光敏二极管

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  • 筱晓（香港）光子技术有限公司 银牌1年
    400-860-5168转4708
    Idealphotonics是向科学、研究和工业界提供激光组件、检测器、激光二极管以及光源和系统的主要供应商。我们有能力设计和制造以Idealphotonics品牌销售的自己的产品系列，并且还可以提供源自北美，欧洲和远东公司的世界一流的激光产品。我们具有独特的优势来协助客户，能够：提供不同种类的光纤和激光组件光源，激光二极管（也提供OEM），激光探测器集成芯片和制造复杂的系统根据客户的定制或OEM要求进行设计和制造FOG，FBG和BODTR系统是Idealphotonics的自有品牌产品，包括我们屡获殊荣的FOG系统，FBG监控产品，激光组件。由于我们的激光二极管封装技术，我们可以将我们的激光二极管以最佳的性能用于TDLAS应用。探测器工厂可为光信号探测器提供高灵敏度探测器。我们的所有客户，从全球学术机构和政府机构到商业研究人员和行业，都能获得最高水平的服务，并由我们经验丰富的工程师团队提供可靠的技术支持。我们对我们为您提供的所有服务充满信心。
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  • 深圳维尔克斯光电有限公司
    维尔克斯专业代理欧美知名品牌激光器、光谱仪、光电测试分析仪器和光电元器件。凭借强力的专业技术背景和多年的行业经验，维尔克斯能够满足客户不同的应用要求，精准地为客户提供解决方案，设备安装和故障排除。 深圳维尔克斯光电代理的产品包括：以色列Holo/Or激光微透镜(DOE)，Holoor激光光束整形器、激光扩散镜、激光分束器、螺旋相位板、激光多焦点透镜、长焦深透镜、激光光栅、激光缩放器、双波长激光透镜；美国Wilks HATR-T2, CVH, TRANS-SP, ATR-SP红外测油仪、快速水中油分析仪、含油分析仪,InfraCal Tog/Tph Analyzer；美国NOIR激光防护眼镜、激光眼镜、激光防护镜、激光护目镜：ARG, YLW, EC2, YG3, YRB，RB3, YPL, DBY, DBD, KTI, YG2，ND20；法国Sofradir EC公司Electrophysics 7290,7290A,7292M,7215红外相机、红外CCD、红外热像仪、红外探测器、红外传感器；以色列DUMA Spoton光斑质量分析仪、Alignmeter准直仪、Angelmeter角度仪、Beamon光束质量分析仪、M平方仪、光斑位置分析仪；美国Scientech精密电子天平，激光能量计/功率计；德国Firstsensor光电二极管PIN、雪崩光电管ADP、位敏二极管；德国BATOP可饱和吸收镜SAM、SOC可饱和吸收耦合输出镜、SA可饱和吸收体、太赫兹器件、THz光谱系统、TDS1010太赫兹时域光谱仪、THz Kit、PCA光导天线、太赫兹透镜、THz聚焦镜；白俄罗斯Solar Laser Systems SHR/SHR-IR激光波长计、LQ系列纳秒固体激光器、LP系列光学参量振荡器（纳秒OPO）、LZ221激光喇曼频移器、双色散单色仪、原子力显微镜共聚焦光谱仪；美国Solar Light SFP-290AS防晒指数测试仪、紫外防晒系数测试仪、防晒系数SPF测试系统；美国Semrock 荧光显微镜滤光片、拉曼光谱滤光片、瑞利滤光片、带通滤波片、高通/低通滤波片、陷波滤光片、二向色分束镜；德国Layertec飞秒激光分束镜、宽带镜、啁啾镜、GT干涉镜；美国FLIR T620/i3/i5/i7/e40/e50/e60红外热像仪；
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  • 联合光科技(北京)有限公司
    联合光科技(北京)有限公司创立于2016年, 由国内多家知名光学企业联手创办, 致力于为用户提供优质激光光学元件、工业成像镜头、进口高精度光学检测系统和快捷、专业的解决方案。我们的产品涵盖了大多数光学领域，包括元件类，机械类，光学检测服务，光学冷加工及镀膜，并提供光学产品的定制服务，在高功率激光和特殊镀膜应用尤为突出。总部位于北京，在深圳和香港设有分公司，在济南、上海设有办事处，并且在长春，锦州，昆明和重庆设有工厂。为了将更好的产品提供给用户，我们在北京建立了先进的检测实验室和较完善的检测体系，并且采用国际知名品牌检测仪器。 主要产品：l 光学元件（标准光学镜片、高功率激光窗口镜片、定制光学元件、偏振元件）l 英国ULO CO2红外光学材料、镜片、光学器件l 光机械部件（压电电控平台，光学防震桌，光学调整架，手动位移台，光机组件，光桥系统）l 全系列高品质工业成像镜头（定焦/远心/线扫/变焦变倍/特殊定制镜头）、照明光源l 光学测量仪器? 德国MarOpto- 轮廓仪、干涉仪（倾斜波干涉仪、斐索干涉仪、动态干涉仪、干涉测量软件、断面检测、表面检测）? 德国Dioptic- ARGOS 表面疵病检测仪、光纤端面缺陷检测? 日本壶坂Tsubosaka-镜头/相机鬼影、杂散光测试系统；可调色温、亮度光源；镜头焦点偏差、光圈、闪光灯、快门测量、手机防抖测试系统；太阳灯? 美国 Bristol- 非接触式测厚仪? 美国Optometrics- 衍射光栅、分光器件、线栅偏振片、Minichrom? 单色仪等? 德国Artifex-光功率计、跨阻抗放大器、门控积分放大器、LIV激光二极管和LED特性测试系统、积分球、激光二极管驱动器? 波兰inframet-可见光电视相机测试系统（TVT）、红外热像仪测试系统（DT、LAFT、SAFT）、夜视仪测试系统（NVT、NVS、NVB）、激光测距机测试系统（LT、LTF、LTE）、二代像管像增强器测试系统（ITS-I、ITS-P、ITS-R）、条纹管测试系统（SPT、STT）、多传感器测试系统（JT、MS）、被动式THz成像仪测试系统（THP）、短波成像仪测试系统（ST）、紫外成像仪测试系统（UT）以及红外热像仪计算机模拟器（Simterm）等? 美国Headwall -高光谱成像、拉曼光谱仪、衍射光学元件? 其他-SPF防晒指数测试仪；大气测量辐射计/光度计；Mini-Chrom单色仪；激光二极管测试分析系统；积分球；激光功率探测器；光伏测试太阳模拟器；固态光电倍增管等等
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  • Ge锗/铟镓砷InGaAs 超大光敏面光电二极管(10mm) 800-1800nm 400-860-5168转3429
    一,Ge 锗 超大光敏PIN光电二极管（800-1800nm 直径 10mm）总览筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率，其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管，它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上，铟镓砷基底在下)，组合波长范围从400到1700 nm。为了丰富我们的光电二极管产品线，我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用，探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应，从而扭曲光电二极管的时域响应。因此，我们建议使光入射在有效面积中心。为此，可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔。Ge 锗 超大光敏PIN光电二极管（800-1800nm 直径 10mm）,Ge 锗 超大光敏PIN光电二极管（800-1800nm 直径 10mm）技术参数产品特点● 小光敏面大光敏面可选 (100µ m to 25mm)● 800nm to 1800nm 光谱响应● 高线性 10 dBm● 可以定制透镜组合(Biconvex, Planoconvex, or Ball)● 封装方式可选(TO-46, TO-18, TO-5, TO-8, TO-9 or BNC)引脚定义产品应用● 激光功率计● LED/LD老化诊断● 光谱学● LED/LD特性● 眼睛安全激光检测传感器产品规格探测材料Ge响应波长800 - 1800 nm峰值波长1550 nm (Typ.)响应度0.85 A/W (Typ.)光敏面直径78.5 mm2 (Ø 10mm)上升/下降沿时间 (RL = 50 Ohms, 10 V)500 ns / 500 ns (Typ.)NEP, Typical (1550 nm)4.0 x 10-12 W/Hz1/2 (Typ.)暗电流 (5 V)60 µ A (Max.)电容(10 V) 电容(0 V)1800 pF (Max.) 16000 pF (Max.)分流电阻4000 Ohm (Typ.)封装形式TO-9最大额定值最大击穿打压10 V操作温度-55 to 60 °C存储温度-55 to 60 °C备注：1、典型值；RL = 50 Ω，除非另有说明 2、NEP指Ding在光伏模式下光谱响应曲线：二,铟镓砷 InGaAs 超大光敏面光电二极管(10mm ) 900-1700nm 近红外波长总览筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率，其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管，它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上，铟镓砷基底在下)，组合波长范围从400到1700 nm。为了丰富我们的光电二极管产品线，我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用，探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应，从而扭曲光电二极管的时域响应。因此，我们建议使光入射在有效面积中心。为此，可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔。铟镓砷 InGaAs 超大光敏面光电二极管(10mm ) 900-1700nm 近红外波长,铟镓砷 InGaAs 超大光敏面光电二极管(10mm ) 900-1700nm 近红外波长产品特点● 10mm超大光敏面● 900nm to 1700nm 光谱响应● 高线性 10 dBm● —正照平面型芯片结构 ● 光敏面积大、低暗电流产品应用● 激光功率计● LED/LD老化诊断● 光谱学● LED/LD特性● 眼睛安全激光检测传感器通用参数技术参数特性参数符号测试条件最小典型最大单位光谱响应范围λ—900～1700nm光敏面直径φ—10mm响应度 ReVR=5V,λ=1.31μm,φe=100μw0.85——A/WVR=5V,λ=1.55μm,φe=100μw0.95——响应时间tSVR=5V,RL=50Ω,f=2KHz—820μs总电容CVR=5V,f=1KHz—310nF暗电流IDVR=5V,φe=0—25100nA分流阻抗RshVR=10mV10——MΩ光谱响应曲线封装及尺寸极限值参数名称符号额定值单位工作温度TC-40～+85℃贮存温度TSTG-55～+125℃正向电流IF10mA反向电流IR5mA焊接温度（时间）St260℃（10s）-
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    厂商： 筱晓（上海）光子技术有限公司
    品牌： 筱晓光子/microphotons
    型号： IRD-GE-10
    价格： 1万 - 5万元
  • 高性能硅Si雪崩光电二极管400-1100nm/905nm(光敏直径0.23/0.5/0.8mm ) 400-860-5168转3429
    一,硅 Si 雪崩光电二极管 400-1100nm硅 Si 雪崩光电二极管 400-1100nm,硅 Si 雪崩光电二极管 400-1100nm通用参数产品特点：正照平面型芯片结构高速响应高增益低结电容低噪声产品应用：激光测距激光雷达激光警告技术参数：光电性能（@Ta=22±3℃） 器件型号光谱响应范围(nm)峰值响应波长(nm)响应度λ =905nmφ e =1μWM=100(A/W)暗电流M=100(nA)响应时间λ =905nmR L =50Ω（ns）工作电压温度系数T a =-40℃～85℃（V/℃）总电容M=100f=1MHz（pF）击穿电压I R =10μA（V）典型最大最小最大APD-SI-905-2-TO46400～1100905550.210.60.91.0130220APD-SI-905-5-TO460.411.2APD-SI-905-8-TO460.822.0APD-SI-905-2-LCC30.211.0APD-SI-905-5-LCC30.411.2 结构/最大绝对额定值器件型号封装形式光敏面直径(mm)工作电压(V)工作温度(℃)储存温度(℃)焊接温度(℃)正向电流(mA)耗散功率(mW)APD-SI-905-2-TO46TO-460.230.9×V BR-40～85-45～1002600.25100APD-SI-905-5-TO46TO-460.50APD-SI-905-8-TO46TO-460.80APD-SI-905-2-LCC3LCC30.23APD-SI-905-5-LCC3LCC30.50 产品型号 名称型号描述价格货期硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-2-TO46光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.23mm封装：TO46硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-5-TO46光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.50mm封装：TO46硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-8-TO46光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.80mm封装：TO46硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-2-LCC3光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.23mm封装：LCC3硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-5-LCC3光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.50mm封装：LCC3 典型特性曲线封装外形、尺寸及引脚定义APD-SI-2-2/5/8-TO46（三脚和两脚封装）APD-SI-2-2/5-LCC3等效电路及应用电路注：C 1 －滤波电容，滤除偏置工作电压 V R 的噪声。C 2 －旁路电容，为交流信号提供对地回路。R 1 －限流电阻，防止偏置工作电压 V R 过高时，损坏探测器。R i －取样电阻，将光电流转化为电压信号。定购信息：型号规则【APD-SI-响应波长-光敏面直径-封装形式】二,硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18C30902EH高性能硅雪崩光电二极管(APD)的感光面直径为0.5 mm，适合于生物医学和分析应用。 这种Si APD设计为双扩散“穿透式”结构，可在400和1000 nm之间提供高响应度，以及在所有波长处都极快的上升和下降时间。器件的响应度与最高约800 MHz的调制频率无关。探测器芯片采用经过修改的TO-18封装，密封在平玻璃窗后面。多型号C30902EH/C30902EH-2 C30902SH C30902SH-TC硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18,硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18技术参数C30902和C30921系列用于微光应用的高速固态探测器C30902EH系列雪崩光电二极管非常适合广泛的应用，包括激光雷达、测距、小信号荧光、光子计数和条形码扫描。Excelitas Technologies的C30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“穿透”结构制造。这种结构在400到1000纳米之间提供了高响应度，并且在所有波长上都提供了极快的上升和下降时间。该器件的响应度与高达800 MHz的调制频率无关。探测器芯片密封在一个改进的TO-18封装的平板玻璃窗后面。感光表面的有效直径为0.5 mm。C30921EH封装在TO-18光管中，该光管允许从聚焦点或直径高达0.25 mm的光纤将光有效耦合到探测器。密封的TO-18封装允许光纤与光管端部匹配，以最大限度地减少信号损失，而无需担心危及探测器稳定性。C30902EH-2或C30902SH-2（带内置905nm通带滤波器的密封TO-18封装）和C30902BH（带密封球透镜）构成了C30902系列。C30902SH和C30921SH均选用具有急低噪声和体暗电流的C30902EH和C30921EH光电二极管。它们适用于超微光级应用（光功率小于1 pW），可在增益高达250或更高的正常线性模式（VrVbr）下的光子计数器使用，其中单个光电子可触发约108个载波的雪崩脉冲。在这种模式下，不需要放大器，单光子检测概率可能高达约50%。光子计数在门控和符合技术用于信号检索的情况下也是有利的。主要特征 高量子效率：在830 nm时为77% C30902SH和C30921SH可在盖革模式下运行 C30902EH/SH-2型，带内置905 nm过滤器 C30902BH型，带球形透镜 密封包装 室温下的低噪音 高响应度–内部雪崩增益超过150 光谱响应范围- （10%Q.E.点）400至1000纳米 时间响应–通常为0.5纳秒 宽工作温度范围-40°C至+70°C 符合RoHS标准应用&bull 激光雷达&bull 测距&bull 小信号荧光&bull 光子计数&bull 条形码扫描表1。电光特性测试条件：外壳温度=22&ring C，除非另有规定，请参见下页的注释。。C30902EH/C30902EH-2C30902SHC30902SH-TCDetector TypeC30902BHC30921EHC30902SH-2C30921SHC30902SH-DTCParameterMinTypMaxMinTypMaxMinTypMaxUnits感光区有效直径0.50.50.5mmactive area0.20.20.2mm² 光管特性（C30921）光管数值孔径0.550.55[no units]岩芯折射率（n）1.611.61[no units]芯径0.250.25mmField of view α (see Figure 15)视野α（见图15） 带标准/球形透镜窗口（-2）内置905 nm滤光片 90559055122N/ADegrees带灯管（在空气中） 3333N/AField of view α’ (see Figure 15)带标准窗口/球透镜114114129Degrees（-2）内置905 nm滤光片7878N/A击穿电压, Vbr225225225V反向偏置温度系数，Vr，恒定增益电压0.50.70.90.50.70.90.50.70.9V/&ring C探测器温度（见注2）-TC0&ring C-DTC-20&ring CGain (see note 1)150250250响应度830 nm时（不适用于-2）7077117128128A/Wat 900 nm556592108108A/W量子效率at 830 nm (not applicable for -2)777777%at 900 nm606060%Dark current, id153015301530nA-TC (at 0 °C)2nA-DTC (at -20 °C)1nANoise current, in (see note 3)-TC (at 0 °C)0.230.50.110.2 0.04pA/Ö HzpA/Ö Hz-DTC (at -20 °C)0.02pA/Ö Hz电容1.621.621.62pFRise/Fall time, RL=50 Ω 10% to 90% points 0.5 0.75 0.5 0.75 0.5 0.75 ns90% to 10% points0.50.750.50.750.50.75ns最大驱动电流-TC1.8A-DTC1.4A最大偏置电压-TC0.8V-DTC2.0V5%光子检测时的暗计数率 probability (830 nm)(see Figure 9 and note 4) 5000 150001100 (-TC)250 (-DTC) 15000 cps电压高于Vbr，光子探测概率为5%（830nm）（见图7和注4） 2 2 V5%光子检测时的脉冲比后概率（830nm）（注5）2152%1.在特定直流反向工作电压下，Vop或Vr，随每个装置提供，光斑直径为0.25 mm（C30902EH，SH）或0.10 mm（C30921EH，SH）。在180至250V的电压下运行，设备将满足上述电气特性限制。2.热敏电阻的温度（开尔文）可为使用以下方程式计算：[𝐾 ] = 𝛽 ,项次(𝑅 /𝑟 ∞)式中，R是测量的热敏电阻电阻，单位为Ω ,𝛽 = 3200，R0=5100Ω，T0=298.15 K和r∞ =&minus 𝛽 R e &cong 0.1113表2–最大额定值1.雪崩光电二极管中散粒噪声电流的理论表达式为in=（2q（Ids+（IdbM² +PORM）F）BW）&half ，其中q是电子电荷，Ids是暗表面电流，Idb是暗体电流，F是过量噪声系数，M是增益，PO是器件上的光功率，BW是噪声带宽。对于这些装置，F=0.98（2-1/M）+0.02 M（参考文献：PP Webb，RJ McIntyre，JJ Conradi，“RCA审查”，第35卷第234页，（1974年））。2.C30902SH和C309021SH可在更高的检测概率下运行。（参见盖革模式操作部分）。3.主脉冲后1µ s至60秒发生脉冲后。ParameterSymbolMinMaxUnits储存温度TS-60100°C工作温度Top-4070°CSoldering for 5 seconds (leads only)焊接5秒钟（仅限引线）260°C室温反向电流平均值，连续运行200µ A峰值（1s持续时间，非重复）1mA室温正向电流平均值，连续运行IF550mAmA峰值（1s持续时间，非重复）60mW
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    厂商： 筱晓（上海）光子技术有限公司
    品牌： 筱晓光子/microphotons
    型号： APD-SI-905-0.5-LCC3
    价格： 1001 - 2999元
  • 铟镓砷 InGaAs PIN光电二极管 探测器（2.7um扩展型,大光敏面) 400-860-5168转3429
    总览PL3000系列是一个全色PIN光电二极管，截止波长高达2700nm。它使用的是InGaAs材料，三元化合物半导体InGaAs材料用于制作各种光电器件，材料本身性能稳定。本系列的设计可以用于环境气体检测应用，测量CO或者CO2，它提供优良的并联电阻与响应在宽谱范围内，此外，我们可以读引脚改为TO-46,to-18，TO-5可选。铟镓砷 InGaAs PIN光电二极管（2.7um扩展型,大光敏面),铟镓砷 InGaAs PIN光电二极管（2.7um扩展型,大光敏面)产品特点● 有效面积（0.3-3mm）● 更长的截止波长2.7um● 高分流电阻● 多镜头选择（双凸，平凸，球透镜）● 多种封装结构可供选择（TO46；TO8；TO5）产品应用● 气体传感检测● 火焰/火花检测● FTIR● 短波红外光电探测技术参数2.7um扩展型响应电特性@25℃±2℃性能规格单位PLC300/2.6PLC500/2.6PLC1000/2.6PLC2000/2.6PLC3000/2.6响应直径mm0.30.5123峰值波长（典型）um2.2±0.12.2±0.12.2±0.12.2±0.12.2±0.1截止波长（50%）um2.6±0.12.6±0.12.6±0.12.6±0.12.6±0.1响应度@λP（min/typ）A/W0.9/1.00.9/1.00.9/1.00.9/1.00.9/1.0分流电阻（min/typ）Ω16K/25K5K/8K2K/4K0.5K/1.5K0.2K/0.5K暗电流（max）uA13@1V20@0.5V80@0.5V320@0.5V500@0.5V电容@0VpF1002701000440010000带宽 W/50Ω@0VMHz32163.20.80.35上升时间 W/50Ω@0Vns11221104401000NEP@λPEAKW/Hz1/281×10-14143×10-14203×10-14331×10-14574×10-14线性度（±0.2dB@0v）dBm66666封装规格-TO-8TO-8TO-8TO-5TO-5最大额定值性能规格单位PLC300/2.6PLC500/2.6PLC1000/2.6PLC2000/2.6PLC3000/2.6存储温度℃-40-125-40-125-40-125-40-125-40-125工作温度℃-40-85-40-85-40-85-40-85-40-85反向击穿电压V20.50.50.50.5反向击穿电流mA1010101010正向电流mA1010101010最大承受功率mW5050505050光谱响应响应温度系数Ⅰ响应温度系数Ⅱ电容和备用电压暗电流与暗电流备用电压分流阻力的比较温度型号及订购PLC-□-□□-W□□□□-XX□---探测器的材料A：Si PDB：InGaAs PDC：Si APDD：InGaAs APDE：Si Quadrant APDF：InGaAs Quadrant APD□□---光感应光敏面直径300：0.3mm500：0.5mm1000：1mm2000：2mm3000：3mmW□□□□---截止波长W2.6：2.6umXX: 探测器封装类型T46W=TO46 WindowT18W=TO18 WindowT5W=TO5 WindowT46L=TO46 LensT18L=TO18 LensT5L=TO5 LensT46W=TO46 WindowT46W=TO46 WindowSA=SMF-28E+ FC/APCSP=SMF-28E+ FC/PCPA=PM Fiber+ FC/APCPP=PM Fiber+ FC/PC
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    厂商： 筱晓（上海）光子技术有限公司
    品牌： 筱晓光子/microphotons
    型号： PLC-B-2000- W2.6- TO5
    价格： 3001 - 9999元
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  • 有机光电二极管 - 超越硅光电二极管的新星
    【重点摘要】硅光电二极管的刚性结构给大面积低成本扩展带来困难,限制了它在一些新兴应用中的使用。通过详细的表征方法,揭示了基于聚合物体异质结的有机光电二极管中,收集电荷的电极对低频噪声的影响。经过优化的有机光电二极管在可见光范围内的各项指标(响应时间除外)可媲美低噪声硅光电二极管。溶液处理制备的有机光电二极管提供了一些设计机会,例如用于生物识别监测的大面积柔性环形有机光电二极管,其性能可达到硅器件的水平。【硅光电二极管的局限性】 数十年来,硅光电二极管一直是光检测技术的基石,但它们的结构刚性给大面积低成本扩展应用带来许多局限。这给新兴的光电检测应用带来挑战。为实现更大面积的光电检测以及柔性基片上低成本光电二极管的制作,我们需要寻找新的材料体系。【有机光电二极管的低频噪声特性】 有机光电二极管常基于聚合物制成,具有结构灵活性等优势。研究人员通过详细的表征方法学,考察了这类二极管低频电子噪声的来源,发现负责收集电荷的电极对低频噪声有重要影响。这为设计低噪声的有机光电二极管奠定了基础。【有机光电二极管的指标表现】 经过优化设计后,有机光电二极管的大多数指标已可达到商用硅光电二极管的水平,特别是在可见光范围内。例如响应度、灵敏度、线性度、功耗等。它们的响应时间仍比不上硅二极管,但对大多数视频速率的应用已经足够。【应用展望】 溶解性的有机光电二极管制造过程为它们带来了许多应用机会。例如,大面积柔性的环形有机光二极管可用于生物识别监测。此类二极管成本低,可在多种非平面基片上制作,性能已达商用硅器件的水平。它们有望在新兴的光电子学领域大放异彩。图1 硅光电二极管(SiPD)与有机光电二极管(OPD)性能比较(A) OPD 尺寸结构。(B)测量所得光谱响应度。EQE,外量子效率。(C) 测量所得光照度依赖的光电流和响应度。LDR,线性动态范围。(D) 测量所得均方根噪声电流、噪声当量功率 (NEP)和特定探测度统计框图(_N_代表数据点数量)。Max,最大值 Min,最小值。图2 SiPD 和 OPD 中的稳态暗电流密度和电子噪声特性(A) 电压依赖的暗电流密度。Exp.,实验值。(B) 反向偏置下,建模和测量所得均方根噪声电流比较。图3 SiPD 和 OPD 中的时域响应特性(A) 负载电阻依赖的 10-90% 上升和下降响应时间。(B) 525 nm处频率依赖的归一化响应度。图4 弯曲 OPD(Flex-OPD)及其在光电容积图(PPG)中的应用(A) Flex-OPD 器件几何结构。PES,聚醚砜。(B) 小面积、大面积 Flex-OPD 和大面积 OPD 中的均方根噪声电流、响应度、NEP 和特定探测度统计框图。(C) S1133 SiPD 和环形 Flex-OPD PPG 阵列原理图(上) 手指反射模式 PPG 信号的 SiPD 和不同功率红色 LED驱动的环形 Flex-OPD PPG 阵列比较(下)。
    时间： 2023-12-14
    作者： 光焱科技
  • 光电二极管的量子效率：如何提高光电二极管的量子效率？
    提高光电二极管的量子效率 (QE) 可以通过多种方法实现：优化材料特性：选择吸收系数较高的材料可以增强光子吸收，从而提高QE。表面钝化：最大限度地减少表面缺陷和复合中心可以减少电子空穴对复合，从而提高 QE。抗反射涂层：应用减少反射的涂层可以增加进入光电二极管的光子数量，从而增强 QE。器件几何优化：设计具有最佳厚度和几何形状的光电二极管可以提高光吸收和载流子收集效率。增强光捕获：在光电二极管内采用捕获光的结构或技术可以增加与光子的相互作用长度，从而提高 QE。这些方法中的每一种都针对光电二极管操作的不同方面，以最大限度地提高其将光转换为电信号的效率。图 抗反射 (AR) 涂层对不同波长范围内光电二极管的量子效率 (QE) 的积极影响。QE 以百分比形式测量，表示光电二极管将入射光子转换为电流的效率。不同的曲线代表具有不同结构或材料的光电二极管，它们吸收不同波长范围的光。从图中可以明显看出，增透膜的应用增强了所有三种类型光电二极管的 QE。涂层减少了表面的光子反射，允许更多的光被吸收并转化为电信号，从而直接提高 QE。当具有增透膜的曲线与没有增透膜的曲线相比达到更高的百分比值时，这一点尤其明显。光伏检测请搜寻光焱科技
    时间： 2024-04-03
    作者： 光焱科技
  • 全球最小二极管问世
    p style="line-height: 1.75em " 北京时间4月5日下午消息，佐治亚大学和以色列内盖夫本-古里安大学的研究人员利用DNA分子制造出了新型二极管。这被认为是全球尺寸最小的二极管。研究人员表示，这将促进DNA元件的开发，推动分子电子学的发展。二极管的功能是实现电流的单向流动。40多年前，科学家提出，可以将二极管和其他电子元器件小型化，缩小至单个分子大小。这促成了分子电子学的诞生，而分子电子学的研究成果有望推动计算机技术突破传统硅器件的限制。/pp style="text-align: center "img src="http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/f32193bc-d6bc-4fd2-9f3a-69a9864d9f7a.jpg" title="3f07b4fef509cc1.jpg_600x600.jpg" width="400" height="400" border="0" hspace="0" vspace="0" style="width: 400px height: 400px "//pp style="line-height: 1.75em "　　在这项研究中，科学家利用DNA分子去制造二极管。基因科学的突破使精确设计DNA成为了可能，并使DNA成为了分子电子学研究中的最佳原材料。/pp style="line-height: 1.75em "　　DNA的双螺旋结构由被称作碱基对的分子构成。这一新型二极管的长度只有11个碱基对。通常情况下，每个DNA碱基对的长度约为0.34纳米。/pp style="line-height: 1.75em "　　DNA本身并不能发挥二极管的功能。不过，当研究人员向DNA内部某个位置插入2个小的Coralyne分子，并向其施加1.1伏电压时，可以发现通过该DNA二极管的电流在某一方向上要比另一方向强15倍。/pp style="line-height: 1.75em "　　科学家表示，这一DNA二极管可以进一步优化，从而开发出可提供实际功能的分子器件。这一研究成果发表在最近的《自然化学》期刊上。/ppbr//p
    时间： 2016-04-06
    作者： 产研-星羽
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  • 利用激光二极管进行光输出功率的建模方法
    本文提出了一种激光二极管光输出功率的建模方法，包括其对温度的依赖性。本研究使用的设备是一个40W的Monocrom二极管，发射波长为808nm的光，带有一个19个发射器的CS安装激光板条，使用Monocrom的夹紧方法安装。本研究的目的是提出激光二极管器件的Pspice模型，主要关注光学输出功率随温度的变化，并允许其计算机模拟。还要建立一个表征系统，以获得光学模型数学表达式所需的参数值。因此，本文解释了所提出的激光条形二极管光输出功率模型生成方法及其参数值的获取方法、光输出功率测量装置及其校准、所获得的Pspice模型及其仿真，以及能够获得具有短上升时间电流斜率的必要参数的表征系统。最后，给出了评价结果和相关结论。
  • 二极管阵列检测器在农药液相色谱分析中的应用
    二极管阵列检测器是一种基于光电二极管阵列技术的新型检测器。使用二极管阵列检测器，可以对色谱峰进行光谱扫描、峰纯度鉴定等定性分析，在方法研究中可以快速选择最佳检测波长，在多组分混合物分析中可以编辑波长程序。由于具有这些明显优势，二极管阵列检测器在农药分析中有着极佳的应用前景。
    厂商： 上海力晶
  • 硅光电二极管探测器EUV响应的温度依赖性
    使用同步加速器和实验室辐射源测量了硅光电二极管在3至250nm波长范围内从-100℃到+50℃的响应性。研究了两种类型的硅光电二极管，具有薄氮化二氧化硅表面层的AXUV系列和具有薄金属硅化物表面层的SXUV系列。根据波长的不同，响应率随着温度的升高而增加，AXUV光电二极管的速率为0.013%/C至0.053%/C，SXUV光电二极管为0.020%/C至0.084%/C。响应度的增加与硅带隙能量的减少相一致，这导致对产生能量的增加。这些结果对于极紫外（EUV）光刻步进器和光源中的剂量测量尤其重要，因为所涉及的高EUV强度通常会导致探测器温度增加。
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  • 【分享】光电二极管和硅光二极管的应用

    各位大虾: 我看见有些紫外可见分光光度计用的检测器是光电二极管或硅光二极管,它们之间各自的特点是什么,各有什么优点?谁更好一些?现在用得比较多的是哪一个检测器? 谢谢您的回答.请参照：http://www.instrument.com.cn/bbs/shtml/20071107/1050063/

  • 【原创大赛】二极管检测器有优势

    【原创大赛】二极管检测器有优势

    二极管检测器有优势 光电二极管阵列检测器（以下简称二极管检测器）也是紫外检测器的一种，一般也能实现紫外-可见光的检测功能。现在市场上主要还是以紫外检测器为主，二极管检测器还处于青年期，它的应用还不够多。 二极管检测器的一些特点铸就它势必会有很大的发展空间，在分析应用中会占有一席天地。 下面就介绍下二极管检测器相比紫外检测器的一些主要特点和发展前途。 二极管检测器是由一系列光电二极管以不同的组合排列而成，一般有256个的，512个的，1024个的，现在市场上最多的也是1024个的。它采用的是单波长、多波长和全波长检测，功能很多，大家经常采用的是全波长检测。它可实现三维色谱图，实现多波长检测和多通道检测。对于单个物质具有多个可实现的检测波长和某些同分异构体类或检测波长非常接近的物质时，选择最佳的检测波长和实现分离度不好也能非常准确的检测出来就显得非常的有优势。更有优势的是它可在一张色谱图上通过选择不同的波长实现不同的检测结果。比如下面这个样品，实现混合物完全分离非常难，基本分离也是比较难的，如果采用二极管检测器检测，那就容易的多了。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2014/10/201410181833_518953_2498430_3.pnghttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2014/10/201410181837_518957_2498430_3.png 二极管检测器发展到现在发展的还不是很成熟，和紫外检测器相比还有一些劣势，比如造价较高，结构较复杂，灵敏度不够高等。 二极管检测器的这些劣势可能是它结构较复杂，造价较高而没被各大厂家重视而没发展起来。随着基础工业、高新工业的发展，我想这些问题会越来越不是问题，最近几年这种检测器的市场占有率就明显多了起来。 希望国内外的各大厂家都能重视二极管检测器的发展，把它的造价减下去，灵敏度搞上来，把它的优势发展的淋漓尽致。另外这种检测器到1024个二极管时，二极管数量越多，性能越强大。那么我们是不是能把二极管的数量再往上增加些呢，比如2048个、4096个等等。 期望二极管检测器能快速发展，能被市场广泛认可。

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  • 硅 Si 雪崩光电二极管 905nm (400-1100nm光敏面直径0.5mm LCC3)
    总览Si 硅雪崩光电二极管，光谱响应范围从可见光到近红外，峰值响应波长905nm。大光敏面，高速响应，高增益，低噪声。通用参数产品特点：正照平面型芯片结构高速响应高增益低结电容低噪声产品应用： 激光测距激光雷达激光警告技术参数：光电性能（@Ta=22±3℃） 器件型号光谱响应范围(nm)峰值响 应波长(nm)响应度λ =905nmφ e =1μWM=100(A/W)暗电流M=100(nA)响应时间λ =905nmR L =50Ω（ns）工作电压温度系数T a =-40℃～85℃（V/℃）总电容M=100f=1MHz（pF）击穿电压I R =10μA（V）典型最大最小最大APD-SI-905-2-TO46400～1100905 550.210.60.91.0130220APD-SI-905-5-TO460.411.2APD-SI-905-8-TO460.822.0APD-SI-905-2-LCC30.211.0APD-SI-905-5-LCC30.411.2 结构/最大绝对额定值器件型号封装形式光敏面直径(mm)工作电压(V)工作温度(℃)储存温度(℃)焊接温度(℃)正向电流(mA)耗散功率(mW)APD-SI-905-2-TO46TO-460.230.9×V BR-40～85-45～100260 0.25100APD-SI-905-5-TO46TO-460.50APD-SI-905-8-TO46 TO-460.80APD-SI-905-2-LCC3LCC30.23APD-SI-905-5-LCC3LCC30.50 产品型号 名称型号描述价格货期硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-2-TO46光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.23mm 封装：TO46硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-5-TO46光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.50mm封装：TO46硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-8-TO46光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.80mm封装：TO46硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-2-LCC3光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.23mm封装：LCC3硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-5-LCC3光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.50mm封装：LCC3 典型特性曲线封装外形、尺寸及引脚定义APD-SI-2-2/5/8-TO46（三脚和两脚封装）APD-SI-2-2/5-LCC3等效电路及应用电路 注：C 1 －滤波电容，滤除偏置工作电压 V R 的噪声。 C 2 －旁路电容，为交流信号提供对地回路。R 1 －限流电阻，防止偏置工作电压 V R 过高时，损坏探测器。R i －取样电阻，将光电流转化为电压信号。定购信息：型号规则【APD-SI-响应波长-光敏面直径-封装形式】
    供应商： 筱晓（上海）光子技术有限公司
    品牌： LIGHTSMYTH
    价格： ¥1
  • 奥谱天成ATT1100雪崩二极管（APD）
    ATT1000是专门为激光测距优化设计的雪崩二极管（APD），具有高速响应、高增益、低结电容、低噪声的特点，非常适合激光测距、雷达等应用。特征： 高速响应、高增益、低结电容、低噪声 正照平面型芯片结构 230μm、500μm光敏面可选 陶瓷贴片封装 内置滤波片（635nm窄带）和白玻窗可选典型应用： 激光测距 激光告警 激光雷达1.最大额定值参数名称符号最小值最大值单位工作温度TOP-2085℃储存温度Tstg-55125℃工作电压Vop0.9×VBRV焊接温度Stemp260℃耗散功率1mW正向电流1mA2.光电性能（@Tc=22±3℃）特性参数符号测试条件最小典型最大单位光谱响应范围λ—400～1100nm光敏面直径φ—200（1）、500（2）μm响应度Reλ=800nm，φe=1μW, M=10.5A/W响应时间tSf=1MHz,RL=50Ω,λ=800nm0.3ns暗电流IDM=1000.02（1）0.05（1）0.4（1）nA0.05（2）0.1（2）0.5（2）总电容CtotM=100,f=1MHz1.5（1）pF3（2）最适宜的放大倍数M100反向击穿电压VBRIR=10uA80200V工作电压温度系数δTc=-40℃～85℃0.5（1）V/℃0.5（2）注： （1）为光敏面φ230μm器件之参数 （2）为光敏面φ500μm器件之参数 图3 0V光谱响应曲线
    供应商： 奥谱天成（厦门）光电有限公司
    品牌： 奥谱天成
    价格： 面议
  • 光电二极管阵列检测器灯
    产品名称：光电二极管阵列检测器灯仪器厂商：PerkinElmer/美国 珀金埃尔默价格：面议库存：是Flexar系列/200/200s系列视差检测器灯的偏转式设计允许在保证化合物检测灵敏度的同时，获得低噪声和低漂移性能。部件零件编号Flexar系列/200EP系列氘灯N2925030钨灯N2922011200系列氘灯(第2相)N2922046钨灯N2922011LC-135C/235检测器灯N2351285
    供应商： 北京博德恒悦科贸有限公司
    品牌： 珀金埃尔默
    价格： 面议
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