光敏二极管光敏三极管综合试验仪

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  • 上海琅图科技有限公司
    上海琅图科技有限公司总部坐落于长江三角洲，闻名全球的中国第一大国际经济、金融、科技、商业、贸易中心魔都——上海，多元化的繁荣大都市同时也为琅图科技提供了更为广阔的发展前景和良好机遇。并在素有小香港之称的国际花园城市中国南大门——深圳市设立子公司——深圳市鑫琅图科技有限公司。自创建之初，琅图科技就力求专注成为国际电子元器件行业的领军企业，公司除了提供优质产品之外，更重要的是提供详细的产品应用方案和完善的技术支持等服务。公司拥有先进的生产技术、迅捷的交货流程和科学的管理体系。　　　琅图科技囊括五大事业部：第一事业部：接线端子连接器　　轨装弹簧接线端子、轨装螺钉接线端子、微型弹簧接线端子、多用途弹簧连接器（MCS连接器）、电路板用组合式弹簧接线端子（PCB端子）、刺破式端子、冷压式连接器、变压器接线端子、建筑物布线用连接器、插拔式连接器，贯通式端子台，栅栏式接线端子，拨码开关和贴片等　　　第二事业部：牛角、排针、排母　　牛角、简易牛角，D-SUB系列，IC插座、PLCC，FC、FD，欧式插座、F48，圆孔IC、圆PIN排针、双头圆针，排针、排母，57系列，排线　　　第三事业部：过压过流保护 瞬态抑制二极管（TVS），压敏电阻(MOV)，玻璃气体放电管（SPG），陶瓷气体放电管（GDT），半导体放电管（TSS），自恢复保险丝（PTC），静电保护器（ESD）第四事业部：集成电路IC、存储芯片 主控事业部代理分销的品牌有：HITTITE、MA/COM、Microchip、AD、ATMEL、TI、MAXIM、ALTEAR、NXP、TRIQUNINT等；第五事业部：电阻、电容、二三极管、保险管、晶振　 被动元器件代理经销有红宝石全系列产品、长电的二三极管、TVS二极管、AVX的钽电容及片状陶瓷电容、YAGEO的片状陶瓷电容电阻、ROYALOHM台湾厚声片状电阻和VIKING台湾光吉的超精密超低阻大功率的特殊电阻；并经销有TDK和SANSUNG片状电容、KEMET和NEC的钽电容、ROHM 、PHILIPS、ON的片状二三极管、配套供应电源IC及常规LM系列IC、发光二极管及保险管等；　　　产品应用行业： 琅图产品目前主要被广泛应用于电梯、电力电气控制系统、轨道交通、自动化控制、风能、太阳能、 照明、造船、机械制造、建筑布线、仪器仪表、新能源、通讯、电源、安防监控、军工、通信、防雷、汽车电子、电表、工业产品及消费类电子产品、数码、玩具、家电产品、工控主板、变频器、LCD及电脑板卡和电脑周边电子产品等领域，产品畅销海内外100多个国家和地区，质量得到了客户的高度认可和赞誉，市场占有率遥遥领先，成为全球电子元器件的优质主要供应商。　　公司秉承产品创新与科技前瞻，投资建立了技术研发中心。公司拥有先进的产品试验检验中心，针对产品的安全性、可靠性、适用性进行全面的检验和控制，力求满足并超越客户对品质的要求。　　在提供标准优质产品外，同时为客户提供ODM/OEM服务，有效解决客户提出的接线端子、连接器及过压过流保护的产品个性化解决方案。　　企业文化：简单，勤奋企业目标：力求专注成为国际电子元器件行业的领军企业经营理念：提供优质产品，让客户变的伟大人才战略：择优录用，打造，留住人才立足中国，放眼世界；琅图，正以专注之力，精准专业之道朝着国际电子元器件领军企业的目标大步前行。树琅图民族企业品牌，共创国际美好未来！赵新生 Mobile: 13567418996Tel : 021-58305223 Fax ：021-58305121Q Q：254224196M S N：xinsheng0917@hotmail.com EMAIL: zhaoxinsheng0917@163.com上海琅图科技有限公司 Shanghai LoneToo Technology Co.Ltd. 上海市浦东新区华夏西路5778号 (201204)China Pudong New Area Shanghai City West Road No.5778 (201204)http://www.lonetoo.com
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  • 天津市兰博实验仪器设备有限公司 白金21年
    400-651-0519
    天津市兰博实验仪器设备有限公司是一家高新技术企业，作为美国兰博仪器公司Lab Instrument高效液相色谱仪的中国总代理及技术服务中心，已有十年的市场及售后服务经验,拥有独立实验室，常年为用户提供技术支持与服务。 美国兰博仪器公司，基于近五十年的专业生产高效液相色谱仪的经验与技术。泵的生产始终处于领导者的地位, 专利的在线自清洗技术，使泵能够长期免维护运行，提高了使用寿命。Series系列泵，涵盖所有高压计量泵，从低压、中压、高压到超高压色谱泵，以及化工反应泵。检测器采用凹面光栅、光纤分光技术，使其具有无可比拟的灵敏度、稳定性和耐用性。种类涵盖紫外检测器，二极管阵列检测器，示差折光检测器，蒸发光散射检测器，电导检测器，电化学脉冲检测器，荧光检测器等各种检测器。整套系统采用积木式设计，具有结构合理，操作简单，性能稳定，使用方便升级容易等特点。天津兰博秉承“优质服务成就卓越品质”的服务理念，为广大用户提供优异的售前售后服务。公司经营宗旨：“实实在在做人，实实在在做事，实实在在的仪器”。天津兰博，芷兰之室，风雨博施。天津兰博，与您携手共创行业里的美好明天！
    主营产品： 色谱检测器   液相色谱仪   色谱高压泵   柱后衍生装置  
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  • 筱晓（香港）光子技术有限公司 银牌1年
    400-860-5168转4708
    Idealphotonics是向科学、研究和工业界提供激光组件、检测器、激光二极管以及光源和系统的主要供应商。我们有能力设计和制造以Idealphotonics品牌销售的自己的产品系列，并且还可以提供源自北美，欧洲和远东公司的世界一流的激光产品。我们具有独特的优势来协助客户，能够：提供不同种类的光纤和激光组件光源，激光二极管（也提供OEM），激光探测器集成芯片和制造复杂的系统根据客户的定制或OEM要求进行设计和制造FOG，FBG和BODTR系统是Idealphotonics的自有品牌产品，包括我们屡获殊荣的FOG系统，FBG监控产品，激光组件。由于我们的激光二极管封装技术，我们可以将我们的激光二极管以最佳的性能用于TDLAS应用。探测器工厂可为光信号探测器提供高灵敏度探测器。我们的所有客户，从全球学术机构和政府机构到商业研究人员和行业，都能获得最高水平的服务，并由我们经验丰富的工程师团队提供可靠的技术支持。我们对我们为您提供的所有服务充满信心。
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  • 光敏晶体三极管 400-803-3696
    光敏晶体三极管 光敏晶体三极管用来放大入射光产生的电流。与光电二极管相比，晶体三极管即使在很小的感光面积上也可以产生很大的输出电流。欢迎您登陆滨松中国全新中文网站 查看该产品更多详细信息！产品图像产品型号产品名称封装封装类型光电流暗电流集电极-发射极电压（最大值）峰值响应波长 S4404-01光敏晶体三极管塑料带透镜2.5 mA100 nA0.4 V870 nm S2829光敏晶体三极管塑料带透镜1 mA100 nA0.4 V850 nm
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    厂商： 滨松光子学商贸（中国）有限公司
    品牌： 滨松/hamamatsu
    型号： S4404
    价格： 面议
  • Ge锗/铟镓砷InGaAs 超大光敏面光电二极管(10mm) 800-1800nm 400-860-5168转3429
    一,Ge 锗 超大光敏PIN光电二极管（800-1800nm 直径 10mm）总览筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率，其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管，它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上，铟镓砷基底在下)，组合波长范围从400到1700 nm。为了丰富我们的光电二极管产品线，我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用，探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应，从而扭曲光电二极管的时域响应。因此，我们建议使光入射在有效面积中心。为此，可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔。Ge 锗 超大光敏PIN光电二极管（800-1800nm 直径 10mm）,Ge 锗 超大光敏PIN光电二极管（800-1800nm 直径 10mm）技术参数产品特点● 小光敏面大光敏面可选 (100µ m to 25mm)● 800nm to 1800nm 光谱响应● 高线性 10 dBm● 可以定制透镜组合(Biconvex, Planoconvex, or Ball)● 封装方式可选(TO-46, TO-18, TO-5, TO-8, TO-9 or BNC)引脚定义产品应用● 激光功率计● LED/LD老化诊断● 光谱学● LED/LD特性● 眼睛安全激光检测传感器产品规格探测材料Ge响应波长800 - 1800 nm峰值波长1550 nm (Typ.)响应度0.85 A/W (Typ.)光敏面直径78.5 mm2 (Ø 10mm)上升/下降沿时间 (RL = 50 Ohms, 10 V)500 ns / 500 ns (Typ.)NEP, Typical (1550 nm)4.0 x 10-12 W/Hz1/2 (Typ.)暗电流 (5 V)60 µ A (Max.)电容(10 V) 电容(0 V)1800 pF (Max.) 16000 pF (Max.)分流电阻4000 Ohm (Typ.)封装形式TO-9最大额定值最大击穿打压10 V操作温度-55 to 60 °C存储温度-55 to 60 °C备注：1、典型值；RL = 50 Ω，除非另有说明 2、NEP指Ding在光伏模式下光谱响应曲线：二,铟镓砷 InGaAs 超大光敏面光电二极管(10mm ) 900-1700nm 近红外波长总览筱晓光子库存备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD)，包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。我们有高速硅光电二极管。也有在900到2600 nm的范围内具有高响应率，其探测波长超过典型铟镓砷光电二极管的1800 nm。双波段光电二极管，它集成了上下紧贴在一起的两个光电探测器(硅基底在上，铟镓砷基底在下)，组合波长范围从400到1700 nm。为了丰富我们的光电二极管产品线，我们提供已安装的光电二极管便于客户供电即用，探测器有效面积边缘的不均匀性可能引起不必要的电容电阻效应，从而扭曲光电二极管的时域响应。因此，我们建议使光入射在有效面积中心。为此，可以在探测器前放置聚焦透镜或者针孔。铟镓砷 InGaAs 超大光敏面光电二极管(10mm ) 900-1700nm 近红外波长,铟镓砷 InGaAs 超大光敏面光电二极管(10mm ) 900-1700nm 近红外波长产品特点● 10mm超大光敏面● 900nm to 1700nm 光谱响应● 高线性 10 dBm● —正照平面型芯片结构 ● 光敏面积大、低暗电流产品应用● 激光功率计● LED/LD老化诊断● 光谱学● LED/LD特性● 眼睛安全激光检测传感器通用参数技术参数特性参数符号测试条件最小典型最大单位光谱响应范围λ—900～1700nm光敏面直径φ—10mm响应度 ReVR=5V,λ=1.31μm,φe=100μw0.85——A/WVR=5V,λ=1.55μm,φe=100μw0.95——响应时间tSVR=5V,RL=50Ω,f=2KHz—820μs总电容CVR=5V,f=1KHz—310nF暗电流IDVR=5V,φe=0—25100nA分流阻抗RshVR=10mV10——MΩ光谱响应曲线封装及尺寸极限值参数名称符号额定值单位工作温度TC-40～+85℃贮存温度TSTG-55～+125℃正向电流IF10mA反向电流IR5mA焊接温度（时间）St260℃（10s）-
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    厂商： 筱晓（上海）光子技术有限公司
    品牌： 筱晓光子/microphotons
    型号： IRD-GE-10
    价格： 1万 - 5万元
  • 高性能硅Si雪崩光电二极管400-1100nm/905nm(光敏直径0.23/0.5/0.8mm ) 400-860-5168转3429
    一,硅 Si 雪崩光电二极管 400-1100nm硅 Si 雪崩光电二极管 400-1100nm,硅 Si 雪崩光电二极管 400-1100nm通用参数产品特点：正照平面型芯片结构高速响应高增益低结电容低噪声产品应用：激光测距激光雷达激光警告技术参数：光电性能（@Ta=22±3℃） 器件型号光谱响应范围(nm)峰值响应波长(nm)响应度λ =905nmφ e =1μWM=100(A/W)暗电流M=100(nA)响应时间λ =905nmR L =50Ω（ns）工作电压温度系数T a =-40℃～85℃（V/℃）总电容M=100f=1MHz（pF）击穿电压I R =10μA（V）典型最大最小最大APD-SI-905-2-TO46400～1100905550.210.60.91.0130220APD-SI-905-5-TO460.411.2APD-SI-905-8-TO460.822.0APD-SI-905-2-LCC30.211.0APD-SI-905-5-LCC30.411.2 结构/最大绝对额定值器件型号封装形式光敏面直径(mm)工作电压(V)工作温度(℃)储存温度(℃)焊接温度(℃)正向电流(mA)耗散功率(mW)APD-SI-905-2-TO46TO-460.230.9×V BR-40～85-45～1002600.25100APD-SI-905-5-TO46TO-460.50APD-SI-905-8-TO46TO-460.80APD-SI-905-2-LCC3LCC30.23APD-SI-905-5-LCC3LCC30.50 产品型号 名称型号描述价格货期硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-2-TO46光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.23mm封装：TO46硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-5-TO46光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.50mm封装：TO46硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-8-TO46光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.80mm封装：TO46硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-2-LCC3光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.23mm封装：LCC3硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-5-LCC3光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.50mm封装：LCC3 典型特性曲线封装外形、尺寸及引脚定义APD-SI-2-2/5/8-TO46（三脚和两脚封装）APD-SI-2-2/5-LCC3等效电路及应用电路注：C 1 －滤波电容，滤除偏置工作电压 V R 的噪声。C 2 －旁路电容，为交流信号提供对地回路。R 1 －限流电阻，防止偏置工作电压 V R 过高时，损坏探测器。R i －取样电阻，将光电流转化为电压信号。定购信息：型号规则【APD-SI-响应波长-光敏面直径-封装形式】二,硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18C30902EH高性能硅雪崩光电二极管(APD)的感光面直径为0.5 mm，适合于生物医学和分析应用。 这种Si APD设计为双扩散“穿透式”结构，可在400和1000 nm之间提供高响应度，以及在所有波长处都极快的上升和下降时间。器件的响应度与最高约800 MHz的调制频率无关。探测器芯片采用经过修改的TO-18封装，密封在平玻璃窗后面。多型号C30902EH/C30902EH-2 C30902SH C30902SH-TC硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18,硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18技术参数C30902和C30921系列用于微光应用的高速固态探测器C30902EH系列雪崩光电二极管非常适合广泛的应用，包括激光雷达、测距、小信号荧光、光子计数和条形码扫描。Excelitas Technologies的C30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“穿透”结构制造。这种结构在400到1000纳米之间提供了高响应度，并且在所有波长上都提供了极快的上升和下降时间。该器件的响应度与高达800 MHz的调制频率无关。探测器芯片密封在一个改进的TO-18封装的平板玻璃窗后面。感光表面的有效直径为0.5 mm。C30921EH封装在TO-18光管中，该光管允许从聚焦点或直径高达0.25 mm的光纤将光有效耦合到探测器。密封的TO-18封装允许光纤与光管端部匹配，以最大限度地减少信号损失，而无需担心危及探测器稳定性。C30902EH-2或C30902SH-2（带内置905nm通带滤波器的密封TO-18封装）和C30902BH（带密封球透镜）构成了C30902系列。C30902SH和C30921SH均选用具有急低噪声和体暗电流的C30902EH和C30921EH光电二极管。它们适用于超微光级应用（光功率小于1 pW），可在增益高达250或更高的正常线性模式（VrVbr）下的光子计数器使用，其中单个光电子可触发约108个载波的雪崩脉冲。在这种模式下，不需要放大器，单光子检测概率可能高达约50%。光子计数在门控和符合技术用于信号检索的情况下也是有利的。主要特征 高量子效率：在830 nm时为77% C30902SH和C30921SH可在盖革模式下运行 C30902EH/SH-2型，带内置905 nm过滤器 C30902BH型，带球形透镜 密封包装 室温下的低噪音 高响应度–内部雪崩增益超过150 光谱响应范围- （10%Q.E.点）400至1000纳米 时间响应–通常为0.5纳秒 宽工作温度范围-40°C至+70°C 符合RoHS标准应用&bull 激光雷达&bull 测距&bull 小信号荧光&bull 光子计数&bull 条形码扫描表1。电光特性测试条件：外壳温度=22&ring C，除非另有规定，请参见下页的注释。。C30902EH/C30902EH-2C30902SHC30902SH-TCDetector TypeC30902BHC30921EHC30902SH-2C30921SHC30902SH-DTCParameterMinTypMaxMinTypMaxMinTypMaxUnits感光区有效直径0.50.50.5mmactive area0.20.20.2mm² 光管特性（C30921）光管数值孔径0.550.55[no units]岩芯折射率（n）1.611.61[no units]芯径0.250.25mmField of view α (see Figure 15)视野α（见图15） 带标准/球形透镜窗口（-2）内置905 nm滤光片 90559055122N/ADegrees带灯管（在空气中） 3333N/AField of view α’ (see Figure 15)带标准窗口/球透镜114114129Degrees（-2）内置905 nm滤光片7878N/A击穿电压, Vbr225225225V反向偏置温度系数，Vr，恒定增益电压0.50.70.90.50.70.90.50.70.9V/&ring C探测器温度（见注2）-TC0&ring C-DTC-20&ring CGain (see note 1)150250250响应度830 nm时（不适用于-2）7077117128128A/Wat 900 nm556592108108A/W量子效率at 830 nm (not applicable for -2)777777%at 900 nm606060%Dark current, id153015301530nA-TC (at 0 °C)2nA-DTC (at -20 °C)1nANoise current, in (see note 3)-TC (at 0 °C)0.230.50.110.2 0.04pA/Ö HzpA/Ö Hz-DTC (at -20 °C)0.02pA/Ö Hz电容1.621.621.62pFRise/Fall time, RL=50 Ω 10% to 90% points 0.5 0.75 0.5 0.75 0.5 0.75 ns90% to 10% points0.50.750.50.750.50.75ns最大驱动电流-TC1.8A-DTC1.4A最大偏置电压-TC0.8V-DTC2.0V5%光子检测时的暗计数率 probability (830 nm)(see Figure 9 and note 4) 5000 150001100 (-TC)250 (-DTC) 15000 cps电压高于Vbr，光子探测概率为5%（830nm）（见图7和注4） 2 2 V5%光子检测时的脉冲比后概率（830nm）（注5）2152%1.在特定直流反向工作电压下，Vop或Vr，随每个装置提供，光斑直径为0.25 mm（C30902EH，SH）或0.10 mm（C30921EH，SH）。在180至250V的电压下运行，设备将满足上述电气特性限制。2.热敏电阻的温度（开尔文）可为使用以下方程式计算：[𝐾 ] = 𝛽 ,项次(𝑅 /𝑟 ∞)式中，R是测量的热敏电阻电阻，单位为Ω ,𝛽 = 3200，R0=5100Ω，T0=298.15 K和r∞ =&minus 𝛽 R e &cong 0.1113表2–最大额定值1.雪崩光电二极管中散粒噪声电流的理论表达式为in=（2q（Ids+（IdbM² +PORM）F）BW）&half ，其中q是电子电荷，Ids是暗表面电流，Idb是暗体电流，F是过量噪声系数，M是增益，PO是器件上的光功率，BW是噪声带宽。对于这些装置，F=0.98（2-1/M）+0.02 M（参考文献：PP Webb，RJ McIntyre，JJ Conradi，“RCA审查”，第35卷第234页，（1974年））。2.C30902SH和C309021SH可在更高的检测概率下运行。（参见盖革模式操作部分）。3.主脉冲后1µ s至60秒发生脉冲后。ParameterSymbolMinMaxUnits储存温度TS-60100°C工作温度Top-4070°CSoldering for 5 seconds (leads only)焊接5秒钟（仅限引线）260°C室温反向电流平均值，连续运行200µ A峰值（1s持续时间，非重复）1mA室温正向电流平均值，连续运行IF550mAmA峰值（1s持续时间，非重复）60mW
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    厂商： 筱晓（上海）光子技术有限公司
    品牌： 筱晓光子/microphotons
    型号： APD-SI-905-0.5-LCC3
    价格： 1001 - 2999元
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  • 新型光敏纳米粒子可同时获得光电最佳性能
    宁志军博士展示喷涂了胶体量子点的薄膜实验样品。　　加拿大研究人员设计并测试了一种新型固态、稳定的光敏纳米粒子&mdash &mdash 胶体量子点技术，该技术或将用于开发更为廉价、柔性的太阳能电池及更好的气体感应器、红外激光器、红外发光二极管。此项研究成果发表在最新一期《自然· 材料》上。　　胶体量子点基于两种类型的半导体收集阳光：N型(富电子)和P型(乏电子)。但N型半导体材料暴露于空气中时，会与氧原子结合，失去其电子，转变成P型材料。　　论文第一作者、多伦多大学电气与计算机工程系博士后宁志军在接受科技日报记者采访时说，其研究小组开发的新型胶体量子点技术，可使N型材料在暴露于空气中时，不与氧结合。同时维持稳定的N型和P型层，不仅能提高光的吸收效率，还打开了同时获得光捕获和电传导最佳性能的新型光电器件的大门，这也意味着可利用新技术开发出更复杂的气象卫星、遥控设备、卫星通信或污染检测仪。　　宁志军称，这仅是此项材料创新研究的第一步，利用这种新材料可构建出新的器件结构。与普通硅材料电池相比，胶体量子点材料可在低温下合成，耗能低且工艺简单。这种溶液可处理的无机材料增强了电池的稳定性和便携性。研究发现，碘是兼备高效和空气稳定性的量子点太阳能电池的完美配体。　　由于吸收光谱可达红外区域，这种N-P混合型新材料可吸收更多光能，从而使太阳能转换效率最高可达8%。改进性能还仅是这种新型量子点太阳能电池结构的开始，未来这些功能强劲的量子点可与油墨混合，喷涂或印刷到轻薄、柔软的屋面瓦表面，从而大大降低太阳能电力的成本，造福普通民众。　　宁志军介绍，胶体量子点太阳能光伏技术在最近10年里已取得飞速发展，太阳能转换效率已从最初的0.1%提高到实验室条件下的10%左右。但要实现该技术的商业化，还需持续改进其绝对性能，或电力转换效率。
    时间： 2014-06-12
    作者： 秦丽娟
  • 有机光电二极管 - 超越硅光电二极管的新星
    【重点摘要】硅光电二极管的刚性结构给大面积低成本扩展带来困难,限制了它在一些新兴应用中的使用。通过详细的表征方法,揭示了基于聚合物体异质结的有机光电二极管中,收集电荷的电极对低频噪声的影响。经过优化的有机光电二极管在可见光范围内的各项指标(响应时间除外)可媲美低噪声硅光电二极管。溶液处理制备的有机光电二极管提供了一些设计机会,例如用于生物识别监测的大面积柔性环形有机光电二极管,其性能可达到硅器件的水平。【硅光电二极管的局限性】 数十年来,硅光电二极管一直是光检测技术的基石,但它们的结构刚性给大面积低成本扩展应用带来许多局限。这给新兴的光电检测应用带来挑战。为实现更大面积的光电检测以及柔性基片上低成本光电二极管的制作,我们需要寻找新的材料体系。【有机光电二极管的低频噪声特性】 有机光电二极管常基于聚合物制成,具有结构灵活性等优势。研究人员通过详细的表征方法学,考察了这类二极管低频电子噪声的来源,发现负责收集电荷的电极对低频噪声有重要影响。这为设计低噪声的有机光电二极管奠定了基础。【有机光电二极管的指标表现】 经过优化设计后,有机光电二极管的大多数指标已可达到商用硅光电二极管的水平,特别是在可见光范围内。例如响应度、灵敏度、线性度、功耗等。它们的响应时间仍比不上硅二极管,但对大多数视频速率的应用已经足够。【应用展望】 溶解性的有机光电二极管制造过程为它们带来了许多应用机会。例如,大面积柔性的环形有机光二极管可用于生物识别监测。此类二极管成本低,可在多种非平面基片上制作,性能已达商用硅器件的水平。它们有望在新兴的光电子学领域大放异彩。图1 硅光电二极管(SiPD)与有机光电二极管(OPD)性能比较(A) OPD 尺寸结构。(B)测量所得光谱响应度。EQE,外量子效率。(C) 测量所得光照度依赖的光电流和响应度。LDR,线性动态范围。(D) 测量所得均方根噪声电流、噪声当量功率 (NEP)和特定探测度统计框图(_N_代表数据点数量)。Max,最大值 Min,最小值。图2 SiPD 和 OPD 中的稳态暗电流密度和电子噪声特性(A) 电压依赖的暗电流密度。Exp.,实验值。(B) 反向偏置下,建模和测量所得均方根噪声电流比较。图3 SiPD 和 OPD 中的时域响应特性(A) 负载电阻依赖的 10-90% 上升和下降响应时间。(B) 525 nm处频率依赖的归一化响应度。图4 弯曲 OPD(Flex-OPD)及其在光电容积图(PPG)中的应用(A) Flex-OPD 器件几何结构。PES,聚醚砜。(B) 小面积、大面积 Flex-OPD 和大面积 OPD 中的均方根噪声电流、响应度、NEP 和特定探测度统计框图。(C) S1133 SiPD 和环形 Flex-OPD PPG 阵列原理图(上) 手指反射模式 PPG 信号的 SiPD 和不同功率红色 LED驱动的环形 Flex-OPD PPG 阵列比较(下)。
    时间： 2023-12-14
    作者： 光焱科技
  • 北化徐福建团队：阳离子光敏剂烷基链长度对活性氧抗菌机制的影响
    近日，北京化工大学材料科学与工程学院徐福建教授团队和济宁医学院的李敬博士在Adv. Mater.上发表了题为“Flexible Modulation of Cellular Activities with Cationic Photosensitizers: Insights of Alkyl Chain Length on Reactive Oxygen Species Antimicrobial Mechanisms”的研究论文。阳离子光敏剂与带负电荷的细菌和真菌具有良好的结合能力，在抗菌光动力疗法（aPDT）中应用广泛。然而，阳离子光敏剂对病原菌，尤其是真菌与哺乳动物细胞不具有选择性，往往会存在生物安全性的问题。同时，由于缺乏对相同光敏剂的系统性研究，目前尚不清楚细菌的哪些生物活性分子位点是光动力的有效损伤位点。因此，以小檗碱（BBR）为光敏剂核心，设计并合成了一系列具有不同烷基链长度的阳离子聚集诱导发光（AIE）衍生物（CABs），用于灵活调节阳离子光敏剂对细胞活性物质的选择性。BBR核心可以有效地产生活性氧（ROS），并在生理环境中实现高性能的aPDT。通过精确调节烷基链长度，实现了CABs在细菌、真菌和哺乳动物细胞中的不同结合、定位和光动力杀伤效果。研究发现，aPDT更有效的损伤位点是细胞内活性物质（DNA和蛋白质），而不是细菌膜。中等长度烷基链的CABs在光照下能有效地杀死革兰氏阴性菌和真菌，同时仍然保持良好的生物安全性。通过HOMO-LUMO实验证明烷基链长度的改变并不会改变核心BBR的AIE性能，但是随着烷基链的增长，CABs更容易形成分子间聚集体。与此同时，随着烷基链的增长，CABs与细菌的结合速率与结合量增加。CAB-8光照时的抗菌性能提升更明显。进一步的激光共聚焦定位实验证明，烷基链长调控CABs在细菌内的定位，CAB-8进入细菌，CAB-10卡在膜上。通过分子动力学模拟实验发现，CAB-10比CAB-8要克服更大的自由能，导致CAB-10卡在细菌膜上。透射电镜冷冻切片证明，CABs的定位调控杀伤，CAB-8损伤菌内活性物质，CAB-10损伤细菌膜上。进一步通过液质联用、DNA彗星实验以及β-半乳糖苷酶检测证明：CAB-10（膜上）膜损伤程度大于CAB-8（膜内），CAB-8（膜内）对DNA、酶损伤程度大于CAB-10（膜上）。随着烷基链的增加，CABs进入真菌的能力增强：CAB-10＞CAB-8 CAB-6。同时，烷基链越长，CABs进入哺乳动物细胞的能力越强，具体表现为CAB-10的细胞毒性远大于CAB-8和CAB-6。综上所述，CAB-8可以很好的平衡光动力杀菌和生物相容性，具有高效杀菌性和生物安全性。该研究通过烷基链的定位调控，解决了阳离子光动力抗菌材料对细菌、真菌、哺乳动物细胞不具有选择性造成的生物安全问题，同时证明了相对于细菌膜来说，细菌内部的活性物质是光动力更为有效的氧化位点。本研究有望为构建具有良好选择性的高性能阳离子光敏剂提供系统的理论和研究指导。北京化工大学材料科学与工程学院博士生郑良和博士生朱艺文为本文的共同第一作者。材料科学与工程学院徐福建教授和俞丙然教授、济宁医学院的李敬博士为本文的通讯作者。北京化工大学为第一完成单位。本研究工作得到了国家重点研发计划，国家自然科学基金，和北京市优秀青年科技人才计划的资助。
    时间： 2023-06-30
    作者： 管晨光
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  • 硅 Si 雪崩光电二极管 905nm (400-1100nm光敏面直径0.5mm LCC3)
    总览Si 硅雪崩光电二极管，光谱响应范围从可见光到近红外，峰值响应波长905nm。大光敏面，高速响应，高增益，低噪声。通用参数产品特点：正照平面型芯片结构高速响应高增益低结电容低噪声产品应用：激光测距激光雷达激光警告技术参数：光电性能（@Ta=22±3℃） 器件型号光谱响应范围(nm)峰值响应波长(nm)响应度λ =905nmφ e =1μWM=100(A/W)暗电流M=100(nA)响应时间λ =905nmR L =50Ω（ns）工作电压温度系数T a =-40℃～85℃（V/℃）总电容M=100f=1MHz（pF）击穿电压I R =10μA（V）典型最大最小最大APD-SI-905-2-TO46400～1100905550.210.60.91.0130220APD-SI-905-5-TO460.411.2APD-SI-905-8-TO460.822.0APD-SI-905-2-LCC30.211.0APD-SI-905-5-LCC30.411.2 结构/最大绝对额定值器件型号封装形式光敏面直径(mm)工作电压(V)工作温度(℃)储存温度(℃)焊接温度(℃)正向电流(mA)耗散功率(mW)APD-SI-905-2-TO46TO-460.230.9×V BR-40～85-45～1002600.25100APD-SI-905-5-TO46TO-460.50APD-SI-905-8-TO46TO-460.80APD-SI-905-2-LCC3LCC30.23APD-SI-905-5-LCC3LCC30.50 产品型号 名称型号描述价格货期硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-2-TO46光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.23mm封装：TO46硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-5-TO46光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.50mm封装：TO46硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-8-TO46光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.80mm封装：TO46硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-2-LCC3光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.23mm封装：LCC3硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-5-LCC3光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.50mm封装：LCC3 典型特性曲线封装外形、尺寸及引脚定义APD-SI-2-2/5/8-TO46（三脚和两脚封装）APD-SI-2-2/5-LCC3等效电路及应用电路注：C 1 －滤波电容，滤除偏置工作电压 V R 的噪声。C 2 －旁路电容，为交流信号提供对地回路。R 1 －限流电阻，防止偏置工作电压 V R 过高时，损坏探测器。R i －取样电阻，将光电流转化为电压信号。定购信息：型号规则【APD-SI-响应波长-光敏面直径-封装形式】
    供应商： 筱晓（上海）光子技术有限公司
    品牌： LIGHTSMYTH
    价格： ¥1
  • 奥谱天成ATT1100雪崩二极管（APD）
    ATT1000是专门为激光测距优化设计的雪崩二极管（APD），具有高速响应、高增益、低结电容、低噪声的特点，非常适合激光测距、雷达等应用。特征：高速响应、高增益、低结电容、低噪声正照平面型芯片结构230μm、500μm光敏面可选陶瓷贴片封装内置滤波片（635nm窄带）和白玻窗可选典型应用：激光测距激光告警激光雷达1.最大额定值参数名称符号最小值最大值单位工作温度TOP-2085℃储存温度Tstg-55125℃工作电压Vop0.9×VBRV焊接温度Stemp260℃耗散功率1mW正向电流1mA2.光电性能（@Tc=22±3℃）特性参数符号测试条件最小典型最大单位光谱响应范围λ—400～1100nm光敏面直径φ—200（1）、500（2）μm响应度Reλ=800nm，φe=1μW, M=10.5A/W响应时间tSf=1MHz,RL=50Ω,λ=800nm0.3ns暗电流IDM=1000.02（1）0.05（1）0.4（1）nA0.05（2）0.1（2）0.5（2）总电容CtotM=100,f=1MHz1.5（1）pF3（2）最适宜的放大倍数M100反向击穿电压VBRIR=10uA80200V工作电压温度系数δTc=-40℃～85℃0.5（1）V/℃0.5（2）注： （1）为光敏面φ230μm器件之参数 （2）为光敏面φ500μm器件之参数 图3 0V光谱响应曲线
    供应商： 奥谱天成（厦门）光电有限公司
    品牌： 奥谱天成
    价格： 面议
  • InGaAs PIN光电二极管MPGT3552T
    InGaAs PIN光电二极管MPGT3552T 1、说明基于InGaAs/InP MOCVD结构的平面型二极管还有φ60μm, φ75μm, φ300μm, φ500μm, φ1000μm, φ1500μm, φ3000μm，φ5000μm等光敏面积直径的系列产品，可以按用户要求设计不同光敏面积、形状及封装形式的器件。2、特点平面正照结构，快响应时间，大光敏面积，高响应度，高可靠性。3、应用光功率计量监控等仪器仪表，光谱、光纤特性测试，激光测距、激光雷达等空间通信，其他应用如光纤传感。4、最大额定值最大额定值单位最大额定值单位工作电压15V最大耗散功率100mW正向电流10mA工作温度-40~100℃焊接温度260（10秒）℃存储温度 -45~120℃5、参数性能（Ta=23℃）参数符号测试条件最小典型最大单位光敏面直径Φ800μm光参数光谱响应范围λ900～1700nm响应度ReVR=5V，λ=1.3μm，Φe=100μW0.90A/WVR=5V，λ=1.55μm，Φe=100μW0.95响应线性饱和功率LRVR =5V, λ=1.55μm10mW响应度线性δRVR =5V，λ=1.55μm，1μW～10mW±0.1dB响应时间trVR=5V,RL=50Ω3.5ns电参数暗电流IDVR=5V2.010.0nA反向击穿电压VBRIR=10μA60V电容Cf=1MHz,VR=5V2040PF分流电阻RSVR =10mV50MΩ6、封装、管壳框图及管脚接法 (单位：mm)标准封装：5501、FC插拔。其他封装：陶瓷载体、衰减膜及其他用户要求的形式。7、特性曲线8、使用方法及注意事项器件在反偏下工作。使用中防止剧烈震动、冲击，以免器件损坏。在使用前请将光窗用酒精和脱脂棉清洗干净。在贮运、使用过程中必须采取严格的静电防护措施，以免器件失效。
    供应商： 筱晓（上海）光子技术有限公司
    品牌： 完美光子
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