温控探针台霍尔效应测试

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温控探针台霍尔效应测试相关的厂商

  • 上海柯舜科技有限公司(LINKPHYSICS)于2008年成立,始于代理国外的知名品牌,是国内知名的低温设备制造商,是集研发、生产、销售于一体的高新技术企业,上海市“专精特新”企业、上海市宝山区企业技术中心、拥有ISO9001质量管理系统认证证书、2023年入选宝山区工业新升规快速成长企业,主要为高校、科研院所、制造业研发中心及系统集成企业提供先进的半导体测试系统及科研仪器设备,多年致力深耕低温磁场及探针台技术。公司主营产品有室温探针台、低温探针台、全自动探针台、半自动探针台、科研超导磁体系统、液氦&液氮低温恒温器、闭循环低温恒温器、霍尔效应测试系统、三维磁场测试平台、温控仪等产品。
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  • 北京飞凯曼科技有限公司为多家国内外高科技仪器厂家在中国地区代理商。飞凯曼科技公司一贯秉承『诚信』、『品质』、『服务』、『创新』的企业文化,为广大中国用户提供最先进的仪器、设备,最周到的技术、服务和完美的整体解决方案。在科技日新月异、国力飞速发展的中国,光电技术、材料科学、光电子科学与技术、半导体等等领域,都需要与欧美发达国家完全接轨的仪器设备平台来实现。飞凯曼科技公司有幸成长在这个科技创造未来的年代,我们愿意化为一座桥梁,见证中国科技水平的提升,与中国科技共同飞速成长。主要产品: 1.飞秒激光元件飞秒激光反射镜、飞秒激光透视镜、飞秒激光棱镜、飞秒偏振光学器件、飞秒非线性激光晶体2.非线性光学和激光晶体BBO晶体, LBO晶体, KTP晶体, KDP晶体, DKDP晶体, LiIO3晶体, LiNbO3晶体, MgO:LiNbO3晶体, AGS晶体 (AgGaS2晶体), AGSe晶体 (AgGaSe2晶体), ZGP (ZnGeP2) 晶体, GaSe晶体, CdSe晶体等。Nd:YAG晶体, Nd:YVO4晶体, Nd:KGW晶体, Nd:YLF晶体, Yb:KGW晶体, Yb:KYW晶体, Yb:YAG晶体, Ti:Sapphire晶体, Dy3+:PbGa2S4晶体等晶体恒温炉、晶体温控炉等3.普克尔斯盒及驱动KTP普克尔斯盒、DKDP普克尔斯盒、BBO普克尔斯盒、高重复频率普克尔斯盒驱动和高压电源、低重复频率普克尔斯盒驱动和高压电源、普克尔斯盒支架等4. Nd:YAG激光器元件Nd:YAG激光反射镜、Nd:YAG激光棱镜、Nd:YAG激光窗口、Nd:YAG激光偏振片、Nd:YAG激光晶体等5.激光器和激光器模块连续半导体激光器、连续DPSS激光器、调Q DPSS激光器、超快光纤激光器等6.光学元器件光学材料、光学镀膜、介质镜、金属镜、激光器窗口、棱镜、光学滤光片、光学柱面镜、偏振镜、紫外和红外光学元件7.光学整形系统高斯光转平顶光光束整形系统、扩束镜、F-Theta镜(聚焦镜)、望远镜、可调激光衰减器、可变光圈、精密空间滤光片、束流捕捉器8.光学精密位移机构防震桌、光学支架、光学导轨、固定座、光学固定、光学定位、传输和定位台、自动定位和控制器等9.半导体激光器高功率半导体激光器、波长稳定的半导体激光器、单频半导体激光器、光纤耦合半导体激光器、光纤激光器、波长可调谐单频激光器10.铒玻璃掺铒磷酸盐激光玻璃、铒玻璃、铒镱共掺激光玻璃、1550nm激光器、人眼安全激光器11. DPSSL激光谐振腔设计软件和数据库12. F-P扫描干涉仪13.应力测试仪日本UNIOPT公司应力双折射测量系统、光弹性模量测试系统、应力测试系统、磁光克尔效应(MOKE)测试仪、薄膜残余应力测试仪。应力双折射测试仪、应力测试仪、应力分析仪、偏振相机14.精密划片机日本APCO公司手动精密划片机、自动精密划片机。日本NDS公司半自动自动划片机、贴膜机、UV解胶机、清洗机、晶圆划片(切割)刀、电畴划片刀、陶瓷划片刀、金属烧结划片刀、树脂划片刀等15.材料表征仪器霍尔效应测试仪、变温霍尔效应测试仪、低温霍尔效应测试仪、塞贝克效应测试仪、低温探针台、变温探针台、椭偏仪联系电话:010-57034898,15313084898 邮箱地址:info@pcm-bj.com
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  • 400-860-5168转4937
    霍尔斯(HOLVES)是一家创新的生命科学公司。自2010年创立至今,聚焦于合成生物学、生物制药、创新生物医疗等新兴领域,研发和生产了多款新型发酵罐、生物反应器、超滤系统、喷雾干燥机等设备,满足从实验到工业生产等各个需求环节。霍尔斯(HOLVES)致力于打造智能自动化系统,赋能生物研究和产业放大领域发展。 发展历程: 2010年创立霍尔斯(HOLVES)品牌,成立北京霍尔斯生物科技有限公司。2012年与美国NBS合作代理生物反应器,与德国GEA合作代理喷雾干燥机,积极学习国外先进的理念和经验。2016年自主研发的首台喷雾干燥机问世,获得市场一致好评,标志着霍尔斯(HOLVES)正式开启自主品牌道路。2017年投入全新现代化工厂基地,成立安徽霍尔斯工程技术有限公司。2020年推出全新设计的Cla系列发酵罐,Eu系列生物反应器,Su系列不锈钢发酵罐,公司和产品双双步入新征程。2021年重磅推出HPB系列平行生物反应器,助力新一代生物智造平台。
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温控探针台霍尔效应测试相关的仪器

  • 产品简介 HCP621G-PMH专为变温霍尔效应测试测试。探针台的台体全部由非磁性材料制作。其可在 -190℃ ~ 600℃ 范围内控温,同时允许探针电测试、光学观察和样品气体环境控制。探针台上盖与底壳构成一个气密腔,可往内充入氮气等保护气体,来防止样品在负温下结霜,或高温下氧化。功能特点 非磁性材料制作的探针台,专为变温霍尔效应测试设计-190℃~600℃ 可编程控温(负温需配液氮制冷系统)28 mm x 30 mm加热区可充入保护气体的气密腔BNC接口四探针,手动点针 *可选三同轴接口,用于pA级测试可选增设腔内接线柱(样品接电引线)可从温控器或电脑软件控制,可提供软件SDK*可做定制或改动,详询上海恒商温控参数 温度范围-190℃ ~ 600℃(负温需配液氮制冷系统)传感器/温控方式100Ω铂RTD / PID控制(含LVDC降噪电源)加热/制冷速度+80℃/min (100℃时)-50℃/min (100℃时)加热/制冷速度±0.01℃/min温度分辨率0.01℃温度稳定性±0.05℃(25℃),±0.1℃(25℃)软件功能可设温控速率,可设温控程序,可记录温控曲线电学参数 探针默认为铼钨材质的弯针探针 *可选其他种类探针探针座杠杆式探针支架,点针力度更大,电接触性更好点针手动点针,每个探针座都可点到样品区上任意位置探针接口默认为BNC接头,可选三同轴接口*可增设腔内接线柱(样品接电引线)样品台面电位默认为电接地,可选电悬空(作背电极),可选三同轴接口霍尔测试台体为非磁性材料制作,可用于变温霍尔效应测试光学参数 适用光路反射光路 *另有透射光路型号窗片可拆卸与更替的窗片最小物镜工作距离8.5 mm *截面图中WD上盖窗片观察窗片范围φ38mm,大视角±60.7° *截面图中θ1负温下窗片除霜吹气除霜管路
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  • 霍尔效应测试仪 400-860-5168转3181
    霍尔效应测试仪  霍尔效应测试仪,是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 Hall8800霍尔效应测试仪介绍  该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。  主要用于量测电子材料之重要特性参数,如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等,薄膜或体材料均可,其原理主要依据范德堡法则  仪器轻巧方便,易于携带,主要用于量测电子材料之重要特性参数,如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等,薄膜或体材料均可,其原理主要依据范德堡法则。  除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外,它也可应用于LED磊晶层的质量判定,也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成,此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。  Hall8800可说是一套功能强大、应用广泛的系统,再加上平实的价格, 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。  目前广泛应有于半导体厂商。  主要特点  1、高精密度电流源  输出电流之精确度可达2nA,如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测,即高电阻值材料之量测。  2、高精密度电表  使用超高精度电表,电压量测能力可达nV等级,上限可达300V,极适合用于量测低电阻值材料。  3、外型精简、操作简单  外型轻巧、美观大方,磁铁组之极性更换也很灵活容易,独特之液氮容器设计,可确保低温量测之稳定性最佳。  4、I-V曲线  采用图表的方式,测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线,藉此评判样品的欧姆接触好坏。  5、单纯好用之操作画面  使用者只需在同一张操作画面中,就可以完成所有的设定,实验结果由软件自动计算得到,并在同一张画面中显示出来,省却画面切换的麻烦,结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。  6、自行开发之弹簧样品夹具,特殊设计之弹簧探针,其强度加强可改善探针与接触点之电气接触,提高量测之可靠度。  技术参数  磁场强度:0.65T/1T   常温和液氮温度(77K)下测量   输出电流:2nA-100mA   迁移率(cm2/Volt-sec):1-107  阻抗:10-6 to 107  载流子浓度(cm-3):107 - 1021  样品夹具:  Hall8800弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦);  测量材料:所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量)  仪器尺寸(WxDxH):260*220*180 mm  仪器重量:6kg
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  • 霍尔效应测试仪 400-860-5168转1545
    霍尔效应测试仪  霍尔效应测试仪,是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 Hall8800霍尔效应测试仪介绍  该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。  主要用于量测电子材料之重要特性参数,如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等,薄膜或体材料均可,其原理主要依据范德堡法则  仪器轻巧方便,易于携带,主要用于量测电子材料之重要特性参数,如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等,薄膜或体材料均可,其原理主要依据范德堡法则。  除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外,它也可应用于LED磊晶层的质量判定,也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成,此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。  Hall8800可说是一套功能强大、应用广泛的系统,再加上平实的价格, 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。  目前广泛应有于半导体厂商。  主要特点  1、高精密度电流源  输出电流之精确度可达2nA,如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测,即高电阻值材料之量测。  2、高精密度电表  使用超高精度电表,电压量测能力可达nV等级,上限可达300V,极适合用于量测低电阻值材料。  3、外型精简、操作简单  外型轻巧、美观大方,磁铁组之极性更换也很灵活容易,独特之液氮容器设计,可确保低温量测之稳定性最佳。  4、I-V曲线  采用图表的方式,测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线,藉此评判样品的欧姆接触好坏。  5、单纯好用之操作画面  使用者只需在同一张操作画面中,就可以完成所有的设定,实验结果由软件自动计算得到,并在同一张画面中显示出来,省却画面切换的麻烦,结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。  6、自行开发之弹簧样品夹具,特殊设计之弹簧探针,其强度加强可改善探针与接触点之电气接触,提高量测之可靠度。  技术参数  磁场强度:0.65T/1T   常温和液氮温度(77K)下测量   输出电流:2nA-100mA   迁移率(cm2/Volt-sec):1-107  阻抗:10-6 to 107  载流子浓度(cm-3):107 - 1021  样品夹具:  Hall8800弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦);  测量材料:所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量)  仪器尺寸(WxDxH):260*220*180 mm  仪器重量:6kg
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温控探针台霍尔效应测试相关的资讯

  • 半导体情报,科学家首次在量子霍尔绝缘体中发现奇异的非线性霍尔效应!
    【科学背景】近年来,尽管量子霍尔效应的线性响应特性得到了广泛研究,但高阶非线性响应仍然是一个未被充分探索的领域。特别是在二维材料如石墨烯中,量子霍尔态的非线性响应尚未被深入研究。量子霍尔态不仅具有绝缘体体和导电手性边缘态的特征,而且在不同的量子霍尔态下,可能会表现出复杂的非线性行为,这些行为对于理解边缘态的电子-电子相互作用具有重要意义。为了解决这一问题,为了解决这一问题,复旦大学何攀, 沈健,日本九州大学Hiroki Isobe,新加坡国立大学Gavin Kok Wai Koon,Junxiong Hu,日本理化研究所新兴物质科学中心Naoto Nagaosa等教授合作发现,在石墨烯的显著量子霍尔态下,存在明确的第三阶霍尔平台。这一平台在广泛的温度、磁场和电流范围内保持稳定,并且在不同几何形状和堆叠配置的石墨烯中均可观察到。第三阶霍尔效应的高度对环境条件不敏感,但与器件特性相关。此外,第三阶非线性响应的极性受磁场方向和载流子类型的影响。作者的研究揭示了量子霍尔态的非线性响应是如何依赖于器件特性的,并提出了一个新的视角来理解边缘态的性质。【科学亮点】(1)实验首次观察到石墨烯中量子霍尔态的第三阶霍尔效应,获得了第三阶霍尔效应的清晰平台。该平台在显著的量子霍尔态(\( \nu = \pm 2 \))中展现出,且在广泛的温度、磁场和电流范围内保持稳定。 (2)实验通过测量不同几何形状和堆叠配置的石墨烯器件,发现第三阶霍尔效应的平坦值与环境条件无关,但与器件特性相关。具体结果包括:&bull 第三阶霍尔效应的电压平台高度与探针电流的立方成正比,而第三阶纵向电压保持为零。&bull 该效应在磁场变化(至约5T)和温度变化(至约60K)下保持稳健。&bull 第三阶非线性响应的极性依赖于磁场方向及载流子类型(电子或空穴),并且其值在反转磁场方向时会改变符号。&bull 非线性霍尔平台的稳健性提供了关于边缘态的新见解,并可能违背量子霍尔电阻的精确量化。【科学图文】图1:在经典和量子域中,线性霍尔效应和非线性霍尔效应示意图。 图2:在量子霍尔态quantum Hall states,QHSs内,三阶非线性霍尔平台的观测结果。图3:在量子霍尔态QHSs内,三阶霍尔效应的立方电流依赖性。图4:磁场和温度,对量子霍尔态QHS三阶非线性响应的影。【科学启迪】本文的研究为量子霍尔效应(QHE)中的非线性响应提供了新的视角,揭示了量子霍尔态(QHSs)中第三阶霍尔效应的显著平台。这一发现不仅扩展了作者对量子霍尔现象的理解,也对探索二维材料中的非线性电输运提供了新的途径。首先,实验首次在单层石墨烯中观察到稳定的第三阶霍尔效应平台,表明在量子霍尔态下,电子之间的相互作用可能导致非线性现象的出现。这种非线性响应在不同环境条件(如磁场和温度)下保持稳定,且在多种几何形状和堆叠配置的石墨烯器件中均能观察到。这表明该效应具有较强的普适性和稳健性。其次,研究发现第三阶霍尔效应的电压平台与探针电流立方成正比,而其幅度对环境条件变化表现出较强的稳健性。这一特性挑战了量子霍尔电阻的精确量化,提示作者在量子霍尔态的研究中需要考虑更高阶的非线性效应。这种非线性响应的发现不仅提供了关于边缘态性质的新见解,还可能揭示出与传统线性量子霍尔效应不同的物理机制。此外,本文的研究结果对未来探索量子霍尔系统的高阶响应具有重要启示。其他填充因子的量子霍尔态中的非线性响应,以及在其他量子霍尔系统中的应用,仍需进一步研究。这一发现为理解电子-电子相互作用、边缘态带曲率等物理现象提供了新的方法,也可能为研究分数量子霍尔效应的非线性响应开辟新的方向。原文详情:He, P., Isobe, H., Koon, G.K.W. et al. Third-order nonlinear Hall effect in a quantum Hall system. Nat. Nanotechnol. (2024). https://doi.org/10.1038/s41565-024-01730-1
  • 吉林大学采购159.401 万元扫描霍尔探针显微镜
    扫描霍尔探针显微镜项目(项目编号:JDCG2016-212) 组织评标工作已经结束,现将评标结果公示如下:  一、项目信息  项目编号:JDCG2016-212  项目名称:扫描霍尔探针显微镜  项目联系人:王晓平  联系方式:0431-85095975  二、采购人信息  采购人名称:吉林大学  采购人地址:吉林省长春市人民大街5988号即吉林大学东区继续教育学院楼517室  采购人联系方式:王晓平 0431-85095975  三、项目用途、简要技术要求及合同履行日期:  见招标文件  四、中标信息  招标公告日期:2016年06月08日  中标日期:2016年06月30日  总中标金额:159.401 万元(人民币)  中标供应商名称、联系地址及中标金额:  QUANTUM量子科学仪器贸易(北京)有限公司  159.401万元  评标委员会成员名单:  王玲、王智宏、李敏、马鸿佳、徐娓  中标标的名称、规格型号、数量、单价、服务要求:  扫描霍尔探针显微镜  五、其它补充事宜  无
  • 进口率超九成,美日仪器垄断市场——全国共享探针台盘点
    探针台是一种很专业的仪器,它主要的功能就是针对半导体元件进行检测,这里面说的半导体元件指的是集成电路,分立器件,光电器件,传感器等元件以及封装的测试。通过探针台配合测量仪器可完成集成电路的电压,电流,电阻和电容电压特性曲线等参数检测。可以适用于对芯片进行科研分析,抽查检测等;可以保证这些半导体元件的质量,缩短研发时间和器件制作工艺的成本,所以,它的存在对于制造半导体的企业来说是非常重要的。随着半导体市场的逐步开放和增长,作为半导体检测的必备仪器—探针台的市场也在逐年增长和扩大中,不论是海外品牌还是国产品牌,近几年在半导体检测仪器市场中的规模都在逐年扩大。由于高校的管理模式及制度,探针台大多养在“深闺”,大量科研资源潜能没有得到充分发挥。为解决这个问题并加速释放科技创新的动能,中央及各级政府在近几年来制订颁布了关于科学仪器、科研数据等科技资源的共享与平台建设文件。2021年1月22日,科技部和财政部联合发布《科技部 财政部关于开展2021年度国家科技基础条件资源调查工作的通知(国科发基〔2020〕342号)》,全国众多高校和科研院所将各种科学仪器上传共享。其中,对探针台的统计分析或可一定程度反映科研领域相关仪器的市场信息(注:本文搜集信息来源于重大科研基础设施和大型科研仪器国家网络管理平台,部分仪器品牌信息不全则根据型号等信息补全,不完全统计分析仅供读者参考)。不同地区(省/市)仪器分布情况本次统计,共涉及探针台的总数量为235台,涉及20省(直辖市/自治区),84家单位。其中,上海市共享磁测量仪器数量最多达63台,占比29%,涉及17所高校、研究院所和企事业单位等,上海如此高的占比主要是由于其集成电路等半导体产业发达。上海市探针台主要来自于上海华岭集成电路技术股份有限公司,共有25台,占上海市总共享探针台的11%。仪器所属学科领域分布从仪器所属学科领域分布可以看出,探针台主要用于电子与通信技术、物理学和材料科学研究,占比分别为32%、17%和14%。不过,信息科学与系统科学和信息与系统科学相关工程与技术两个学科重合度较高,合计占比达16%,比材料科学略高。需要注意的是,以上统计存在交叉分布的情况,即该仪器同时属于多类学科领域。仪器所属单位性质分布那么这些仪器主要分布在哪些单位呢?统计结果表明,共享探针台主要分布于高校中,占比达60%,这一结果主要是因为共享仪器平台的仪器由高校上传所致,统计结果并不能体现出此类仪器的市场分布。不过共享仪器最多的确实企业中的上海华岭集成电路。而高校和科研院所共享数量TOP5分别为清华大学、苏州大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、东南大学、北京大学,这些高校院所都具有集成电路研发的基础。探针台主要品牌分布探针台品牌所属地区分布这些探针台主要品牌为美国Cascade、美国Lake Shore和日本东京精密,占比分别为28%、23%和16%。Cascade是全球领先的的探测系统、探针、探测器等产品的设计生产商,公司成立于1983年,总部设在美国俄勒冈州西北部城镇,为全球晶圆级测试的销售、服务和应用而存在,自主拥有150多项专利技术。Lake Shore公司成立于1968年,位于美国俄亥俄州哥伦布市,是低温与磁场科研设备的国际领导者。主要产品包括:振动样品磁强计、低温真空探针台、霍尔效应测量系统、低温控温仪、低温传感器、高斯计、磁通计等。可以看出,目前我国高校院所的探针台仍以进口为主,大部分市场被美日产品垄断,进口产品占比超过90%。此外,在统计过程中,笔者发现探针台常与半导体参数测量仪搭配联用,而搭配的半导体参数测量仪主要是美国Keithley的4200-SCS型号的产品。这是美国泰克旗下的吉时利品牌的一款产品。不过目前该型号已下架,最新款是4200A-SCS型号,4200A-SCS 参数分析仪支持许多手动和半自动晶片探测器和低温控制器,包括 MPI、Cascade MicroTech、Lucas Labs/Signatone、MicroManipulator、Wentworth Laboratories、LakeShore Model 336 低温控制器。Keithley 4200A-SCS 参数分析仪本次共享探针台仪器盘点,涉及等Cascade、Lake Shore、东京精密、MPI、Janis、SUSS、东京电子、奕叶、Signatone、ARS、FORMFACTOR、MPI等三十多家厂商,呈现出三超多强局面。探针台高校院所市场将爆发随着集成电路产业的爆发式发展,2018 年开始,将集成电路设置成一级学科的提案开始出现。2018 年中国科学院院士王阳元在新时期中国集成电路产业论坛中提议,微电子学科提升为一级学科。学术界和产业界对集成电路成为一级学科异常关注。2019 年 10 月 8 日,工信部官网发布《关于政协十三届全国委员会第二次会议第 2282 号(公交邮电类 256 号)提案答复的函》中表示,工信部与教育部等部门将进一步加强人才队伍建设,推进设立集成电路一级学科,进一步做实做强示范性微电子学院。去年12月30日,国务院学位委员会、教育部正式下发关于设置“集成电路科学与工程”一级学科的通知。过去一年来,北京航空航天大学、安徽大学、广东工业大学、中山大学、清华大学等国内多所高校均成立集成电路相关学院。随着集成电路学院的纷纷成立,高校院所对半导体相关仪器设备需求将剧增,探针台作为半导体检测的重要仪器,相关市场将爆发。

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  • “量子反常霍尔效应”离诺贝尔物理奖有多近?

    我国科学家首次发现“量子反常霍尔效应”这一科研成果离诺贝尔物理奖有多近2013年04月11日 来源: 中国科技网 作者: 林莉君 李大庆 http://www.stdaily.com/stdaily/pic/attachement/jpg/site2/20130410/051365597244421_change_wtt3427_b.jpg量子反常霍尔效应的示意图,拓扑非平庸的能带结构产生具有手征性的边缘态,从而导致量子反常霍尔效应 http://www.stdaily.com/stdaily/pic/attachement/jpg/site2/20130410/051365597244437_change_wtt3428_b.jpg理论计算得到的磁性拓扑绝缘体多层膜的能带结构和相应的霍尔电导 “这个研究成果是从中国实验室里,第一次发表出来了诺贝尔物理奖级别的论文,这不仅是清华大学、中科院的喜事,也是整个国家发展中喜事。”4月10日,诺贝尔物理奖得主、清华大学高等研究院名誉院长杨振宁教授高度评价了我国科学家的重大发现——量子反常霍尔效应。 由清华大学薛其坤院士领衔、清华大学物理系和中科院物理研究所组成的实验团队从实验上首次观测到量子反常霍尔效应。美国《科学》杂志于3月14日在线发表这一研究成果。由于此前和量子霍尔效应有关的科研成果已经3获诺贝尔奖,学术界很多人士对这项“可能是量子霍尔效应家族最后一个重要成员”的研究给予了极高的关注和期望。那么什么是量子反常霍尔效应?对它的研究为什么引起世界各国科学家的兴趣?它的发现有什么重大意义? 重要性 突破摩尔定律瓶颈 加速推动信息技术革命进程 在认识量子反常霍尔效应之前,让我们先来了解一下量子霍尔效应。量子霍尔效应,于1980年被德国科学家发现,是整个凝聚态物理领域中重要、最基本的量子效应之一。它的应用前景非常广泛。 薛其坤院士举了个简单的例子:我们使用计算机的时候,会遇到计算机发热、能量损耗、速度变慢等问题。这是因为常态下芯片中的电子运动没有特定的轨道、相互碰撞从而发生能量损耗。而量子霍尔效应则可以对电子的运动制定一个规则,让它们在各自的跑道上“一往无前”地前进。“这就好比一辆高级跑车,常态下是在拥挤的农贸市场上前进,而在量子霍尔效应下,则可以在‘各行其道、互不干扰’的高速路上前进。”薛其坤打了个形象的比喻。 然而,量子霍尔效应的产生需要非常强的磁场,“相当于外加10个计算机大的磁铁,这不但体积庞大,而且价格昂贵,不适合个人电脑和便携式计算机。”薛其坤说,而量子反常霍尔效应的美妙之处是不需要任何外加磁场,在零磁场中就可以实现量子霍尔态,更容易应用到人们日常所需的电子器件中。 自1988年开始,就不断有理论物理学家提出各种方案,然而在实验上没有取得任何进展。2006年, 美国斯坦福大学张首晟教授领导的理论组成功地预言了二维拓扑绝缘体中的量子自旋霍尔效应,并于2008年指出了在磁性掺杂的拓扑绝缘体中实现量子反常霍尔效应的新方向。2010年,我国理论物理学家方忠、戴希等与张首晟教授合作,提出磁性掺杂的三维拓扑绝缘体有可能是实现量子化反常霍尔效应的最佳体系。这个方案引起了国际学术界的广泛关注。德国、美国、日本等有多个世界一流的研究组沿着这个思路在实验上寻找量子反常霍尔效应,但一直没有取得突破。 薛其坤团队经过近4年的研究,生长测量了1000多个样品。最终,他们利用分子束外延方法,生长出了高质量的Cr掺杂(Bi,Sb)2Te3拓扑绝缘体磁性薄膜,并在极低温输运测量装置上成功观测到了量子反常霍尔效应。 “量子反常霍尔效应可在未来解决摩尔定律瓶颈问题,它发现或将带来下一次信息技术革命,我国科学家为国家争夺了这场信息革命中的战略制高点。”拓扑绝缘体领域的开创者之一、清华大学“千人计划”张首晟教授说。 创新性 让实验材料同时具备“速度、高度和灵巧度” 从美国物理学家霍尔丹于1988年提出可能存在不需要外磁场的量子霍尔效应,到我国科学家为这一预言画上完美句号,中间经过了20多年。课题组成员、中科院物理所副研究员何珂告诉记者:“量子反常霍尔效应实现非常困难,需要精准的材料设计、制备与调控。尽管多年来各国科学家提出几种不同的实现途径,但所需的材料和结构非常难以制备,因此在实验上进展缓慢。” “这就如同要求一个运动员同时具有刘翔的速度、姚明的高度和郭晶晶的灵巧度。在实际的材料中实现以上任何一点都具有相当大的难度,而要同时满足这三点对实验物理学家来讲是一个巨大的挑战。”课题组成员、清华大学王亚愚教授这样描述实验对材料要求的苛刻程度。 实验中,材料必须具有铁磁性从而存在反常霍尔效应;材料的能带结构必须具有拓扑特性从而具有导电的一维边缘态,即一维导电通道;材料的体内必须为绝缘态从而对导电没有任何贡献,只有一维边缘态参与导电。 2010年,课题组完成了对1纳米到6纳米(头发丝粗细的万分之一)厚度薄膜的生长和输运测量,得到了系统的结果,从而使得准二维超薄膜的生长测量成为可能。 2011年,课题组实现了对拓扑绝缘体能带结构的精密调控,使得其体材料成为真正的绝缘体,去除了其对输运性质的影响。 2012年初,课题组在准二维、体绝缘的拓扑绝缘体中实现了自发长程铁磁性,并利用外加栅极电压对其电子结构进行原位精密调控。 2012年10月,课题组终于发现在一定的外加栅极电压范围内,此材料在零磁场中的反常霍尔电阻达到了量子霍尔效应的特征值h/e2—25800欧姆——世界难题得以攻克。 课题组克服薄膜生长、磁性掺杂、门电压控制、低温输运测量等多道难关,一步一步实现了对拓扑绝缘体的电子结构、长程铁磁序以及能带拓扑结构的精密调控,最终为这一物理现象的实现画上了完美的句号。 “下一步我们主要的努力方向是全面测量材料在极低温下的电子结构和输运性质,寻找更好的材料体系,在更高的温度下实现这一效应。那时,也许我们能对其应用前景作更好的判断。”王亚愚告诉记者。 外界评说 这是凝聚态物理界一项里程碑式的工作 “实验成果出来以后,量子霍尔效应的发现者给我发了一封邮件。他写道:我深信拓扑绝缘体和量子反常霍尔效应是科学王冠上的明星。”张首晟向记者展示了这封邮件。 《科学》杂志的一位审稿人说:“这项工作毫无疑问地证实了与普通量子霍尔效应不同来源的单通道边缘态的存在。我认为这是凝聚态物理学一项非常重要的成就。”另一位审稿人说:“这篇文章结束了多年来对无朗道能级的量子霍尔效应的探寻。这是一篇里程碑式的文章。” 延伸阅读 霍尔效应与反常霍尔效应 霍尔效应是美国物理学家霍尔于1879年发现的一个物理效应。在一个通有电流的导体中,如果施加一个垂直于电流方向的磁场,由于洛伦兹力的作用,电子的运动轨迹将产生偏转,从而在垂直于电流和磁场方向的导体两端产生电压,这个电磁输运现象就是著名的霍尔效应。产生的横向电压被称为霍尔电压,霍尔电压与施加的电流之比则被称为霍尔电阻。由于洛伦兹力的大小与磁场成正比,所以霍尔电阻也与磁场成线性变化关系。 1880年,霍尔在研究磁性金属的霍尔效应时发现,即使不加外磁场也可以观测到霍尔效应,这种零磁场中的霍尔效应就是反常霍尔效应。反常霍尔效应与普通的霍尔效应在本质上完全不同,因为这里不存在外磁场对电子的洛伦兹力而产生的运动轨道偏转。反常霍尔电导是由于材料本身的自发磁化而产生的,因此是一类新的重要物理效应。 量子霍尔效应的相关研究已3次获得诺贝尔奖 量子霍尔效应在凝聚态物理的研究中占据着极其重要的地位。它就像一个富矿,一代又一代科学家为之着迷和献身,他们的成就也多次获得诺贝尔物理奖。 1985年,诺贝尔物理奖颁给了德国科学家冯·克利青,他于1980年发现了整数量子霍尔效应。 1998年,诺贝尔物理奖颁给了美国科学家:美籍华人物理学家崔琦以及施特默、劳弗林。前两人于1982年发现了分数量子霍尔效应,而后者则对这一效应进一步给出了理论解释。 2010年,诺贝尔物理奖颁给了英国科学家安德烈·海姆和康斯坦丁·诺沃肖洛夫。他们俩在2005年发现了石墨烯中的半整数量子霍尔效应。 此外,量子化自旋霍尔效应于2007年被发现,2010年获得欧洲物理奖,2012年获得美国物理学会巴克利奖。(记者 林莉君 李大庆) 《科技日报》(2013-04-11

  • 霍尔效应测试仪 ITO 薄膜测试案例

    样品: ITO 氧化铟锡, 标记为 ITO1, ITO2, ITO3样品薄膜厚度: 60 - 100 nm样品尺寸: 10 * 10 mm实验内容: 载流子浓度, 类型, 霍尔迁移率, 方块电阻 实验仪器: 上海伯东英国 NanoMagnetics ezHEMS [url=http://www.hakuto-vacuum.cn/product-list.php?sid=131][color=#0000ff]霍尔效应测试仪[/color][/url]测试温度和磁场温度: 300K RT 1 Tesla[color=#ff0000]* 在测试开始前, 仪器均经过标准样品校验. 所有样品根据 ASTM 标准.[/color][b][color=#000000]样品 ITO1 测试结果:[/color][color=#000000]I-V 测量结果[img=霍尔效应测试仪 ITO 薄膜]http://www.hakuto-vacuum.cn/hakuto_upfile/images/ITO-nano.jpg[/img][/color][/b][color=#000000][b]VdP 测量结果[/b][/color][color=#000000] 测量头类型: RT Head 磁场: 9677G 厚度: 80nm[img=霍尔效应测试仪 ITO 薄膜]http://www.hakuto-vacuum.cn/hakuto_upfile/images/ITO-vdp.jpg[/img][/color][b]部分测试结论:[/b]1. 得到的电阻值彼此相容.2. 所有的IV 曲线都是线性的3. 所有样本都是欧姆的,统一的,均匀的.4. Van der Pauw 测试为了保证准确性, 测试了2次, 测试结果是相同的. ...[color=#ff0000]* 鉴于信息保密, 更详细的霍尔效应测试案例欢迎联络上海伯东[/color]

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  • 科研级大型手动探针台
    科研级大型手动探针台是一款专为半导体领域设计的大型晶圆探针台,它可用于高达14半导体晶圆的测量,并在全球范围内首次实现XYZ,theta多维控制。大型手动探针台提供一种连续使用的工具,它可以提供XYZ,Theta的控制,并采用Z轴反向驱动技术控制Z轴运动。它的多功能性,极高的性价比和简化操作的设计是得它成为最受欢迎的手动探大型手动探针台针台。最近的若干年中,一些价格适中,操作方便的探针台从笨重而昂贵的探针台系列中脱颖而出,成为探针台发展的主流方向。这些新型探针台非常方便用户的使用,极大提高了用户效能和测量速度,同时也为研发工程师提供了多功能方案。 我们设计的这款探针台的价格仅为传统探针价格的2/3, 为客户提供了操作简单的手动探针台方案。大型手动探针台采用直线向前运动设计,操作非常简单容易,更加方便晶圆装卸,真空样品台控制,样品旋转,捆绑探针用于可重复的图案化。用户不需要学习软件,因为它采用了常见的显微镜取代视频相机,用户直接在视场找到探针就可测量。大型手动探针台可用于所有实验室环境和工艺环境。 它的尺寸是39' ' 长, 26' ' 宽,19.5' ' 高,非常适合空间狭小的测试环境,操作人员可距离探针台更近操作。 大型手动探针台的样品台吸盘可旋转380度而没有反冲问题,因此样品台真空吸盘可以反过来使用也不需要调整真空。这个14英寸的样品真空吸盘可一次性同时安装4个6英寸的晶圆,非常方便各个晶圆的比较测量。所有的探针都可定位到14英寸真空吸盘表面的任何位置,这就不需要用户因为探针位不足导致的探针样品再定位问题发生。所有的同心环真空都是彼此独立,这样就实现了所有17个对角真空控制多个装置同时测量。 大型手动探针台的定位器特别设计,压力不会突发性地压着探针冲向样品。手动探针台采用了龙门式设计结构,可以负载重量更大的样品。
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