针对半导体领域：日本电子发布全新高通量电镜JEM-ACE200F

日本电子

2018/12/12 14:41

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　　仪器信息网讯 12月11日，日本电子总裁Gon-emon Kurihara宣布，日本电子将在2018年12月发布一款新型高通量分析电子显微镜——JEM-ACE200F。预设销售目标为30台/年。

　　产品开发背景

　　随着半导体工业中器件的进一步小型化，透射电子显微镜(TEM)已经成为器件表征多种应用中必不可少的工具。这些应用包括形态学观察、临界尺寸测量、元素分析、局部应变分析和掺杂浓度测量。特别该工业对形态观察、临界尺寸测量、元素分析等方面的数据采集提出了快速、稳定、高分辨率的要求，以便将这些数据采集反馈至制造过程。

新型高通量分析电子显微镜——JEM-ACE200F

　　针对以上需求，日本电子开发了一种新的TEM——JEM-ACE200F。JEM-ACE200F通过创建实际操作工作流程系统，无需操作人员看管操作，即可实现数据的自动生成。

　　由于集成了高端电镜JEM-ARM200F和通用型电镜FE-TEM JEM-F 200硬件技术，JEM-ACE200F在性能和稳定性方面表现优秀，同时，其外观方面也进行了更为精致的设计。

　　主要特点

　　高通量

　　与自动显微镜调谐功能(TEM/STEM)相结合的快速数据采集。

　　缩短抽真空时间，从插入样品杆到开始观察只需30秒。

　　友好的用户界面

　　基于日常显微镜操作的精密GUI。

　　所有的操作都可以通过鼠标操作来完成。

　　流程方案易于编程和更改

　　工作流程的方案可以用直观设计的工具进行编程。

　　工作流程可以使用各种标准化的编程语言进行灵活的编程。

　　环保设计

　　采用高度环保的外壳。

　　远程操作。

　　主要参数

TEM 分辨率 ( 200 kV)	Point image 0.21 nm Lattice image 0.10 nm Information limit 0.11 nm
STEM 分辨率 (at 200 kV)	STEM DF image 0.136 nm STEM BF image 0.136 nm
电子枪	Schottky field emission gun, ZrO/W(100) emitter
加速电压	60 to 200 kV (80, 200 kV; standard, Other voltages; option)
样品移动	X, Y: ± 1.0 mm Z: ± 0.2 mm
样品倾斜角度	TX/TY (with Specimen Tilting Holder) ±20°／±25° TX (with Specimen High Tilting Holder) ±80°
可选	Energy dispersive X-ray spectrometer (EDS), Electron energy-loss spectrometer (EELS), Multi-specimen auto transfer system, Integrated TEM control system (Automation Center), TEM/STEM tomography system