退火炉

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退火炉相关的厂商

  • 北京翔龙同创炉业有限公司位于北京市顺义区南彩工业园,拥有现代化标准厂房,成套的加工设备,现代化的三维产品设计,完善的质量检测体系;公司致力于各类工业炉及实验炉设计、制造、技术改造及配套装置的企业,产品广泛应用于航空、航天、冶金、机械、铁道、汽车、电工合金等行业。公司引进国外先进的热处理设备制造技术,主要生产各类标准的热处理设备,为真空淬火炉、真空粉末冶金热压炉、卧式双室真空淬火炉、真空钎焊炉、高温真空烧结炉、井式炉、卧式预抽真空炉、箱式电阻炉、台车式电阻炉、大型全纤维井式加热炉、井式回火炉、大型新型井式气体渗碳炉、井式气体氮化炉、电加热坩埚炉、铝材时效退火炉、硅钢片退火炉、大中型全纤维台车式电阻炉、大中型全纤维燃油/燃气式台车炉、大中型全纤维箱体移动式罩式炉、熔化炉、滚筒炉、网带炉、模壳焙烧炉、推杆炉、时效炉、铝锭(棒)均热炉、铝板带退火炉、铝型材时效炉等多种类型产品。公司还可以根据用户需求设计制造各种非标的热处理设备及以煤气、天然气、柴油为燃料的自动化热处理生产线。我们始终以“质量第一、信誉第一”的理念服务于用户。我们的工程师愿意与您紧密合作,研发出个性化的方案以解决您的要求,提供最优质的加热设备。本着“客户在我心中、技术在前沿中、品质在服务中”的企业理念,以卓越的产品,满足您的需要,以诚实守信的经营原则,热忱的欢迎您和您的团队光临指导,来完成我们的真诚合作!
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  • 苏州诺曼比尔材料科技有限公司是经昆山市工商局批准的合法企业,生产基地位于昆山市经济技术开发区六时泾路28号,资金500万元人民币,公司是主要以高温实验电炉和新型材料热处理专业设备的研发、制造和销售。  经过集团公司十多年的发展,目前公司已研发产品十大类,30多个系列,产品包括升降炉、气氛炉、真空炉、管式炉、箱式炉、井式炉、牙科设备-义齿烧结炉、、蓝宝石晶体退火炉、还有针对不同行业专门研发的3D打印金属工件热处理炉、铍铜真空时效退火炉、硬质合金刀具真空焊接炉、植入体热处理炉、电空元器件热处理炉、氢气炉等,主要适用于科研单位、大专院校、新材料、新能源、物理、化学、冶金、玻璃、锂能等领域,并获得了广大用户的青睐与好评。苏州诺曼比尔材料科技有限公司的电炉产品在炉温均匀性、发热元件的应用、快速升温、高温获得等方面见长。
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  • 洛阳西格马仪器制造有限公司是电阻炉、马弗炉、管式炉、管式电阻炉、烧结炉、退火炉、加热炉、箱式电阻炉、真空炉、高温炉、钎焊炉、实验电炉、工业电炉等产品专业生产加工的有限责任公司,拥有30多项发明专利,多项知识产权;用户遍及全国各高校实验室,深受用户好评;我们公司有雄厚的设计及生产力量,接受客户非规则炉体定制,满足客户实验要求。
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退火炉相关的仪器

  • 退火炉 400-860-5168转1973
    退火炉产品概述 414退火炉可在校准过程中对铂电阻温度计进行加热、退火和冷却。其*高温度达到1000℃,可适用于所有类型的铂电阻温度计。在炉体内部配有程序控制器,工作过程中可以达到任意指定的温度范围内。退火炉产品参数
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  • RTP快速退火炉是一种先进的半导体材料处理设备,其核心功能是通过快速加热和冷却的方式对材料进行高温处理。以下是关于RTP快速退火炉的详细产品介绍: 工作原理RTP快速退火炉的工作原理基于高温加热和快速冷却的过程。首先,将待处理的材料放置在炉腔中,并通过加热元件(如电阻丝、电热棒等)迅速将材料加热至设定的温度范围,通常为400~1300℃。在加热过程中,炉腔内的温度会被精确控制在恒定的数值范围内,以确保材料能够达到所需的退火温度。随后,通过冷却介质(如氮气、水等)将炉腔内的温度迅速降低至室温,从而避免材料再次发生晶粒长大和相变。 主要特点1. **快速加热和冷却**:RTP快速退火炉能够在极短的时间内完成加热和冷却过程,显著提高生产效率。2. **高温精度**:该设备具有高精度的温度控制系统,能够精确控制样品的温度,实现高质量的热处理。3. **均匀加热**:RTP快速退火炉采用先进的加热技术,确保样品在炉腔内均匀受热,避免温度不均匀导致的材料性能不一致。4. **多功能性**:该设备适用于各种材料的处理,包括硅、氮化物、氧化物等,满足不同工艺需求。5. **节能环保**:RTP快速退火炉通常采用节能设计,具有较低的能耗和环保性能。 应用领域RTP快速退火炉广泛应用于半导体制造、电子、光电、材料科学等领域。具体应用场景包括:* MOS器件的源、漏、栅接触改性* 电阻器、电容器的结构、电性能改良* 掺杂、扩散等工艺步骤的快速实现* 低介电常数介质材料的退火等 选择建议在选择RTP快速退火炉时,需要考虑以下因素:1. **温度范围和控制精度**:根据工艺需求确定所需的最高温度和温度控制精度。2. **加热速率和冷却速率**:考虑加热和冷却速率是否满足工艺要求,以确保快速热处理的实现。3. **样品尺寸和数量**:根据样品尺寸和数量选择适合的炉腔尺寸和容量。4. **控制系统和软件**:选择具有稳定可靠的温度控制系统和易于操作的软件界面的设备。5. **能源消耗和环保要求**:考虑设备的能耗情况和环保性能,选择节能环保的设备。6. **品牌和服务**:选择知名度高、信誉良好的厂家和品牌,确保产品质量和售后服务的可靠性。 结论RTP快速退火炉作为半导体制造过程中不可或缺的设备,其高效、节能和环保的特点使得它在现代半导体工业中得到了广泛应用。随着技术的不断发展,RTP快速退火炉的性能也将不断优化,为半导体产业的进步提供有力支持。
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  • 高真空退火炉 产品介绍 目前高温退火炉加热大都为管式炉或马弗炉,原理为加热丝或硅碳棒对炉体加热,加热与降温速度慢,效率低下,也无法实现温度的高精度测量,加热区域也存在不均匀的现象,华测仪器通过多年研究开发了一种可实现高精度,高反射率的抛物面与高质量的加热源相配置,在高速加热高速冷却时,具有良好的温度分布。可实现宽域均热区,高速加热、高速冷却,用石英管保护加热式样,无气氛污染。可在高真空,高出纯度气体中加热。设备可组成均热高速加热炉,温度斜率炉,阶段加热炉。 它提高了加热试验能力.同电阻炉和其他炉相比,红外线反射退火炉节省了升温时间和保持时间及自然冷却到室温所需时间,再试验中也可改写设定温度值。从各方面讲,都节省时间并提高实验速度。 同高频炉相比,不需特殊的安装条件及对加热试样的要求。同电阻炉一样安装简单,有冷却系统安全可靠。以提高试验人员的工作效率,实现温度控制操作! 设备优势 高速加热与冷却方式 高能量的红外灯和镀金反射方式允许高速加热到高温。同时炉体可配置水冷系统,增设气体冷却装置,可实现快速冷却。 温度高精度控制 过红外镀金聚焦炉和温度控制器的组合使用,可以控制样品的温度。此外,冷却速度和保持在任何温度下可提供高精度。 不同环境下的加热与冷却 加热/冷却可用真空、气氛环境、低温(高纯度惰性气体静态或流动),操作简单,使用石英玻璃制成。红外线可传送到加热/冷却室。 反射炉温度控制装置 高速升温时,配套的快速反应的高真空退火炉控制装置,本控制装置采用可编程温度控制器。高性能设计,响应速度快。 可选配 进口干泵:抽速≥120L/min,极限真空度≤4pa,噪音小于52db; 进口全量程真空规:刀口法兰接口,真空测量范围5X10-7Pa到1atm 为了高速加热、设备采用PID温度控制,同时采用移相触发技术保证试验温度。 根据设备上的温度控制器输入参数,您也可以简单输入温度程序设定和外部信号。另外还可以在电脑上显示热中的温度数据。 自适应热电偶包括JIS、K、J、T、E、N、R、S、B、以及L、U、W型 可设定32个程序、256个步骤的程序。 30A、60A、120A内置了SCR电路,所以范围很广。 设备配置 序号 项目 数量 品牌 备注 1 炉体 1 华测 温度至1200℃ 2 加热源 1 GE 3 温度控制器 1 华测 4 电热偶 1 omega 5 温控表 1 欧姆龙 6 稳压电源 1 华测 可定制 7 制冷水机 1 同飞 制冷功率 8 分子泵 1 莱宝 CF法兰,抽速≥40L/s,极限真空度优于-0.8Mpa; 更多应用 1.电子材料 半导体用硅化合化的PRA(加热后急速冷却) 热源薄膜形成激活离子注入后硅化物的形成 2.陶瓷与无机材料 陶瓷基板退火炉 玻璃基板退火炉。 陶瓷张力、挠曲试验退火炉。 3.钢铁和金属材料 薄钢板加热过程的数值模拟。 炉焊接模拟 高真空热处理(1000℃以下) 大气气体熔化过程 压力下耐火钢和合金的热循环试验炉 4.复合材料 耐热性评价炉 无机复合材料热循环试验炉 5.其它 高温拉伸压缩试验炉。 分段分区控制炉 温度梯度炉 炉气分析 超导陶瓷退火炉
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退火炉相关的资讯

  • 快速退火炉RTP设备的介绍
    简介:快速退火炉是利用卤素红外灯做为热源,通过极快的升温速率,将晶圆或者材料在极短的时间内加热到300℃-1200℃,从而消除晶圆或者材料内部的一些缺陷,改善产品性能。快速退火炉采用先进的微电脑控制系统,采用PID闭环控制温度,可以达到极高的控温精度和温度均匀性,并且可配置真空腔体,也可根据用户工艺需求配置多路气体。行业背景:快速退火炉是现代大规模集成电路生产工艺过程中的关键设备。随着集成电路技术飞速发展,开展快速退火炉系统的创新研发对国内开发和研究具有自主知识产权的快速退火炉设备具有十分重大的战略意义和应用价值。目前快速退火炉的供应商主要集中在欧、美和台湾地区,大陆地区还没有可替代产品,市场都由进口设备主导,设备国产化亟待新的创新和突破。随着近两年中美贸易战的影响,国家越来越重视科技的创新发展与内需增长,政府出台了很多相关的产业政策,对于国产快速退火炉设备在相关行业产线上的占比提出了一定要求,给国内的半导体设备厂商带来了巨大机遇,预测未来几年时间国内退火炉设备市场会有快速的内需增长需求。技术特点:快速退火炉(芯片热处理设备)广泛应用在IC晶圆、LED晶圆、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产。和欧姆接触快速合金、离子注入退火、氧化物生长、消除应力和致密化等工艺当中,通过快速热处理以改善晶体结构和光电性能,具有技术指标高、工艺复杂、专用性强的特点。一般参数:名称数值最高温度1200摄氏度升温速率150摄氏度/秒降温速率200摄氏度/分钟(1000摄氏度→300摄氏度)温度精度±0.5摄氏度温控均匀性≤0.5%设定温度加热方式红外卤素灯,顶部加热真空度10mTorr以下工艺应用:快速热处理(RTP),快速退火(RTA),快速热氧化(RTO),快速热氮化(RTN);离子注入/接触退火;金属合金;热氧化处理;高温退火;高温扩散。应用领域:化合物合金(砷化镓、氮化物,碳化硅等);多晶硅退火;太阳能电池片退火;IC晶圆;功率器件;MEMS;LED晶圆。设备说明:快速退火炉主要由真空腔室、加热室、进气系统、真空系统、温度控制系统、气冷系统、水冷系统等几部分组成。真空腔室:真空腔室是快速退火炉的工作空间,晶圆在这里进行快速热处理。加热室:加热室以多个红外灯管为加热元件,以耐高温合金为框架、高纯石英为主体。进气系统:真空腔室尾部有进气孔,精确控制的进气量用来满足一些特殊工艺的气体需求。真空系统:在真空泵和真空腔室之间装有高真空电磁阀,可以有效确保腔室真空度,同时避免气体倒灌污染腔室内的被处理工件。温度控制系统:温度控制系统由温度传感器、温度控制器、电力调整器、可编程控制器、PC及各种传感器等组成。气冷系统:真空腔室的冷却是通过进气系统向腔室内充入惰性气体,来加速冷却被热处理的工件,满足工艺使用要求。水冷系统:水冷系统主要包括真空腔室、加热室、各部位密封圈的冷却用水。硬件更换:1.加热灯管更换:加热灯管超过使用寿命或无法点亮时需进行更换。加热灯管的使用寿命为3000小时,高温状态下会降低其使用寿命。2.真空泵油更换:在使用过程中,请每季度固定观察1次真空油表,当油表显示油量低于1/3时请添加真空泵润滑油到油表一半以上。3.热电偶更换:当热电偶测温不正常或者损坏时需进行更换。热电偶的正常使用寿命为3个月,随环境因素降低其寿命。4.O型圈的更换:O型圈表面有明显破损或者无法气密时需进行更换,其寿命受外力以及温度因素影响。保养周期:项目检查周期零件或耗材加热灯管周IR灯管托盘表面擦拭周碳化硅材质热电偶固定状态周石英板清理季度O型圈检查更换季度真空泵油季度MR100M导向轴承季度使用润滑油产品推荐:全自动12英寸多腔体快速退火炉RTP设备规格:全自动操作模式,机械手臂自动上片取片;多腔体生产模式,单个腔体适应于 2英寸-12英寸 晶圆或者最大支持 300mmx300mm 样品;退火温度范围 300℃-1300℃;升温速率 ≦100℃/sec(裸片);温度均匀性 ≦±1%;真空腔体(可选配常压腔体或正压腔体);冷却方式包括水冷和氮气吹扫;MFC控制,3-5路制程气体。半自动12英寸快速退火炉RTP设备规格:适应于 2英寸-12英寸 晶圆或者最大支持 300mmx300mm 样品;退火温度范围 300℃-1300℃;升温速率 ≦100℃/sec(裸片);温度均匀性 ≦±1%;真空腔体(可选配常压腔体或正压腔体);冷却方式包括水冷和氮气吹扫;MFC控制,3-5路制程气体。桌上型4英寸快速退火炉RTP设备规格:桌上型小型快速退火炉;适应于 2英寸-4英寸 晶圆或者最大支持 100mmx100mm 样品;退火温度范围 300℃-1200℃;升温速率 ≦100℃/sec(裸片);温度均匀性 ≦±1%;常压腔体(可选配真空腔体);冷却方式包括水冷和氮气吹扫;MFC控制,1-4路制程气体。快速退火炉,RTA,RTP,合金炉,RTO,快速退火炉RTP,国产快速退火炉,自主研发,快速退火工艺,半导体设备,芯片退火设备
  • 多功能桌面型快速退火炉:高效退火,精准测温
    在半导体制造中,快速热处理(RTP)被认为是半导体制程的一个重要步骤。因为半导体材料在晶体生长和制造过程中,由于各种原因会出现缺陷、杂质、位错等结构性缺陷,导致晶格不完整,施加电场后的电导率较低。需要通过RTP快速退火炉进行退火处理,可以使材料得到修复,结晶体内部重新排列,可以消除硅片中的应力,激活或迁移杂质,使沉积或生长的薄膜更加致密化,并修复硅片加工中的离子注入损伤。RTP快速退火炉通常还用于离子注入退火、ITO镀膜后快速退火、氧化物和氮化物生长等应用。桌面型快速退火炉-RTP-Table-6RTP-Table-6为桌面型6英寸晶圆快速退火炉,使用上下两层红外卤素灯管 作为热源加热,内部石英腔体保温隔热,腔体外壳为水冷铝合金,使得制品加热均匀,且表面温度低。6英寸晶圆快速退火炉采用PID控制,系统能快速调节红外卤素灯管的输出功率,控温更加精准。桌面型快速退火炉的功能特点①极快的升温速率:RTP快速退火炉的裸片升温速率是150℃/s,大大缩短了热处理时间。②精确的温度控制:配备高精度的温度传感器和控制系统,确保温度的精确性和稳定性。③多样化的气氛选项:支持多种气体气氛,如氮气、氩气等,满足不同材料的热处理需求。④紧凑的桌面式设计:适合实验室和小型生产环境,节省空间,便于移动和部署。除了以上功能特点,在半导体制造的快速热退火工艺步骤中,测量晶圆的温度是关键。如果测量不准确,可能会出现过热和温度分布不均匀的情况,这两者都会影响工艺的效果。因此,晟鼎桌面型快速退火炉配置测温系统,硅片在升温、恒温及降温过程中精确地获取晶圆表面温度数据,误差范围控制在±1℃以内。桌面型快速退火炉的应用1. 晶体结构优化:在加热阶段,高温有助于晶体结构的再排列。这可以消除晶格缺陷,提高晶体的有序性,从而改善半导体材料的电子传导性能。2. 杂质去除:高温RTP快速退火可以促使杂质从半导体晶体中扩散出去,减少杂质的浓度。这有助于提高半导体器件的电子特性,减少杂质引起的能级或电子散射。3. 衬底去除:在CMOS工艺中,快速退火炉可用于去除衬底材料,如氧化硅或氮化硅,以形成超薄SOI(硅层上绝缘体)器件。4. 应力消除:高温退火还有助于减轻半导体器件中的内部应力,从而降低了晶体缺陷的形成,提高了材料的稳定性和可靠性。
  • 半导体快速退火炉的原理和应用
    半导体快速退火炉(RTP)是一种特殊的加热设备,能够在短时间内将半导体材料迅速加热到高温,并通过快速冷却的方式使其达到非常高的温度梯度。快速退火炉在半导体材料制造中广泛应用,如CMOS器件后端制程、GaN薄膜制备、SiC材料晶体生长以及抛光后退火等。一、快速退火炉的原理半导体快速退火炉通过高功率的电热元件,如加热电阻来产生高温。在快速退火炉中,通常采用氢气或氮气作为气氛保护,以防止半导体材料表面氧化和污染。半导体材料在高温下快速退火后,会重新结晶和再结晶,从而使晶体缺陷减少,改善半导体的电学性能,提高设备的可靠性和使用寿命。1.1快速退火(RTA)与传统退火相比,快速退火具有更高的加热和冷却速度。通过快速加热和冷却,可以缩短退火时间,提高生产效率。1.2快速热处理(RTP)热处理是半导体制造中的一项关键技术,它可以改变材料的微观结构和性能。在热处理过程中,材料被加热到高温,然后进行保温和冷却。这个过程中,材料内部的原子会发生重新排列,从而改变材料的物理、化学和机械性质。二、半导体退火炉的应用领域1.封装工艺在封装工艺中,快速退火炉主要用于引线的切割和组装。引线经过切割和组装后,可能会产生内应力,影响封装的稳定性和可靠性。通过快速退火处理,可以消除引线内的应力,提高封装的稳定性和可靠性,保证产品的使用寿命。2.CMOS器件后端制程在CMOS器件后端制程中,快速退火炉可用于修复制程中产生的损伤和缺陷,增强器件的电学性能。通过快速退火处理,可以减少CMOS器件中的氧化物陷阱电荷和界面态密度,提高器件的可靠性和寿命。3.GaN薄膜制备GaN是一种重要的宽禁带半导体材料,具有优异的光电性能和稳定性。在GaN薄膜制备过程中,快速退火炉可用于提高薄膜的结晶质量和表面平滑度。通过快速退火处理,可以消除薄膜中的应力,减少缺陷,提高GaN薄膜的光电性能和稳定性。4.SiC材料晶体生长SiC是一种具有高热导率、高击穿电压、高饱和电子速度等优良特性的宽禁带半导体材料。在SiC材料晶体生长过程中,快速退火炉可用于提高晶体生长的质量和尺寸,减少缺陷和氧化。通过快速退火处理,可以消除晶体中的应力,提高SiC材料的晶体品质和性能。5.抛光后退火在半导体材料抛光后,表面会产生损伤和缺陷,影响设备的性能。快速退火炉可用于抛光后的迅速修复损伤和缺陷,使表面更加平滑,提高设备的性能。通过快速退火处理,可以减少表面粗糙度,消除应力,提高材料的电学性能和可靠性。

退火炉相关的方案

退火炉相关的资料

退火炉相关的试剂

退火炉相关的论坛

  • 快速退火炉

    我想模拟连续退火,不知哪里可以有快速退火炉或者其它设备可以做实验,温度 加热到 800-840摄氏度,加热速度要大于1摄氏度每秒,不需要真空保护,要求可以直接测出试样的温度 请各位帮帮忙

  • 【求助】(已应助)求助退火炉的几篇文献

    1.用于铜管连续光亮退火炉的热交换强制冷却装置,中国树脂在线 → 化工文献 → 其他资料文献 → 有色金属 2.一种保护性气体在线吹扫铜管光亮连续退火炉,张民苏 蒋明根 严加伦 3.网链式铜管退火炉的研制,工业加热 2006年 第01期4.铜管光亮热处理炉的工艺设备及控制系统,余金波 中国计量协会冶金分会2007年会5.铜管(盘圆)辊底式连续光亮退火炉,王翔 王武 工业加热 2006年 第04期6.铜管拉伸工艺润滑油热解清洁性能的研究,周亚军 高志 肖刚 周立 湘潭大学自然科学学报 2000年 第04期7.井式光亮退火炉及其内吹扫工艺,羊林章 王云夫 佛山市顺德区精艺万希铜业有限公司8.铜材热处理技术与设备的开发,李耀群 陈志豪 有色金属工业 2003年 第04期

退火炉相关的耗材

  • 城池牌XQT实验叉车式快速淬火炉
    实验叉车式快速淬火炉  城池牌实验叉车式快速淬火炉又称快速实验淬火炉、实验快速叉车淬火槽、多功能淬火槽等,叉车式快速淬火炉主要由加热炉、小车行进系统、升降系统、淬火槽、搅拌系统、各传感器及控制系统组成。实验叉车式快速淬火炉  实验叉车式快速淬火炉主要应用于实验室环境下的铝合金、钢材等金属工件进行快速淬火、固溶等热处理之用,目前在在航空、航天、汽车、科研、大专院校、机械制造、船舶及化学工业中已大量应用。实验叉车式快速淬火炉发货  实验叉车式快速淬火炉有一台箱式电阻炉与一台带小车的淬火槽组合为一个快速淬火生产线,可以根据用户的产量和工艺要求配套几台不同的炉型,炉子的数量和炉型可以自由组合,本生产线可满足不同的生产工艺如:淬火、回火、退火、调质等热处理工艺,炉温有1200℃,950℃,650℃等,每条生产线配有一台快速下水淬火操作车,该操作车可上下、左右、前后六个方向移动,工件热处理完成后,操作车迅速进入炉内将工件从炉膛内叉出,并快速落入水池或淬火槽内,整个过程在1分钟内完成,生产效率高,操作方便,从而保证了工件的淬火质量。实验叉车式快速淬火炉客户现场  本淬火炉还可以按照客户要求定作为叉车式快速淬火炉且具体结构简单,直接布置在地面,无需做地基,布置位置可以根据车间规划来重新布置。温度均匀性好,淬火速度快等优点深受用户喜爱。欢迎来电来函订购。
  • 光纤导像管
    光纤导像管?采用熔融玻璃光纤棒,拥有抛光和磨砂表面?连贯的光纤排列,传递成像?加热后硬棒可变软,并能够随意改变方位光纤导像管可通过抛光面将图象从一个管传输到另外一个导象管,为适应空间需求,可伸直或弯曲使用,而不影响光的传输。在煤气灯和玻璃退火炉下均匀加热,同时施加压力,便可让光纤导向管产生弯曲。订购信息标题产品号25.4mm High Resolution Image Conduit with 12μm Fibers#53-83976.2mm High Resolution Image Conduit with 12μm Fibers#53-840152.4mm High Resolution Image Conduit with 12μm Fibers#38-301304.8mm High Resolution Image Conduit with 12μm Fibers#38-30225.4mm High Resolution Image Conduit with 24μm Fibers#53-84176.2mm High Resolution Image Conduit with 24μm Fibers#53-842152.4mm High Resolution Image Conduit with 24μm Fibers#38-303304.8mm High Resolution Image Conduit with 24μm Fibers#38-30425.4mm Standard Res Image Conduit with 25μm Fibers#53-84376.2mm Standard Res Image Conduit with 25μm Fibers#53-844152.4mm Standard Res Image Conduit with 25μm Fibers#38-305304.8mm Standard Res Image Conduit with 25μm Fibers#38-30625.4mm Standard Res Image Conduit with 50μm Fibers#53-84576.2mm Standard Res Image Conduit with 50μm Fibers#53-846152.4mm Standard Res Image Conduit with 50μm Fibers#40-642304.8mm Standard Res Image Conduit with 50μm Fibers#40-64325.4mm Standard Res Image Conduit with 100μm Fibers#53-84776.2mm Standard Res Image Conduit with 100μm Fibers#53-848152.4mm Standard Res Image Conduit with 100μm Fibers#38-307304.8mm Standard Res Image Conduit with 100μm Fibers#38-308
  • 马弗炉热电偶
    马弗炉,高温炉,箱式炉,台车炉,退火炉,管式炉,升降路中的热电偶有K型、S型、R型 B型…等等不同规格,两种不同成份的导体(称为热电偶丝材或热电极)两端接合成回路,当接合点的温度不同时,在回路中就会产生电动势,这种电动势称为热电势。热电偶就是利用这种原理进行温度测量的,其中,直接用作测量介质温度的一端叫做工作端(也称为测量端),另一端叫做冷端(也称为补偿端);冷端与显示仪表或配套仪表连接,显示仪表会指出热电偶所产生的热电势。 热电偶测温的应用原理 热电偶是工业上zui常用的温度检测元件zhi一。其优点是: 测量精度高。因热电偶直接与被测对象接触,不受中间介质的影响。 测量范围广。常用的热电偶从-50~+1600℃均可边续测量,某些特殊热电偶zui低可测到-269℃(如金铁镍铬),zui高可达+2800℃(如钨-铼)。 构造简单,使用方便。热电偶通常是由两种不同的金属丝组成,而且不受大小和开头的限制,外有保护套管,用起来非常方便。 热电偶实际上是一种能量转换器,它将热能转换为电能,用所产生的热电势测量温度,对于热电偶的热电势, 应该注意以下基本概念: 热电偶的热电势是热电偶两端温度函数的差,而不是热电偶两端温度差的函数; 热电偶所产生的热电势的大小,当热电偶的材料是均匀时,与热电偶的长度和直径无关,只与热电偶材料的成份和两端的温差有关; 当热电偶的两个热电偶丝材料成份确定后,热电偶热电势的大小,只与热电偶的温度差有关;若热电偶冷端的温度保持一定,这热电偶的热电势仅是工作端温度的单值函数。   常用热电偶丝材及其性能 1、铂铑10-铂热电偶(S型,也称为单铂铑热电偶)Orton使用的就是这种热电偶 该热电偶的正极成份为含铑10%的铂铑合金,负极为纯铂;它的特点是: 热电性能稳定、抗氧化性强、宜在氧化性气氛中连续使用、长期使用温度可达1300℃,超达1400℃时,即使在空气中、纯铂丝也将会再结晶,使晶粒粗大而断裂; 精度高,它是在所有热电偶中,准确度等级zui高的,通常用作标准或测量较高的温度; 使用范围较广,均匀性及互换性好; 主要缺点有:微分热电势较小,因而灵敏度较低;价格较贵,机械强度低,不适宜在还原性气氛或有金属蒸汽的条件下使用。 2、镍铬-镍硅(镍铝)热电偶(K型) 该热电偶的正极为含铬10%的镍铬合金,负极为含硅3%的镍硅合金(有些国家的产品负极为纯镍)。可测量0~1300℃的介质温度,适宜在氧化性及惰性气体中连续使用,短期使用温度为1200℃,长期使用温度为1000℃,其热电势与温度的关系近似线性,价格便宜,是目前用量zui大的热电偶。 K型热电偶是抗氧化性较强的jian金属热电偶,不适宜在真空、含硫、含碳气氛及氧化还原交替的气氛下裸丝使用;当氧分压较低时,镍铬极中的铬将择优氧化,使热电势发生很大变化,但金属气体对其影响较小,因此,多采用金属制保护管。 K型热电偶的缺点: 热电势的高温稳定性较N型热电偶及贵重金属热电偶差,在较高温度下(例如超过1000℃)往往因氧化而损坏; 在250~500℃范围内短期热循环稳定性不好,即在同一温度点,在升温降温过程中,其热电势示值不一样,其差值可达2~3℃; 负极在150~200℃范围内要发生磁性转变,在室温至230℃范围内分度值往往偏离分度表,尤其是在磁场中使用时往往出现与时间无关的热电势干扰; 长期处于高通量中系统辐照环境下,由于负极中的锰(Mn)、钴(Co)等元素发生蜕变,使其稳定性欠佳,致使热电势发生较大变化。 3、镍铬硅-镍硅热电偶(N型) Orton的低温膨胀仪上使用的就是这种热电偶 该热电偶的主要特点是:在1300℃以下调温抗氧化能力强,长期稳定性及短期热循环复现性好,耐核辐射及耐低温性能好,另外,在400~1300℃范围内,N型热电偶的热电特性的线性比K型偶要好;但在低温范围内(-200~400℃)的非线性误差较大,同时,材料较硬难于加工。 4、铂铑30-铂铑6热电偶(B型) 该热电偶的正极是含铑30%的铂铑合金,负极为含铑6%的铂铑合金,在室温下,其热电势很小,故在测量时一般不用补偿导线,可忽略冷端温度变化的影响;长期使用温度为1600℃,短期为1800℃,因热电势较小,故需配用灵敏度较高的显示仪表。 B型热电偶适宜在氧化性或中性气氛中使用,也可以在真空气氛中的短期使用;即使在还原气氛下,其寿命也是R或S型的10~20倍;由于其电极均由铂铑合金制成,故不存在铂铑-铂热电偶负极上所有的缺点、在高温时很少有大结晶化的趋势,且具有较大的机械强度;同时由于它对于杂质的吸收或铑的迁移的影响较少,因此经过长期使用后其热电势变化并不严重、缺点价格昂贵。
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