二极管会导致试验箱

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二极管会导致试验箱相关的厂商

  • 高天试验箱实验设备有限公司
    湖北高天试验设备有限公司（GAOTIAN）是中国领先的试验设备制造商，公司位于湖北省东西湖径河路和昌工业园，是一家拥有自主知识产权的高新技术企业，为国内外数百家企业提供过优质的试验设备和服务。 公司成立于2000年，历经10余载，在公司100多人的共同努力下稳步发展，为社会创造价值。公司拥有德国进口的数控冲床、国内先进的数控折弯机、激光切割机并采用国内最先进的全自动静电喷塑流水线等先进的加工设备，公司拥有专业的研发团队、一流的技术人员，其中有很多人都是跻身试验设备行业数十载，能为顾客提供最准确的技术方案。 公司已通过ISO9001体系认证并全面贯彻执行其质量保证体系的要求，在产品的研发、设计、制造、质量控制及销售服务协调方面始终保持高效运作。产品的研发设计符合：ISO、ASTM、AATCC、TAPPI、UL、VDE、IEC、ANSI、ASME、CSA、JIS、BS、EN、DIN、SATRA、GB、CNS等测试标准。 秉承“品质第一，服务至上”的宗旨，公司产品从研发到生产，再到出货，包括对供应商的筛选评估等，每个环节都严格控制产品的质量，高天自成立以来，每一个高天人都严格遵循着“品质第一”的工作态度，10余载从未间断。“为客户提供最满意的服务”——高天对顾客永远的承诺。基于东莞工厂，公司在广东、湖北、浙江、江苏等地都设立了办事处，确保及时为客户提供服务。我们时时刻刻都在倾听顾客的声音，用心为服务到永远，用心追求顾客的满意！ 时间见证一切，经过多年的努力，高天的客户已遍及电子、电器、汽车、印刷、包装、五金、塑胶、军工、学校、科研……行业。其中包括富士康科技、格力电器、深圳中信海直股份公司、海南马自达、深圳缉私局、福建质监所、南昌铁路局、大连化物所、浙江大学、广东工业大学、广州王老吉、李锦记食品、欧普照明、柯达、苏泊尔电器、美的等众多知名企业，受到广大客户的好评。 公司主营产品:盐雾试验机，盐雾试验箱，高低温试验箱，恒温恒湿试验箱，振动试验台，破裂强度试验机，环压试验机，可程式恒温恒湿试验箱，高低温交变湿热试验箱，单点式恒温恒湿试验机，高温老化房，各种精密烤箱，冷热冲击试验箱，拉力试验机， 跌落试验机（双翼、单翼），电磁式振动试验台，模拟汽车运输振动台，线材弯折试验机（摇摆测试验机），酒精耐摩擦试验机，纸箱耐压试验机，环压强度试验机，对色灯箱等。
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  • 筱晓（香港）光子技术有限公司 银牌1年
    400-860-5168转4708
    Idealphotonics是向科学、研究和工业界提供激光组件、检测器、激光二极管以及光源和系统的主要供应商。我们有能力设计和制造以Idealphotonics品牌销售的自己的产品系列，并且还可以提供源自北美，欧洲和远东公司的世界一流的激光产品。我们具有独特的优势来协助客户，能够：提供不同种类的光纤和激光组件光源，激光二极管（也提供OEM），激光探测器集成芯片和制造复杂的系统根据客户的定制或OEM要求进行设计和制造FOG，FBG和BODTR系统是Idealphotonics的自有品牌产品，包括我们屡获殊荣的FOG系统，FBG监控产品，激光组件。由于我们的激光二极管封装技术，我们可以将我们的激光二极管以最佳的性能用于TDLAS应用。探测器工厂可为光信号探测器提供高灵敏度探测器。我们的所有客户，从全球学术机构和政府机构到商业研究人员和行业，都能获得最高水平的服务，并由我们经验丰富的工程师团队提供可靠的技术支持。我们对我们为您提供的所有服务充满信心。
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  • 日新基贸易（深圳）有限公司
    日新基贸易（深圳）有限公司• 日本总公司 THINKY CORPORATION在1971年成立，成立初期由计量仪器开始, 研发了发光二极管使用的低价显示器，使公司在1991年的销售额达到8亿9千万日元的辉煌时期， 然不久日本经济走入泡沫崩溃阶段，产业用计量仪器开始走下滑路， 此时公司专务从齿科医生处得知齿科界正在攻克一个软膏混合的难题，公司以此为契机， 研究并开发了第一台齿科用混合软膏搅拌机（详情请阅读开发秘闻），之后依次在涂药，印膜材， 医疗各领域得到积极反响，公司的事业支柱由此转型为专业搅拌机的研究开发。
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  • 理想真空二极管综合实验/ PN结特性和玻尔兹曼常数实验装置 400-860-5168转6044
    理想真空二极管综合实验装置，YMP-6109 简介YMP-6109型实验装置通过测量金属钨的电子逸出功，将钨丝作为“理想”二极管的阴极材料，阳极做成与阴极共轴的金属圆环，把阴极发射端限制在温度均匀的一定长度内而又可以近似的把电极看成是无限长的无边缘效应的理想状态。为了避免阴极的冷端效应（两端温度较低）和电场不均匀等边缘效应，在阳极两端各加装一个保护（补偿）电极，它们与阳极同电位但与阳极绝缘。当钨丝通电发光发热后，金属内部部分热电子获得大于逸出功的能量，从金属表面逃逸形成热电子发射电流。根据金属中电子能量遵从费米-狄拉克量子统计分布规律，获得热电子发射电流公式，从而计算逸出功（WorkFunction）。YMP-6109是在YMP-6108装置的基础上增加了一个电源和一个螺线管线圈，从而升级为理想真空二极管综合实验装置。实验内容在金属逸出功测定的基础上增加：电子在径向电场和轴向磁场中的运动、费米-狄拉克分布的研究和理想真空二极管的伏安特性。特点理想真空二极管透明直观阳极电流测量准确稳定，阳极电压输出高效精准螺线管线圈可以方便地置于理想真空管的亚克力罩上可升级为数字化实验实验内容金属电子逸出功的测定电子在径向电场和轴向磁场中的运动。（磁控法测量电子荷质比）费米-狄拉克分布的研究理想真空二极管的伏安特性PN结特性和玻尔兹曼常数实验，YMP-6107简介YMP-6107型实验装置包含一个微电流源来用作PN结的正向电流，通过改变PN结正向电流来获得PN结两端的正向压降，这样就得到PN结的伏安特性曲线数据。本实验还配备一套控温装置，用来测量不同温度下的PN结的伏安特性曲线，研究PN结正向电压、电流和温度之间的关系，通过计算得到玻尔兹曼常数k、灵敏度S和硅材料的禁带宽度。特点温控系统利用半导体制冷片进行加热及制冷，可以快速升温和降温。采用微电流恒流源作为正向电流源，解决了微电流测量不稳定的问题，准确测量玻尔兹曼常数。采用开放式的加热装置，具有很好的拓展性可升级为数字化实验实验内容在室温下，测绘PN 结正向电压随正向电流的变化曲线，求得玻尔兹曼常数；在不同温度下，测绘PN 结正向电压随正向电流的变化曲线，求得玻尔兹曼常数；恒定正向电流条件下，测绘PN 结正向压降随温度的变化曲线，计算结电压随温度变化的灵敏度。计算在0K时半导体（硅）材料的禁带宽度。
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    厂商： 忆玺智能科技(杭州)有限公司
    品牌： 忆玺智科/YIXIST
    型号： YMP-6109/YMP-6107
    价格： 面议
  • 高速二极管 高速InGaAs光电二极管 InGaAs二极管 400-860-5168转2255
    InGaAs光电二极管 Fermionics公司于1991年在加利福尼亚成立，它是一家生产InGaAs光电二极管的独立生产商，产品主要是用于光学通信、测试仪器、传感和医学设备应用。高速InGaAs光电二极管（FD50~FD300）描述：1.探测速度非常快、电容低、暗电流低；2.适用于高比特率接收机、高速模拟和数字通信系统、LAN、FDDI、红外仪器和探测应用；3.所有的器件使用平面钝化技术制造；4.光灵敏表面镀有宽带增透膜；5.光灵敏区域直径：50、80、100、150和300微米；6.存储温度：-40~100℃；工作温度：-40~85℃。大面积InGaAs光电二极管（FD500~FD5000W）描述：1.大面积光电二极管用于红外仪器和探测、中速通信系统；2.在波长范围800到1700纳米响应良好；3.分流电阻对低光信号灵敏度高；4.所有器件使用平面钝化技术制造；5.光灵敏表面镀有宽带增透膜；6.光灵敏区域直径：500、1000、1500、2000、3000和5000微米。杭州谱镭光电技术有限公司(HangzhouSPL Photonics Co.,Ltd)是一家专业的光电类科研仪器代理商，致力于服务国内科研院所、高等院校实验室、企业研发部门等。我们代理的产品涉及光电子、激光、光通讯、物理、化学、材料、环保、食品、农业和生物等领域，可广泛应用于教学、科研及产品开发。 我们主要代理的产品有：微型光纤光谱仪、中红外光谱仪、积分球及系统、光谱仪附件、飞秒/皮秒光纤激光器、KHz皮秒固体激光器、超窄线宽光纤激光器、超连续宽带激光器、He-Ne激光器、激光器附件及激光测量仪器、光学元器件、精密机械位移调整架、光纤、光学仪器、光源和太赫兹元器件、高性能大口径瞬态（脉冲）激光波前畸变检测干涉仪（用于流场、波前等分析）、高性能光滑表面缺陷分析仪、大口径近红外平行光管、Semrock公司的高品质生物用滤波片以及Meos公司的光学教学仪器等。 拉曼激光器，量子级联激光器，微型光谱仪，光机械，Oceanoptics，Thorlabs 。。。热线电话： / 传真：网址： /邮箱：
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    厂商： 杭州谱镭光电技术有限公司
    品牌： Fermionics
    型号： 高速InGaAs光电二极管
    价格： 面议
  • 光电二极管 400-860-5168转2255
    光电二极管 Related Products Thorlabs提供一系列分立光电二极管和经过校准的光电二极管。其中包括铟镓砷（InGaAs）光电二极管，磷化镓 （GaP）光电二极管，硅（Si）光电二极管， 和锗（Ge）光电二极管。我们也提供一些专用的光电二极管。例如DSD2双波段光电二极管，它在一个包装内同时提供硅光电二极管和铟砷化镓光电二极管，两者结合起来可以达到400到1700纳米的波长范围。FGA20是一个具有高响应率的铟镓砷光电二极管，波长范围从1200到2600纳米，能够探测到的波长范围比典型的铟镓砷光电二极管的1800纳米要高。我们也提供FGAP71，它是一种磷化镓（GaP）光电二极管，它的波长范围是我们所提供的光电二极管中最短的，从150纳米到550纳米。磷化镓光电二极管－紫外波长Zoom超短波长范围（150至550纳米）快速上升时间安装在带有蓝宝石窗口的密封封装内型号 #波长范围(nm)有效面积二极管封装类型b上升/(下降)時間a噪音等效功率(W/Hz1/2)暗电流接合电容aFGAP71150 - 5504.8 mm2(2.5 mm x 2.5 mm)-1 ns (140 ns)@ 5 V1.0 x 10-14@ 440 nm10 nA (最大)@ 5 V-a) 典型值 RL＝50欧姆b) 详细的引脚配置请参见规格表ください。硅光电二极管－可见光波长ZoomFDS02特性：直接光纤耦合FC/PC封装系统，并且保持高速特性FDS010特性：紫外级融石英窗口，提供低至200纳米的灵敏度范围FDS100特性：TO-5型金属封装中最大的传感器FDS1010特性：安装在绝缘的陶瓷衬底上，在本系列中具有最大有效面积。型号 #波长范围(nm)有效面积二极管封装类型b上升/（下降）时间aNEP(W/Hz1/2)暗电流(典型値)结电容aFDS02 400 - 11000.25 mmTO-46FC/PC Connector47 ps (246 ps) @ -5 V9.3 x 10-1535 pAd @ 5 V0.94 pF@ 5 VFDS010200 - 11000.81 mm2(Ø 1 mm)TO-5/PIN@ 20 V5.0 x 10-14@ 900 nm2.5 nA10 pF@ 0 VFDS100350 - 110013 mm2(3.6 mm x 3.6 mm)TO-5/PIN10 ns (10 ns)@ 20 V1.2 x 10-14@ 900 nm20 nA20 pF@ 1VFDS1010400 - 1100100 mm2(9.7 mm x 9.7 mm)Ceramic Wafer45 ns (45 ns)@ 5 V5.5 x 10-13@ 900 nm0.6 µ A@ 5V375 pF @ 5Va) 典型値. RL = 50 欧姆b) 详细引脚配置请参看专门规格表d) 最大500 pA铟镓砷光电二极管&mdash 近红外到红外波长ZoomFGA04特性：直接光纤耦合FC/PC封装系统，并且保持高速特性FGA10特性：高速、有效面积大。FGA20特性：波长范围长FGA21特性：本系列中有效面积最大的产品。型号波长范围(nm)有效面积二极管封装形式b上升（下降）时间aNEP(W/Hz1/2)暗电流(典型值)结电容aFGA04c800 - 18000.008 mm2(Ø 0.1 mm)TO-46 w/ FC/PC Connector100 ps (100 ps)@ 5 V1.5 x 10-15@ 1550 nm0.5 nA@ 5 V1.0 pF @ 5 VFGA10700 - 18000.81 mm2(Ø 1 mm)TO-5/PIN10 ns (10 ns)@ 5 V2.5 x 10-14@ 900 nm100 nA @ 5 V (max)80 pF @ 0 VFGA201200 - 26000.79 mm2(Ø 1 mm)TO-18/PIN23 ns (23 ns)@ 1 V2.0 x 10-1275 µ A @ 1 V (max)200 pF @ 1 VFGA21800 - 18003.14 mm2(Ø 2 mm)TO-5/PIN66 ns (66 ns)@ 0 V3.0 x 10-14@ 2300 nm200 nA @ 1 V500 pF @ 0 Va)典型値.RL=5欧姆b) 详细的引脚配置请参见规格表。c) 探测器本身的损伤阈值为70毫瓦（连续光）然而，封装内部的电线（非导线）在光电流超过10毫安的情况下可能会熔化，将会造成装置失效。当将FGA04用于更高功率的应用时，该区域中探测器具有高的响应率，请考虑使用 光纤衰减器。t锗光电二极管－近红外波长ZoomFDG03具有大有效面积，为TO-5封装。FDG05为陶瓷衬底并具有高速特性。FDG1010为陶瓷衬底，其上具有最大的有效面积。请注意，FDG05和FDG1010上的引线是通过导电的环氧树脂连接到传感器上，因为焊接会破坏传感器。这使得连接比较脆弱。参看内附的操作说明保护连接处。型号 #波长范围(nm)有效面积二极管封装类型b上升/(下降)时间aNEP(W/Hz1/2)暗电流（典型值）结电容aFDG03800 - 18007.1 mm2(Ø 3 mm)TO-5/PIN500 ns (500 ns)@ 3 V1.0 x 10-12@ 1550 nm4.0 µ A@ 1 V4 nF @ 1 VFDG05800 - 180019.6 mm2(Ø 5 mm)Ceramic Substrate220 ns@ 3 V4.0 x 10-12@ 1550 nm40 µ A @ 3 V3 nF @ 5 VFDG1010800 - 1800100 mm2(10 mm x 10 mm)Ceramic Substrate3.5 µ s@ 1 V4.0 x 10-12@ 1550 nm50 µ A (max.)@ 0.5 V30 nF @ 0.5 Va) 典型值。 RL=50欧姆b) 详细引脚图请参看规格表 双波段探测器Zoom 双探测器芯片设计－硅在铟镓砷上－具备宽探测范围4引脚的TO-5型封装大有效面积型号 #波长范围(nm)有效面积二极管封装类型b上升/(下降)时间aNEP(W/Hz1/2)典型暗电流结电容aDSD2400 - 11001000 - 1700Ø 2.54 mmØ 1.5 mmTO-5/PIN4 µ s (典型値)(两层)1.9 x 10-142.1 x 10-13-450 pF300 pFa) 典型値 RL =50欧姆b) 详细引脚图请参看规格表
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    厂商： 杭州谱镭光电技术有限公司
    品牌： Thorlabs
    型号： SPL光电二极管
    价格： 面议
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  • 有机光电二极管 - 超越硅光电二极管的新星
    【重点摘要】硅光电二极管的刚性结构给大面积低成本扩展带来困难,限制了它在一些新兴应用中的使用。通过详细的表征方法,揭示了基于聚合物体异质结的有机光电二极管中,收集电荷的电极对低频噪声的影响。经过优化的有机光电二极管在可见光范围内的各项指标(响应时间除外)可媲美低噪声硅光电二极管。溶液处理制备的有机光电二极管提供了一些设计机会,例如用于生物识别监测的大面积柔性环形有机光电二极管,其性能可达到硅器件的水平。【硅光电二极管的局限性】 数十年来,硅光电二极管一直是光检测技术的基石,但它们的结构刚性给大面积低成本扩展应用带来许多局限。这给新兴的光电检测应用带来挑战。为实现更大面积的光电检测以及柔性基片上低成本光电二极管的制作,我们需要寻找新的材料体系。【有机光电二极管的低频噪声特性】 有机光电二极管常基于聚合物制成,具有结构灵活性等优势。研究人员通过详细的表征方法学,考察了这类二极管低频电子噪声的来源,发现负责收集电荷的电极对低频噪声有重要影响。这为设计低噪声的有机光电二极管奠定了基础。【有机光电二极管的指标表现】 经过优化设计后,有机光电二极管的大多数指标已可达到商用硅光电二极管的水平,特别是在可见光范围内。例如响应度、灵敏度、线性度、功耗等。它们的响应时间仍比不上硅二极管,但对大多数视频速率的应用已经足够。【应用展望】 溶解性的有机光电二极管制造过程为它们带来了许多应用机会。例如,大面积柔性的环形有机光二极管可用于生物识别监测。此类二极管成本低,可在多种非平面基片上制作,性能已达商用硅器件的水平。它们有望在新兴的光电子学领域大放异彩。图1 硅光电二极管(SiPD)与有机光电二极管(OPD)性能比较(A) OPD 尺寸结构。(B)测量所得光谱响应度。EQE,外量子效率。(C) 测量所得光照度依赖的光电流和响应度。LDR,线性动态范围。(D) 测量所得均方根噪声电流、噪声当量功率 (NEP)和特定探测度统计框图(_N_代表数据点数量)。Max,最大值 Min,最小值。图2 SiPD 和 OPD 中的稳态暗电流密度和电子噪声特性(A) 电压依赖的暗电流密度。Exp.,实验值。(B) 反向偏置下,建模和测量所得均方根噪声电流比较。图3 SiPD 和 OPD 中的时域响应特性(A) 负载电阻依赖的 10-90% 上升和下降响应时间。(B) 525 nm处频率依赖的归一化响应度。图4 弯曲 OPD(Flex-OPD)及其在光电容积图(PPG)中的应用(A) Flex-OPD 器件几何结构。PES,聚醚砜。(B) 小面积、大面积 Flex-OPD 和大面积 OPD 中的均方根噪声电流、响应度、NEP 和特定探测度统计框图。(C) S1133 SiPD 和环形 Flex-OPD PPG 阵列原理图(上) 手指反射模式 PPG 信号的 SiPD 和不同功率红色 LED驱动的环形 Flex-OPD PPG 阵列比较(下)。
    时间： 2023-12-14
    作者： 光焱科技
  • 光电二极管的量子效率：如何提高光电二极管的量子效率？
    提高光电二极管的量子效率 (QE) 可以通过多种方法实现：优化材料特性：选择吸收系数较高的材料可以增强光子吸收，从而提高QE。表面钝化：最大限度地减少表面缺陷和复合中心可以减少电子空穴对复合，从而提高 QE。抗反射涂层：应用减少反射的涂层可以增加进入光电二极管的光子数量，从而增强 QE。器件几何优化：设计具有最佳厚度和几何形状的光电二极管可以提高光吸收和载流子收集效率。增强光捕获：在光电二极管内采用捕获光的结构或技术可以增加与光子的相互作用长度，从而提高 QE。这些方法中的每一种都针对光电二极管操作的不同方面，以最大限度地提高其将光转换为电信号的效率。图 抗反射 (AR) 涂层对不同波长范围内光电二极管的量子效率 (QE) 的积极影响。QE 以百分比形式测量，表示光电二极管将入射光子转换为电流的效率。不同的曲线代表具有不同结构或材料的光电二极管，它们吸收不同波长范围的光。从图中可以明显看出，增透膜的应用增强了所有三种类型光电二极管的 QE。涂层减少了表面的光子反射，允许更多的光被吸收并转化为电信号，从而直接提高 QE。当具有增透膜的曲线与没有增透膜的曲线相比达到更高的百分比值时，这一点尤其明显。光伏检测请搜寻光焱科技
    时间： 2024-04-03
    作者： 光焱科技
  • 二极管阵列检测器——从现象到本质看木犀草素
    二极管阵列检测器——从现象到本质看木犀草素沈国滨 施磊 金燕 01紫外检测器的进阶版本——二极管阵列检测器(Diode Array Detector, DAD)紫外检测器(Ultraviolet Detector, UV)是目前HPLC应用最广泛的检测器，其工作原理是朗伯-比尔定律。紫外检测要求被检测样品组分具有紫外吸收，通常选择在被分析物有最大吸收的波长处进行检测，以获得最大灵敏度和抗干扰能力。可惜这会导致其它组分在该通道下的吸收变弱甚至无紫外吸收。因此，单通道紫外检测器在对目标化合物，特别是未知化合物进行纯度及定量分析时，结果可能会产生严重的偏差。图1 朗伯-比尔定律（A=lg(1/T)=Klc） 二极管阵列检测器(Diode Array Detector, DAD)是一种新型的光吸收检测器，它采用光电二极管阵列作为检测元件，形成多通道并行工作，可对光栅分离的所有波长的光信号进行检测，从而迅速决定具有最佳选择性和灵敏度的波长。可得任意波长的色谱图及任意时间的光谱图，具有色谱峰纯度鉴定、光谱图检索等功能，为定性、定量分析提供更丰富的信息。图2 二极管阵列检测器 02 DAD在天然产物构型变化监测时的妙用独一味（学名：Lamiophlomis rotata）是唇形科独一味属植物，有活血祛瘀，消肿止痛的功效，是青藏高原特有的一种重要药用植物。木犀草素是独一味叶中的主要成分 (Luteolin, CAS No. 491-70-3 )，是一种天然弱酸性的黄酮类化合物。木犀草素具有抗炎、抗过敏等作用，可用于治疗COPD、支气管哮喘以及慢性咽炎、变应性鼻炎等引起的慢性咳嗽。图3 木犀草素结构式本文基于赛默飞液相色谱系统和二极管阵列检测器，开发了一种可用于检测中药独一味胶囊提取液中木犀草素含量的方法。通过DAD检测器不仅可以实现定量分析，也可以用于色谱峰的定性分析。同时利用DAD全波长扫描的结果以证实木犀草素在流动相pH变化时会发生最大吸收波长红移，从而影响其在C18色谱中的保留等现象进行解释。 03 实验部分色谱条件流动相pH值对色谱行为的影响图4 流动相不同pH对于保留时间和吸收波长的影响 实验结合文献表明木犀草素对于流动相的pH敏感，依据计算模拟表明木犀草素的pKa 为 6.5±0.4。即在中性时，部分木犀草素可能以极性较强的离子形式存在，保留较弱；当调节pH为酸性时，抑制了电离，使得该分子以分子形式存在。借助二极管阵列检测器（DAD），可以实现全波长扫描，可以获得更全面的紫外光谱信息。木犀草素的紫外吸收波谱也对流动相的pH敏感，不仅保留时间产生了较大的差异，且随着碱性增强，最大吸收波长产生红移。表明该物质会在不同pH条件下产生不同的构象，且构象的变化会引起共轭结构的变化。 样品分析结果图5 标准品与样品对照色谱图（蓝色：标准品，黑色：样品） 图6 样品DAD三维色谱图（插图：8.640分钟的紫外吸收光谱图） 木犀草素保留良好，色谱峰形对称，无杂质干扰，可用于定性和定量分析。在0.3~100 μM 的范围内线性良好，相关系数R2达0.9999。进样精密度良好，标准品和样品的保留时间RSD均小于为0.2 %，峰面积RSD均小于为0.9 %。根据分析标准品保留时间的紫外吸收光谱，可见样品中对应色谱峰的最大吸收波长与木犀草素一致，推断该物质为木犀草素。根据校正曲线计算可得独一味胶囊提取液中木犀草素的摩尔浓度为27.4 μM。通过在样品中加入已知浓度的标准品来判断方法的准确性，该方法的回收率在95.9~103.0%之间。 04 结论本文基于赛默飞液相系统和二极管阵列检测器，开发了一种可用于检测中药独一味胶囊提取液中木犀草素含量的方法。通过DAD检测器不仅可以实现定量分析，也可以用于色谱峰的定性分析。利用DAD全波长扫描结合其它有关计算，验证了木犀草素在不同pH条件下最大吸收波长产生了红移，从而影响其在C18色谱中的保留。本文报道的方法能为极性小分子检测方法的开发提供定性和定量分析实验基础，为阐明色谱柱中的保留机理提供了理论依据，凸出了全波长扫描DAD检测器在分析物质变化过程和监测反应过程时的优势。
    时间： 2021-12-06
    作者： 赛默飞色谱与质谱
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  • 硅光电二极管探测器EUV响应的温度依赖性
    使用同步加速器和实验室辐射源测量了硅光电二极管在3至250nm波长范围内从-100℃到+50℃的响应性。研究了两种类型的硅光电二极管，具有薄氮化二氧化硅表面层的AXUV系列和具有薄金属硅化物表面层的SXUV系列。根据波长的不同，响应率随着温度的升高而增加，AXUV光电二极管的速率为0.013%/C至0.053%/C，SXUV光电二极管为0.020%/C至0.084%/C。响应度的增加与硅带隙能量的减少相一致，这导致对产生能量的增加。这些结果对于极紫外（EUV）光刻步进器和光源中的剂量测量尤其重要，因为所涉及的高EUV强度通常会导致探测器温度增加。
  • 二极管阵列检测器在农药液相色谱分析中的应用
    二极管阵列检测器是一种基于光电二极管阵列技术的新型检测器。使用二极管阵列检测器，可以对色谱峰进行光谱扫描、峰纯度鉴定等定性分析，在方法研究中可以快速选择最佳检测波长，在多组分混合物分析中可以编辑波长程序。由于具有这些明显优势，二极管阵列检测器在农药分析中有着极佳的应用前景。
    厂商： 上海力晶
  • 利用激光二极管进行光输出功率的建模方法
    本文提出了一种激光二极管光输出功率的建模方法，包括其对温度的依赖性。本研究使用的设备是一个40W的Monocrom二极管，发射波长为808nm的光，带有一个19个发射器的CS安装激光板条，使用Monocrom的夹紧方法安装。本研究的目的是提出激光二极管器件的Pspice模型，主要关注光学输出功率随温度的变化，并允许其计算机模拟。还要建立一个表征系统，以获得光学模型数学表达式所需的参数值。因此，本文解释了所提出的激光条形二极管光输出功率模型生成方法及其参数值的获取方法、光输出功率测量装置及其校准、所获得的Pspice模型及其仿真，以及能够获得具有短上升时间电流斜率的必要参数的表征系统。最后，给出了评价结果和相关结论。
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  • 发光二极管专用YSL温度冲击试验箱

    发光二极管简称为LED，由于LED在使用过程中会遇到各种复杂多变的自然环境，比如高低温骤变，高温高湿交替，高温低湿同时存在等环境，这就需要通过温度冲击试验箱来模拟周边环境，从而改进产品的使用性能。那么YSL温度冲击试验箱主要有哪些特点呢？ （1）温控仪表采用日本原装进口“优易控”品牌温湿度仪表，具有1000段程式、每段可循环999步骤的容量，控制器可存储600天内历史数据，可随时插入U盘导出或上传数据等； （2）独有的断电保护功能，如果设备出现漏电情况，可在第一时间内切断电源，来保证操作人员和设备的绝对安全； （3）为了保证温度冲击试验箱降温速率和最低温度的要求，试验箱采用一套进口法国全封闭压缩机所组成的二元复叠式风冷制冷系统。制冷剂采用DUPONT公司R404A（高温循环）、R23（低温循环）； （4）本设备空气调节方式采用强制通风内平衡调温法（BTC）。该方法即指在制冷系统连续工作的情况下，控制系统根据设定之温度点通过PID自动运算输出的结果去控制加热器的输出量，最终达到一种动态平衡； （5）YSL温度冲击试验箱均可满足GB/T2423.1-2008、GB/T2423.2-2008、GJB150.3-1986、GJB360A-96方法107温度冲击试验的要求。 本文出自北京雅士林试验设备有限公司 转载请注明出处

  • 【分享】光电二极管和硅光二极管的应用

    各位大虾: 我看见有些紫外可见分光光度计用的检测器是光电二极管或硅光二极管,它们之间各自的特点是什么,各有什么优点?谁更好一些?现在用得比较多的是哪一个检测器? 谢谢您的回答.请参照：http://www.instrument.com.cn/bbs/shtml/20071107/1050063/

  • 【分享】肖特基二极管和快恢复二极管有什么区别

    快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（0.5-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100ns(纳秒)以下。 　 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode），具有正向压降低（0.4--1.0V）、反向恢复时间很短（2-10ns纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。 肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒！ 　前者的优点还有低功耗，大电流，超高速！电特性当然都是二极管！快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 　肖特基二极管：反向耐压值较低(一般小于150V），通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。它是有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 　 快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 　 快恢复二极管FRD（Fast Recovery Diode）是近年来问世的新型半导体器件，具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积小、安装简便等优点。超快恢复二极管SRD（Superfast Recovery Diode），则是在快恢复二极管基础上发展而成的，其反向恢复时间trr值已接近于肖特基二极管的指标。它们可广泛用于[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=27][color=#0000ff]开关电源[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=32975][color=#0000ff]电源模块V-60[/color][/url] 、脉宽调制器（PWM）、不间断电源（UPS）、交流电动机变频调速（VVVF）、高频加热等装置中，作高频、大电流的续流二极管或整流管，是极有发展前途的电力、电子半导体器件。 1．性能特点 1）反向恢复时间 反向恢复时间tr的定义是：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=38][color=#0000ff]整流器[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=4862][color=#0000ff]硅整流[/color][/url] 件性能的重要技术指标。反向恢复电流的波形如图1所示。IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流。Irr为反向恢复电流，通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时，正向电流I=IF。当t＞t0时，由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压，因此正向电流迅速降低，在t=t1时刻，I=0。然后整流器件上流过反向电流IR，并且IR逐渐增大；在t=t2时刻达到最大反向恢复电流IRM值。此后受正向电压的作用，反向电流逐渐减小，并在t=t3时刻达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。2）快恢复、超快恢复二极管的结构特点 快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受 很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。 20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看，可分成单管、对管（亦称双管）两种。对管内部包含两只快恢复二极管，根据两只二极管接法的不同，又有共阴对管、共阳对管之分。图2(a)是C 20-04型快恢复二极管（单管）的外形及内部结构。(b)图和(c)图分别是C92-02型（共阴对管）、MUR1680A型（共阳对管）超快恢复二极管的外形与构造。它们均采用TO-220塑料封装，主要技术指标见表1。 几十安的快恢复二极管一般采用TO-3P金属壳封装。更大容量（几百安～几千安）的管子则采用螺栓型或平板型封装形式。 2．检测方法 1）测量反向恢复时间 测量电路如图3。由直流电流源供规定的IF，脉冲[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=456][color=#0000ff]发生器[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=48158][color=#0000ff]SP1641B/1642B发生器[/color][/url] 经过隔直电容器C加脉冲信号，利用电子[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=293][color=#0000ff]示波器[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=18771][color=#0000ff]示波表190[/color][/url] 观察到的trr值，即是从I=0的时刻到IR=Irr时刻所经历的时间。 设器件内部的反向恢电荷为Qrr，有关系式trr≈2Qrr/IRM由式(5.3.1)可知，当IRM 为一定时，反向恢复电荷愈小，反向恢复时间就愈短。 2）常规检测方法 在业余条件下，利用[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=277][color=#0000ff]万用表[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=17373][color=#0000ff]绝缘万用表UT531[/color][/url] 能检测快恢复、超快恢复二极管的单向导电性，以及内部有无开路、短路故障，并能测出正向导通压降。若配以[url=http://www.midiqi.com/Shop/Product.asp?ClassId=283][color=#0000ff]兆欧表[/color][/url] [url=http://www.midiqi.com/Shop/ShowProduct.asp?ProductId=14870][color=#0000ff]指针式兆欧表MIS-4A[/color][/url] ，还能测量反向击穿电压。实例：测量一只超快恢复二极管，其主要参数为：trr=35ns，IF=5A，IFSM=50A，VRM=700V。将万用表拨至R×1档，读出正向电阻为6.4Ω，n′=19.5格；反向电阻则为无穷大。进一步求得VF=0.03V/格×19.5=0.585V。证明管子是好的。 注意事项： 1）有些单管，共三个引脚，中间的为空脚，一般在出厂时剪掉，但也有不剪的。 2）若对管中有一只管子损坏，则可作为单管使用。 3）测正向导通压降时，必须使用R×1档。若用R×1k档，因测试电流太小，远低于管子的正常工作电流，故测出的VF值将明显偏低。在上面例子中，如果选择R×1k档测量，正向电阻就等于2.2kΩ，此时n′=9格。由此计算出的VF值仅0.27V，远低于正常值(0.6V)。更多技术论文请详见：[url=http://www.midiqi.com/][color=#810081]买电器网[/color][/url]（MIDIQI.COM） [url=http://www.midiqi.com/Knowledge/Index.asp][color=#810081]知识库[/color][/url]

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  • 高速激光二极管/ SOA/BOA控制器
    总览WL-LDC10D是一款高速激光二极管驱动器，专为驱动近红外范围内的SOA和BOA而设计。它有一个模拟输入，可以在DC到15MHz的频率下，在0到1A之间任意设置激光电流。这种高输出驱动和高转换速率(50A/µs)的结合使WL-LDC10D非常适合开关和模拟调制应用。数字TTL输入允许在两个任意电流设置之间进行数字切换。WL-LDC10D高速激光二极管驱动器具有可调限流、反向电流保护和集成热过载保护功能。它提供了一个内部数字控制回路，作为具有可调温度和电流限制的TEC控制器。所有参数都可以通过前面板和内置的USB接口进行调整。技术参数产品特征模拟带宽DC至15 MHz 高达1A输出驱动电流可调输出电流限制200 mA至1A激光二极管反向电流保护电流监控器输出 TTL调制(2个任意电流)集成TEC控制器(最大1.5A)可调TEC调节器参数可调TEC电流限值USB接口(虚拟串行通讯端口) 价格实惠 应用方向 FDML激光器:扫描幅度整形 SOA/BOA/LED调制和切换 典型应用激光二极管直接安装在WL-LDC10D的背面。可为不同的引脚提供不同的插槽。 电气规格参数条件最小值典型值最大值单位电源电压1 (VS)1516V输出电流(Iout)VS=15V，二极管正向电压 2V最大输出电流随着二极管正向电压的增加而减小。11.1A输入电压(Vin)模拟电流控制电压-6.56.5V输入阻抗485052Ω模拟带宽2VS=15V，Iout调制1App15MHz输出上升时间2VS=15V，Iout=0至1A20ns输出下降时间2VS=15V，Iout=1A至0A22ns最小电流限制可调最小输出电流200mA 1. 该设备可以在电源电压低于±15V时工作，但性能会下降。上升/下降时间和带宽会略小，最大输出电流会减少。2. 上升/下降时间和模拟带宽取决于所附激光器的特性(容量、感应率)。除非另有说明，上表中规定的数值是Covega的1310nm SOA（1132型号）测量的数据。 机械规格金属外壳尺寸(无连接器)105 x 65 x 160mm3重量，包括电源(约)1 200g 下载 高速激光二极管 SOA BOA控制器(1).pdf
    供应商： 筱晓（上海）光子技术有限公司
    品牌： 筱晓光子
    价格： 面议
  • 带 USB 的数字集成光电二极管 1 kHz , WL-IPD4B
    电气规格 参数条件最小值典型值最大值单位电源电压456V电源电流正常工作(kHz)90150mATTL/COMS触发输入逻辑电平3.35V监控器输出逻辑电平3.3VSPI和GPIO逻辑高电平3.3V模拟输入满量程容量默认范围(范围设置7)350pC 最小范围(范围设置1)50pC内在触发延迟无附加延迟设置(默认)100360ns增加触发延迟通过延迟设置，分辨率为1 s0100s通道间串扰范围7，连接4个光电二极管，通过一个通道上的5µs的 LED脉冲进行刺激，信号高度500 000计数，积分时间25µs，导线延迟2 µs，所有其他通道上无信号7 1410 20计数ppm先前脉冲记忆效应参数同上，硅光电二极管3×3mm，刺激信号500 000计数，随后是3个暗结果，用于测量记忆效应(结果小于信号噪声)15计数 噪声性能所有测量均采用USB供电操作，内部触发模式，无光电二极管连接。满量程（即满量程的10-6）的噪声值（ppm）。 触发速率选通时间50µs选通时间500µs 单位范围7范围1范围7范围11000Hz13.015.0ppm FS500Hz4.67.018.020.5ppm FS200Hz3.46.03.49.6ppm FS125Hz3.56.03.69.5ppm FS83Hz3.55.83.79.3ppm FS20Hz10.211.23.79.2ppm FS 机械规格 基板尺寸54 x 40mm2带水平接线板的设备重量(约) 48g仅基板重量TBDg 推荐的光电二极管WL-IPD4B可与任何硅、InGaAs或类似光电二极管配合使用。唯一的要求是，它需要在光伏模式下产生光电流，所有常规光电二极管也是如此。因此，它不适用于CdTe探测器或PMT管。 以下是IPD4B首选的标准和经验证的光电二极管列表。 类型制造商有效面积大小mm波长范围nm备注(PD=光电二极管)S2386-44KHamamatsu3.6 x 3.6320 – 1100通用硅光电二极管S1336-5BQHamamatsu2.4 x 2.4190 – 1100紫外延展S1336-44BQHamamatsu3.6 x 3.6190 – 1100紫外延展S1336-8BKHamamatsu5.8 x 5.8320 – 1100大面积S1336-8BQHamamatsu5.8 x 5.8190 – 1100大面积和紫外延展G10899-02KHamamatsu2.0500 – 1700InGaAs 光电二极管(也有1mm和3mm)G12183-010KHamamatsu1.0900 – 2600特殊的InGaAs光电二极管，高达2.6 µm ($$$) 总览WL-IPD4B是一款高度集成的矩形波串积分器，最多可直接连接4个光电二极管。触发脉冲后，所有4个输入同时积分，时间可调，介于6µs和1秒之间（boxcar积分器）。测量采用集成20位模数转换器进行数字化，具有超低噪声和卓越的动态范围。集成结果通过USB链路传输到计算机（或者：3.3V UART、SPI、I2C）。在触发模式下，IPD4B光电二极管可以连续采集4个信号测量值，并以高达1.2 kHz的触发速率通过USB链路传输。这允许在具有1kHz重复率的系统中进行逐步测量。内部触发还允许矩形波串积分测量，控制时间为500 µs至1s，例如用于监控。除了4个模拟输入，还同时捕获和报告一个外部数字输入。这允许“标记”某些测量或同步多个积分器。通用串行总线接口为虚拟串行端口(VCP)，以便直接轻松地集成到实验室控制软件(如LabView)中。通信使用基于文本的协议。技术参数特征最多可同时集成4个输入高达1.2kHz的转换速率控制时间6µs到1秒，内置定时器无间隙连续集成，控制时间为500 s至1 s触发测量包括信号和背景采集20位分辨率超低噪声:低于散粒噪声，适用于许多应用极限动态范围:高达1: 250000高精度、低漂移可调全格感测范围50 pC至350 pC易于使用的接口(USB、UART)外部触发上升沿或下降沿，TTL或LVDS辅助ADC、DAC和GPIO引脚小尺寸:60 x 40 x 22 mm3价格实惠应用高达1kHz的激光脉冲监测和信号测量系统2或4段光电二极管逐级脉冲噪声测量连续无隙信号监控可与硅探测器、InGaAs探测器、GaAs探测器使用 结构 本数据表中提供的信息是准确可靠的。但是，Wieserlabs GmbH对其可能导致的任何侵犯第三方专利或其他权利的行为不承担任何责任。价格和规格如有变更，恕不另行通知。商标和注册商标属于各自所有者的财产。 照片IPD4B的照片。可以安装不同的光电二极管；图片中的只是例子。 水平分接板:这种变体允许通过分接板轻松连接多达4个光电二极管。请注意，如果直接连接二极管，噪声性能最佳；电缆越长，噪音越大。
    供应商： 筱晓（上海）光子技术有限公司
    品牌： 筱晓光子
    价格： 面议
  • 光电二极管夹具 （Jig）
    - OLED寿命试验.- OLED电池功率驱动.- 基于光电二极管的亮度传感.- 风车/直线并排式装置.- 顶部/底部接触方式.- 使用Pogo Pin的电触点.- 使用盖子和磁铁的压力触点.- 使用切换开关的测试设备选择.联系方式：025-84615783
    供应商： 南京伯奢咏怀电子科技有限公司
    品牌： 脉科学
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