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介质损耗测试仪突破了传统的测量方式,是一种新颖的测量介质损耗角正切(tanδ)和电容值(Cx)的自动化仪表。它采用单片机和现代化电子技术进行自动数据采集、模/数转换和数据运算。不仅操作简便、测试速度快而且精度高。 介质损耗测试仪的主要特点如下: 1.介质损耗测试仪的内部使用的是45HZ/55HZ异频电源,从根本上解决了现场抗干扰的难题,提高了精确度。 2.测试仪的内部附有高精密SF6标准电容,该电容tgδ不随温度、湿度等变化。 3.介质损耗测试仪有大屏幕(240×128)菜单式操作,全新中文界面,使用非常方便。 4.全电子调压,输出电压连续可调。 5.多重保护,介质损耗测试仪能在高压短路、激穿、过压、过流及电压波动下快速切断高压。 6.含有特殊的自激法测量全密封的CVT,可直接测试C1、C2的介质损耗。
样品: ITO 氧化铟锡, 标记为 ITO1, ITO2, ITO3样品薄膜厚度: 60 - 100 nm样品尺寸: 10 * 10 mm实验内容: 载流子浓度, 类型, 霍尔迁移率, 方块电阻 实验仪器: 上海伯东英国 NanoMagnetics ezHEMS [url=http://www.hakuto-vacuum.cn/product-list.php?sid=131][color=#0000ff]霍尔效应测试仪[/color][/url]测试温度和磁场温度: 300K RT 1 Tesla[color=#ff0000]* 在测试开始前, 仪器均经过标准样品校验. 所有样品根据 ASTM 标准.[/color][b][color=#000000]样品 ITO1 测试结果:[/color][color=#000000]I-V 测量结果[img=霍尔效应测试仪 ITO 薄膜]http://www.hakuto-vacuum.cn/hakuto_upfile/images/ITO-nano.jpg[/img][/color][/b][color=#000000][b]VdP 测量结果[/b][/color][color=#000000] 测量头类型: RT Head 磁场: 9677G 厚度: 80nm[img=霍尔效应测试仪 ITO 薄膜]http://www.hakuto-vacuum.cn/hakuto_upfile/images/ITO-vdp.jpg[/img][/color][b]部分测试结论:[/b]1. 得到的电阻值彼此相容.2. 所有的IV 曲线都是线性的3. 所有样本都是欧姆的,统一的,均匀的.4. Van der Pauw 测试为了保证准确性, 测试了2次, 测试结果是相同的. ...[color=#ff0000]* 鉴于信息保密, 更详细的霍尔效应测试案例欢迎联络上海伯东[/color]
推荐个仪器吧测试条件:塑胶电参数(1GHz下)介电常数为2.92+/-0.1,损耗正切值0.007。下壳密封壳体部分的塑胶电参数(1G/2G/3G下)介电常数为3.05+/-0.1/3.17+/-0.1/3.25+/-0.1,损耗正切值0.0048/0.005/0.0057