TEM用纯Si薄膜窗
纯硅薄膜窗特点
纳米级厚度:薄膜厚度为5-15nm,比目前无定形碳薄膜窗口还薄,为高倍成像减少了背景干扰;
清洗:采用等离子清洗,无有机物残留,改善成像质量;
均匀性:减少了不同区域的不均匀性;
稳定性:高电子束电流和退火温度下具有很好的稳定性(600℃ for non-porous, >1000℃ for nanoporous);
减少污染:彩色污染仅为C膜的一半;
纳米孔:为纳米尺寸材料提供稳定的成像,无背景干扰;
Si成分:溅镀沉积、纯的Si;
最小的背景信号:可对含Ni或C样品进行元素分析;
纯硅薄膜窗规格
单窗口系列
窗口类型 | 薄膜厚度 | 窗口尺寸 | 框架尺寸 | 框架厚度 |
5nm | 25x25μm | Φ3mm | 100μm | |
30nm | 500x500μm 纳米孔10-60nm | Φ3mm | 100μm |
多窗口系列
窗口类型 | 薄膜厚度 | 窗口尺寸 | 框架尺寸 | 框架厚度 |
5nm | 2x1阵列,50X1500μm | Φ3mm | 100μm | |
9nm /15nm | 2x1阵列,100X1500μm | Φ3mm | 100μm | |
5nm | 2x1阵列,100X100μm | Φ3mm | 200μm | |
9nm /15nm | 2x1阵列,100X1500μm | Φ3mm | 200μm | |
5nm | 3x3阵列,8个窗口50X50μm, 1个窗口50X100μm | Φ3mm | 100μm | |
5nm /9nm | 3x3阵列,8个窗口100X100μm, 1个窗口100X350μm | Φ3mm | 100μm | |
9nm | 3x3阵列,8个窗口100X100μm, 1个窗口100X350μm | Φ3mm | 200μm | |
15nm | 3x3阵列,8个窗口100X100μm, 1个窗口100X350μm | Φ3mm | 100μm | |
30nm | 3x3阵列,8个窗口100X100μm,1个窗口100X350μm; 纳米孔10-60nm | Φ3mm | 100μm | |
15nm | 3x3阵列,窗口100X100μm | Φ3mm | 200μm |
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