制 385nm 紫外带通滤光片. 验证过程及结果如下： 应用方向：美国 KRi 射频离子源辅助沉积镀制 385nm 紫外带通滤光片 离子源类型：美国 KRi 射频离子源 RFICP 380 镀膜设备：1米7 的大型蒸镀设备 应用领域：UV 臭氧灯、UV 洗净灯、UV 光分解灯、UV 消毒灯、UV 固化灯、UV-LED 灭菌、UV 紫外光合成灯、荧光分析仪、荧光显微镜、生物芯片、酶标仪、工业相机、分光光度计、医用理化分析设备、刑侦检测、光学仪器、科学摄影、生命科学检测仪器等 光学镀膜机加装美国原装进口 KRi 大尺寸射频离子源 RFICP 380 镀制 385nm 紫外带通滤光片, 可以获得很小的 Ta2O5 与 SiO2 材料在紫外的吸收率, 沉积过程稳定, 加以合理的膜系设计, 能达到行业顶级水准.  上海伯东美国 KRi 射频离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长! 射频源 RFICP 系列提供完整的系列, 包含离子源本体, 电子供应器, 中和器, 自动控制器等. 射频离子源适合多层膜的制备, 离子溅镀镀膜和离子蚀刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等.  射频离子源 RFICP 系列技术参数: 型号RFICP 40RFICP 100RFICP 140RFICP 220RFICP 380Discharge 阳极RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频离子束流>100 mA>350 mA>600 mA>800 mA>1500 mA离子动能100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V栅极直径4 cm Φ10 cm Φ14 cm Φ22 cm Φ38 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量3-10 sccm5-30 sccm5-30 sccm10-40 sccm15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度12.7 cm23.5 cm24.6 cm30 cm39 cm直径13.5 cm19.1 cm24.6 cm41 cm59 cm中和器LFN 2000 KRI 射频离子源其余相关应用：KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用 (hakuto-china.cn)KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 溅射沉积立方氮化硼薄膜 (hakuto-china.cn)KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 溅射制备微晶硅薄膜 (hakuto-china.cn)KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 溅射沉积 Ir 膜 (hakuto-china.cn)  相关产品:美国 KRi 射频离子源 RFICP 380,满足 300 mm (12英寸)晶圆应用. (hakuto-china.cn)美国 KRI 射频离子源 RFICP 220 (hakuto-china.cn)美国 KRI 射频离子源 RFICP 140 (hakuto-china.cn)美国 KRI 射频离子源 RFICP 100 (hakuto-china.cn)美国 KRI 射频离子源 RFICP 40 (hakuto-china.cn) 上海伯东同时提供真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域. 上海伯东是美国Gel-pak 芯片包装盒, 日本 NS 离子蚀刻机, 德国 Pfeiffer  真空设备, 美国  KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 比利时原装进口 Europlasma 等离子表面处理机 和美国 Ambrell 感应加热设备等进口知名品牌的指定代理商 .我们真诚期待与您的合作!  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗女士  

        上海伯东代理美国 Gel-Pak 胶盒区别于常规的华夫盒特点之一是 Gel-Pak 凝胶适合各种尺寸的芯片和器件,  Gel-Pak 提供了丰富的印刷网格线供选择, 印刷网格线选项： Gel Pak可以根据客户的需求定制印刷网格线，也可以印刷客户的公司标识，客户可以选择Gel Pak标准的印刷网格线，或者提出具体的需求，Gel Pak会根据需求设计出符合要求的网格线。      印刷网格线的作用主要是方便客户追踪特定的产品的放置位置，方便管理，也可以用于辅助自动机台在Pick& Place过程中的定位。      客户的公司标识，也可以印刷在 Gel Pak 产品上，印刷的色彩可选项可以满足真彩印刷的需求。     Gel Pak提供了针对普通的AD盒子，CD托盘和真空释放托盘的全系列印刷网格线选型。客户可以使用 隔离 Pak 官网上的工具，自助选择符合需要的印刷网格线选项。            美国 Gel-Pak 公司自 1980年成立以来一直致力于创新包装产品的生产, Gel-Pak 产品使用高交联合专利聚合材料 Gel, 材料通过本身表面的张力来固定器件, 固定力等级取决于 Gel 产品的自身特性. 美国 Gel-Pak 晶圆包装盒广泛应用于储存和运输半导体精密器件, 光电器件和其他精密器件等, 上海伯东是美国 Gel-Pak 芯片包装胶盒中国总代理. 相关产品:Gel-Pak 芯片包装盒 (hakuto-china.cn)上海伯东美国 Gel-Pak 真空释放胶盒 VR (hakuto-china.cn)Vertec™ 芯片包装盒 AV 系列 (hakuto-china.cn) 上海伯东是美国Gel-pak 芯片包装盒, 日本 NS 离子蚀刻机, 德国 Pfeiffer  真空设备, 美国  KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 比利时原装进口 Europlasma 等离子表面处理机 和美国 Ambrell 感应加热设备等进口知名品牌的指定代理商 .我们真诚期待与您的合作!  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗女士 

 上海伯东Gel Pak 标准品的黏度由低到高为：XT，XL， X0，X4…. X8，选择合适的黏度，需要考虑一系列的因素，包括： 器件（芯片）尺寸，与胶膜接触面的粗糙度情况，以及器件的自重等。决定合适的黏度并没有一个标准流程，选择的黏度所需要达到的要求是能在运输和操作过程中能牢牢的黏住客户的器件，同时又可以很方便的取下，如果需要，可以申请合适的样品，做测试以确定合适的黏度。 Gel Pak 黏结强度相对值：  下表是真空释放盒选择黏度和的Mesh size的一般建议，供参考 器件尺寸 （X）推荐Mesh尺寸建议黏度最短边（微米Micron）抛光表面（Polished）蚀刻表面（Etched）多孔表面（电路板等）X NDTXTXT联系原厂，样品测试254≤ X ≤ 381195XLXL联系原厂，样品测试381≤ X ≤ 508137XLX4联系原厂，样品测试508≤ X ≤ 889103XLX4联系原厂，样品测试889≤ X ≤ 152476XLX4联系原厂，样品测试1524≤ X ≤ 279433XLX4X82794≤ X16XLX4X8 【注:】X 指得是芯片的最短边，比如 0.8mm x 0.5mm的芯片，以0.5mm 作为选择的基准 Gel-pak真空释放盒相关应用美国 Gel-Pak VR 真空释放盒选型指引 (hakuto-china.cn)上海伯东美国 Gel-Pak 真空释放胶盒原理及尼龙网格线选择 (hakuto-china.cn)上海伯东美国 Gel-Pak 真空释放工具功能比较表 (hakuto-china.cn)上海伯东美国 Gel-Pak 大尺寸真空释放托盘针对化合物半导体晶圆运输的解决方案 (hakuto-china.cn) 相关产品:上海伯东美国 Gel-Pak 真空释放胶盒 VR (hakuto-china.cn)        美国 Gel-Pak 公司自 1980年成立以来一直致力于创新包装产品的生产, Gel-Pak 产品使用高交联合专利聚合材料 Gel, 材料通过本身表面的张力来固定器件, 固定力等级取决于 Gel 产品的自身特性. 美国 Gel-Pak 真空吸附盒广泛应用于储存和运输半导体精密器件, 光电器件和其他精密器件等, 上海伯东是美国 Gel-Pak 芯片包装胶盒中国总代理.  若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗女士 

‍‍没有真空, 就不可能有可再生能源. 例如光伏发电 PV, 这是一种广为人知的发电方法, 即利用太阳能电池, 通过光伏效应, 将来自太阳的能量转换为电子流, 从而产生电能.太阳能电池技术有多种类型, 主要技术之一是基于薄膜沉积. 该技术的主要优势是太阳能电池生产中的材料消耗低. 除诸如碲化镉 CdTe 之类材料外, 铜铟镓硒化物 CIGS 也经常用于吸收层. 这些层可以沉积在玻璃等非柔性基板上, 或者金属带材或箔片等柔性基板上, 又或柔性薄玻璃上, 然后须将基板装入一个大型真空室内. 在该真空腔室内会进行多种 PVD 工艺, 例如溅射或蒸发, 以生成多层太阳能电池. 取决于不同工艺, 为了沉积这些层, 需要 10-3 至 10-6 hPa 范围内的真空. 由于表面积较大, 高抽速是必不可少的并且真空需要洁净无碳, 以确保高品质涂层.薄膜沉积真空系统应用要求维护间隔长, 正常运行时间延长无碳真空高抽速, 快速抽空上海伯东推荐德国 Pfeiffer 真空泵典型配置型号大抽速涡轮分子泵HiPace 2300 U全磁浮分子泵ATH 2804 M罗茨泵组CombiLine RH 2404 L图片进气口DN 250 ISO-FDN 250 ISO-FDN 160 ISO-F氮气抽速1900 l/s2350 l/s2348 m³/h极限真空1X10-7 mbar-8 mbar1X10-2 mbar溅射或蒸发工艺要求满足多层膜的制备维护间隔长膜层致密, 不易脱落通过使用上海伯东美国 KRi 离子源可实现基板清洁和加速镀膜材料的溅射速度, 并且离子源在材料沉积过程中可帮助沉‍‍积并使沉积后的薄膜更为致密, 膜基附着力更好,  膜层不易脱落. 其中 RF 射频离子源提供高能量, 低浓度的离子束, 离子源单次工艺时间更长, 适合多层膜的制备和离子溅镀镀膜工艺. 上海伯东是美国 ‍‍KRi 离子源中国总代理.上海伯东美国 KRi 射频离子源 RFICP 参数:型号RFICP 40RFICP 100RFICP 140RFICP 220RFICP 380Discharge 阳极RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频离子束流>100 mA>350 mA>600 mA>800 mA>1500 mA离子动能100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V栅极直径4 cm Φ10 cm Φ14 cm Φ22 cm Φ38 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量3-10 sccm5-30 sccm5-30 sccm10-40 sccm15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度12.7 cm23.5 cm24.6 cm30 cm39 cm直径13.5 cm19.1 cm24.6 cm41 cm59 cm中和器LFN 2000薄膜沉积应用于众多零部件产品的生产, 例如眼镜, 手机, 屏幕显示器等. 一般通过物理气相沉积 PVD 或化学气相沉积 CVD 实现. 薄膜直接施加到零部件表面上, 总厚度小于 10 µm. 薄膜沉积需要在真空环境下进行. 上海伯东提供德国 Pfeiffer 真空产品和美国 KRi 考夫曼离子源助力薄膜沉积工艺发展.若您需要进一步的了解薄膜太阳能电池生产的离子源和真空系统, 请参考以下联络方式上海伯东: 罗女士          ‍‍

‍‍‍‍上海伯东 Hakuto 日本原装设计制造离子束刻蚀机 IBE (离子蚀刻机) 提供 4英寸, 6英寸, 8英寸干法, 纳米级别材料的表面刻蚀, 刻蚀均匀性 ≤±5%. 几乎满足所有材料的刻蚀. 例如磁性材料, 黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料, 广泛应用于 RF 射频器件, MEMS 传感器, 磁性器件 …, 满足研发和量产需要. IBE 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料.            离子刻蚀机 4IBE                                   离子刻蚀机 20IBE                        全自动蚀刻机 MEL 3100离子束刻蚀机 IBE 特性:1. 干法刻蚀, 物理蚀刻, 纳米级别的刻蚀精度2. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状3. 基板直接加装在直接冷却装置上,可以在低温环境下蚀刻.4. 配置公转自转传输机构 ”Dry Chuck Planet ”, 使得样品可以得到比较均匀平滑的表面. 刻蚀均匀性 ≤±5%5. 几乎满足所有材料的刻蚀, IBE 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料6. 配置德国 Pfeiffer 分子泵离子束刻蚀机 IBE 型号参数上海伯东提供用于研究分析的小尺寸离子刻蚀机, 用于生产制造的大尺寸离子蚀刻机, 以及全自动刻蚀机. 满足研发和量产需求！‍型号4IBE7.5IBE10IBE16IBE20IBE-C20IBE-JMEL 3100样品数量尺寸φ4”X 1φ4” X1φ8” X1φ6”X1φ3” X8φ4” X6φ4” X12φ5” X10φ6” X8φ3” -φ6”X1离子束入射角度0～± 900～± 900～± 900～± 900～± 900～± 90-离子源考夫曼型考夫曼型考夫曼型考夫曼型考夫曼型考夫曼型-极限真空度 Pa≦1x10-4≦1x10-4≦1x10-4≦1x10-4≦1x10-4≦1x10-4≦8x10-5均匀性≤±5%≤±5%≤±5%≤±5%≤±5%≤±5%≤±5%上海伯东日本原装进口离子束刻蚀机推荐应用:类别器件刻蚀材料磁性器件自旋电子: MR / AMR / GMR / TMR, MRAM, HDDNi-Fe, Ni-Co, TiO2, BST, Co-Fe, Ta, Cu, Ni-Mo, SiO2 等等…传感器 MEMS铂热电阻, 流量计, 红外传感器, 压电打印机头等PT, PZT, Au, Pt, W, Ta (electrode) 等等…RF 射频器件射频滤波器, GaAs / GaN HEMT 等Au, Pt, Ti, Ru, Cr, LN (LiNbO3) 等光电子激光二极管, 光电探测器, 薄膜分装等Au, Pt, Ti, TaN, GaN 等其他探针卡, 薄膜片式电阻器, 氧化物, 超导等NiCr, Cr, Cu, Pd, Ir, LuFe2O4, SrTiO4, MgOHfO2 等 自 1970年至今, Hakuto 伯东已累计交付约 500套离子刻蚀机. 刻蚀机配置德国 Pfeiffer 涡轮分子泵. 伯东公司超过 50年的离子束刻蚀市场经验, 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术! 上海伯东也是美国 KRi 离子源中国总代理, KRi 离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺. 若您需要进一步的了解离子束刻蚀机 IBE 详细信息, 请参考以下联络方式上海伯东: 罗女士‍‍

氦质谱检漏仪航空电磁阀检漏应用于航空航天控制系统的电磁阀, 因其特殊的使用环境, 对电磁阀阀芯的漏率有着更高的要求, 一般要求真空模式下漏率 -7 Pa.m3/s. 上海伯东德国 Pfeiffer 针对客户的特殊需求, 提供航空电磁阀检漏解决方案.上海伯东氦质谱检漏仪航空电磁阀检漏方法检漏设备: 氦质谱检漏仪 ASM 340 W漏率要求: 吸枪模式: 漏率要求 -3 至-4 Pa.m3/s               真空模式: 漏率约 -7 Pa.m3/s1. 正压检漏: 氦质谱检漏仪吸枪法电磁阀阀芯先用检漏仪吸枪法检漏, 快速判断是否有漏的同时可以精确定位漏点, 漏率设置 -3 至-4 Pa.m3/s阀芯冲入高压 p > 100 hPa 的氦气, 氦质谱检漏仪的检漏口连接吸枪. 当阀芯有漏时, 泄漏的氦气被吸枪吸入氦质谱检漏仪, 而被检测. 吸枪在阀芯表面移动, 同时注意检漏仪的漏率变化, 一旦漏率增加. 吸枪所指位置就是漏点所在2. 负压检漏: 氦质谱检漏仪喷枪法经过吸枪法检漏后, 没有出现漏点的电磁阀阀芯, 需要再抽真空进行负压检漏, 漏率要求 -7 Pa.m3/s.喷枪法检漏是将电磁阀接到检漏仪的检测口, 用喷枪连续向可疑的焊缝, 连接处吹扫氦气, 氦气通过漏孔进入检漏仪并被检测上海伯东销售维修氦质谱检漏仪 ASM 340 与传统泡沫检漏和压差检漏对比, 在提供无损检漏的同时可以检测出更小的漏率 5E-13 Pa m3/s, 利用氦气作为示踪气体可定位, 定量漏点.型号ASM 340 W对氦气的最小检测漏率5E-13 Pa m3/s检测模式真空模式和吸枪模式检测气体4He, 3He, H2启动时间 min3对氦气的抽气速度 l/s2.5进气口最大压力 hPa25前级泵抽速 m3/h油泵 15重量 kg56上海伯东德国 Pfeiffer 提供全系列氦质谱检漏仪, 从便携式检漏仪到工作台式检漏仪满足各种不同的应用. 氦质谱检漏仪替代传统泡沫检漏和压差检漏, 利用氦气作为示踪气体可定位, 定量漏点. 氦质谱检漏仪满足单机检漏, 也可集成在检漏系统或 PLC. 推荐氦质谱检漏仪应用 >>鉴于客户信息保密, 若您需要进一步的了解氦质谱检漏仪, 请参考以下联络方式上海伯东: 罗女士

‍‍适用于制药包装的新型 Mass Extraction 质量提取检漏仪 SpeedAir 3050上海伯东代理德国 Pfeiffer 推出适用于制药应用的新型 Mass Extraction 质量提取检漏仪 SpeedAir 3050, 利用空气代替氦气检漏, 替换旧款检漏仪 ME2, 高灵敏度 (低至1微米缺陷), 为各种非多孔药品容器的密封完整性测试 CCIT 提供解决方案！质量提取检漏仪 SpeedAir 3050 特性适用于各种容器, 无损检测高灵敏度 (低至1微米缺陷)与其他空气泄露技术相比, 循环时间短符合 USP 和 FDA 21 CFR Part 11质量提取检漏仪 SpeedAir 3050 主要技术参数型号SpeedAir 3050测试方法Mass Extraction 质量提取电压90-250 V AC / 50-60 Hz流量传感器IMFS 智能分子流量传感器灵敏度1微米的缺陷尺寸测试压力范围1至20torr操作系统Windows 10重量 (含推车)127 kg上海伯东代理德国 Pfeiffer 质量提取检漏仪 SpeedAir 3050 适用于安瓶, 自动注射器, 输液瓶, 储药器, 柔性袋（静脉输液袋）等的密封性泄露测试.若您需要进一步的了解德国 Pfeiffer  空气泄漏测试仪, 请参考以下联络方式上海伯东: 罗女士‍‍

‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍公司简介伯东公司 Hakuto 作为一家跨国集团上市公司, 是世界各国高科技产品生产商的合作伙伴及代理商. 公司按照业务发展, 可以划分为半导体器件, 电子元件, 电子/电器设备和化学品四大部门, 代理的品牌超过 500+, 销售的产品涉及半导体, 工业, 镀膜, 科研各个市场, 集团年营业额约为 100 亿人民币. 伯东是一家不仅销售各类高端精密仪器设备的公司, 更是针对不同的客户提供定制化解决方案并能与客户携手合作研发新项目应用的公司! 位于中国上海浦东新区的伯东企业(上海)有限公司创建于 1995年12月, 是日本伯东株式会社独资设立的外商投资企业, 公司注册资金为 1550万美元, 在国内主要城市: 北京, 苏州, 广州, 深圳, 成都及厦门设有营业据点.通过美国 UL 安全认证,ISO9001-2000 质量体系认证, ISO 14001-1996 环境体系认证. 公司一直坚持品质第一, 信誉至上的原则, 提供高品质产品以及良好的售后服务.诚招代理 互惠共赢上海伯东真空产品事业部主营德国 Pfeiffer 真空产品, 美国 KRi 离子源, 美国 inTEST 高低温冲击热流仪, 美国 Gel-Pak 芯片包装盒, Hakuto 日本离子刻蚀机 , 美国 HVA 真空阀门, 台湾 SYSKEY 真空镀膜设备及配套真空零配件等.上海伯东作为各品牌指定授权代理商, 全权负责在中国地区的销售和维修服务, 100% 使用原厂进口零部件以及国外受训维修工程师; 拥有完全的拆解, 维修, 校正能力并提供快速维修服务.诚招中国各地区合作代理商, 有意向可联络叶女士‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍

‍‍电子束焊接工艺中的真空系统相较传统焊接工艺, 电子束焊接可以实现精确, 无变形的焊接. 通过电子束焊接, 可以达到较高的焊接速度和深度, 还可实现精确的实时控制和焊接结果的高可重复性. 由于电子束的高局部能量密度, 可以焊接各种各样的材料组合, 其中包括一些通常无法焊接, 或者非常难以焊接的种类. 对焊缝旁材料的低热量输入可确保尽量小的变形, 并使高热导率金属的焊接成为可能. 此外, 真空还可防止焊接件意外氧化. 因此, 电子束焊接广泛应用于诸如汽车, 电子, 医学, 精密工程, 航空航天或能源及核工业等市场.电子束焊接工艺中的真空系统要求电子束焊接是一种接合过程, 其中须通过可调磁体将强烈加速的电子束聚焦在工件上. 在工件的表面上, 电子精确地在碰撞点失去能量, 使该处材料加热, 熔化和蒸发. 电子枪中的电子束产生和加工室内的实际焊接过程几乎完全在高真空范围 10-3 至 10-6 hPa 压力下进行. 这是为了防止电子被空气分子散射, 并实现电子束无故障且无损失地聚焦在工件上.快速抽空: 在电子束发生器上, 粗抽真空过程（时间要求通常不严格）完成后, 真空泵必须在高真空范围内持久保持背景压力. 焊接室内的要求则更高. 真空室体积可能为数公升至数百立方米不等. 无论真空室体积大小, 均须确保短周期时间. 这意味着, 真空系统需要保证非常快的抽气速度, 直至达到规定工作压力, 该压力通常处于高真空范围内的较高段. 因此, 真空泵重要的标准就是非常高的抽吸速度能力!上海伯东代理德国 Pfeiffer 真空泵, 维护间隔期长, 可以较大限度缩短停机时间, 可靠性高并提供快速抽空能力, 广泛应用于电子束焊接工艺, 提供涡轮分子泵, 旋片泵, 罗茨泵以及真空测量, 氦质谱检漏仪等, 满足电子束焊接需求.上海伯东 Pfeiffer 德国普发真空产品授权代理商, 销售维修普发 Pfeiffer 真空产品 20余年. 可协助客户选型并提供完善的售后维修服务. 拥有100% 原装进口维修设备和备品配件, 提供快速维修服务.若您需要进一步的了解 Pfeiffer 真空泵详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗女士‍‍

‍‍上海伯东提供适用于光学镀膜机的离子源和真空系统光的干涉在薄膜光学中应用广泛. 光学薄膜技术的普遍方法是借助真空溅射的方式在玻璃基板上涂镀薄膜. 光学镀膜是光学器件上的单个或多个材料沉积薄层, 实现多样功能, 典型应用例如在镜片镀膜中, 为了消除光学零件表面的反射损失, 提高成像质量, 涂镀一层或多层透明介质膜, 称为增透膜或减反射膜. 薄膜沉积在新型特殊性能材料的开发和研究中起到重要作用.光学镀膜是如何工作的？待镀膜工件装入镀膜室, 其内将执行喷溅工艺流程. 通常是两个离子源, 一个溅射沉积源, 一个预清洁和辅助沉积源. 离子源在真空环境中产生离子束, 离子束轰击溅射目标, 溅射的原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, 从而将薄膜加镀到工件上. 此处所需的典型真空压力一般小于 1x10-4 hPa. 清洁无碳真空环境和高稳定的离子束流是实现精确的高质量的薄膜关键.光学镀膜中离子源作用通过使用上海伯东美国 KRi 离子源可实现基板清洁和加速镀膜材料的溅射速度, 并且离子源在材料沉积过程中可帮助沉积并使沉积后的薄膜更为致密, 膜基附着力更好,  膜层不易脱落. 其中射频离子源提供高能量, 低浓度的离子束, 离子源单次工艺时间更长, 适合多层膜的制备和离子溅镀镀膜工艺. 上海伯东是美国 KRi 离子源中国总代理.上海伯东 KRi 射频离子源 RFICP 参数:型号RFICP 40RFICP 100RFICP 140RFICP 220RFICP 380Discharge 阳极RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频离子束流>100 mA>350 mA>600 mA>800 mA>1500 mA离子动能100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V栅极直径4 cm Φ10 cm Φ14 cm Φ22 cm Φ38 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量3-10 sccm5-30 sccm5-30 sccm10-40 sccm15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度12.7 cm23.5 cm24.6 cm30 cm39 cm直径13.5 cm19.1 cm24.6 cm41 cm59 cm中和器LFN 2000 光学镀膜中真空系‍‍统不论是蒸发镀膜还是溅射镀膜, 上海伯东提供满足各种镀膜工艺的德国 Pfeiffer 真空泵, 比如分子泵, 旋片泵, 螺杆泵及整套泵站, 同时提供用于真空‍‍测量的真空规和用于镀膜设备腔体密封性泄露检测的氦质谱检漏仪, 以保证镀膜工艺稳定性.推荐大抽速分子泵参数型号HiPace 1200HiPace 1500HiPace 1800HiPace 2300进气口DN 200 ISO-KDN 200 ISO-FDN 200 CF-F DN 250 ISO-KDN 250 ISO-FDN 250 CF-FDN 200 ISO-KDN 200 ISO-FDN 200 CF-F DN 250 ISO-KDN 250 ISO-FDN 250 CF-F氮气抽速 l/s1250140014501900最大极限真空度 hPa-7-7-7-7电压 V AC100-120200-240100-120200-240100-120200-240100-120200-240氮气压缩比> 1X108> 1X108> 1X108> 1X108转速 RPM37800378003150031500最大预抽真空 hPa221.81.8若您需要进一步的了解光学镀膜机中的离子源和真空系统, 请参考以下联络方式上海伯东: 罗女士 ‍‍

‍‍氦质谱检漏仪电子元器件 (热敏电阻) 检漏应用于工业视觉检测设备中的激光焊接热敏电阻, 属于电子元器件的一种, 为保证密封质量, 真空模式下, 漏率要求小于 5x10-7 mbar l/s.上海伯东氦质谱检漏仪电子元器件(热敏电阻)检漏方案难点: 激光焊接热敏电阻, 内充氮气, 无法与检漏仪进气口相连要求: 不破坏激光焊接热敏电阻结构的情况下, 需要进行无损无油的快速密封性泄露测试, 真空模式下, 漏率要求小于 5x10-7 mbar l/s.检漏设备: 无油干式氦质谱检漏仪 ASM 340D检漏模式: 真空(负压)模式, 为满足生产节拍, 上海伯东协助客户定制保压罐和真空测试罐, 单次测试 30PC 热敏电阻的整体漏率.电子元器件检漏基本步骤如下:保压: 将激光焊接热敏电阻放入保压罐中, 充入四个大气压的氦气, 保压两小时卸压: 将氦气从排气口回收, 以便重复利用, 将电阻取出将热敏电阻放入充有 4 个大气压氦气的保压罐中, 保压 2 个小时后1. 冲洗: 将保过压的热敏电阻用氮气冲洗表面, 以便残余在表面的氦气冲走2. 密封: 将热敏电阻放入真空测试罐, 注意密封, 将盖子盖好3. 测试: 启动氦质谱检漏仪 ASM 340D, 使用检漏仪真空模式, 首先氦质谱检漏仪内部前级泵对真空测试罐抽真空, 测试口到达一定真空度（25 mbar 业界最高）时开始测试, 如果热敏电阻有泄露的话, 氦质谱检漏仪漏率值会跳动, 并且数值上升, 产生报警.氦质谱检漏仪 ASM 340D特点: 干式无油, 7英寸移动式操作面板检测气体: 4He, 3He, H2最小检测漏率:真空模式: 5E-13 Pa m3/s吸枪模式: 5E-10 Pa m3/s 目前业界公认漏律前级泵抽速: 3.4 m3/h对氦气的抽速: 2.5 l/s响应时间: 上海伯东德国 Pfeiffer 提供氦质谱检漏仪完整的产品线和检漏方案, 从便携式氦质谱检漏仪到检漏模块, 提供负压检漏 (真空法) 和正压检漏(吸枪法), 满足各种应用. 氦质谱检漏仪与传统泡沫检漏和压差检漏对比, 在提供无损检漏的同时可以检测出更小的漏率 5E-13 Pa m3/s, 利用氦气作为示踪气体可定位, 定量漏点. 氦质谱检漏仪满足单机检漏, 也可集成在检漏系统或 PLC. 推荐氦质谱检漏仪应用 >>鉴于客户信息保密, 若您需要进一步的了解电子元器件(热敏电阻)检漏详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗女士‍‍

‍‍氦质谱检漏仪压力传感器芯片检漏应用于新能源汽车的压力传感器芯片, 属于电子元器件的一种, 传统的压力传感器包括电路分析, 材料分析和无源器件分析等, 即包括 MEMS 芯片, ASIC 芯片, 电容, 电阻,  陶瓷 PCB, 塑封盖, 金属套管等, 因为特殊而严苛的工作环境, 这些元器件通过焊接工艺封装到一起, 这就要求压力传感器的密封性高, 在使用过程中不会出现泄漏的问题, 为保证密封质量, 国标要求压力传感器芯片出厂前必须经过泄漏检测, 传统检漏方法一般采取绝压和密封法或单向, 双向压差法检漏, 随着行业不断发展, 负压法检漏漏率一般要求 ＜1E-10 mbarl/s, 传统检漏方法已无法满足.上海伯东提供氦质谱检漏仪压力传感器芯片检漏方案难点: 已封装好的压力传感器芯片, 体积小, 无法与检漏仪进气口相连要求: 为满足生产节拍, 需要进行快速无损的检漏, 协助客户定制保压罐和真空测试罐, 真空模式下, 单次测试几十个芯片, 整体检漏漏率要求 1E-10 mbarl/s检漏设备: 德国 Pfeiffer 氦质谱检漏仪 ASM 340 + 定制保压罐和真空测试罐检漏流程如下:1. 封装好的压力传感器芯片放在一个密封的保压罐内, 内部充 3Bar 或者更高压力的氦气, 保压 30min至 1h2. 把芯片从保压罐内取出, 用高纯氮气对产品表面吹扫, 以便残余在表面的氦气冲走, 保证测试的准确性, 吹扫后再放置到真空测试罐.3. 氦质谱检漏仪 ASM 340 连接到真空测试罐, 打开检漏仪, 设定检漏仪真空模式下报警精度为 1E-10 mbarl/s, 开始检漏.4. 测试过程中如果检漏仪不报警, 判定芯片符合漏率要求, 如果检漏仪报警, 则判定此批次不合格.上海伯东德国 Pfeiffer 提供氦质谱检漏仪完整的产品线和检漏方案, 从便携式氦质谱检漏仪到检漏模块, 提供负压检漏 (真空法) 和正压检漏(吸枪法), 满足各种应用. 氦质谱检漏仪与传统泡沫检漏和压差检漏对比, 在提供无损检漏的同时可以检测出更小的漏率 5E-13 Pa m3/s, 利用氦气作为示踪气体可定位, 定量漏点. 氦质谱检漏仪满足单机检漏, 也可集成在检漏系统或 PLC. 推荐氦质谱检漏仪应用 >>鉴于客户信息保密, 若您需要进一步的了解压力传感器芯片检漏详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗女士  ‍‍

‍‍上海伯东德国 Pfeiffer 残余气体分析仪 PrismaPro 推出气密离子源型号, 适合与进气系统组合使用, 并具有低气体消耗和高信噪比的特点. 残余气体分析仪 PrismaPro 模块化设计满足多种应用: 例如工业 ( 冷冻干燥 )和分析仪器, 研发, 半导体生产和真空镀膜技术等.Pfeiffer 残余气体分析仪 PrismaPro 技术参数:型号QMG 250 F1QMG 250 F2QMG 250 F3QMG 250 M1QMG 250 M2QMG 250 M3检测器法拉第 Faraday (F)电子倍增器/法拉第 C-SEM / Faraday (M)质量数 amu1–1001–2001–3001–1001–2001–300四极杆直径／长度6 / 125 mm最小检测极限 F hPa *1,24X10-135X10-137X10-13---最小检测极限 M hPa *1,2---3X10-154X10-155X10-15对Ar的灵敏度 F A/hPa*35X10-44X10-43X10-45X10-44X10-43X10-4最大工作压力 F hPa5X10-4最大工作压力 M hPa---5X10-55X10-55X10-5对临近质量数的影响*1操作温度 分析200 °C (max. 150 °C when operating with SEM)操作温度 电子5 – 50 °C烘烤温度 分析300 °C连接法兰DN 40 CF-F保压时间1 ms – 16 s/amu重量2.5 kg3.2 kg* 1  开放式离子源* 2  停留时间 4秒* 3   与 C-SEM 相比, 具有较高的灵敏度若您需要进一步的了解残余气体分析仪详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东：罗女士‍‍

‍‍‍‍IGBT 属于功率半导体器件, 在新能源汽车领域, IGBT 作为电子控制系统和直流充电桩的核心器件, 直接影响电动汽车的动力释放速度,车辆加速能力和高速度.IGBT 功率器件作用新能源汽车应用中 IGBT 功率模块的主要作用是交流电和直流电的转换, 同时 IGBT 还承担电压的高低转换的功能. 比如, 充电桩充电的时候是交流电, 需要通过 IGBT 转变成直流电, 在汽车电子领域 IGBT 主要用于电机驱动, DC/DC 升压变换器, 双向 DC/AC 逆变器, 以及充电端的 DC/DC 降压变换器.IGBT 功率器件温度测试标准车用 IGBT 模块对产品性能和质量的要求要明显高于消费和工控领域, 需要通过严格的车规认证, 汽车 IGBT 模块测试标准主要参照 AEC-Q101 和 AQG-324, 其中温度冲击, 功率循环, 温度循环, 结温等是其中重要的测试要求, 功率循环和温度循环作为代表的耐久测试, 测试循环次数可能从几万次到十万次不等.IGBT 功率器件温度测试方案某专注于新能源汽车的动力控制模块的研发制造厂商, 要求在 -40℃ 至 175℃ 温度下 对 IGBT 进行快速温度循环冲击和功率循环测试. 上海伯东美国 inTEST 高低温冲击热流仪搭配测试机平台 load board 为 IGBT 功率器件温度测试提供解决方案.选用型号: ATS-710E温度范围 °C:  -75至+225 50Hz输出气流量: 4 至18 scfm变温速率:-55至 +125°C 约 10 s+125至 -55°C 约 10 s温度精度: ±1℃温度显示分辨率: ±0.1℃远程控制: IEEE 488, RS232采用 inTEST  ATS-710E 在 DUT Mode 模式进行测试1. 将高低温测试机 ATS-710E 与功率模块专用测试治具相连2. 操作员设置需要测试的温度范围  -40℃ 至 175℃3. 启动 ATS-710E, 利用空压机将干燥洁净的空气通入制冷机进行低温处理, 然后空气经由外部管路到达加热头进行升温.4. ATS-710E 显示屏可实时监测当前循环冲击气流温度, 而且自带过热温度保护系统, 出厂设置温度 +225°C, 操作员可根据实际需要设置高低温限制点, 当温度达到设置温度时, 测试机将自动停机.与传统高低温测试箱对比, inTEST 热流仪主要优势：1. 变温速率更快: 每秒可快速升温或降温 18°C2. 温控精度：±1℃3. 实时监测待测元件真实温度, 可随时调整冲击气流温度4. 针对 PCB 电路板上众多元器件中的某一单个IC (模块), 可单独进行高低温冲击, 而不影响周边其它器件5. 对测试机平台 load board 上的 IC进行温度循环 / 冲击; 传统高低温箱无法针对此类测试6. 对整块集成电路板提供准确且快速的环境温度美国 inTEST ThermoStream 系列高低温冲击热流仪, 温度冲击范围 -100 ℃ 至+ 300 ℃, 防静电设计, 不需要 LN2 或 LCO2 冷却, 温度显示精度: ±1℃, 通过 NIST 校准. 通过 ISO 9001, CE, RoHS 认证. inTEST 热流仪提供适用于 RF 射频, 微波, 电子, 功率器件, 通信芯片等温度测试, 满足芯片特性和故障分析的需求. 上海伯东是美国 inTEST 中国总代理.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗女士      ‍‍‍‍

‍‍一般动物细胞的体外培养, 往往需要锚定在某种特殊的表面介质, 包括细胞外基质提取物, 多肽, 既经过特殊处理的塑料, 玻璃表面等, 才能长效生长. 传统方法是对细胞 (胚胎) 培养皿进行等离子 TC 处理. 随着体外细胞培养技术的提升, 传统 TC 处理方式面临无法满足细胞培养皿亲水性的时效和性能要求.上海伯东提供长效亲水涂层细胞培养皿的处理方案某客户研发生产体外细胞培养耗材, 要求细胞培养皿水接触角 WCA 长期稳定在 50°±5°, 经过试验, 传统的电晕机等离子 TC 处理无法满足要求. 经过上海伯东推荐选用 Europlasma 等离子表面处理设备搭配涂层原材料 Nanofics, 通过等离子高度可重复工艺, 在培养皿表面涂敷一层超薄无色透明涂层, 经过长期试验证明平均水接触角 WCA  52° 且永久有效, 满足客户研发需求.细胞培养皿材质: PS等离子机型号: Europlasma CD 1000永久涂层工艺: Nanofics@, 无溶剂全干工艺, 无卤素涂层可选试验结果: 培养皿表面水接触角 WCA  52°且永久有效等离子机 Europlasma CD 1000 技术参数腔体容积490L腔体尺寸 l x w x h1000mm x 700mm x 700mm托盘数量3控制系统带17“触摸面板 PC 的工业 PLC工艺仪表流程P & ID实时机器状态显示用户管理基于用户级别的登录, 用于操作员到工程师模式的访问配方管理具有唯一工艺参数的配方数量不限诊断功能用于故障排除和维护的系统诊断警报管理管理警报和警报操作员的系统受控温度为了获得一致和可靠的结果, 可以控制腔室和电极的温度发生器具有自动负载匹配能力的发生器, 频率40 kHz真空测量高质量的真空测量设备 (例如baratron）气体管线用于各种工艺气体 ( O2, N2, Ar, CF4, He, H2 等) 的多条气体管线 (最多5路）质量流量控制器用于气体控制的电子调节质量流量控制器干式真空泵组无油运行, 维护成本低设备认证CE认证 (可根据要求提供 UL 认证)Europlasma 等离子机涂层技术与性能分类上海伯东代理比利时原装进口 Europlasma 无卤素(无氟)等离子表面处理设备, 可多种工艺气体混合, 在非织造, 薄膜, 网状物或纳米纤维网等材料上沉积超薄纳米涂层, 通过专利等离子体涂层技术 Nanofics@ 和无卤素涂层技术 PlasmaGuard®, 实现产品疏水 WCA >120°, 亲水 WCA鉴于客户信息保密, 若您需要进一步的了解 Europlasma 等离子机详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗女士‍‍

应用于研究监测土壤的力学结构变化, 一般用于山体, 岩石和冻土等环境研究的物理量传感器 MEMS, 这种传感器的制造一般需要经过镀膜, 沉积, 刻蚀等工艺多次循环, 金 Au 和 铂 Pt 是传感器加工中常用的涂层, 在完成镀膜后, 蚀刻是制造微型结构的重要工艺之一, 用传统的刻蚀工艺 ( 湿法刻蚀, ICP 刻蚀和 RIE 刻蚀) 常常无法有效的刻蚀出所需的图形.上海伯东日本原装进口离子束刻蚀机 IBE 可以很好的解决传感器 MEMS 的刻蚀难题,  射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状, 刻蚀那些很难刻蚀的硬质或惰性材料.上海伯东离子束刻蚀机物理量传感器 MEMS 刻蚀方案.刻蚀材料: 4寸 物理量传感器 MEMS (表面镀 金 Au 和 铂 Pt)刻蚀均匀性要求: ≤±5%刻蚀难点: Au 和 Pt 反应离子刻蚀 RIE 无法满足要求刻蚀设备: 10 IBE因客户信息保密, 10 IBE 部分刻蚀数据结果如下:离子束刻蚀机 10 IBE 主要技术参数:基板尺寸4寸图片仅供参考样品台干式橡胶卡盘+直接冷却（水冷）+0-±90 度旋转离子源考夫曼源 Well-2100（栅网φ100mm）均匀性≤5%（4寸 Si晶圆）刻蚀速率20nm/min （Si 晶圆）真空度1E-3Pa（45min内）真空系统干泵 + 德国 Pfeiffer 分子泵上海伯东日本原装进口离子束刻蚀机推荐应用:类别器件刻蚀材料磁性器件自旋电子: MR / AMR / GMR / TMR, MRAM, HDDNi-Fe, Ni-Co, TiO2, BST, Co-Fe, Ta, Cu, Ni-Mo, SiO2 等等…传感器 MEMS铂热电阻, 流量计, 红外传感器, 压电打印机头等PT, PZT, Au, Pt, W, Ta (electrode) 等等…RF 射频器件射频滤波器, GaAs / GaN HEMT 等Au, Pt, Ti, Ru, Cr, LN (LiNbO3) 等光电子激光二极管, 光电探测器, 薄膜分装等Au, Pt, Ti, TaN, GaN 等其他探针卡, 薄膜片式电阻器, 氧化物, 超导等NiCr, Cr, Cu, Pd, Ir, LuFe2O4, SrTiO4, MgOHfO2 等上海伯东日本原装设计制造离子刻蚀机 IBE, 提供微米级刻蚀, 满足所有材料的刻蚀, 即使对磁性材料, 黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料, 这些难刻蚀的材料也能提供蚀刻. 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料. 自 1970年至今, Hakuto 伯东已累计交付约 500套离子蚀刻机. 蚀刻机可配置德国 Pfeiffer 涡轮分子泵和美国 KRi 考夫曼离子源!伯东公司超过 50年的刻蚀 IBE 市场经验, 拥有庞大的安装基础和经过市场验证的刻蚀技术!若您需要进一步的了解离子束蚀刻机详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗女士

半导体材料（semiconductor material）是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。二氧化硅是制造玻璃、石英玻璃、水玻璃、光导纤维、电子工业的重要部件、光学仪器、工艺品和耐火材料的原料，是科学研究的重要材料。 本文主要介绍上海伯东KRI离子源在半导体材料SiO2中的预清洗及刻蚀应用。 SiO2预清洗的原因:SiO2在刻蚀前需要将其表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层等去除，且不破坏晶体的表面特性。 KRI离子源在SiO2基片预清洗方法：客户自己搭建真空系统，集成离子源，具体做法如下。1.将SiO2基片放进真空系统，调整离子源；2.抽取真空到某真空度后，启动离子源；3.利用离子源释放的能量对SiO2基片进行轰击； KRI离子源在SiO2材料预清洗客户案例：成都某工艺研究所，通过伯东购买离子源KDC40KRI离子源优势：1.考夫曼離子源通過控制離子的強度及濃度, 使拋光刻蝕速率更快更準確, 拋光後的基材上獲得更平坦, 均勻性更高的薄膜表面。2.KDC 考夫曼離子源內置型的設計更符合離子源於離子拋光機內部的移動運行。3.不僅廣泛應用於生產單位, 且因離子抨擊能量強, 蝕刻效率快。4.可因應多種基材特性,單次使用長久, 耗材成本極低, 操作簡易, 安裝簡易。 伯東公司是美國 KRI 考夫曼離子源中國總代理。 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东是德国 Pfeiffer 真空设备, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商 .我们真诚期待与您的合作！ 若您需要进一步的了解 燃料电池储氢系统氦质谱检漏法 详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗女士

  红外光学薄膜器件作为红外系统重要组成部分, 已广泛应用于航空航天、国防、环保、分析仪器等各个领域. 在红外光学应用中, 由于锗在2～14μm红外波段内有高而均匀的透过率, 是一种不可替代的优良红外光学材料. 锗单晶切片加工成的锗透镜及锗窗和利用锗单晶透过红外波长特性制成的各种红外光学部件广泛用于各类红外光学系统.     锗作为常用的红外光学元件材料, 具有折射率高、表面反射损失大以及表面易划伤等特点, 因此必须镀制高性能红外增透膜, 膜层强度差一直是一个难题, 其原因是膜层材料结构疏松、易吸潮. 因此, 加工过程除了选择好的膜料外, 还应采用离子束辅助沉积技术来增强薄膜的强度. 红外材料由于基片的本体吸收、散射和反射等因素导致红外镜片在各波段透过率受限, 应用中需要减少反射率. 另外红外镜片的使用环境不同, 从而需要在基片表面进行光学镀膜, 如高温高湿、盐雾和风沙等恶劣环境等, 导致镜片需要通过镀膜技术来实现各种应用需求. KRI 离子源在锗基红外镀膜中的应用    红外光学元件材料中的锗基材料, 主要考虑8-14μm这一波段, 不镀膜情况下锗基材料的透过率只有40-50%, 而镀了增透膜之后的透过率可以大大提高, 达到90%以上, 这样可以减少锗基材料表面的反射率, 提高产品的识别灵敏度和测温距离. 而且多数客户还会要求镀DLC类金刚石碳膜, 用来加强锗材料的硬度, 起到一定的防爆效果.     经过推荐客户采用光学镀膜机加装美国原装进口KRi 霍尔离子源 eH 400, 在膜层在稳定性、附着力、致密度和牢固度等性能大幅度提高, 解决了环测膜层脱落问题, 透过率大大提高, 大幅度提高膜层质量, 完全达到客户工艺要求.       美国 KRI 霍尔离子源 eH 系列紧凑设计, 高电流低能量宽束型离子源, 提供原子等级的细微加工能力, 霍尔离子源 eH 可以以纳米精度来处理薄膜及表面, 多种型号满足科研及工业, 半导体应用. 霍尔离子源高电流提高镀膜沉积速率, 低能量减少离子轰击损伤表面, 宽束设计提高吞吐量和覆盖沉积区. 整体易操作, 易维护. 霍尔离子源 eH 提供一套完整的方案包含离子源, 电子中和器, 电源供应器, 流量控制器 MFC 等等可以直接整合在各类真空设备中, 例如镀膜机, load lock, 溅射系统, 卷绕镀膜机等.       1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域.若您需要进一步的了解 KRi 霍尔离子源, 请参考以下联络方式上海伯东: 罗女士     

‍‍美国 Gel-Pak 提供可用于印刷电子的 PDMS 胶膜Delphon 公司的研发总监 Victoria Tran 博士在最近的一次柔性电子会议中, 介绍了 Gel-Pak PDMS 胶膜在印刷电子中应用的优势.PDMS (中文名: 聚二甲基硅氧烷) 对印刷电子技术来说, 是一种非常有吸引力的材料, PDMS 是一种柔性, 不透水的绝缘体, 是封装和保护电子器件领域常用的材料. 另外, 得益于它的生物相容性, 化学惰性以及极高的氧透出量, PDMS 材料在医药行业也有广泛的应用.传统的 PDMS 在印刷电子中没有得到广泛的应用最主要的原因是 PDMS 的低表面活性 基于上述难点, 美国 Delphon（Gel-Pak）公司研发了可用于印刷电子的多种更新产品, 使用的材料包括: PDMS, 低磁滞 TPU 以及热固性聚氨酯. 此外, 美国 Gel-Pak 还可以提供 COPE 胶膜, 适用于高温下应用. Gel-Pak 公司提供超柔性 PDMS 材料, 硬度可最低到 6 Shore, 耐温性为 -50°C至 200°C, 与墨水的相容性更佳. 上海伯东是美国 Gel-Pak 中国总代理.美国 Gel-Pak 公司自 1980年成立以来一直致力于创新包装产品的生产, Gel-Pak 芯片包装盒使用高交联合专利聚合材料 Gel, 材料通过本身表面的张力来固定器件, 固定力等级取决于 Gel 产品的自身特性. 美国 Gel-Pak 真空吸附盒广泛应用于储存, 运输, 或者作为制程载具, 应用于半导体精密器件, 光电器件和其他精密器件等, 同时提供用于二维材料转移的 Gel-film (PDMS) 胶膜.若您需要进一步的了解 Gel-Pak 详细信息或讨论, 请参考以下联络方式上海伯东: 罗女士‍‍

‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍3D 打印技术已经可以使用各种材料打印, 其中金属粉末 3D 打印作为一种新型智能制造技术已广泛应用. 金属打印可以借助激光 SLM, 电子束烧结 EBM, 电弧填丝 WAAM, 熔融沉积成型 FDM, 喷胶黏粉 BJ 或纳米粒子喷射 NPJ 来完成. 很多技术均需要在真空环境下进行.电子束烧结 EBM 与真空技术应用电子束烧结需要真空环境. 电子束烧结是一种增材制造方法, 可以使用钛, 钴, 铬合金, 钢, 铝和铜来打印材料. 电子束烧结 EBM 技术特别适合于医疗植入物和航空航天等领域, 典型应用例如金属 3D 打印涡轮板或髋关节假体.电子束烧结 EBM真空要求电子束烧结系统中的真空环境需要满足多种用途. 一方面, 真空环境可防止氧化和气泡. 另一方面. 在电子束柱内产生并聚焦电子束也需要真空. 真空可避免电子与其他气体粒子碰撞, 否则将导致电子束偏转. 由于要求确保这一高平均自由行程, 因此需要高真空环境. 典型真空度范围为 5x10-5 mbar. 为了尽可能缩短零部件更换需时, 需要实现快速抽空. 在此过程中, 会注入例如氦气等气体, 以确保洁净可控的环境. 因此, 典型工艺压力范围为 10x-3 hPa. 真空设备必须对灰尘和颗粒物不敏感, 并具有良好的耐热性.上海伯东德国 Pfeiffer 提供全面的电子束烧结真空产品, 包括用于抽真空的涡轮分子泵, 旋片泵, 涡旋泵, 真空计, 用于泄漏定位的氦质谱检漏仪等.上海伯东 Pfeiffer 德国普发真空产品授权代理商, 销售维修普发 Pfeiffer 真空产品 20余年. 可协助客户选型并提供完善的售后维修服务. 拥有100% 原装进口维修设备和备品配件, 提供快速维修服务.若您需要进一步的了解 Pfeiffer 真空泵详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗女士‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍

通过对 OK 镜进行等离子表面处理, 可以提高镜片的湿润性和防止细菌滋生, 佩戴更舒适, 安全.角膜塑形镜俗称 OK 镜, 采用透气性硬质角膜接触镜材料, 即通常所说的 RGP 材料制作的眼镜片, RGP 是英文 Rigid Gas Permeable 的缩写, 即“透气性硬质材料”. 它是在不透气的硬质材料 PMMA 基础上发展起来的.OK 镜在使用过程中经常遇到如下问题:1. 表面脏污和蛋白沉淀2. 亲水性下降, 湿润度降低, 佩戴眼干3. 细菌, 病毒或其他微生物滋生针对上述问题, 上海伯东 Europlasma 等离子机在真空环境下对 OK 镜进行表面处理, 可以实现多种效果和性能改善1. 深度清洁: Europlasma 等离子机可以在腔体产生大量活性等离子体, 其物理轰击可以清除 OK 镜片表面纳米级污染, 其化学作用可以打断有机膜的键合使之变成二氧化碳和水, 从而还原镜片洁净表面. 但需要注意的是等离子清洗的效果微量而细致（纳米级别）, 并非传统认知的清洗, 处理前后的肉眼改变辨识度不高.2. 提高湿润性: 等离子的物理蚀刻可以增加镜片比表面积, 增强亲水性, 同时活性基团也可以增加镜片表面极性, 使之更亲水, 这个效果改变非常明显.3. 高效灭菌: 大气和氧气等离子体含有臭氧, 紫外线和其他活性粒子, 可以快速杀灭细菌和其他微生物.但惰性气体的等离子体灭菌效果会偏弱.Europlasma 等离子机技术参数腔室材料：铝有效尺寸：1000 x 700 x700mm容积：490L舱门：装有可视窗口标准托盘：3至5个    尺寸:858 x 672mm真空度测量皮拉尼真空计真空泵干式真空泵泵组频射发生器根据客户应用需求定制控制系统PLC 可实现下列功能1. 17 英寸触摸屏, 自动控制反应过程;2. 根据处理材料设定不同的处理工艺参数;3. 测定真空泵压力, 抽真空时间, 充气速度, 工作压力, 处理时间. 温度. 频射发生器输入电压等指标;4. 监测所有的运行指标, 保证各项参数在设定范围之内;5. 设定操作进入密码.6. 可定制 ERP, SAP 系统接口电源380V AC, 三相，50Hz, 40A反应气体气体输入端口, 含气体流量控制器 (MFC), 最多可以 5个 MFC, 可多种工艺气体混合气体输入直径1/4英寸（6.45mm） 管道, 输入压力:1Bar尾气排放直径 28mm 输出端口, VOC 尾气处理装置性能急停开关; 真空泵保护锁; 高温保护锁; CE认证. 若您需要进一步的了解 Europlasma 等离子机详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生

某碳化硅 SiC 和 氮化镓 GaN 供应商新推出了三款 50V 分立氮化镓高电子迁移率晶体管 HEMT 芯片, 分别是: 20W, 6GHz 芯片；75W, 6GHz 芯片以及 320W,  4GHz 芯片, 从而使得该系列的产品数量达到 5种, 这一系列是目前市场上唯一的商用 50V 裸芯 GaN HEMT 芯片.‍‍‍‍‍‍Gel-Pak‍‍ VR ‍‍真‍‍空释放盒为 50V GaN HEMT 芯片提供‍‍储存和运输解决方案‍‍‍‍‍‍50V GaN HMET 芯片采用上海伯东美国 Gel-Pak VR 真空释放盒‍‍进行包装, Gel-Pak 采‍‍‍‍用了无残胶的膜技术, 可以将芯片牢固地固定住, 避免在运输和储存过程中因为碰撞等造成芯片的损害.‍‍‍‍‍‍上海伯东美国 Gel-Pak VR 真空释放胶盒, 胶盒表面在网状材料上使用专有的 Gel 胶或无硅 Vertec™ 胶膜将芯片固定在适当位置, 通过在托盘底侧施加真空将芯片释放. Gel-Pak 真空释放盒适用于大批量器件自动拾取和放置应用, 特别是超薄芯片.Gel-Pak VR 真空释放胶盒特点:适合大多数的芯片尺寸适用于手动操作 (真空吸笔) 或自动拾取设备 ( Pick &Place 设备)适用于运输或处理易碎的器件( 比如减薄的 InP 磷化铟晶圆)通常应用在 2英寸和 4英寸的托盘可以用来运输晶圆或者大尺寸超薄器件适用于对清洁度要求高的场合美国 Gel-Pak 公司自 1980年成立以来一直致力于创新包装产品的生产, Gel-Pak 产品使用高交联合专利聚合材料 Gel, 材料通过本身表面的张力来固定器件, 固定力等级取决于 Gel 产品的自身特性. 美国 Gel-Pak 真空吸附盒广泛应用于储存和运输半导体精密器件, 光电器件和其他精密器件等, 上海伯东是美国 Gel-Pak 芯片包装胶盒中国总代理.若您需要进一步的了解 Gel-Pak 详细信息或讨论, 请参考以下联络方式上海伯东: 罗先生‍‍‍

‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍FPGA (Field Programmable Gate Array), 即现场可编程门阵列属于逻辑芯片, 是一种在 PAL (可编程逻辑阵列), GAL (通用阵列逻辑), CPLD (复杂可编程逻辑器件) 等传统逻辑电路和门阵列的基础上发展起来的一种半定制电路, 广泛应用于智能电动汽车和 5G 通讯.上海伯东美国 inTEST 热流仪提供 FPGA 芯片快速温度测试环境FPGA 芯片需要按照 JED22-A104 标准做温度循环 TC 测试, 让其经受极端高温和低温之间的快速转换. 一般在 -55℃~150℃ 进行测试, 将芯片反复暴露于这些条件下经过预定的循环次数. 传统的环境箱因为升降温速度受限, 无法满足研发的快速循环测试需求. 上海伯东美国 inTEST 热流仪 ATS-710E 变温速率约 10 s, 实现 FPGA 芯片极端高温和低温之间的快速转换测试.型号: ATS-710E温度范围 °C: -75至+225 50Hz输出气流量: 4 至18 scfm变温速率:-55至 +125°C 约 10 s+125至 -55°C 约 10 s温度精度: ±1℃温度显示分辨率: ±0.1℃温度传感器: T型或K型热电偶远程控制: IEEE 488, RS232与传统高低温试验箱对比, 上海伯东美国 inTEST 热流仪主要优势:1. 变温速率更快, 每秒可快速升温/降温 15 °C2. 温控精度: ±1℃3. 实时监测待测元件真实温度，可随时调整冲击气流温度4. 针对 PCB 电路板上众多元器件中的某一单个IC(模块), 可单独进行高低温冲击, 而不影响周边其它器件5. 对测试机平台 load board上 的 IC 进行温度循环 / 冲击; 传统高低温箱无法针对此类测试6. 对整块集成电路板提供准确且快速的环境温度美国 inTEST ThermoStream 系列高低温冲击热流仪, 温度冲击范围 -100 ℃ 至+ 300 ℃, 防静电设计, 不需要 LN2 或 LCO2 冷却, 温度显示精度: ±1℃, 通过 NIST 校准. 通过 ISO 9001, CE, RoHS 认证. inTEST 热流仪提供适用于 RF 射频, 微波, 电子, 功率器件, 通信芯片等温度测试, 满足芯片特性和故障分析的需求. 上海伯东是美国 inTEST 中国总代理.若您需要进一步了解 inTEST 热流仪详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗先生‍‍‍‍‍‍‍‍‍‍

分子泵应用于 LED 芯片退火合金炉LED 芯片退火合金炉属于真空炉的一种, 需要在真空环境下实现 LED 芯片的退火, 合金, 湿氧氧化, 欧姆电极烧结等工艺. 腔体真空度一般在 10-3 至 10-6 hPa 之间, 上海伯东德国 Pfeiffer 分子泵凭借大抽速,高稳定性广泛应用于退火合金炉设备.分子泵在真空炉中的作用在真空炉中, 工件受到加热, 真空泵负责产生低含氧量的气体环境. 这可防止工件氧化. 取决于真空炉类型, 真空的效用可能各不相同. 在真空烧结中, 真空可改善工件的表面质量和实现脱粘工艺; 在真空钎焊中, 真空可产生脱气效果, 从而提高焊缝的硬度和质量; 在真空硬化中, 真空可防止变形, 由此同样可改善表面质量. 此工艺的另一项优点, 是可以在硬化过程之后直接氮化. 对于每种工艺, 都有必要在定义的时间内达到工艺压力. 上海伯东德国 Pfeiffer 分子泵短抽空时间可以由此提高企业产能, 同时抽空过程还有去除不希望物质（例如氢）这一重要作用.推荐分子泵型号:上海伯东 Pfeiffer 分子泵抽速 10-1900 l/s, 高气流量, 高抽速, 占用空间小, 方便系统集成.型号HiPace 300HiPace 700HiPace 2300进气口DN 100 ISO-KDN 100 CF-FDN 100 ISO-FDN 160 ISO-KDN 160 CF-FDN 160 ISO-FDN 250 ISO-KDN 250 ISO-FDN 250 CF-F氮气抽速 l/s2606851900最大极限真空度 hPa＜5X10-10＜5X10-10＜5X10-10电压 ± 5 %, VDC244890-265噪音 dB(A)≤50≤50≤50转速 RPM ± 2 %600004920031500最大预抽真空 hPa15-22111.8重量 kg5.8-8.710.6-16.535.5-51.8上海伯东德国 Pfeiffer 涡轮分子泵 HiPace 系列获得 Semi S2, UL, CSA 和 Nema 12 认证. 为高真空应用提供解决方案, 适用于质谱分析, 电子显微术, 测量技术, 粒子加速和等离子体物理方面的应用. 除了用于分析, 真空工艺和半导体技术外, 还可用于真空镀膜, 研发以及工业领域. 若您需要进一步的了解 Pfeiffer 分子泵详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：上海伯东: 罗先生

‍‍光通信的信息载体是光波, 为了进一步提高光通信系统中光信号的传输质量, 满足光通信系统的使用要求,  上海伯东美国 KRi 离子源通过离子束溅射, 辅助薄膜沉积等工艺在离子束镀膜系统中实现光模块, 光器件等薄膜元件的精密加工. 离子源典型应用例如, 在光纤连接面镀 AR 增透膜 (减反射膜), 达到减少光纤对光的损耗, 增加光的透过率, 减少反射的工艺效果.与国产离子源对比, 上海伯东美国 KRi 射频离子源主要特点无需灯丝提供高能量, 低浓度的宽束离子束, 单次工艺时间更长, 非常适用于复杂, 精密的多层薄膜制备提供致密, 光滑, 无针孔, 耐用的薄膜远离等离子体: 低基材温度, 不需要偏压衬底溅射任何材料, 不需要射频溅射电源清洁, 低污染工艺优良的反应沉积工艺, 沉积原子为坚硬, 耐用的薄膜保留溅射能量可控制的离子能量, 离子电流密度KRi 离子源在 IBSD 离子束溅射沉积应用通常安装两个离子源主要溅射沉积源和二次预清洁 / 离子辅助源一次气源为惰性气体, 二次气源为惰性或反应性气体基板远离溅射目标工艺压力在小于× 10-4 torr 美国 KRi RFICP 射频离子源技术参数型号RFICP 40RFICP 100RFICP 140RFICP 220RFICP 380Discharge 阳极RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频离子束流>100 mA>350 mA>600 mA>800 mA>1500 mA离子动能100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V栅极直径4 cm Φ10 cm Φ14 cm Φ20 cm Φ30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量3-10 sccm5-30 sccm5-30 sccm10-40 sccm15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力长度12.7 cm23.5 cm24.6 cm30 cm39 cm直径13.5 cm19.1 cm24.6 cm41 cm59 cm中和器LFN 2000上海伯东同时提供真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域.若您需要进一步的了解 KRi 射频离子源, 请参考以下联络方式上海伯东: 罗先生    ‍‍