光敏二极管

一,Ge 锗 超大光敏PIN光电二极管（800-1800nm 直径 10mm）总览筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率，其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管，它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上，铟镓砷基底在下)，组合波长范围从400到1700 nm。为了丰富我们的光电二极管产品线，我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用，探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应，从而扭曲光电二极管的时域响应。因此，我们建议使光入射在有效面积中心。为此，可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔。Ge 锗 超大光敏PIN光电二极管（800-1800nm 直径 10mm）,Ge 锗 超大光敏PIN光电二极管（800-1800nm 直径 10mm）技术参数产品特点● 小光敏面大光敏面可选 (100µ m to 25mm)● 800nm to 1800nm 光谱响应● 高线性 10 dBm● 可以定制透镜组合(Biconvex, Planoconvex, or Ball)● 封装方式可选(TO-46, TO-18, TO-5, TO-8, TO-9 or BNC)引脚定义产品应用● 激光功率计● LED/LD老化诊断● 光谱学● LED/LD特性● 眼睛安全激光检测传感器产品规格探测材料Ge响应波长800 - 1800 nm峰值波长1550 nm (Typ.)响应度0.85 A/W (Typ.)光敏面直径78.5 mm2 (Ø 10mm)上升/下降沿时间 (RL = 50 Ohms, 10 V)500 ns / 500 ns (Typ.)NEP, Typical (1550 nm)4.0 x 10-12 W/Hz1/2 (Typ.)暗电流 (5 V)60 µ A (Max.)电容(10 V) 电容(0 V)1800 pF (Max.) 16000 pF (Max.)分流电阻4000 Ohm (Typ.)封装形式TO-9最大额定值最大击穿打压10 V操作温度-55 to 60 °C存储温度-55 to 60 °C备注：1、典型值；RL = 50 Ω，除非另有说明 2、NEP指Ding在光伏模式下光谱响应曲线：二,铟镓砷 InGaAs 超大光敏面光电二极管(10mm ) 900-1700nm 近红外波长总览筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率，其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管，它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上，铟镓砷基底在下)，组合波长范围从400到1700 nm。为了丰富我们的光电二极管产品线，我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用，探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应，从而扭曲光电二极管的时域响应。因此，我们建议使光入射在有效面积中心。为此，可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔。铟镓砷 InGaAs 超大光敏面光电二极管(10mm ) 900-1700nm 近红外波长,铟镓砷 InGaAs 超大光敏面光电二极管(10mm ) 900-1700nm 近红外波长产品特点● 10mm超大光敏面● 900nm to 1700nm 光谱响应● 高线性 10 dBm● —正照平面型芯片结构 ● 光敏面积大、低暗电流产品应用● 激光功率计● LED/LD老化诊断● 光谱学● LED/LD特性● 眼睛安全激光检测传感器通用参数技术参数特性参数符号测试条件最小典型最大单位光谱响应范围λ—900～1700nm光敏面直径φ—10mm响应度 ReVR=5V,λ=1.31μm,φe=100μw0.85——A/WVR=5V,λ=1.55μm,φe=100μw0.95——响应时间tSVR=5V,RL=50Ω,f=2KHz—820μs总电容CVR=5V,f=1KHz—310nF暗电流IDVR=5V,φe=0—25100nA分流阻抗RshVR=10mV10——MΩ光谱响应曲线封装及尺寸极限值参数名称符号额定值单位工作温度TC-40～+85℃贮存温度TSTG-55～+125℃正向电流IF10mA反向电流IR5mA焊接温度（时间）St260℃（10s）-

一,硅 Si 雪崩光电二极管 400-1100nm硅 Si 雪崩光电二极管 400-1100nm,硅 Si 雪崩光电二极管 400-1100nm通用参数产品特点：正照平面型芯片结构高速响应高增益低结电容低噪声产品应用：激光测距激光雷达激光警告技术参数：光电性能（@Ta=22±3℃） 器件型号光谱响应范围(nm)峰值响应波长(nm)响应度λ =905nmφ e =1μWM=100(A/W)暗电流M=100(nA)响应时间λ =905nmR L =50Ω（ns）工作电压温度系数T a =-40℃～85℃（V/℃）总电容M=100f=1MHz（pF）击穿电压I R =10μA（V）典型最大最小最大APD-SI-905-2-TO46400～1100905550.210.60.91.0130220APD-SI-905-5-TO460.411.2APD-SI-905-8-TO460.822.0APD-SI-905-2-LCC30.211.0APD-SI-905-5-LCC30.411.2 结构/最大绝对额定值器件型号封装形式光敏面直径(mm)工作电压(V)工作温度(℃)储存温度(℃)焊接温度(℃)正向电流(mA)耗散功率(mW)APD-SI-905-2-TO46TO-460.230.9×V BR-40～85-45～1002600.25100APD-SI-905-5-TO46TO-460.50APD-SI-905-8-TO46TO-460.80APD-SI-905-2-LCC3LCC30.23APD-SI-905-5-LCC3LCC30.50 产品型号 名称型号描述价格货期硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-2-TO46光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.23mm封装：TO46硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-5-TO46光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.50mm封装：TO46硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-8-TO46光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.80mm封装：TO46硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-2-LCC3光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.23mm封装：LCC3硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-5-LCC3光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.50mm封装：LCC3 典型特性曲线封装外形、尺寸及引脚定义APD-SI-2-2/5/8-TO46（三脚和两脚封装）APD-SI-2-2/5-LCC3等效电路及应用电路注：C 1 －滤波电容，滤除偏置工作电压 V R 的噪声。C 2 －旁路电容，为交流信号提供对地回路。R 1 －限流电阻，防止偏置工作电压 V R 过高时，损坏探测器。R i －取样电阻，将光电流转化为电压信号。定购信息：型号规则【APD-SI-响应波长-光敏面直径-封装形式】二,硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18C30902EH高性能硅雪崩光电二极管(APD)的感光面直径为0.5 mm，适合于生物医学和分析应用。 这种Si APD设计为双扩散“穿透式”结构，可在400和1000 nm之间提供高响应度，以及在所有波长处都极快的上升和下降时间。器件的响应度与最高约800 MHz的调制频率无关。探测器芯片采用经过修改的TO-18封装，密封在平玻璃窗后面。多型号C30902EH/C30902EH-2 C30902SH C30902SH-TC硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18,硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18技术参数C30902和C30921系列用于微光应用的高速固态探测器C30902EH系列雪崩光电二极管非常适合广泛的应用，包括激光雷达、测距、小信号荧光、光子计数和条形码扫描。Excelitas Technologies的C30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“穿透”结构制造。这种结构在400到1000纳米之间提供了高响应度，并且在所有波长上都提供了极快的上升和下降时间。该器件的响应度与高达800 MHz的调制频率无关。探测器芯片密封在一个改进的TO-18封装的平板玻璃窗后面。感光表面的有效直径为0.5 mm。C30921EH封装在TO-18光管中，该光管允许从聚焦点或直径高达0.25 mm的光纤将光有效耦合到探测器。密封的TO-18封装允许光纤与光管端部匹配，以最大限度地减少信号损失，而无需担心危及探测器稳定性。C30902EH-2或C30902SH-2（带内置905nm通带滤波器的密封TO-18封装）和C30902BH（带密封球透镜）构成了C30902系列。C30902SH和C30921SH均选用具有急低噪声和体暗电流的C30902EH和C30921EH光电二极管。它们适用于超微光级应用（光功率小于1 pW），可在增益高达250或更高的正常线性模式（VrVbr）下的光子计数器使用，其中单个光电子可触发约108个载波的雪崩脉冲。在这种模式下，不需要放大器，单光子检测概率可能高达约50%。光子计数在门控和符合技术用于信号检索的情况下也是有利的。主要特征 高量子效率：在830 nm时为77% C30902SH和C30921SH可在盖革模式下运行 C30902EH/SH-2型，带内置905 nm过滤器 C30902BH型，带球形透镜 密封包装 室温下的低噪音 高响应度–内部雪崩增益超过150 光谱响应范围- （10%Q.E.点）400至1000纳米 时间响应–通常为0.5纳秒 宽工作温度范围-40°C至+70°C 符合RoHS标准应用&bull 激光雷达&bull 测距&bull 小信号荧光&bull 光子计数&bull 条形码扫描表1。电光特性测试条件：外壳温度=22&ring C，除非另有规定，请参见下页的注释。。C30902EH/C30902EH-2C30902SHC30902SH-TCDetector TypeC30902BHC30921EHC30902SH-2C30921SHC30902SH-DTCParameterMinTypMaxMinTypMaxMinTypMaxUnits感光区有效直径0.50.50.5mmactive area0.20.20.2mm² 光管特性（C30921）光管数值孔径0.550.55[no units]岩芯折射率（n）1.611.61[no units]芯径0.250.25mmField of view α (see Figure 15)视野α（见图15） 带标准/球形透镜窗口（-2）内置905 nm滤光片 90559055122N/ADegrees带灯管（在空气中） 3333N/AField of view α’ (see Figure 15)带标准窗口/球透镜114114129Degrees（-2）内置905 nm滤光片7878N/A击穿电压, Vbr225225225V反向偏置温度系数，Vr，恒定增益电压0.50.70.90.50.70.90.50.70.9V/&ring C探测器温度（见注2）-TC0&ring C-DTC-20&ring CGain (see note 1)150250250响应度830 nm时（不适用于-2）7077117128128A/Wat 900 nm556592108108A/W量子效率at 830 nm (not applicable for -2)777777%at 900 nm606060%Dark current, id153015301530nA-TC (at 0 °C)2nA-DTC (at -20 °C)1nANoise current, in (see note 3)-TC (at 0 °C)0.230.50.110.2 0.04pA/Ö HzpA/Ö Hz-DTC (at -20 °C)0.02pA/Ö Hz电容1.621.621.62pFRise/Fall time, RL=50 Ω 10% to 90% points 0.5 0.75 0.5 0.75 0.5 0.75 ns90% to 10% points0.50.750.50.750.50.75ns最大驱动电流-TC1.8A-DTC1.4A最大偏置电压-TC0.8V-DTC2.0V5%光子检测时的暗计数率 probability (830 nm)(see Figure 9 and note 4) 5000 150001100 (-TC)250 (-DTC) 15000 cps电压高于Vbr，光子探测概率为5%（830nm）（见图7和注4） 2 2 V5%光子检测时的脉冲比后概率（830nm）（注5）2152%1.在特定直流反向工作电压下，Vop或Vr，随每个装置提供，光斑直径为0.25 mm（C30902EH，SH）或0.10 mm（C30921EH，SH）。在180至250V的电压下运行，设备将满足上述电气特性限制。2.热敏电阻的温度（开尔文）可为使用以下方程式计算：[𝐾 ] = 𝛽 ,项次(𝑅 /𝑟 ∞)式中，R是测量的热敏电阻电阻，单位为Ω ,𝛽 = 3200，R0=5100Ω，T0=298.15 K和r∞ =&minus 𝛽 R e &cong 0.1113表2–最大额定值1.雪崩光电二极管中散粒噪声电流的理论表达式为in=（2q（Ids+（IdbM² +PORM）F）BW）&half ，其中q是电子电荷，Ids是暗表面电流，Idb是暗体电流，F是过量噪声系数，M是增益，PO是器件上的光功率，BW是噪声带宽。对于这些装置，F=0.98（2-1/M）+0.02 M（参考文献：PP Webb，RJ McIntyre，JJ Conradi，“RCA审查”，第35卷第234页，（1974年））。2.C30902SH和C309021SH可在更高的检测概率下运行。（参见盖革模式操作部分）。3.主脉冲后1µ s至60秒发生脉冲后。ParameterSymbolMinMaxUnits储存温度TS-60100°C工作温度Top-4070°CSoldering for 5 seconds (leads only)焊接5秒钟（仅限引线）260°C室温反向电流平均值，连续运行200µ A峰值（1s持续时间，非重复）1mA室温正向电流平均值，连续运行IF550mAmA峰值（1s持续时间，非重复）60mW

总览PL3000系列是一个全色PIN光电二极管，截止波长高达2700nm。它使用的是InGaAs材料，三元化合物半导体InGaAs材料用于制作各种光电器件，材料本身性能稳定。本系列的设计可以用于环境气体检测应用，测量CO或者CO2，它提供优良的并联电阻与响应在宽谱范围内，此外，我们可以读引脚改为TO-46,to-18，TO-5可选。铟镓砷 InGaAs PIN光电二极管（2.7um扩展型,大光敏面),铟镓砷 InGaAs PIN光电二极管（2.7um扩展型,大光敏面)产品特点● 有效面积（0.3-3mm）● 更长的截止波长2.7um● 高分流电阻● 多镜头选择（双凸，平凸，球透镜）● 多种封装结构可供选择（TO46；TO8；TO5）产品应用● 气体传感检测● 火焰/火花检测● FTIR● 短波红外光电探测技术参数2.7um扩展型响应电特性@25℃±2℃性能规格单位PLC300/2.6PLC500/2.6PLC1000/2.6PLC2000/2.6PLC3000/2.6响应直径mm0.30.5123峰值波长（典型）um2.2±0.12.2±0.12.2±0.12.2±0.12.2±0.1截止波长（50%）um2.6±0.12.6±0.12.6±0.12.6±0.12.6±0.1响应度@λP（min/typ）A/W0.9/1.00.9/1.00.9/1.00.9/1.00.9/1.0分流电阻（min/typ）Ω16K/25K5K/8K2K/4K0.5K/1.5K0.2K/0.5K暗电流（max）uA13@1V20@0.5V80@0.5V320@0.5V500@0.5V电容@0VpF1002701000440010000带宽 W/50Ω@0VMHz32163.20.80.35上升时间 W/50Ω@0Vns11221104401000NEP@λPEAKW/Hz1/281×10-14143×10-14203×10-14331×10-14574×10-14线性度（±0.2dB@0v）dBm66666封装规格-TO-8TO-8TO-8TO-5TO-5最大额定值性能规格单位PLC300/2.6PLC500/2.6PLC1000/2.6PLC2000/2.6PLC3000/2.6存储温度℃-40-125-40-125-40-125-40-125-40-125工作温度℃-40-85-40-85-40-85-40-85-40-85反向击穿电压V20.50.50.50.5反向击穿电流mA1010101010正向电流mA1010101010最大承受功率mW5050505050光谱响应响应温度系数Ⅰ响应温度系数Ⅱ电容和备用电压暗电流与暗电流备用电压分流阻力的比较温度型号及订购PLC-□-□□-W□□□□-XX□---探测器的材料A：Si PDB：InGaAs PDC：Si APDD：InGaAs APDE：Si Quadrant APDF：InGaAs Quadrant APD□□---光感应光敏面直径300：0.3mm500：0.5mm1000：1mm2000：2mm3000：3mmW□□□□---截止波长W2.6：2.6umXX: 探测器封装类型T46W=TO46 WindowT18W=TO18 WindowT5W=TO5 WindowT46L=TO46 LensT18L=TO18 LensT5L=TO5 LensT46W=TO46 WindowT46W=TO46 WindowSA=SMF-28E+ FC/APCSP=SMF-28E+ FC/PCPA=PM Fiber+ FC/APCPP=PM Fiber+ FC/PC

总览器件为硅PIN 光电二极管，在反向偏置条件下工作。峰值波长在 940nm 左右,光谱探测范围从 400nm~1100nm。8mm大光敏面硅（Si）硅光电探测器,8mm大光敏面硅（Si）硅光电探测器技术参数特点：平面正照结构快速响应低暗电流高响应度高可靠性 应用领域：光纤通信、传感、测距可见光至近红外领域的光探测快速光脉冲检测各种工业控制系统。 产品参数：*器件的光敏面尺寸及技术指标可根据用户的使用要求而定 具体参数及器件管壳使用引脚详见产品附带参数表. 产品参数：参数符号测试条件典 型 值单位光敏面尺寸Φ0.2Φ0.5Φ1Φ2Φ4Φ5Φ80.5X0.51X11.3X1.32X23X3mm 光参数光谱响应范围 λ 400~1100 nm 响应度 ReVR=15Vλ=900nm 0.40 0.45 0.5 0.5 0.5 0.5 0．55 0.45 0.45 0.5 0.5 0.5 A/W 响应时间 trVR=15V，RL=50Ω 2 5 6 8 15 15 25 3.5 5 8 10 15 nS电参数暗电流IDVR=15V1235124060334610nA反向击穿电压 VBR IR=10μA 100 50 80 V 电容 Cjf=1MHzVR=15V 0.8 1.2 2.0 6 20 30 70 6.0 3 3 10 25 pF工作电压VR0~15V 管座型号同轴 II 型、5501、TO46、插拔式、带尾纤 T0-5 TO-8同轴 II 型、5501、TO46、插拔式、T05 T0-5饱和光功率 0.3w/cm2*器件的光敏面尺寸及技术指标可根据用户的使用要求而定 具体参数及器件管壳使用引脚详见产品附带参数表. 封装尺寸：：封装图片尺寸信息订购代码 C-II TO46 5501 TO5A TO5B TO8 FC-SA ADP 注意事项该器件在反向偏置电压下工作,注意器件极性不能接反。光纤弯曲度不能小于 45 度。器件在贮运、使用中注意静电防护措施。

主要应用：-5G及其以上传输系统不断增长的高速及大容量需求对光电二极管提出了更高的要求. 铟镓砷 (InGaAs)二极管、磷化镓(GaP)二极管和硅(Si)光电二极管，锗(Ge)光电二极管....-光电二极管（光敏二极管），有机光电二极管,光电三极管（光敏三极管），光敏器件......-光谱响应测试-DIV测试，电容测试-光电二极管（ Photodiode）灵敏度角度特性测试.

带有干涉滤光片的光电二极管，用于单色光（220 nm）检测S12742-220的窗口使用干涉滤光片，仅对单色光敏感。 光谱响应宽度在10 nm（FWHM）时非常窄，可以在没有任何杂散光影响的情况下进行精确的光度测量。 峰值灵敏度波长为220nm（典型值）。 S12742-220可以定制，以支持其他峰值灵敏度波长，如340 nm，560 nm。详细参数感光面积3.6 × 3.6 mm像元个数1冷却方式Non-cooled封装Metal反向电压 (最大值)5 V光谱响应范围216 to 224 nm光敏度 (典型值)0.006 A/W暗电流 (最大值)25 pA峰值灵敏度波长(典型值)220 nm上升时间 (典型值.)1 μs结电容(典型值)500 pF测量条件Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted, Photosensitivity: λ=220 nm, Dark current: VR=10 mV, Terminal capacitance: VR=0 V, f=10 kHz光谱响应范围外形尺寸（单位：mm）

带干涉滤光片，适合单色光（254nm）探测的硅光电二极管S12742-254的窗口使用干涉滤光片，只对单色光灵敏。其光谱响应宽度极窄，只有10nm（FWHM），可以屏蔽杂散光，精确地进行光度计测。其典型峰值波长为254nm，也可以接受客户定制，改变其峰值波长，比如340nm、560nm、650nm等。产品特性-带干涉滤光片的硅光电二极管-单色光（254nm）探测详细参数感光面积3.6 × 3.6 mm像元个数1冷却方式Non-cooled封装Metal反向电压 (最大值)5 V光谱响应范围252 to 256 nm光敏度 (典型值)0.018 A/W暗电流 (最大值)25 pA峰值灵敏度波长(典型值)254 nm上升时间 (典型值.)1 μs结电容(典型值)500 pF测量条件Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted,Photosensitivity: λ=254 nm, Dark current: VR=10 mV, Terminal capacitance: VR=0 V, f=10 kHz光谱响应外形尺寸（单位：mm）

产品特征-带有干涉滤光片的Si光电二极管-单色光（275 nm）检测详细参数感光面积3.6 × 3.6 mm像元个数1冷却方式Non-cooled封装Metal反向电压 (最大值)5 V光谱响应范围271 to 279 nm光敏度 (典型值)0.01 A/W暗电流 (最大值)25 pA峰值灵敏度波长(典型值)275 nm上升时间 (典型值.)1 μs结电容(典型值)500 pF测量条件Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted, Photosensitivity: λ=275 nm, Dark current: VR=10 mV, Terminal capacitance: VR=0 V, f=10 kHz光谱响应范围外形尺寸图（单位：mm）

光敏晶体三极管 光敏晶体三极管用来放大入射光产生的电流。与光电二极管相比，晶体三极管即使在很小的感光面积上也可以产生很大的输出电流。欢迎您登陆滨松中国全新中文网站 查看该产品更多详细信息！产品图像产品型号产品名称封装封装类型光电流暗电流集电极-发射极电压（最大值）峰值响应波长 S4404-01光敏晶体三极管塑料带透镜2.5 mA100 nA0.4 V870 nm S2829光敏晶体三极管塑料带透镜1 mA100 nA0.4 V850 nm

适用于紫外到红外的35象元硅光电二极管阵列 S4111-35Q是一款DIP陶瓷封装线阵硅光电二极管，主要用于低光量探测，比如分光光度测量等。其具有从紫外到近红外的宽光谱范围。由于所有象元都可以用反向偏压进行存储电荷读出，该产品具有高灵敏度低光量探测的能力。像元之间的串扰减小，保持了信号的纯度。而且可以用特制的滤波片作为该产品的入射窗。产品特性-大感光面积 - 低串扰- 低暗电流- 红外灵敏度增强详细参数元素大小(每1列)4.4 × 0.9 mm像元个数35封装Ceramic封装类型40pin-DIP冷却方式Non-cooled反向电压(最大值)15 V光谱响应范围190 to 1100 nm峰值灵敏度波长(典型值)960 nm光敏度 (典型值)0.58 A/W暗电流 (最大值)10 pA上升时间 (典型值.)1.2 μs结电容(典型值)550 pF测量条件Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise notedper one element, Photosensitivity: λ=960 nm, Dark current: VR=10 mV, Rise time: VR=0 V, Terminal capacitance: VR=0 V光谱响应外形尺寸（单位：mm）

总览Agiltron制造先进的硒化铅（PbSe）探测器，用于室温操作以及增强灵敏度的热电冷却操作。这些设备可以用于集成的光滤波器、预放大器或多路复用放大器。硒化铅PbSe光电二极管 2-5um,硒化铅PbSe光电二极管 2-5um通用参数产品特点：新型自动化学加工（ACP）以较低的成本产生更高的产量在极duan条件下，可靠性高保质期长密封包装各种尺寸都可供选择 PbSe探测器的典型室温电特性。光敏面大小（mm)电阻(MΩ )时间常数(µ sec)D*BB(500K, 1KHz, 1)(cm&bull Hz&half &bull W–1)D*(cm&bull Hz&half &bull W–1)响应度(PK, 1KHz)(V/W)1.0X1.00.2 - 5.053X1082X1097500 机械特性：探测器通常在0.020英寸-0.030英寸厚度的石英衬底上制造。可以与光学冷凝器元件、热电（TE）冷却器和处理电子设备集成，所有这些都装在一个微型包装中。老化特性所有的库存探测器至少要经历四周的老化期。PbSe探测器的光谱响应PbSe的典型室温响应在2 - 5μm的光谱区域工作，时间常数小于5 μsec。TE冷却可在1到5微米区域增加D*。标准PbSe探测器的典型光谱响应如下图所示订购型号信息：环境探测器PBAD-探测器材料类型封装光敏面大小窗口AR 涂层温度传感器环境探测器1=Lead Selenide (PbSe)3=High Performance Lead Selenide (HP-PbSe)00=Flat Plate 01=Packaged0=special 1=TO-185=TO-57=TO-378=TO-89=TO-390=Special 1=1x1mm 2=2x2mm 3=3x3mm 4=4x4mm 5=5x5mm6=6x6mm0=Special 1=Spectral Filter 2=Quartz 3=Sapphire 4=Germanium 5=Silicon0=No1=Yes00=No Themistor TH=Thermistor TC=Thermistor Calibrated 制冷型探测器PBCD-探测器材料T.E.制冷类型封装光敏面大小窗口AR 涂层温度传感器TE制冷型光电探测器1=Lead00=Special0=special0=Special0=Special0=No00=No ThemistorSelenide(PbSe)01=1 stage5=TO-51=1x1mm1=Spectral Filter1=YesTH=Thermistor3=High02=2 stage7=TO-372=2x2mm2=QuartzTC=ThermistorPerformance03=3 stage8=TO-83=3x3mm3=SapphireCalibratedLead Selenide9=TO-394=4x4mm4=Germanium(HP-PbSe)5=5x5mm5=Silicon6=6x6mm

一, 铟镓砷 (QPD) 象限光电二极管 600-1750nm TO-5 光敏面3mm马克科技的4346系列是一个高灵敏度和高可靠性的产品系列，非常适合光通信设备。该模型也 可选用定制包装铟镓砷 (QPD) 象限光电二极管 600-1750nm TO-5 光敏面3mm,铟镓砷 (QPD) 象限光电二极管 600-1750nm TO-5 光敏面3mm光电参数 (Ta = 25º C)项目符号条件MIN典型值MAX单位暗电流IDVR=0V--0.13--nA灵敏度范围λVR=0V600--1750nm峰值波长λVR=0V--1600--nm串扰CTVR=0V, λ=1600nm--25%响应度Rλ=1330nmλ=1600nm--0.900.550.95----A/W上升时间@1330nmTRVR=2V RL=50Ω--8--ns并联电阻RSHVR=10mV,-10mV--1.43--MΩ静电容CVR=0V 1MHz--107--pF通用参数硅和InGaAs象限光电二极管(“Quads” or quadrant photodiodes)“四象限”或象限光电二极管（QPD）是具有四个平面扩散光电二极管元件的分段光电二极管位置感测检测器（PSD，AKA位置感测二极管），这些元件是单片的或在同一硅或InGaAs芯片上。Marktech光电四元光电二极管具有低暗电流、高分辨率或精度、高精度、低噪声高响应（高S/N比）、宽光谱范围、良好的频率带宽、优异的动态范围、Min. 的元件间距、低工作电压、高分流电阻和大有源区。两段、双元件或双单元光电二极管是另一种类型的位置感测装置，通常结合到对准或定位系统中。虽然象限光电二极管可以感测沿着两个维度或X和Y轴的位置，但双元件光电二极管沿着一个维度或轴对齐或定位。Marktech的四元件光电二极管阵列或四元探测器在激光对准和纳米定位应用中提供了优秀的性能。象限光电二极管（QPD）或象限位置敏感探测器通常具有低至10nm的分辨率，使用的光束的光功率为10至100微瓦（MÉ KYNEN）。Quads可用于激光对准的自动准直器、光学跟踪器、扫描探针显微镜、载物台定位器、表面轮廓仪、掩模对准器、光束定中心系统、空间太阳传感器、椭圆仪、光学镊子、倾斜传感器、高精度位移传感器和其他超精密定位应用。QPD的快速响应和宽的操作带宽使这些定位设备在原子力显微镜（AFM）行业中占据主导地位（Chien等人）。卫星通信系统也可以受益于象限光电二极管。例如，象限光电二极管是用于卫星间激光干涉测量的象限光电接收器（QPR）前端设备的关键部件。硅和InGaAs光电二极管阵列双单元和象限光电二极管都是光电二极管阵列（PDA），分别具有两个（1X2）和四个（2X2）元件。Bi和quad PD适用于在小波束位移或位置范围内的对准或位置感测。对于更大范围的激光或光束位置感测，需要更长的多元件光电二极管阵列。Marktech Optoelectronics还生产多元件线性（一维，1D）和面积（二维，2D）光电二极管阵列，具有许多分段，用于色散光谱、折射测量、距离或测距（三角位置传感）、干涉测量和粒子分析仪。大多数光电二极管阵列应用都需要定制设计的阵列和OEM集成，这是Marktech的行业优秀能力之一。Marktech的探测器专家设计并制造了具有2、4、16、20、32、64和更多元件的光电二极管阵列。我们的InGaAs象限光电二极管和光电二极管阵列的波长灵敏度范围为600nm–2600nm。我们的硅象限光电二极管和光电二极管阵列的波长灵敏度范围为250nm至1100nm。这些芯片可以单独封装在各种密封TO封装中，也可以集成到定制封装中（PLCC、COB、ATLAS密封SMD、陶瓷载体等），以适应您的特定应用和引脚设计规格。特点高 速 反 应 - 1.0GHzTO-5金属罐封装有效面积3.0mm/高灵敏度光谱范围: 600nm - 1750nm应用高速光通信工业控制光开关雷达医疗jue对Max. 额定值 (Ta=25º C)项目符号数值单位有效面积Ф3.0mm运行温度范围Topr40 to +85 º C储存温度范围Tstg40 to +125º C二, 高速铟镓砷PIN光电二极管 800-2600nm (TO-39 光敏面直径1.5mm)灵敏度波长范围的800nm~2600nm MTPD260K8-150是一个高灵敏度和高可靠性的产品系列，非常适合于光通信设备 。客户可定制不同的封装形式。高速铟镓砷PIN光电二极管 800-2600nm (TO-39 光敏面直径1.5mm),高速铟镓砷PIN光电二极管 800-2600nm (TO-39 光敏面直径1.5mm)通用参数特点响应速度快TO-39密封圆顶透镜封装1.5mm Ф的有效面积/高灵敏度光谱范围 800nm - 2600nm应用高速光通信工业控制分析气体/水激光测距医疗绝对最大额定参数 (Ta=25º C)参数符号主要指标单位有效光敏面直径Ф1.5mm工作温度范围Topr40 to +85 º C储存温度范围Tstg40 to +125º C光电参数 (Ta = 25º C)参数符号条件MIN典型值MAX单位击穿电压VRIR=100uA----1V灵敏度范围λVR=0V800--2600nm暗电流IDVR=0V--150--nA暗电流IDVR=1V--350--uA响应度Rλ=2400nm--1.24--A/W分流电阻Shunt ResistanceRSVR=10mV--1.25--kOhm量子效率QEλ=1840nm--72--%电容CVR =0V--1500--pF电容CVR =1V--100--pF封装尺寸单位: mm, 误差: ±0.2光谱响应曲线量子效率曲线三, 高速铟镓砷PIN光电二极管 800-2600nm TO-39 光敏面3mm灵敏度波长范围为800nm ~2600nm 的MTPD260T8-300是一个高灵敏度和高可靠性的产品系列， 非常适合于光通信设备。客户可以定制封装形式。高速铟镓砷PIN光电二极管 800-2600nm TO-39 光敏面3mm,高速铟镓砷PIN光电二极管 800-2600nm TO-39 光敏面3mm通用参数特点响应速度快TO-39封装 有效面积3.0mmФ/高灵敏度 光谱范围800nm-2600nm应用高速光通信工业控制分析气体/水激光测距医疗jue对Max. 额定参数 (Ta=25º C)参数符号主要指标单位有效光敏面直径Ф3.0mm工作温度范围Topr40 to +85 º C储存温度范围Tstg40 to +125º C光电参数 (Ta = 25º C)参数符号条件MIN典型值MAX单位击穿电压VRIR=10uA----1V灵敏度范围λVR=0V800--2600nm暗电流IDVR=0V--80--nA暗电流IDVR=1V--770--uA响应度Rλ=2400nm--1.24--A/W分流电阻Shunt ResistanceRSVR=10mV--0.5--kOhm量子效率QEλ=1840nm--72--%电容CVR =0V--3100--pF电容CVR =1V--500--pF封装尺寸单位: mm, 误差: ±0.2光谱响应曲线四, 高速铟镓砷PIN光电二极管 800-2600nm (TO-39 光敏面直径3.0mm)MTPD260K8-300是一个高灵敏度和高可靠性的产品系列， 非常适合于光通信设备。该模具的定制包装也可选用。高速铟镓砷PIN光电二极管 800-2600nm (TO-39 光敏面直径3.0mm),高速铟镓砷PIN光电二极管 800-2600nm (TO-39 光敏面直径3.0mm)通用参数特点响应速度快TO-39密封圆顶透镜封装3.0mm Ф的有效面积/高灵敏度光谱范围 800nm - 2600nm应用高速光通信工业控制分析气体/水激光测距医疗绝对最大额定参数 (Ta=25º C)参数符号主要指标单位有效光敏面直径Ф3.0mm工作温度范围Topr40 to +85 º C储存温度范围Tstg40 to +125º C光电参数 (Ta = 25º C)参数符号条件MIN典型值MAX单位击穿电压VRIR=100uA----1V灵敏度范围λVR=0V800--2600nm暗电流IDVR=0V--850--nA暗电流IDVR=1V--830--uA响应度Rλ=2400nm--1.24--A/W分流电阻Shunt ResistanceRSVR=10mV--0.34--kOhm量子效率QEλ=1840nm--72--%静电容CVR =0V--3000--pF静电容CVR =1V--450--pF封装尺寸单位: mm, 误差: ±0.2光谱响应曲线五, 高速InGaAs PIN光电二极管 600-1750nmMarktech的1346系列是高灵敏度和高可靠性的产品系列，非常适合于光通信设备。 客户可以定制其他封装形式,波长灵敏度范围: 600nm ~ 1750nm 高速InGaAs PIN光电二极管 600-1750nm,高速InGaAs PIN光电二极管 600-1750nm通用参数绝对最大额定参数 (Ta=25º C)参数符号主要指标单位有效光敏面直径Ф3.0mm工作温度范围Topr40 to +85 º C储存温度范围Tstg40 to +125º C产品特点：高速响应TO-39封装有效面积3.0mm /高灵敏度光谱范围600nm—1750nm应用:高速光通讯管线区域网路光开关以太网光纤通道光电参数 (Ta = 25º C)参数符号条件MIN典型值MAX单位击穿电压VRIR=10uA----5V灵敏度范围λVR=0V600--1750nm暗电流IDVR=1V--265--uA电容CVR=1V *2----2090pF响应度Rλ=1.6um--0.50--A/W分流电阻Shunt ResistanceRSVR=10mV--0.360--kOhm量子效能QEλ=1.6um--0.40--%弱电流ILλ=1.6um *1--35.4--µ A上升下降时间Tr,Tf--102--ns带宽BW--4.3--MHz提示:*1: Ee=1mW/cm2 *2: f=100kHz/1kHz光谱响应图

InGaAs光电二极管 Fermionics公司于1991年在加利福尼亚成立，它是一家生产InGaAs光电二极管的独立生产商，产品主要是用于光学通信、测试仪器、传感和医学设备应用。高速InGaAs光电二极管（FD50~FD300）描述：1.探测速度非常快、电容低、暗电流低；2.适用于高比特率接收机、高速模拟和数字通信系统、LAN、FDDI、红外仪器和探测应用；3.所有的器件使用平面钝化技术制造；4.光灵敏表面镀有宽带增透膜；5.光灵敏区域直径：50、80、100、150和300微米；6.存储温度：-40~100℃；工作温度：-40~85℃。大面积InGaAs光电二极管（FD500~FD5000W）描述：1.大面积光电二极管用于红外仪器和探测、中速通信系统；2.在波长范围800到1700纳米响应良好；3.分流电阻对低光信号灵敏度高；4.所有器件使用平面钝化技术制造；5.光灵敏表面镀有宽带增透膜；6.光灵敏区域直径：500、1000、1500、2000、3000和5000微米。杭州谱镭光电技术有限公司(HangzhouSPL Photonics Co.,Ltd)是一家专业的光电类科研仪器代理商，致力于服务国内科研院所、高等院校实验室、企业研发部门等。我们代理的产品涉及光电子、激光、光通讯、物理、化学、材料、环保、食品、农业和生物等领域，可广泛应用于教学、科研及产品开发。 我们主要代理的产品有：微型光纤光谱仪、中红外光谱仪、积分球及系统、光谱仪附件、飞秒/皮秒光纤激光器、KHz皮秒固体激光器、超窄线宽光纤激光器、超连续宽带激光器、He-Ne激光器、激光器附件及激光测量仪器、光学元器件、精密机械位移调整架、光纤、光学仪器、光源和太赫兹元器件、高性能大口径瞬态（脉冲）激光波前畸变检测干涉仪（用于流场、波前等分析）、高性能光滑表面缺陷分析仪、大口径近红外平行光管、Semrock公司的高品质生物用滤波片以及Meos公司的光学教学仪器等。 拉曼激光器，量子级联激光器，微型光谱仪，光机械，Oceanoptics，Thorlabs 。。。热线电话： / 传真：网址： /邮箱：

一, 300um 扩展型InGaAs 光电二极管应用领域：光谱探测与分析、气体分析、水含量分析等产品特点：正照射结构、灵敏度高、响应时间快、TO46 封装300um 扩展型InGaAs 光电探测器,300um 扩展型InGaAs 光电探测器通用参数特性参数典型值光敏面直径Φ 0.3 mm规模单元工作温度-20～ +60 ℃储存温度-55~ +70 ℃波段1.0~2.6 um峰值波长2.2 um峰值量子效率≥70%峰值响应率≥1.2 A/W器件阻抗2×104Ω暗电流5×10-7@-0.01V等效噪声功率4×10-13 W/Hz1/2峰值探测率7×1010 cm.Hz1/2/W封装形式TO-46管壳典型光谱响应曲线：产品结构及尺寸： （单位 mm） 注意事项：（1）产品使用过程中，需要防静电保护，操作人员应戴静电手环。 （2）产品在存贮、运输过程中，应放入防静电的泡沫中，并储存于防静电盒内。（3）针脚插拔不能用力过大，针脚弯折不能沿根部弯折超过 45°，防止弯折造成玻璃珠开裂。（4）产品需在断电后进行插拔操作。二,铟镓砷 InGaAs 扩展型 光电二极管 2.2um GAP3000/2.2总览2.2um扩展型InGaAs光电二极管响应截止波长达到2.2um,提供了出色的分流电阻，并在带宽范围内具有出色的响应度。铟镓砷 InGaAs 光电二极管探测器 2.2um扩展型 GPD GAP3000/2.2,铟镓砷 InGaAs 光电二极管探测器 2.2um扩展型 GPD GAP3000/2.2技术参数产品特点：有效直径2mm,3 mm可选扩展的截止波长2.2μm高分流电阻封装形式TO-5产品应用：气体检测碳氢化合物传感红外光谱光谱学SWIR光电探测技术参数：电学参数@ 23 º C ± 2 º C参数 GAP2000/2.2 GAP3000/2.2单位有效直径23mm峰值波长（典型） 2.0 ± 0.1 2.0 ± 0.1um截止波长 (50%) 2.2 ± 0.1 2.2 ± 0.1µ m响应度@ λP(min/typ) 0.9/1.0 0.9/1.0 A/W分流电阻 (min/typ) 6k/10k 2k/6kΩ暗电流(max) 40 @ 1 V 100 @ 1 V µ A电容 (typ) @ 0 V 40008000pF带宽 w/ 50 Ω @ 0 V (typ) 0.795 0.397 MHz上升时间 w/ 50 Ω @ 0 V (typ) 440881nsNEP @ λPEAK (typ) 128 x 10-14287 x 10-14W/Hz1/2 线性度 (± 0.2 dB @ 0 V)66dBm封装TO-5TO-5最大参数参数 GAP2000/2.2 GAP3000/2.2单位存储温度 -40 to 125 -40 to 125 ℃工作温度 -40 to 85 -40 to 85℃ 反向电压11V反向电流1010mA 正向电流1010mA功耗5050mW 波长响应曲线

激光二极管 深紫外激光二极管：波长范围 250nm-355nm输出功率范围：1mW至100mW效率高，高达20%坚固紧凑的设计数字、即时开/关、2ns 上升时间灵活的配光和传输使用寿命长，可靠性高易于集成到便携式系统中ISO9001：2008 和 NSF AS9100 认证应用包括紫外线固化、光疗、消毒、水净化、荧光光谱、生物分析和检测、传感器和监视器。自由空间激光二极管：法布里佩罗 （FP） 激光器或光纤布拉格光栅 （FBG） 波长稳定激光器连续波或脉冲操作单模或 PM 光纤尾纤14 引脚 DIL 或 14 引脚蝶形封装，内置热敏电阻、热电冷却器和光电二极管。内置监控光电二极管的Mini-DIL封装光纤耦合单模激光二极管：光纤耦合法布里佩罗 （FP） 半导体激光管具有光纤布拉格光栅 （FBG） 或分布式反馈 （DFB） 的光纤耦合波长稳定激光二极管连续波或脉冲操作波长范围 405-1550nm14 引脚 DIL 或 14 引脚蝶形封装，内置热敏电阻、热电冷却器和光电二极管。同轴和微型DIL封装，内置监控光电二极管单模光纤尾纤可选 FC/PC 或 FC/APC 连接器高功率泵浦半导体激光管:单频激光二极管、光纤布拉格光栅激光二极管、光纤布拉格光栅、DFB激光二极管、分布式反馈激光二极管、波长稳定激光二极管、光纤布拉格光栅 （FBG） 或分布式反馈 （DFB） 波长稳定的激光二极管连续波或脉冲操作14 引脚 DIL 或 14 引脚蝶形封装，内置热敏电阻、热电冷却器和光电二极管单模光纤尾纤保偏 （PM） 光纤尾纤可选 FC/PC 或 FC/APC 连接器固定波长激光二极管， 光纤光栅半导体激光管， 单纵模半导体激光管， 单纵模激光二极管， 光纤光栅半导体激光管 1060 nm， 光纤光栅半导体激光管 1300 nm， 光纤光栅半导体激光管 1480 nm， 窄带宽光源， 光纤光栅半导体激光管 1550 nm， 光纤光栅半导体激光管模块， 967nm， 976nm， 980nm， 1064nm， 1061nm， 1062nm， 1080nm、1420nm、1450nm、1480nm、1280nm、1490nm、1510nm宽带光源：光纤布拉格光栅 （FBG） 或分布式反馈 （DFB） 波长稳定的激光二极管连续波或脉冲操作14 引脚 DIL 或 14 引脚蝶形封装，内置热敏电阻、热电冷却器和光电二极管单模或多模光纤尾纤可选的保偏 （PM） 光纤尾纤可选 FC/PC 或 FC/APC 连接器InGaAs PIN 光电二极管：12GHz光纤耦合微波光电二极管接收器，QPDW-40。超快光接收机QPDF-50。具有单模或多模光纤尾纤的快速光电二极管，QPDF-70。通用光纤耦合光电二极管，QPDF-200激光二极管控制器和支架：提供多种用户友好的控制器套件，用于在连续和脉冲模式下操作激光二极管、超发光二极管、LED 和半导体光放大器。每套设备都包括激光驱动器、温度控制器、激光二极管支架、交流适配器、电缆，并可作为一个完整的交钥匙系统使用。我们还提供单独的 14 针 DIL 安装座、14 针蝶形安装座和 TO 罐头安装座。智能人性化设计连续波和脉冲操作（在某些型号中）精确稳定的温度控制包括激光二极管安装包括 110-240V 交流适配器半导体光放大器：行波，MQW设计连续波或脉冲操作单模输入/输出芯片到光纤耦合损耗低内置热敏电阻和TEC密封蝴蝶封装可选 FC/APC 连接器激光二极管的外延晶圆：由 Aixtron MOCVD 种植波长是可选的用于单模和多模半导体激光管的外延晶圆AlGaAs/GaAs量子阱（QW）有效区晶圆表面均匀性高客户设计的外延晶圆作为选项更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。

光电二极管 Related Products Thorlabs提供一系列分立光电二极管和经过校准的光电二极管。其中包括铟镓砷（InGaAs）光电二极管，磷化镓 （GaP）光电二极管，硅（Si）光电二极管， 和锗（Ge）光电二极管。我们也提供一些专用的光电二极管。例如DSD2双波段光电二极管，它在一个包装内同时提供硅光电二极管和铟砷化镓光电二极管，两者结合起来可以达到400到1700纳米的波长范围。FGA20是一个具有高响应率的铟镓砷光电二极管，波长范围从1200到2600纳米，能够探测到的波长范围比典型的铟镓砷光电二极管的1800纳米要高。我们也提供FGAP71，它是一种磷化镓（GaP）光电二极管，它的波长范围是我们所提供的光电二极管中最短的，从150纳米到550纳米。磷化镓光电二极管－紫外波长Zoom超短波长范围（150至550纳米）快速上升时间安装在带有蓝宝石窗口的密封封装内型号 #波长范围(nm)有效面积二极管封装类型b上升/(下降)時間a噪音等效功率(W/Hz1/2)暗电流接合电容aFGAP71150 - 5504.8 mm2(2.5 mm x 2.5 mm)-1 ns (140 ns)@ 5 V1.0 x 10-14@ 440 nm10 nA (最大)@ 5 V-a) 典型值 RL＝50欧姆b) 详细的引脚配置请参见规格表ください。硅光电二极管－可见光波长ZoomFDS02特性：直接光纤耦合FC/PC封装系统，并且保持高速特性FDS010特性：紫外级融石英窗口，提供低至200纳米的灵敏度范围FDS100特性：TO-5型金属封装中最大的传感器FDS1010特性：安装在绝缘的陶瓷衬底上，在本系列中具有最大有效面积。型号 #波长范围(nm)有效面积二极管封装类型b上升/（下降）时间aNEP(W/Hz1/2)暗电流(典型値)结电容aFDS02 400 - 11000.25 mmTO-46FC/PC Connector47 ps (246 ps) @ -5 V9.3 x 10-1535 pAd @ 5 V0.94 pF@ 5 VFDS010200 - 11000.81 mm2(Ø 1 mm)TO-5/PIN@ 20 V5.0 x 10-14@ 900 nm2.5 nA10 pF@ 0 VFDS100350 - 110013 mm2(3.6 mm x 3.6 mm)TO-5/PIN10 ns (10 ns)@ 20 V1.2 x 10-14@ 900 nm20 nA20 pF@ 1VFDS1010400 - 1100100 mm2(9.7 mm x 9.7 mm)Ceramic Wafer45 ns (45 ns)@ 5 V5.5 x 10-13@ 900 nm0.6 µ A@ 5V375 pF @ 5Va) 典型値. RL = 50 欧姆b) 详细引脚配置请参看专门规格表d) 最大500 pA铟镓砷光电二极管&mdash 近红外到红外波长ZoomFGA04特性：直接光纤耦合FC/PC封装系统，并且保持高速特性FGA10特性：高速、有效面积大。FGA20特性：波长范围长FGA21特性：本系列中有效面积最大的产品。型号波长范围(nm)有效面积二极管封装形式b上升（下降）时间aNEP(W/Hz1/2)暗电流(典型值)结电容aFGA04c800 - 18000.008 mm2(Ø 0.1 mm)TO-46 w/ FC/PC Connector100 ps (100 ps)@ 5 V1.5 x 10-15@ 1550 nm0.5 nA@ 5 V1.0 pF @ 5 VFGA10700 - 18000.81 mm2(Ø 1 mm)TO-5/PIN10 ns (10 ns)@ 5 V2.5 x 10-14@ 900 nm100 nA @ 5 V (max)80 pF @ 0 VFGA201200 - 26000.79 mm2(Ø 1 mm)TO-18/PIN23 ns (23 ns)@ 1 V2.0 x 10-1275 µ A @ 1 V (max)200 pF @ 1 VFGA21800 - 18003.14 mm2(Ø 2 mm)TO-5/PIN66 ns (66 ns)@ 0 V3.0 x 10-14@ 2300 nm200 nA @ 1 V500 pF @ 0 Va)典型値.RL=5欧姆b) 详细的引脚配置请参见规格表。c) 探测器本身的损伤阈值为70毫瓦（连续光）然而，封装内部的电线（非导线）在光电流超过10毫安的情况下可能会熔化，将会造成装置失效。当将FGA04用于更高功率的应用时，该区域中探测器具有高的响应率，请考虑使用 光纤衰减器。t锗光电二极管－近红外波长ZoomFDG03具有大有效面积，为TO-5封装。FDG05为陶瓷衬底并具有高速特性。FDG1010为陶瓷衬底，其上具有最大的有效面积。请注意，FDG05和FDG1010上的引线是通过导电的环氧树脂连接到传感器上，因为焊接会破坏传感器。这使得连接比较脆弱。参看内附的操作说明保护连接处。型号 #波长范围(nm)有效面积二极管封装类型b上升/(下降)时间aNEP(W/Hz1/2)暗电流（典型值）结电容aFDG03800 - 18007.1 mm2(Ø 3 mm)TO-5/PIN500 ns (500 ns)@ 3 V1.0 x 10-12@ 1550 nm4.0 µ A@ 1 V4 nF @ 1 VFDG05800 - 180019.6 mm2(Ø 5 mm)Ceramic Substrate220 ns@ 3 V4.0 x 10-12@ 1550 nm40 µ A @ 3 V3 nF @ 5 VFDG1010800 - 1800100 mm2(10 mm x 10 mm)Ceramic Substrate3.5 µ s@ 1 V4.0 x 10-12@ 1550 nm50 µ A (max.)@ 0.5 V30 nF @ 0.5 Va) 典型值。 RL=50欧姆b) 详细引脚图请参看规格表 双波段探测器Zoom 双探测器芯片设计－硅在铟镓砷上－具备宽探测范围4引脚的TO-5型封装大有效面积型号 #波长范围(nm)有效面积二极管封装类型b上升/(下降)时间aNEP(W/Hz1/2)典型暗电流结电容aDSD2400 - 11001000 - 1700Ø 2.54 mmØ 1.5 mmTO-5/PIN4 µ s (典型値)(两层)1.9 x 10-142.1 x 10-13-450 pF300 pFa) 典型値 RL =50欧姆b) 详细引脚图请参看规格表

光电二极管模块 新势力光电供应光电二极管模块，简化光电二极管的使用。该系列光电二极管模块配套用于雪崩二极管、四象限探测器、位敏探测器，特别适合于系统集成和科学研究。不带电路板（集成放大电路）雪崩二极管(APD)TypeTransimpedance/OhmBandwidth/MHzChipPackageSeries 8 (for 800nm)AD230-8TO527502000AD230-8TO5227502000AD500-8TO527501000AD500-8TO5227501300Series 9 (for 900nm)AD500-9-8015TO52275050016AA0.13-9Ceramic10k500AD230-9TO52750600AD500-9TO52750500Series 10 (for 1064nm)AD800-10TO8S10k65带电路板（集成放大电路和温度补偿功能）雪崩二极管(APD)和雪崩二极管阵列(APD Array)ChipTypeAD1100-8USB-module APD-eval-kit25AA0.04-9125 MHz LIDAR APD-array-eval-kit64AA0.04-9125 MHz LIDAR APD-array-eval-kit带电路板（集成放大电路）位敏探测器(PSD)、四象限探测器(QP)、波长敏感探测器(WS)ChipTypePackageQP45-QQuadrant PDHVSDQP50-6Quadrant PDSD2QP50-6Quadrant PDSD2-DIAGQP50-6 (18µ m)Quadrant PDSD2QP50-6 (18µ m)Quadrant PDSD2-DIAGQP154-QQuadrant PDHVSDDL16-7PSDPCBA3DL100-7PSDPCBA3DL400-7PSDPCBAWS7.56Wavelength sensitive PDPCBA2X100-7 with ScintillatorGamma pulse counterShielded module高压电源模块Max.Voltage/VRipple/mVDescriptionFeature-5007.5High performance HV sourceUltra low ripple+5007.5High performance HV sourceUltra low ripple+2007.5High performance HV sourceUltra low ripple+20010Compact HV sourceSmall footprint+6010PIN-photodiode HV sourceVery small footprint相关商品 雪崩二极管(APD) 位敏探测器(PSD) 四象限探测器(QP) 波长敏感探测器(WS)

Cutting Edge Optronics（简称CEO）是Northrop Grumman公司的一个子部门，是世界上未安装二极管靶条、已封装激光二极管、DPSS泵浦增益模块、完整的DPSS激光系统和激光二极管驱动器的主要供应商。基于CEO二极管激光器的产品已经成为工业标准，并应用在多种商业、工业和军事应用中。CEO公司的主要产品包括：未安装二极管靶条、已封装激光二极管、DPSS泵浦增益模块、完整的DPSS激光系统和激光二极管驱动器。 未安装二极管靶条、已封装激光二极管CEO高功率激光二极管产品线可选多种（传导冷却型和水冷型）热沉设计，每个激光耙条的CW输出功率超过100W，QCW输过300W。CEO具有10年以上经验，封装类型超过200种，其生产的激光二极管广泛用于工业、军事和航空应用中。CEO波长范围从790nm到1550nm，其中包括808nm、885nm和940nm，且能为特殊的泵浦应用提供定制设计，可以根据客户应用要求提供标准产品或者设计完整的封装。产品特点• 可选两种工作模式：CW和QCW• 总输出功率可达20kW• 可选配准直：快轴或慢轴• 多种封装方式其它特点? 多种组装• 激光二极管耙条• 激光二极管子模块• 已封装激光二极管? 标准波长范围• 780nm – 815nm• 875nm – 890nm• 935nm – 945nm• 965nm – 975nm? 冷却方法• 传导冷却• 水冷• 微通道冷却 芯片和耙条CEO具备提供大批量激光二极管耙条的实力，不管是客户需求每年1000耙条还是数万耙条，CEO都有相应的产能来满足要求。这些耙条的特点是CEO的专利外延结构设计，有多种波长可供选择，标准波长（nm）包括：790-820、872-890、930-950、970-990（其它波长可定制）? CW输出功率可达：100W/bar ? QCW输出功率可达：300W/bar激光二极管芯片（子模块）可选Silver或者Golden Bullet封装技术，两者都使用长寿命激光二极管耙条且可选CW或QCW工作模式。有多种波长可供选择，标准波长（nm）包括：790-820、872-890、930-950、970-990（其它波长可定制）。? CW输出功率可达：100W/bar? QCW输出功率可达：300W/bar 散热类型：传导冷却型 HDS阵列功率密度达到了25 W/cm2。这种高密度堆栈（HDS）阵列是在尽可能小的面积上要求极大二极管密度的轻小型应用的理想选择。这些阵列可选多种波长，也可以封装在几乎所有的CEO激光二极管阵列平台上，包括G、Cs和Derringer封装。? QCW工作? 耙条数：5-20? 总输出功率：0.5 - 6kWG型封装分为G1、G2和G3封装。G1可使用多达8个QCW耙条，该配置可以提供高达2.4kW峰值输出功率；G2可使用最多22个QCW耙条，该配置可以提供高达6.6kW峰值输出功率；G3可使用多达26个QCW耙条，该配置可以提供高达7.8kW峰值输出功率。另外，G型封装也可选CW配置，连续光输出功率可达40W。? CW和QCW工作? 耙条数：1-26? QCW功率：0.1kW到7kW以上密闭封装能够防尘和湿气，可以防止性能退化，设计用于多种环境条件下。QCW输出功率可达2.4kW，而CW功率可达40W，这种密闭封装是激光照明和激光测距应用的理想选择。该封装带有10kΩ热敏电阻，用户可以监测器件的温度变化，可根据要求提供其它监测电路。? CW和QCW工作? 耙条数：1-8? CW功率可达40W，QCW可达2.4kWCs封装是激光器工业的一种标准，经常在大型激光系统中用作搭建模块，或者在实验室环境中用作独立单元。如果选择QCW配置可使用多达8个耙条，总峰值功率可高达2.4kW。也可选择单耙条40W CW版本。? CW和QCW工作? 耙条数：1-8? CW功率可达40W，QCW可达2.4kWA型封装分为A、AA、AAA和AAAA四种，是一种紧凑的传导冷却型激光二极管阵列，可选脉冲配置或连续波配置，脉冲功率Max.可达9.6kW，连续波功率可达160W。? CW和QCW工作? 耙条数：1-32? CW功率可达160W，QCW可达9.6kW 散热类型：水冷型E2封装是一种紧凑的水冷激光二极管阵列，可选CW或QCW配置。对于CW工作输出功率可达40W，对于QCW配置E2封装可用多达15个激光二极管耙条，总峰值功率可达4.5kW。? CW或QCW工作? 耙条数：1-15? CW功率可达40W，QCW功率可达4.5kDerringer封装的特点是使用了专利水冷设计，该阵列非常适合固态激光晶体的侧向泵浦。Derringer按照发光的输出长度分为三种，分别是125px、100px和75px，它们都可以选择QCW和CW配置。Shooter 5的CW和QCW功率分别可达200W和12kW；Shooter 4功率分别可达160W和9.6kW；Shooter 3功率分别可达120W和7.2kW。? CW或QCW工作? 耙条数可达40? CW功率可达200W，QCW功率可达12kWShooter封装是一种坚固的二极管阵列，非常适合工业应用。这种阵列的特点是高电流电气连接和电螺柱，它们能够确保阵列在高平均电流下工作。Shooter封装分为6 shooter、8 shooter、10 shooter和12 shooter四种，它们都能配置以CW或QCW模式工作。? CW或QCW工作? 耙条数可达96? CW功率可达480W，QCW功率可达29kW 散热类型：微通道冷却型微通道冷却型（MCS）封装安装耙条数分为三种，分别是1耙条、3耙条和6耙条版本，它们都可以选择CW或QCW配置，使用先进的冷却技术确保较佳的散热效果，因此可以比其它阵列类型有更高的输出功率。 ? CW或QCW工作? 耙条数：1-6? CW功率范围60-600W

光电二极管简介：GPD Optoelectronics提供Ge （p-n, p-i-n, APD），InGaAs探测器，双波长探测器，自由空间和光纤输入，波长覆盖可见光到近红外。GPD Optoelectronics提供Ge （p-n, p-i-n, APD），InGaAs探测器，双波长探测器，自由空间和光纤输入，波长覆盖可见光到近红外。 特点：低噪音近红外雪崩二极管覆盖波段900-1700nm有效面积20-350um最大带宽2Ghz自由空间和光纤输入 一、 Ge探测器二、 Ge 雪崩探测器 三、 高速InGaAs光电二极管 四、 InGaAs探测器 五、 扩展InGaAs光电二极管 六、 InGaAs雪崩光电二极管 七、 热电冷却的InGaAs光电二极管 八、InGaAs象限光电二极管 九、双波长探测器

我公司独特的半导体处理技术生产的硅光电二极管，涵盖了从近红外到紫外直至高能波长区域等宽广的波长范围。它们具有快速相应、高灵敏、低噪声的特性，广泛地应用于医疗和分析领域、科学计测、光通信以及一般性电子产品等。滨松提供硅光电二极管及阵列及模块、带放大器的Si光电二极管阵列、InGaAs 光电二极管及阵列、MSM光电探测器、平衡探测器、光学模块，以及光电传感器放大器、电荷放大器等附件产品。从金属、陶瓷、塑料封装到表面贴装，多种包装配备齐全，而且滨松还可以依据用户要求提供专门的设计产品。

可集成到Instrument Systems测量系统中的光电二极管，用于快速测量辐射功率PD 100 光电二极管是一款紧凑型检测器，可以轻松集成到带有Instrument Systems积分球的测量系统中，用于测量光通量或辐射功率，特别适合生产线上的快速测量需求。将Instrument Systems的三开口积分球连接上 CAS 系列光谱仪，即可同时对待测物（DUT）进行光谱测量。通过对比待测设备的光谱与光电二极管的校准曲线，PD 100 能提供更准确的辐射功率或光通量测量值。适用于 450 nm 至 1650 nm 的光谱范围PD 100 光电二极管有两种型号，一种配备硅（Si）探测器，另一种配备铟镓砷（InGaAs）探测器。硅探测器型号的测量范围为450至1100 nm，适用于具有硫酸钡涂层的积分球 (如 ISP 75B 和 ISP 100B).配备InGaAs探测器的型号则专为900至1650 nm的光谱范围测量设计，通常安装在有PTFE涂层的积分球上。在测量波长超过1100 nm的待测物时，PTFE积分球的表现更出色，因为其反射率的波动较小，且一致性更高。PD 100 – 产品特长测量范围广，400-1100 nm（硅）或900-1700 nm（InGaAs）脉冲DUT的测量上升/衰减时间短可结合Instrument Systems的先进三开口积分球可追溯的校准，用于绝对测量和使用.dll或SpecWin Pro（从4.0开始）的LIV测量 高度精确且可追溯的测量结果如同所有Instrument Systems的测量仪器，PD 100光电二极管的灵敏度已校准并可以追溯到PTB或NIST。校准曲线存储在光电二极管内，使用SpecWin Pro软件或PD.dll与光源的光谱对比，可以推算出精确的绝对辐射功率（或光通量）。这个过程实现了高度精确且可追溯的测量结果。PD 100光电二极管在获得ISO 17025认证的Instrument Systems测试实验室中进行校准，并且可以追溯到国家标准（例如PTB或NIST）。每个光电二极管都附带有关光谱灵敏度的个体测试报告。快速测量VCSEL或LED德国IS PD 100 光电二极管 是光谱辐射计（CAS系列）和积分球（ISP系列）测量系统的理想补充检测器。其快速响应时间能够精确测量脉冲光源，例如用于测量VCSEL的LIV曲线。如果使用具有高采样率的快速数字万用表（例如Keithley 7510，1 ms/sec），还可以可视化光学波形。技术数据型号PD100-SB-0001 orPD100-SB-0002PD100-IP-0001 orPD100-IP-0002 *探测器材料Silicon (Si)IndiumGalliumArsenide (InGaAs)光谱范围400 - 1100 nm900 - 1700 nm最高灵敏度的波长960 nm1550 nm上升/下降时间40 µ s (typ.)5 µ s (typ.)典型放大倍数 (ISP 100上)240 V/W (@940nm) or28 V/W (@940nm)2700 V/W (@1380nm) or12.5 V/W (@1380nm)* PD100-IP-0002 without calibration

连续激光二极管 用连续波（CW）驱动的连续激光二极管（CWLD）输出功率从mW量级到几个W。封装形式有多种，例如，C接口(C-mount)，紧凑密封型和高热负载型等。滨松有多种LD产品，欢迎您登陆滨松中国全新中文网站 查看该产品更多详细信息！典型峰值波长：980nm 940nm 915nm 850nm 830nm 808nm典型输出功率：5W 2W 1W 0.5W 0.02W产品实例：产品图像产品型号产品名称产品型号峰值发射波长(typ.)输出功率(typ.)封装 L9418-42连续激光二极管L9418-42980 nm1 Wdia. 9.0CD L9418-62连续激光二极管L9418-62980 nm1 WSide-out OHS(2 mmt) L9418-72连续激光二极管L9418-72980 nm1 WHead-out OHS L9777-02连续激光二极管L9777-02808 nm5 WHHL L10402-62连续激光二极管L10402-62808 nm5 WSide-out OHS(3 mmt) L10402-72连续激光二极管L10402-72808 nm5 WHead-out OHS L10452-42连续激光二极管L10452-42808 nm0.5 Wdia. 9.0CD L10452-62连续激光二极管L10452-62808 nm0.5 WSide-out OHS(2 mmt) L10452-72连续激光二极管L10452-72808 nm0.5 WHead-out OHS L8763-42连续激光二极管L8763-42808 nm1 Wdia. 9.0CD

仪器简介：硅光电二极管探测器分为双波长发射二极管与接收管，硅光电二极管探测器，雪崩二极管 三种不同系列产品，其中硅光电二极管探测器包含光导/光伏型光电探测器，紫外增强探测器，单点软X射线探测器，位置探测器这四种探测器。技术参数：双波长发射二极管与接收管1.陶瓷或塑料封装；发射管有背对背（二引脚）和共阳极（三引脚）连接方式。 2.660nm LED峰值波长偏差小于+/-3nm, 半波宽小于25nm，保证了测量数据的精准度。 3.相应提供最佳匹配度的探测器，可使仪器的设计更简单可靠。 4.发射管主要型号：DLED-660/905-CSL-2 ；DLED-660/940-CSL-3 DLED-660/880-CSL-2 DLED-660/895-CSL-2 DLED-660/905-LLS-2(陶瓷封装)；DLED-660/940-LLS-3(陶瓷封装) 5.接收管型号：PIN-8.0-CSL；PIN-4.0-CSL；PIN-8.0-LLS(陶瓷封装)；PIN-4.0-CSL(陶瓷封装)硅光电二极管探测器1.波长范围：350-1100nm 2.高速响应：光导型加偏压10ns 3.低暗电流：0.01nA 4.高灵敏度：0.65A/W紫外增强探测器1.高灵敏度：0.14A/W@254nm2.反转通道型:*100%内量子效率 3.平面扩散型：红外截止，高稳定度单点软X射线探测器1.探测范围：6eV-17600eV 2.直接探测，不需要闪烁体 3.不需要偏压 4.高量子效率，低噪声 5.真空低温可适应位置探测器1.四象限和线性位置探测； 高精度，高分辨率，高速响应； 2.在长时间和温度变化下仍何以保持高稳定性；雪崩二极管1.响应峰值波长: 820nm 2.响应速度快： 0.4ns @850nm,G=100 (APD-300) 3.高灵敏度： 42A/W @850nm, G=100 4.低偏置电压高增益：G=100@200V5.标准TO封装方式： TO-18；TO-5 6.有平面窗和适合光纤应用的球透镜可选；主要特点：双波长发射二极管与接收管应用：血氧探头（SpO2）；血液分析；比例测量相关仪器硅光电二极管探测器 光导/光伏型光电探测器应用：光脉冲探测；光通信；条码读取；医疗设备；高速光度测量紫外增强探测器应用：污染监测；紫外荧光；紫外线测试；水质净化；紫外线验钞单点软X射线探测器应用：X光医疗设备；放射量测定；X光光谱仪；带电粒子探测位置探测器应用：光路准直；位置测量；测绘；导航系统；表面分析雪崩二极管应用：激光测距；高速光通讯；条码读取仪；光遥控；医疗仪器

InGaAs PIN 光电二极管G12181-020K长波长类型（截止波长：1.9 μm）特点- 截止波长：1.9 μm- 低成本- 受光面：φ2 mm- 低噪声- 高灵敏度- 高可靠性- 高速响应

APD（雪崩二极管）是通过施加反向偏压，使其高速和高增益工作的高灵敏度光电二极管。它比PIN光电二极管相比，具有更高的信噪比，被广泛应用于光学测距仪、空间光传输、闪烁侦检器等等。滨松提供多类APD及其阵列产品，还可根据客户需求进行定制。请下载样本了解详细信息。

仪器简介：独到的二极管阵列检测器，实测0.1ug/L的灵密度，重现性0.2％RSD以下；与独一无二的高压四元泵（4台泵独立工作）结合，实际工作流量达：1ul/min--20ml/min实现了从UPLC到半制备的跨越，选配120位的自动进样器，可谓HPLC的极品。主要特点：质谱级的紫外检测器，可用于UPLC世界上灵敏度最高、并且遥遥领先的二极管阵列检测器专利的50mm流通池LightPipe是工业标准的5倍是目前二极管阵列检测器的100倍

PLD-PS是一款结构紧凑的短脉冲种子激光二极管驱动器，用于为10/14针蝶形激光二极管模块供电，其应用要求的脉冲宽度约为50 ps。脉冲重复频率可在1 kHz至30 MHz之间可调。驱动电路需要一个5 V直流电源。所有其他所需电压均由电路板上的高频开关电源产生。驱动器为驱动器提供双向比例积分微分（PID）热电冷却器控制器（TEC）供电，其电流能力为1.5A，电压能力为4V。PLD-PS的主要参数（功率、重复频率、温度设定点）由计算机接口控制。PLD-PS有外部TTL兼容输入，用于从单次到30 MHz的重复频率控制。PLD-PS有一个外部输出，用于每个电流脉冲同步信号。驱动器有用于将蝶形激光二极管直接焊接到驱动器板上的焊盘，以及用于稳定散热的大型散热器。特点：用于10/14针蝶形激光二极管的特殊设计输出电流高达2000 mA顺从电压高达3 V超短50 ps脉冲宽度重复频率高达30 MHz外部触发选项USB, RS-232, CAN, UART接口LabView和Python库板上集成TEC控制器5VDC输入电源包含热沉紧凑尺寸85mm×60mm×21mm参数：参数最小值典型值最大值单位输入电压4.85.05.2V电流--0.6A外触发（50Ω ）3.3-5VDC输出电流--2000mA顺从电压1-3V脉冲宽度4050150ps重复频率0.001-30MHz上升沿时间405060ps下降沿时间4050100psTEC电流-1.5-+1.5ATEC电压1-4VTEC温度设置152550℃温度工作温度+10-+50℃储存温度-20-+70℃温度，非冷凝--95%接口电源和接口连接器接线板（1-282834-0 TE接口）USB接口Mini-USB，Type B（1734035-1 TE接口）尺寸尺寸85 × 60 × 21 mm重量≤160 g*输出性能取决于激光二极管的特性不能保证所有类型激光器的性能。请参见光学输出波形。兼容激光引脚14-pin蝶形封装序号描述序号描述1TEC阳极8无2热敏电阻9无3监控PD阳极10LD阳极4监控PD阴极11LD阴极5热敏电阻12无6无13无7无14TEC阴极10-pin蝶形封装序号描述序号描述1TEC (+)6激光管阳极(+)2热敏电阻7激光管阴极(-)3监控阴极(-)8无4监控阳极(+)9外壳接地5热敏电阻10TEC (-)

PLD-CW-1000-TII是一种恒流激光二极管驱动器，可用于需要在低信号射频调制模式下操作的14针蝶形激光二极管模块供电。驱动器提供精确的低纹波恒流调节。驱动器电路由一个5V直流电源供电。驱动器为双向PID热电冷却器控制器(TEC)供电，其电流为1.5A，电压为4 V。PLD-CW-1000-TII的主要参数(输出电流、设定温度监控光电二极管信号)由计算机接口控制。GUI可以控制通过can /USB集线器连接的多个驱动器。PLD-CW-1000-TI具有用于将蝶形激光二极管直接焊接到驱动器板上的焊盘，以及用于稳定散热的大型散热器。特点：10/14 pin 蝶形 typeII 激光器一体化设计恒流模式输出电流最大可达 1000 mA顺从电压最大可达 3 V低电流纹波电流稳定性好接口丰富USB, RS-232, CAN, UART兼容LabView兼容Python模拟射频调制光功率稳定模式板载TEC控制器5 V直流电源输入自带散热基板设计紧凑 85 mm × 60 mm × 21 mm参数：参数最小值典型值最大值单位输入电压4.85.05.2V电流--2A射频调制*0.005-500MHz输出电流--1000mA电流调节步进精度-0.1-mA电流纹波--1%电流稳定性--0.2%电流设置精度--1%顺从电压1-3VTEC电流设置范围-1.5-+1.5ATEC电压1-4VTEC温度设置52550℃TEC温度设置步进精度-0.1-℃TEC温控精度--0.1%温度工作温度+10-+50℃储存温度-20-+70℃温度，非结露--95%连接电源和连接器接线端子(1-282834-0 TE接口)USBMini-USB, Type B (1734035-1 TE接口)联锁接线端子（282834-2 TE接口）尺寸尺寸85 × 60 × 21 mm重量≤160 g*性能取决于激光二极管的特性可兼容的激光器管脚定义14-pin 蝶形封装类型 2 (电信)序号描述序号描述1热敏电阻8无2热敏电阻9外壳接地3激光直流偏压（阴极）（-）10外壳接地4监测PD阳级（-）11激光阳级（+），外壳接地5监测PD阴级（+）12激光射频阴极（-）6TEC（+）13激光阳极（+），外壳接地7TEC（-）14无

DT-670系列硅二极管温度传感器在更宽的温度范围内可提更高的精度。DT-670系列传感器符合标准电压-温度响应曲线，因此该系列可互换，且对于许多应用不需要单独标定。SD封装中的DT-670传感器有四个误差等级，其中三个适用于1.4 K至500 K温度范围内的通用低温应用，另一个可为30 K至室温的应用提供卓越的精度。DT-670传感器也有第七个公差带，B和E，只能作为裸芯片使用。对于需要更高精度的应用，DT-670-SD二极管可在整个1.4 K至500 K温度范围内进行标定。DT-670-SD√ 1.4 K-500 K温度范围内具有超高精度√ 30 K-500 K温度范围内极小误差√ 坚固可靠的SD封装设计，可承受重复热循环并尽可能地减少传感器自发热√ 符合标准曲线DT-670温度响应曲线√ 多种封装选项DT-670E-BR√ 温度范围1.4 K-500 K√ 裸装传感器是尺寸极小、热响应时间超快的二极管传感器√ 无磁传感器DT-621-HR√ 温度范围：1.4K-325K*√ 无磁封装√ 用于表面安装的裸露平面基板* 标定的低到1.4K，未标定的(曲线DT-670)低到20KDT-670E-BR极小尺寸+超快热响应DT-670E-BR裸片传感器提供了硅二极管产品中更小的物理尺寸和更快的热响应时间。这对尺寸和热响应时间至关重要的应用来说是一个重要的优势，包括用于蜂窝通信的焦平面阵列和高温超导滤波器。 DT-621-HR微型硅二极管DT-621传感器组件在其有效范围内显示出精确、单调的温度响应。传感器芯片与环氧圆顶直接接触，导致20 K温度下测试电压升，并阻止全量程曲线DT-670一致性。所以对于低于20 K的使用，需要标定。二极管测温二极管测温是基于在恒定电流（通常为10 µ A）下偏置的p-n结中正向电压降的温度依赖性。由于电压信号相对较大，在0.1V和6V之间，因此二极管易于使用，仪器操作也很简单。 Lake Shore SD封装：业界极坚固、多功能的封装SD封装直接将传感器与蓝宝石底座安装、气密密封和焊接Kovar导线，是业内极其坚固耐用、用途广泛的低温温度传感器，具有极佳的样品与芯片连接性能。该设计使导线上的热量可以绕过芯片，因此可以在 500 K 温度下工作数千小时（取决于型号），并且与大多数超高真空应用兼容。它可以铟焊到样品上，而不会改变传感器的标定。如果需要，也可提供不带Kovar引线的 SD 封装。DT-670温度传感器温度特性 典型的DT-670电压特性 典型的DT-670灵敏度特性DT-670误差带曲线

无可比拟的灵敏度 Model 6000型二极管阵列检测器所采用的50mm光束式流通池的灵敏度是工业标准的5倍，由于其特殊的内表面设计，实现光的全反射，获得最小的光流失，最高的灵敏度。 流通池的体积为l2ul／10mm，出峰更尖、更高，从而大大提高灵敏度。 增强的氘灯和钨-卤素灯覆盖190nm至800nm的光谱区域，限制了基线噪音，在更高波长处提高了灵敏度。 精确度 6000型二极管阵列检测器的自检功能允许实时检测灯的强度和使用情况。一个内置的装有氧化钬溶液的透明小容器和自检软件可以检验波长准确性，并进行电路校正。 独特的验证程序不仅可以验证波长准确性，还可以验证线性、噪音和漂移。打印出的结果可以提供6000型检测器的性能。 性能 一个20Hz的高速二极管保证数据采集更加迅速，使窄峰获得更精确的重现。 可以选择的数据采集速率可降低文件的大小。 一个20位A/D转换器提供了更好的基线噪音数字分辨率，减少定量错误。 一个革新光束形成装置--堆栈光学纤维将收集流通池发出的光，在达到衍射光栅之前使之再成形为非常窄的垂直光束。与传统的机械&ldquo 狭缝&rdquo 不同，这时所有光均被搜集。 独有的光束变形技术，提高光通量，降低噪音技术参数： 噪音 ± 3 x 10-6AU/cm 漂移 1 x 10-3AU/Hr 光程/容积 5cm, 10ml 线性 2.0AU 扫描速度 &le 20Hz 波长范围 190-800nm 分辨率 1.2nm 波长准确性 ± 1nm 电源 220V, 50/60Hz 订货信息： 货号：TSUV6000046规格：6000型二极管阵列检测器, 带50mm光路流通池 包含光谱分析软件 货号：TSCHROM64010 规格：Chromquest 液相控制软件或选用CSChrom软件 货号：TSCSPEC64010 规格：Chromquest 光谱分析软件