GaAs

报价

¥1 - 5万

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品牌

筱晓光子

样本

暂无样本

型号

UPD-35-IR2-FC

荣誉奖项

产地

亚洲

筱晓（上海）光子技术有限公司

金牌
第11年
生产商

营业执照已审核

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核心参数

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总览

ALPHLAS UPD系列自由空间入射超快光电探测器系列适合用于从直流到25GHz的空间光波形的测量。可提供检测最短为15ps上升时间的光脉冲信号，覆盖从170至2600nm的光谱范围。所有探测器都由紧凑坚实的过氧极化铝外壳封装，供电方式可以采用电池或外接电源。提供从170到1100 nm扩展到紫外光谱范围高速硅探测器商业产品。另一种类型独te的紫外线敏感的InGaAs 探测器，可用于检测从350到1700纳米范围内的激光脉冲，因此具有宽的光谱范围和高的响应速度。

优秀的阻抗匹配和先进的微波技术，确保测量的脉冲波形的保真度。用户可以自由使用50Ω的匹配电阻，进行高响应速度的检测。或为获得大的信号响应曲线，加入高阻抗负载。保证了UPD产品为不同的应用提供大的灵活性。结合BBA系列宽带高增益放大器，高速光探测器对于取代昂贵和繁琐的雪崩光电二极管是一个好的选择。UPD的系列高速光电探测器是激光和光子学研究的工具。

包含多型号 UPD-15-IR2-FC UPD-30-VSG-P UPD-35-IR2-P UPD-35-IR2-D UPD-35-IR2-FR UPD-35-IR2-FC UPD-35-UVIR-P UPD-35-UVIR-D UPD-40-VSI-P UPD-40-IR2-P UPD-40-IR2-D UPD-40-IR2-FR UPD-40-IR2-FC UPD-40-UVIR-P UPD-40-UVIR-D UPD-50-SP UPD-50-SD UPD-50-UP UPD-50-UD UPD-70-IR2-P UPD-70-IR2-D UPD-70-IR2-FR UPD-70-IR2-FC UPD-70-UVIR-P UPD-70-UVIR-D UPD-100-IR1-P UPD-200-SP UPD-200-SD UPD-200-UP UPD-200-UD UPD-300-SP UPD-300-SD UPD-300-UP UPD-300-UD UPD-500-SP UPD-500-SD UPD-500-UP UPD-500-UD UPD-3N-IR2-P UPD-5N-IR2-P UPD-2M-IR2-P UPD-2M-IR2-P-1TEC

超快光电探测器 ALPHLAS UPD 320-1700nm InGaAs/Si/Ge/GaAs ,超快光电探测器 ALPHLAS UPD 320-1700nm InGaAs/Si/Ge/GaAs

产品特点

● 超高速运行

● 上升时间：15 ps - 500ps

● 带宽：最高达25 GHz

● 光谱范围：170 - 2600纳米

● 紧凑封装

● 电池或外部电源

● 自由空间光入射或FC/PC型

● 接头或光纤尾纤

产品应用

● 脉冲形式测量

● 脉冲宽度测量

● 精确的同步

● 模式变化监控

● 外差测量

技术参数

产品型号	上升时间ps	带宽GHz	光谱范围nm	光敏面积直径μm/mm2	暗电流nA	输出接口	材料
UPD-15-IR2-FC	< 15	>25	800-1700	光纤, 9 µm	0.1	SMA	InGaAs
UPD-30-VSG-P	< 30	>10	320-900	200×200 / 0.04	0.1	SMA	GaAs
UPD-35-IR2-P	< 35	>10	800-1700	55 / 0.0024	0.3	SMA	InGaAs
UPD-35-IR2-D	< 35	>10	800-1700	55 / 0.0024	0.3	SMA	InGaAs
UPD-35-IR2-FR	< 35	>10	800-1700	55 / 0.0024	0.3	SMA	InGaAs
UPD-35-IR2-FC	< 35	>10	800-1700	光纤, 9 µm	0.3	SMA	InGaAs
UPD-35-UVIR-P	< 35	>10	350-1700	55 / 0.0024	0.3	SMA	InGaAs
UPD-35-UVIR-D	< 35	>10	350-1700	55 / 0.0024	0.3	SMA	InGaAs
UPD-40-VSI-P	< 40	>8.5	500-1690	200×200 / 0.04	5000	SMA	InGaAs
UPD-40-IR2-P	< 40	>8.5	800-1700	60 / 0.0028	0.5	SMA	InGaAs
UPD-40-IR2-D	< 40	>8.5	800-1700	60 / 0.0028	0.5	SMA	InGaAs
UPD-40-IR2-FR	< 40	>8.5	800-1700	60 / 0.0028	0.5	SMA	InGaAs
UPD-40-IR2-FC	< 40	>8.5	800-1700	光纤, 9 µm	0.5	SMA	InGaAs
UPD-40-UVIR-P	< 40	>8.5	350-1700	60 / 0.0028	0.5	SMA	InGaAs
UPD-40-UVIR-D	< 40	>8.5	350-1700	60 / 0.0028	0.5	SMA	InGaAs
UPD-50-SP	< 50	>7.0	320-1100	100 / 0.0079	0.001	SMA	Si
UPD-50-SD	< 50	>7.0	320-1100	100 / 0.0079	0.001	SMA	Si
UPD-50-UP	< 50	>7.0	170-1100	100 / 0.0079	0.001	SMA	Si
UPD-50-UD	< 50	>7.0	170-1100	100 / 0.0079	0.001	SMA	Si
UPD-70-IR2-P	< 70	>5.0	800-1700	80 / 0.005	0.8	SMA	InGaAs
UPD-70-IR2-D	< 70	>5.0	800-1700	80 / 0.005	0.8	SMA	InGaAs
UPD-70-IR2-FR	< 70	>5.0	800-1700	80 / 0.005	0.8	SMA	InGaAs
UPD-70-IR2-FC	< 70	>5.0	800-1700	光纤, 9 µm	0.8	SMA	InGaAs
UPD-70-UVIR-P	< 70	>5.0	350-1700	80 / 0.005	0.8	SMA	InGaAs
UPD-70-UVIR-D	< 70	>5.0	350-1700	80 / 0.005	0.8	SMA	InGaAs
UPD-100-IR1-P	< 100	>3.0	400-2000	80 / 0.005	700	SMA	Ge
UPD-200-SP	< 175	>2.0	320-1100	400 / 0.126	0.001	BNC	Si
UPD-200-SD	< 175	>2.0	320-1100	400 / 0.126	0.001	BNC	Si
UPD-200-UP	< 175	>2.0	170-1100	400 / 0.126	0.001	BNC	Si
UPD-200-UD	< 175	>2.0	170-1100	400 / 0.126	0.001	BNC	Si
UPD-300-SP	< 300	>1.0	320-1100	600 / 0.283	0.01	BNC	Si
UPD-300-SD	< 300	>1.0	320-1100	600 / 0.283	0.01	BNC	Si
UPD-300-UP	< 300	>1.0	170-1100	600 / 0.283	0.01	BNC	Si
UPD-300-UD	< 300	>1.0	170-1100	600 / 0.283	0.01	BNC	Si
UPD-500-SP	< 500	>0.6	320-1100	800 / 0.5	0.01	BNC	Si
UPD-500-SD	< 500	>0.6	320-1100	800 / 0.5	0.01	BNC	Si
UPD-500-UP	< 500	>0.6	170-1100	800 / 0.5	0.01	BNC	Si
UPD-500-UD	< 500	>0.6	170-1100	800 / 0.5	0.01	BNC	Si
UPD-3N-IR2-P	< 150	>0.4	800-2100	300 / 0.07	90	BNC	InGaAs
UPD-5N-IR2-P	< 200	>0.3	800-2600	300 / 0.07	2000	BNC	InGaAs
UPD-2M-IR2-P	< 75000	>0.004	900-1700	2000 / 3.14	5	BNC	InGaAs
UPD-2M-IR2-P-1TEC	< 75000	>0.004	900-1700	2000 / 3.14	0.3	BNC	InGaAs

几种典型产品光谱响应范围

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通用参数

单位（mm）

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