Si 硅雪崩光电二极管,光谱响应范围从可见光到近红外,峰值响应波长905nm。大光敏面,高速响应,高增益,低噪声。
产品特点:
正照平面型芯片结构
高速响应
高增益
低结电容
低噪声
产品应用:
激光测距
激光雷达
激光警告
技术参数:
光电性能(@Ta=22±3℃)
器件型号 | 光谱响应范 围 (nm) | 峰值响 应波长 (nm) | 响应度 λ =905nm φ e =1μW M=100 (A/W) | 暗电流 M=100 (nA) | 响应时间 λ =905nm R L =50Ω (ns) | 工作电压 温度系数 T a =-40℃ ~85℃ (V/℃) | 总电容 M=100 f=1MHz (pF) | 击穿电压 I R =10μA (V) | ||
典型 | 最大 | 最小 | 最大 | |||||||
APD-SI-905-2-TO46 | 400~1100 | 905 | 55 | 0.2 | 1 | 0.6 | 0.9 | 1.0 | 130 | 220 |
APD-SI-905-5-TO46 | 0.4 | 1 | 1.2 | |||||||
APD-SI-905-8-TO46 | 0.8 | 2 | 2.0 | |||||||
APD-SI-905-2-LCC3 | 0.2 | 1 | 1.0 | |||||||
APD-SI-905-5-LCC3 | 0.4 | 1 | 1.2 |
结构/最大绝对额定值
器件型号 | 封装形式 | 光敏面直径 (mm) | 工作电压 (V) | 工作温度 (℃) | 储存温度 (℃) | 焊接温度 (℃) | 正向电流 (mA) | 耗散功率 (mW) |
APD-SI-905-2-TO46 | TO-46 | 0.23 | 0.9×V BR | -40~85 | -45~100 | 260 | 0.25 | 100 |
APD-SI-905-5-TO46 | TO-46 | 0.50 | ||||||
APD-SI-905-8-TO46 | TO-46 | 0.80 | ||||||
APD-SI-905-2-LCC3 | LCC3 | 0.23 | ||||||
APD-SI-905-5-LCC3 | LCC3 | 0.50 |
产品型号
名称 | 型号 | 描述 | 价格 | 货期 |
硅雪崩光电二极管
| APD-SI-905-2-TO46 | 光谱响应范围:400-1100nm 峰值响应波长:905nm 光敏面直径:0.23mm 封装:TO46 | ||
硅雪崩光电二极管
| APD-SI-905-5-TO46 | 光谱响应范围:400-1100nm 峰值响应波长:905nm 光敏面直径:0.50mm 封装:TO46 | ||
硅雪崩光电二极管
| APD-SI-905-8-TO46 | 光谱响应范围:400-1100nm 峰值响应波长:905nm 光敏面直径:0.80mm 封装:TO46 | ||
硅雪崩光电二极管
| APD-SI-905-2-LCC3 | 光谱响应范围:400-1100nm 峰值响应波长:905nm 光敏面直径:0.23mm 封装:LCC3 | ||
硅雪崩光电二极管
| APD-SI-905-5-LCC3 | 光谱响应范围:400-1100nm 峰值响应波长:905nm 光敏面直径:0.50mm 封装:LCC3 |
典型特性曲线
封装外形、尺寸及引脚定义
APD-SI-2-2/5/8-TO46(三脚和两脚封装)
APD-SI-2-2/5-LCC3
等效电路及应用电路
注:C 1 -滤波电容,滤除偏置工作电压 V R 的噪声。
C 2 -旁路电容,为交流信号提供对地回路。
R 1 -限流电阻,防止偏置工作电压 V R 过高时,损坏探测器。
R i -取样电阻,将光电流转化为电压信号。
定购信息:
型号规则
【APD-SI-响应波长-光敏面直径-封装形式】