ZnGeP2 (ZGP) 红外非线性晶体
√ZnGeP2√GaSe
√AgGaSe2√ZnTe
√AgGaS2
由于具有独特的功能,ZnGeP2、 AgGaSe2、
AgGaS2、 GaSe 和 ZnTe作为光学非线性晶体,在
中红外和远红外应用方面已经赢得了人们极大的
兴趣。它们的应用包括:
? 中红外波段OPO
? 近、中红外波段频率转换
? CO2 激光倍频
? THz生成
红外非线性晶体 具有大的有效光学非线性,宽的
光谱和角度接收范围,透光范围宽,对温度稳定
性和振动控制没有苛刻的要求,可以进行良好的
机械加工( GaSe除外)。
其它晶体有 : CdSe, CdS, CdZnTe, CdTe, ZnSe, ZnS
AgGaS2 |
AgGaS2的透光波段为0.53至12 μm。虽然其非线性光学系数在上述提到的红外晶体中是最小的,但是其边缘为550 nm短波长高透光度被用于Nd:YAG激光泵浦的OPO,也被大量应用于利用二极管、掺钛蓝宝石、Nd:YAG和红外燃料激光器进行的差频混频实验,直接红外对抗系统,以及CO2激光倍频。通过信号和飞秒OPO系统驻波的差频,硫镓银晶体薄片在中红外波段超短脉冲发生方面用的很普遍。
14 mm长镀增透膜和用于被Nd:YAG激光 泵浦的OPO的AgGaS2晶体的透过光谱
AgGaS2晶体1型 OPO 和SHG调谐曲线 |
ZnGeP2 | AgGaSe2 | GaSe |
ZnGeP2晶体的透光波段为0.74至12 μm,其中有用的透光范围从1.9至10.6 μm。 ZnGeP2拥有最大的非线性光学系数和较高的激光损伤阈值。它成功地应用于以下应用领域:
ZnGeP2晶体1型OPO和SHG调谐曲线
ZnGeP2晶体在2 μm附近的吸收光谱
15 mm长镀增透膜ZnGeP2晶体OPO@2.1 μm 的透过光谱 | AgGaSe2晶体的透光波段在0.73至18 μm波段之间。其有用透光范围0.9-16 μm及宽的相匹配能力,在被多种当前常用激光泵浦时,能为OPO应用提供极具潜力的应用。在2.05 μm的Ho:YLF激光泵浦下,已经获得2.5-12 μm的波长,以及在1.4-1.55 μm激光泵浦下,获得1.9-5.5 μm的非临界相位匹配操作。脉冲式CO2激光的高效倍频已经得到证明。
AgGaSe2晶体1型OPO和SHG调谐曲线
18 mm长无镀膜AgGaSe2晶体的透过光谱
25 mm长镀增透膜的AgGaSe2晶体的透过光谱 | GaSe 晶 体 的 透 光 波 长 在 0 . 6 5 至18 μm之间. GaSe晶体已经成功的应用于以下方面:CO2 激光的高效倍频,脉冲式CO、CO2和DF化学 激光(λ = 2.36 μm)倍频,CO和CO2激光向可见光的上转换,通过钕和红外燃料激光器或(F-)-centre激光脉冲的差频混频产生红外脉冲,3.5–18 μm范围内 OPG光的发生,飞秒脉冲泵浦时0.2-5 THz范围的高效太赫兹发生。由于材料结构(沿(001)平面切开)限制了应用领域,为了得到特定相位匹配角的晶体切割是不可能的。
17 mm长无镀膜GaSe晶体的透过光谱
GaSe晶体Type 1 和Type 2 SHG调谐
切割后的 GaSe晶体胶合在特殊环形支架上 |
物理特性
晶体 | ZnGeP2 | AgGaSe2 | AgGaS2 | GaSe | ZnTe |
晶体对称性 | 四方 | 四方 | 四方 | 六角 | 立方闪锌矿 |
点群 | 42m | 42m | 42m | 62m | 43m |
晶格常数, ? a | 5.465 | 5.9901 | 5.757 | 3.742 | 6.1037 |
c | 10.771 | 10.8823 | 10.305 | 15.918 | - |
密度, g/cm3 | 4.175 | 5.71 | 4.56 | 5.03 | 5.633 |
光学特性
晶体 | ZnGeP2 | AgGaSe2 | AgGaS2 | GaSe | ZnTe | |
透光范围,μm | 0.74-12 | 0.73-18 | 0.53-12 | 0.65-18 | 0.65-17 | |
折射率@ | ||||||
1.06 μm | no | 3.2324 | 2.7005 | 2.4508 | 2.9082 | 2.7779 |
ne | 3.2786 | 2.6759 | 2.3966 | 2.5676 | ||
5.3 μm | no | 3.1141 | 2.6140 | 2.3954 | 2.8340 | 2.6974 |
ne | 3.1524 | 2.5823 | 2.3421 | 2.4599 | ||
10.6 μm | no | 3.0725 | 2.5915 | 2.3466 | 2.8158 | 2.6818 |
ne | 3.1119 | 2.5585 | 2.2924 | 2.4392 | ||
吸收系数, cm-1 @ | ||||||
1.06um | 3.0 | <0.02 | <0.09 | 0.25 | - | |
2.5um | 0.03 | <0.01 | 0.01 | 0.05 | - | |
5.0um | 0.02 | <0.01 | 0.01 | 0.05 | - | |
7.5um | 0.02 | - | 0.02 | 0.05 | - | |
10.0um | 0.4 | - | <0.06 | 0.05 | - | |
11.0um | 0.8 | - | 0.06 | 0.05 | - |
非线性光学特性
晶体 | ZnGeP2 | AgGaSe2 | AgGaS2 | GaSe | ZnTe |
激光损失阈值, MW/cm2 | 60 | 25 | 10 | 28 | - |
@脉宽, ns | 100 | 50 | 20 | 150 | - |
@波长, μm | 10.6 | 2.05 | 1.06 | 9.3 | - |
非线性, pm/V | 111 | 43 | 31 | 63 | - |
Type 1 SHG的相位匹配角@ 10.6 μm, deg | 76 | 55 | 67 | 14 | - |
Walk-off角@5.3 μm, deg 0.57 | 0.57 | 0.67 | 0.85 | 3.4 | - |
热学特性
晶体 | ZnGeP2 | AgGaSe2 | AgGaS2 | GaSe | ZnTe |
熔点, oC | 1298 | 851 | 998 | 1233 | 1295 |
热膨胀系, 10-6/oK | |||||
⊥ | 17.5(a) | 23.4(c) | 12.5 | 9.0 | 8.0 |
⊥ | 9.1(b) | 18.0(d) | - | - | - |
‖ | 1.59(a) | -6.4(c) | -13.2 | 8.25 | - |
‖ | 8.08(b) | -16.0(d) | - | - | - |
@ 293-573 K, b) @ 573-873 K, c) @ 298-423 K, d) @ 423-873 K
计算折射率的SELLMEIER方程:
晶体 | A | B | C | D | E | F | 表达式 | |
ZnGeP2 | no | 8.0409 | 1.68625 | 0.40824 | 1.2880 | 611.05 | - | n2=A+Bλ2/(λ2-C)+Dλ2(λ2-E) |
ne | 8.0929 | 1.8649 | 0.41468 | 0.84052 | 452.05 | - | ||
AgGaSe2 | no | 6.8507 | 0.4297 | 0.15840 | 0.00125 | - | - | n2=A+B/(λ2-C)-Dλ2 |
ne | 6.6792 | 0.4598 | 0.21220 | 0.00126 | - | - | ||
AgGaS2 | no | 3.3970 | 2.3982 | 0.09311 | 2.1640 | 950.0 | - | n2=A+B/(1-C/λ2)+D/(1-E/λ2) |
ne | 3.5873 | 1.9533 | 0.11066 | 2.3391 | 1030.7 | - | ||
GaSe | no | 7.443 | 0.405 | 0.0186 | 0.0061 | 3.1485 | 2194 | n2=A+B/λ2+C/λ4+D/λ6+E/(1-F/λ2) |
ne | 5.76 | 0.3879 | -0.2288 | 0.1223 | 1.855 | 1780 | ||
ZnTe | No, ne | 9.92 | 0.42530 | 0.37766 | 2.63580 | 56.5 | - | n2=A+B/(λ2-C2)+D/(λ2/E2-1) |
可以根据客户要求提供的其它晶体有: CdSe, CdS, CdZnTe, CdTe, ZnSe, ZnS
ZnTe / 碲化锌:
碲化锌晶体在<110>方向被用于通过光整流过程来产生太赫兹。光整流效应是晶体的二阶非线性光学效应,也是一种特殊的差频效应。对于有一定带宽的飞秒激光脉冲,不同的频率分相互作用产生从0到几太赫兹的带宽。太赫兹脉冲的整流是通过碲化锌晶体另一个<110>方向内自由空间电光整流产生的。太赫兹脉冲和可见光脉冲在碲化锌晶体内直线传播时,太赫兹脉冲在碲化锌晶体内产生双折射,这一现象被线偏振可见光脉冲读出。当可见光脉冲和太赫兹脉冲同时在同一晶体内传播时,可见偏振光在太赫兹脉冲作用下产生旋光,用一个λ/4波片和一个分束偏振器以及一组平衡光电二极管,通过监控可见光脉冲从碲化锌晶体出射后的偏振旋转相对于太赫兹脉冲的一组延迟时间,就可以监测太赫兹脉冲的振幅轨迹。能够读出完整的电场、振幅和延迟,是时域太赫兹光谱的魅力之一。
碲化锌也被用于红外光学元件基板和真空沉积。我们可提供尺寸为?40x30 mm的光学元件。
注意: 碲化锌含有微气泡,这并不影太赫兹的产生,然而,它们在晶体被照明时的投影下是可见的。我们不接受关于晶体内有气泡的投诉。
如何订购:
ZnGeP2 (ZGP) Crystals
货号 | Size, mm | θ | φ | 镀膜 | 标注 | 交货期 |
TL-ZP-401 | 7x5x15 mm | 54° | 0° | AR@2.1μm+BBAR@3.5-5μm | OPO @ 2.1-> 3.5-5 μm | 3周 |
TL-ZP-402 | 7x5x20 mm | 54° | 0° | AR@2.1μm+BBAR@3.5-5μm | OPO @ 2.1-> 3.5-5 μm | 3周 |
TL-ZP-403 | 7x5x25 mm | 54° | 0° | AR@2.1μm+BBAR@3.5-5μm | OPO @ 2.1-> 3.5-5 μm | 6周 |
货号 | Size, mm | θ | φ | 镀膜 | 标注 | 含税单价 | 交货期 |
TAGS-401H | 5x5x1 mm | 39° | 45° | BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm | DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 1 | 9800 元 | 1周 |
TAGS-402H | 6x6x2 mm | 50° | 0° | BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm | DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 2 | 16450元 | 联系我们 |
TAGS-403H | 5x5x0.4 mm | 34° | 45° | BBAR/BBAR @ 3-6 / 1.5-3 μm | SHG @ 3-6 μm, Type 1 | 12300元 | 1周 |
TAGS-801H | 8x8x0.4 mm | 39° | 45° | BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm | DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 1 | 26800元 | 1周 |
TAGS-802H | 8x8x1 mm | 39° | 45° | BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm | DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 1 | 23490元 | 1周 |
关于晶体选择列表仅供客户参考
A-F系列 | G-H系列 | L-N系列 | P-Z系列 |
Al2O3 | GaTe | LaAlO3 | PbWO4 |
Al | GaN | LiTaO3 | PbF2 |
Au | GaP | LiNbO3 | PbS |
Ag | Ga:ZnO | LiF | PIN-PMN-PT |
AlN 单晶 | GdScO3 | LSAT | PMN-PT |
GaSb | LaF3 | SrTiO3 (国产,进口,Ti面终止SrTiO3) | |
BaTiO3 | LiAlO2 | SrLaAlO4 | |
BGO | Graphite(普通;热解) | LGS 硅酸镓镧 | SrLaGaO4 |
BSO | LiGaO2 | ||
Bi2Te3 | GGG (Gd3Ga5O12) | LGT钽酸镓镧 | SiC?(4H,6H,3C) |
Bi2Se3 | MgAl2O4 | SBN | |
Bi2Se2Te | Hg(1-x)Cd(x)Te | ||
Bi2Te2Se | InP | MgO | Si-Ge |
BP 黑磷 | InAs | MoSe2 | TiO2(锐钛矿型,金红石型) |
CdS | InSb | MoS2 | TbScO3 |
KH2PO4 | MoTe2 | TGG | |
CaCO3 | KTaO3 | MgO:LiNbO3 | TeO2 |
Cu(单晶) | KTa 1-X NbXO3 | NdCaAlO4 | WTe2 |
CdSe | KCl | WS2 | |
Ce:Lu2SiO5 | KTN | Nb:SrTiO3 (国产,进口) | WSe2 |
CdWO4 | HOPG | NdGaO3 | YAG |
CdZnTe | NaCl | YSZ | |
Ni | YAlO3 | ||
CeF2 | YVO4 | ||
DyScO3 | |||
Fe:SrTiO3 | ZnO | ||
Fe3O4 | |||
Fe2O3 | Zero diffraction plate (Si 和SiO2) |