二极管会导致试验箱

理想真空二极管综合实验装置，YMP-6109 简介YMP-6109型实验装置通过测量金属钨的电子逸出功，将钨丝作为“理想”二极管的阴极材料，阳极做成与阴极共轴的金属圆环，把阴极发射端限制在温度均匀的一定长度内而又可以近似的把电极看成是无限长的无边缘效应的理想状态。为了避免阴极的冷端效应（两端温度较低）和电场不均匀等边缘效应，在阳极两端各加装一个保护（补偿）电极，它们与阳极同电位但与阳极绝缘。当钨丝通电发光发热后，金属内部部分热电子获得大于逸出功的能量，从金属表面逃逸形成热电子发射电流。根据金属中电子能量遵从费米-狄拉克量子统计分布规律，获得热电子发射电流公式，从而计算逸出功（WorkFunction）。YMP-6109是在YMP-6108装置的基础上增加了一个电源和一个螺线管线圈，从而升级为理想真空二极管综合实验装置。实验内容在金属逸出功测定的基础上增加：电子在径向电场和轴向磁场中的运动、费米-狄拉克分布的研究和理想真空二极管的伏安特性。特点理想真空二极管透明直观阳极电流测量准确稳定，阳极电压输出高效精准螺线管线圈可以方便地置于理想真空管的亚克力罩上可升级为数字化实验实验内容金属电子逸出功的测定电子在径向电场和轴向磁场中的运动。（磁控法测量电子荷质比）费米-狄拉克分布的研究理想真空二极管的伏安特性PN结特性和玻尔兹曼常数实验，YMP-6107简介YMP-6107型实验装置包含一个微电流源来用作PN结的正向电流，通过改变PN结正向电流来获得PN结两端的正向压降，这样就得到PN结的伏安特性曲线数据。本实验还配备一套控温装置，用来测量不同温度下的PN结的伏安特性曲线，研究PN结正向电压、电流和温度之间的关系，通过计算得到玻尔兹曼常数k、灵敏度S和硅材料的禁带宽度。特点温控系统利用半导体制冷片进行加热及制冷，可以快速升温和降温。采用微电流恒流源作为正向电流源，解决了微电流测量不稳定的问题，准确测量玻尔兹曼常数。采用开放式的加热装置，具有很好的拓展性可升级为数字化实验实验内容在室温下，测绘PN 结正向电压随正向电流的变化曲线，求得玻尔兹曼常数；在不同温度下，测绘PN 结正向电压随正向电流的变化曲线，求得玻尔兹曼常数；恒定正向电流条件下，测绘PN 结正向压降随温度的变化曲线，计算结电压随温度变化的灵敏度。计算在0K时半导体（硅）材料的禁带宽度。

InGaAs光电二极管 Fermionics公司于1991年在加利福尼亚成立，它是一家生产InGaAs光电二极管的独立生产商，产品主要是用于光学通信、测试仪器、传感和医学设备应用。高速InGaAs光电二极管（FD50~FD300）描述：1.探测速度非常快、电容低、暗电流低；2.适用于高比特率接收机、高速模拟和数字通信系统、LAN、FDDI、红外仪器和探测应用；3.所有的器件使用平面钝化技术制造；4.光灵敏表面镀有宽带增透膜；5.光灵敏区域直径：50、80、100、150和300微米；6.存储温度：-40~100℃；工作温度：-40~85℃。大面积InGaAs光电二极管（FD500~FD5000W）描述：1.大面积光电二极管用于红外仪器和探测、中速通信系统；2.在波长范围800到1700纳米响应良好；3.分流电阻对低光信号灵敏度高；4.所有器件使用平面钝化技术制造；5.光灵敏表面镀有宽带增透膜；6.光灵敏区域直径：500、1000、1500、2000、3000和5000微米。杭州谱镭光电技术有限公司(HangzhouSPL Photonics Co.,Ltd)是一家专业的光电类科研仪器代理商，致力于服务国内科研院所、高等院校实验室、企业研发部门等。我们代理的产品涉及光电子、激光、光通讯、物理、化学、材料、环保、食品、农业和生物等领域，可广泛应用于教学、科研及产品开发。 我们主要代理的产品有：微型光纤光谱仪、中红外光谱仪、积分球及系统、光谱仪附件、飞秒/皮秒光纤激光器、KHz皮秒固体激光器、超窄线宽光纤激光器、超连续宽带激光器、He-Ne激光器、激光器附件及激光测量仪器、光学元器件、精密机械位移调整架、光纤、光学仪器、光源和太赫兹元器件、高性能大口径瞬态（脉冲）激光波前畸变检测干涉仪（用于流场、波前等分析）、高性能光滑表面缺陷分析仪、大口径近红外平行光管、Semrock公司的高品质生物用滤波片以及Meos公司的光学教学仪器等。 拉曼激光器，量子级联激光器，微型光谱仪，光机械，Oceanoptics，Thorlabs 。。。热线电话： / 传真：网址： /邮箱：

光电二极管 Related Products Thorlabs提供一系列分立光电二极管和经过校准的光电二极管。其中包括铟镓砷（InGaAs）光电二极管，磷化镓 （GaP）光电二极管，硅（Si）光电二极管， 和锗（Ge）光电二极管。我们也提供一些专用的光电二极管。例如DSD2双波段光电二极管，它在一个包装内同时提供硅光电二极管和铟砷化镓光电二极管，两者结合起来可以达到400到1700纳米的波长范围。FGA20是一个具有高响应率的铟镓砷光电二极管，波长范围从1200到2600纳米，能够探测到的波长范围比典型的铟镓砷光电二极管的1800纳米要高。我们也提供FGAP71，它是一种磷化镓（GaP）光电二极管，它的波长范围是我们所提供的光电二极管中最短的，从150纳米到550纳米。磷化镓光电二极管－紫外波长Zoom超短波长范围（150至550纳米）快速上升时间安装在带有蓝宝石窗口的密封封装内型号 #波长范围(nm)有效面积二极管封装类型b上升/(下降)時間a噪音等效功率(W/Hz1/2)暗电流接合电容aFGAP71150 - 5504.8 mm2(2.5 mm x 2.5 mm)-1 ns (140 ns)@ 5 V1.0 x 10-14@ 440 nm10 nA (最大)@ 5 V-a) 典型值 RL＝50欧姆b) 详细的引脚配置请参见规格表ください。硅光电二极管－可见光波长ZoomFDS02特性：直接光纤耦合FC/PC封装系统，并且保持高速特性FDS010特性：紫外级融石英窗口，提供低至200纳米的灵敏度范围FDS100特性：TO-5型金属封装中最大的传感器FDS1010特性：安装在绝缘的陶瓷衬底上，在本系列中具有最大有效面积。型号 #波长范围(nm)有效面积二极管封装类型b上升/（下降）时间aNEP(W/Hz1/2)暗电流(典型値)结电容aFDS02 400 - 11000.25 mmTO-46FC/PC Connector47 ps (246 ps) @ -5 V9.3 x 10-1535 pAd @ 5 V0.94 pF@ 5 VFDS010200 - 11000.81 mm2(Ø 1 mm)TO-5/PIN@ 20 V5.0 x 10-14@ 900 nm2.5 nA10 pF@ 0 VFDS100350 - 110013 mm2(3.6 mm x 3.6 mm)TO-5/PIN10 ns (10 ns)@ 20 V1.2 x 10-14@ 900 nm20 nA20 pF@ 1VFDS1010400 - 1100100 mm2(9.7 mm x 9.7 mm)Ceramic Wafer45 ns (45 ns)@ 5 V5.5 x 10-13@ 900 nm0.6 µ A@ 5V375 pF @ 5Va) 典型値. RL = 50 欧姆b) 详细引脚配置请参看专门规格表d) 最大500 pA铟镓砷光电二极管&mdash 近红外到红外波长ZoomFGA04特性：直接光纤耦合FC/PC封装系统，并且保持高速特性FGA10特性：高速、有效面积大。FGA20特性：波长范围长FGA21特性：本系列中有效面积最大的产品。型号波长范围(nm)有效面积二极管封装形式b上升（下降）时间aNEP(W/Hz1/2)暗电流(典型值)结电容aFGA04c800 - 18000.008 mm2(Ø 0.1 mm)TO-46 w/ FC/PC Connector100 ps (100 ps)@ 5 V1.5 x 10-15@ 1550 nm0.5 nA@ 5 V1.0 pF @ 5 VFGA10700 - 18000.81 mm2(Ø 1 mm)TO-5/PIN10 ns (10 ns)@ 5 V2.5 x 10-14@ 900 nm100 nA @ 5 V (max)80 pF @ 0 VFGA201200 - 26000.79 mm2(Ø 1 mm)TO-18/PIN23 ns (23 ns)@ 1 V2.0 x 10-1275 µ A @ 1 V (max)200 pF @ 1 VFGA21800 - 18003.14 mm2(Ø 2 mm)TO-5/PIN66 ns (66 ns)@ 0 V3.0 x 10-14@ 2300 nm200 nA @ 1 V500 pF @ 0 Va)典型値.RL=5欧姆b) 详细的引脚配置请参见规格表。c) 探测器本身的损伤阈值为70毫瓦（连续光）然而，封装内部的电线（非导线）在光电流超过10毫安的情况下可能会熔化，将会造成装置失效。当将FGA04用于更高功率的应用时，该区域中探测器具有高的响应率，请考虑使用 光纤衰减器。t锗光电二极管－近红外波长ZoomFDG03具有大有效面积，为TO-5封装。FDG05为陶瓷衬底并具有高速特性。FDG1010为陶瓷衬底，其上具有最大的有效面积。请注意，FDG05和FDG1010上的引线是通过导电的环氧树脂连接到传感器上，因为焊接会破坏传感器。这使得连接比较脆弱。参看内附的操作说明保护连接处。型号 #波长范围(nm)有效面积二极管封装类型b上升/(下降)时间aNEP(W/Hz1/2)暗电流（典型值）结电容aFDG03800 - 18007.1 mm2(Ø 3 mm)TO-5/PIN500 ns (500 ns)@ 3 V1.0 x 10-12@ 1550 nm4.0 µ A@ 1 V4 nF @ 1 VFDG05800 - 180019.6 mm2(Ø 5 mm)Ceramic Substrate220 ns@ 3 V4.0 x 10-12@ 1550 nm40 µ A @ 3 V3 nF @ 5 VFDG1010800 - 1800100 mm2(10 mm x 10 mm)Ceramic Substrate3.5 µ s@ 1 V4.0 x 10-12@ 1550 nm50 µ A (max.)@ 0.5 V30 nF @ 0.5 Va) 典型值。 RL=50欧姆b) 详细引脚图请参看规格表 双波段探测器Zoom 双探测器芯片设计－硅在铟镓砷上－具备宽探测范围4引脚的TO-5型封装大有效面积型号 #波长范围(nm)有效面积二极管封装类型b上升/(下降)时间aNEP(W/Hz1/2)典型暗电流结电容aDSD2400 - 11001000 - 1700Ø 2.54 mmØ 1.5 mmTO-5/PIN4 µ s (典型値)(两层)1.9 x 10-142.1 x 10-13-450 pF300 pFa) 典型値 RL =50欧姆b) 详细引脚图请参看规格表

HPLD-1000 是一款具有恒流输出的紧凑型非隔离 DC/DC 开关电源。该驱动板可以供高稳定性、低纹波电流，为激光二极管模块供电。输出电流值在0至25 A之间可调，驱动器可以通过CAN接口或外部调制信号进行控制。.驱动器具有三种模式来适用于不同的应用场景。模式1 – 连续 –可通过PC端控制软件来设置参数的连续电流模式。.模式2 – 触发 –可通过PC端控制软件设定电流值，也可以通过外部TTL信号触发来输出电流。模式3 – 模拟 –可通过外部调制信号调制电流，也能通过外部TTL触发器打开/关闭驱动器。驱动器的保护功能包括过流保护、反向电流保护、撬棒电路保护和过热关断。特点：宽输入电压范围，最高48Vdc输出电流高达25A恒流输出电压高达40V效率高达97%低电流纹波触发频率高达3kHz模拟调制高达30kHz过流保护反向电流保护撬棒电路保护外部连锁功能CAN接口集成散热片紧凑尺寸70mm×56mm×34mm应用：供电该驱动器需要使用直流电源，该电源的输出特性必须覆盖驱动板的输出功率和激光二极管的电压。其中电源的输出电压必须高出激光二极管压降的15％，我们建议使用低电压电源(例如12VDC)来为压降是2÷10V的低功率激光二极管供电。冷却HPLD-1000 PCB上配置了散热片，便于热管理。该驱动器会产生高达42W的功率损耗，因此驱动器的散热片必须安装在导热表面上，以确保正常运行并防止过热关断。如果传导冷却不足，可以通过增加风扇来改善冷却效果。软件我们提供自己的PC端软件来控制驱动器。工作模式驱动板有三种工作模式,既可以独立为单个激光器提供驱动供电，也可以用于外部控制激光器的供电系统中。序号模式说明1连续驱动板由PC端软件控制，恒定电流值由控制软件设置。“ON/OFF”按钮通过软件设置来启动/停止驱动器,允许在10ms内调节电流的上升和下降，确保能安全的打开/关闭激光器。详细信息见图1。2触发电流值由PC端软件设置。外部触发通过50µ s的上升/下降时间启动和停止驱动板。外部触发的频率可以从单脉冲到3 kHz。该模式的特点是各脉冲之间的偏置电流为40mA。驱动板的触发到电流脉冲延迟的详细信息见图2。3模拟电流通过外部模拟(例如正弦)信号进行调制。电流波形可以全幅复制外部的正弦信号，频率最高可达10 kHz，对于10 kHz到30 kHz频率的电流其调制幅度会减小至30%。外部模拟不建议使用上升/下降时间小于10µ s的信号，另外电流幅度设置的精度不超过20%。驱动板使用电流感应监视器来读取激光电流的实际幅度、频率和波形，其中驱动器的打开/关闭由PC端软件控制。对于模式2和模式3而言，尤其需要注意要的是将驱动器和激光二极管之间的连线长度尽可能缩短，确保不要超过200mm.参数：参数最小值典型值最大值单位输入电压12-48Vdc电流--22A输出功率--1000mA恒流输出电压1）2-40V电流范围0.0-25.0A电流纹波幅度-4060mA电流纹波频率-425-kHz电流设置精度--1.5%过电流值2）52630A软件启动上升时间3）--11ms软件启动下降时间3）--16ms上升/下降时间4）-5070µ s电流设定监控-50-mV/A调制触发输入电压3.3-5V触发输入阻抗-500-Ω 触发脉冲频率--3kHz触发脉冲宽度150--µ s触发电流延时--20µ s模拟输入电压0-10V模拟输入阻抗-4-kΩ 电流设定值-2.5-A/V模拟输入频率5）--30kHz功耗效率6）--97%最大功耗--42W温度工作温度+10-+40℃存储纯度-20-+70℃湿度，不结露--95%连接功率2-pin接线端子（393900102 Molex）CAN接口8-pin带状线缆连接器(7-188275-8泰科电子)连锁触发调制电流监控SMA (5-1814832-2 Molex)尺寸尺寸70×56×34 mm重量≤200 g1)输出电压不能大于0.85*Vin.2)默认值为26A.可以编程设置为5 A到30A.过流会导致驱动器立即停止并且带有撬棍保护。3)对于模式1.4)对于模式2, 3.取决于驱动器到激光器的线缆长度。5)详见图5.6)取决于输入电压、输出电压、输出电流。详见图6.引脚功能引脚描述Vin+连接电源的正极和负极。请注意极性。使用规格为AWG#13或2.5mm2的线缆，长度不超过1米。Vin-LD+连接到激光二极管的正极和负极，请注意极性。使用规格为 AWG#13或者2.5mm2的线缆。模式1的线缆长度不超过2米，模式2和模式3的线缆长度不超过200mm。LD-控制接口1CANH连接到CAN接口，注意极性。使用板上的跳线J1将一个驱动连接到CAN设备上。 如果连接了多个驱动到CAN设备，请删除除了最后一个驱动以外的所有板上的跳线J1。2CANL3Interlock+连接到外部连锁电路。开:锁定,低电平:可操作。通过1 kΩ 的电阻将内部电压提升到3.3V。使用集电极开路或干接点。注意极性。使用板上的跳线J2来模拟连锁功能。删除板上的跳线J2以启用连锁功能。4Interlock-5Trigger+连接到用于模式2、3的外部脉冲信号发生器。注意极性。6Trigger-7Modulation+连接到用于模式3的外部模拟电压或外部正弦信号发生器。注意极性。8Modulation-电流监控连接到50Ω的示波器输入中以进行电流监测，50mV对应1A。使用SMA连接器。

Cutting Edge Optronics（简称CEO）是Northrop Grumman公司的一个子部门，是世界上未安装二极管靶条、已封装激光二极管、DPSS泵浦增益模块、完整的DPSS激光系统和激光二极管驱动器的主要供应商。基于CEO二极管激光器的产品已经成为工业标准，并应用在多种商业、工业和军事应用中。CEO公司的主要产品包括：未安装二极管靶条、已封装激光二极管、DPSS泵浦增益模块、完整的DPSS激光系统和激光二极管驱动器。 未安装二极管靶条、已封装激光二极管CEO高功率激光二极管产品线可选多种（传导冷却型和水冷型）热沉设计，每个激光耙条的CW输出功率超过100W，QCW输过300W。CEO具有10年以上经验，封装类型超过200种，其生产的激光二极管广泛用于工业、军事和航空应用中。CEO波长范围从790nm到1550nm，其中包括808nm、885nm和940nm，且能为特殊的泵浦应用提供定制设计，可以根据客户应用要求提供标准产品或者设计完整的封装。产品特点• 可选两种工作模式：CW和QCW• 总输出功率可达20kW• 可选配准直：快轴或慢轴• 多种封装方式其它特点? 多种组装• 激光二极管耙条• 激光二极管子模块• 已封装激光二极管? 标准波长范围• 780nm – 815nm• 875nm – 890nm• 935nm – 945nm• 965nm – 975nm? 冷却方法• 传导冷却• 水冷• 微通道冷却 芯片和耙条CEO具备提供大批量激光二极管耙条的实力，不管是客户需求每年1000耙条还是数万耙条，CEO都有相应的产能来满足要求。这些耙条的特点是CEO的专利外延结构设计，有多种波长可供选择，标准波长（nm）包括：790-820、872-890、930-950、970-990（其它波长可定制）? CW输出功率可达：100W/bar ? QCW输出功率可达：300W/bar激光二极管芯片（子模块）可选Silver或者Golden Bullet封装技术，两者都使用长寿命激光二极管耙条且可选CW或QCW工作模式。有多种波长可供选择，标准波长（nm）包括：790-820、872-890、930-950、970-990（其它波长可定制）。? CW输出功率可达：100W/bar? QCW输出功率可达：300W/bar 散热类型：传导冷却型 HDS阵列功率密度达到了25 W/cm2。这种高密度堆栈（HDS）阵列是在尽可能小的面积上要求极大二极管密度的轻小型应用的理想选择。这些阵列可选多种波长，也可以封装在几乎所有的CEO激光二极管阵列平台上，包括G、Cs和Derringer封装。? QCW工作? 耙条数：5-20? 总输出功率：0.5 - 6kWG型封装分为G1、G2和G3封装。G1可使用多达8个QCW耙条，该配置可以提供高达2.4kW峰值输出功率；G2可使用最多22个QCW耙条，该配置可以提供高达6.6kW峰值输出功率；G3可使用多达26个QCW耙条，该配置可以提供高达7.8kW峰值输出功率。另外，G型封装也可选CW配置，连续光输出功率可达40W。? CW和QCW工作? 耙条数：1-26? QCW功率：0.1kW到7kW以上密闭封装能够防尘和湿气，可以防止性能退化，设计用于多种环境条件下。QCW输出功率可达2.4kW，而CW功率可达40W，这种密闭封装是激光照明和激光测距应用的理想选择。该封装带有10kΩ热敏电阻，用户可以监测器件的温度变化，可根据要求提供其它监测电路。? CW和QCW工作? 耙条数：1-8? CW功率可达40W，QCW可达2.4kWCs封装是激光器工业的一种标准，经常在大型激光系统中用作搭建模块，或者在实验室环境中用作独立单元。如果选择QCW配置可使用多达8个耙条，总峰值功率可高达2.4kW。也可选择单耙条40W CW版本。? CW和QCW工作? 耙条数：1-8? CW功率可达40W，QCW可达2.4kWA型封装分为A、AA、AAA和AAAA四种，是一种紧凑的传导冷却型激光二极管阵列，可选脉冲配置或连续波配置，脉冲功率Max.可达9.6kW，连续波功率可达160W。? CW和QCW工作? 耙条数：1-32? CW功率可达160W，QCW可达9.6kW 散热类型：水冷型E2封装是一种紧凑的水冷激光二极管阵列，可选CW或QCW配置。对于CW工作输出功率可达40W，对于QCW配置E2封装可用多达15个激光二极管耙条，总峰值功率可达4.5kW。? CW或QCW工作? 耙条数：1-15? CW功率可达40W，QCW功率可达4.5kDerringer封装的特点是使用了专利水冷设计，该阵列非常适合固态激光晶体的侧向泵浦。Derringer按照发光的输出长度分为三种，分别是125px、100px和75px，它们都可以选择QCW和CW配置。Shooter 5的CW和QCW功率分别可达200W和12kW；Shooter 4功率分别可达160W和9.6kW；Shooter 3功率分别可达120W和7.2kW。? CW或QCW工作? 耙条数可达40? CW功率可达200W，QCW功率可达12kWShooter封装是一种坚固的二极管阵列，非常适合工业应用。这种阵列的特点是高电流电气连接和电螺柱，它们能够确保阵列在高平均电流下工作。Shooter封装分为6 shooter、8 shooter、10 shooter和12 shooter四种，它们都能配置以CW或QCW模式工作。? CW或QCW工作? 耙条数可达96? CW功率可达480W，QCW功率可达29kW 散热类型：微通道冷却型微通道冷却型（MCS）封装安装耙条数分为三种，分别是1耙条、3耙条和6耙条版本，它们都可以选择CW或QCW配置，使用先进的冷却技术确保较佳的散热效果，因此可以比其它阵列类型有更高的输出功率。 ? CW或QCW工作? 耙条数：1-6? CW功率范围60-600W

DT-670系列硅二极管温度传感器在更宽的温度范围内可提更高的精度。DT-670系列传感器符合标准电压-温度响应曲线，因此该系列可互换，且对于许多应用不需要单独标定。SD封装中的DT-670传感器有四个误差等级，其中三个适用于1.4 K至500 K温度范围内的通用低温应用，另一个可为30 K至室温的应用提供卓越的精度。DT-670传感器也有第七个公差带，B和E，只能作为裸芯片使用。对于需要更高精度的应用，DT-670-SD二极管可在整个1.4 K至500 K温度范围内进行标定。DT-670-SD√ 1.4 K-500 K温度范围内具有超高精度√ 30 K-500 K温度范围内极小误差√ 坚固可靠的SD封装设计，可承受重复热循环并尽可能地减少传感器自发热√ 符合标准曲线DT-670温度响应曲线√ 多种封装选项DT-670E-BR√ 温度范围1.4 K-500 K√ 裸装传感器是尺寸极小、热响应时间超快的二极管传感器√ 无磁传感器DT-621-HR√ 温度范围：1.4K-325K*√ 无磁封装√ 用于表面安装的裸露平面基板* 标定的低到1.4K，未标定的(曲线DT-670)低到20KDT-670E-BR极小尺寸+超快热响应DT-670E-BR裸片传感器提供了硅二极管产品中更小的物理尺寸和更快的热响应时间。这对尺寸和热响应时间至关重要的应用来说是一个重要的优势，包括用于蜂窝通信的焦平面阵列和高温超导滤波器。 DT-621-HR微型硅二极管DT-621传感器组件在其有效范围内显示出精确、单调的温度响应。传感器芯片与环氧圆顶直接接触，导致20 K温度下测试电压升，并阻止全量程曲线DT-670一致性。所以对于低于20 K的使用，需要标定。二极管测温二极管测温是基于在恒定电流（通常为10 µ A）下偏置的p-n结中正向电压降的温度依赖性。由于电压信号相对较大，在0.1V和6V之间，因此二极管易于使用，仪器操作也很简单。 Lake Shore SD封装：业界极坚固、多功能的封装SD封装直接将传感器与蓝宝石底座安装、气密密封和焊接Kovar导线，是业内极其坚固耐用、用途广泛的低温温度传感器，具有极佳的样品与芯片连接性能。该设计使导线上的热量可以绕过芯片，因此可以在 500 K 温度下工作数千小时（取决于型号），并且与大多数超高真空应用兼容。它可以铟焊到样品上，而不会改变传感器的标定。如果需要，也可提供不带Kovar引线的 SD 封装。DT-670温度传感器温度特性 典型的DT-670电压特性 典型的DT-670灵敏度特性DT-670误差带曲线

特性输出功率：1 mW - 3000 mW可选中心波长：404 nm - 690 nm可选各种封装：TO封装和TO尾纤兼容Thorlabs的激光二极管和TEC控制器本页介绍了Thorlabs的中心波长404 nm到690 nm的激光二极管。激光二极管先按照波长，再按照功率排序。下面各表中列出了基本规格，帮助您快速缩小搜索范围。点击表格Info一栏中的蓝色信息图标可弹出一个窗口，它包含了该二极管的详细规格以及机械制图。中心波长注意事项虽然对每个激光二极管都列出了中心波长，但这只是典型值。每个产品的中心波长在生产过程中都会略有偏差，所以您收到的二极管可能不工作在典型中心波长上。激光二极管可通过温度调谐，从而改变激光波长。下面的许多产品表格中都有Wavelength Tested栏，说明这些型号的主要波长都经过测量并记录。对于其中很多型号，点击下面的"Choose Item"后会弹出一个列表，包括每个库存产品的主波长、输出功率和工作电流。点击序列号旁的红色文件按钮可打开一个PDF文件，它包含了该序列号产品的L-I-V和光谱特性曲线。封装和安装座我们的激光二极管以不同封装提供，包括标准的?3.8 mm、?5.6 mm和?9 mm的TO封装，以及带尾纤的TO封装二极管和非标准的?9.5 mm和TO-46封装。我们将TO封装的二极管引脚配置分成标准的A、B、C、D、E、F、G和H型引脚代码(见下图)。这个引脚代码使用户能很容易确定兼容的安装座。空间模式和线宽我们有不同输出特性(功率，波长，光束直径，形状等)的激光二极管。这里提供的大多数激光器为单一空间模式("单模")，少部分是为高功率多空间模式("多模")操作设计的。为了达到更好的边模抑制比(SMSR)特性，需要考虑如DFB激光器、DBR激光器或外腔激光器的其他设备。更多详细信息以及光电二极管的信息请查看激光二极管教程。我们提供具有不同输出特性(功率、波长、光束尺寸、形状等等)的激光二极管。这里提供的大多数激光器为单空间模式("单模"或SM)，少部分设计用于高功率多空间模式("多模"或MM)工作。为了达到更好的边模抑制比(SMSR)性能，请考虑DFB激光器、DBR激光器或外腔激光器等。请通过激光二极管教程了解激光二极管的空间模式和线宽以及其它概述信息。激光二极管对静电冲击非常敏感。在操作时请采取适当的预防措施；请看我们的防静电冲击配件。激光二极管对光学反馈也很敏感，这在特定应用中可能会引起激光二极管输出功率的显著波动。对于所有的尾纤激光二极管，在连接到其它光纤或从其它光纤断开连接时，都要先关闭激光器，尤其是功率大于10 mW时。我们建议每次使用前清洁光纤接头，避免灰尘或任何其它污染物沉积在接头表面。光纤端面中心的激光强度可能非常高，如果有污染物存在很有可能会烧坏光纤端面。虽然发货前我们清洁了尾纤激光二极管的接头且盖上保护帽，但我们无法保证它们拆开包装后一直没有任何污染物。

连续激光二极管 用连续波（CW）驱动的连续激光二极管（CWLD）输出功率从mW量级到几个W。封装形式有多种，例如，C接口(C-mount)，紧凑密封型和高热负载型等。滨松有多种LD产品，欢迎您登陆滨松中国全新中文网站 查看该产品更多详细信息！典型峰值波长：980nm 940nm 915nm 850nm 830nm 808nm典型输出功率：5W 2W 1W 0.5W 0.02W产品实例：产品图像产品型号产品名称产品型号峰值发射波长(typ.)输出功率(typ.)封装 L9418-42连续激光二极管L9418-42980 nm1 Wdia. 9.0CD L9418-62连续激光二极管L9418-62980 nm1 WSide-out OHS(2 mmt) L9418-72连续激光二极管L9418-72980 nm1 WHead-out OHS L9777-02连续激光二极管L9777-02808 nm5 WHHL L10402-62连续激光二极管L10402-62808 nm5 WSide-out OHS(3 mmt) L10402-72连续激光二极管L10402-72808 nm5 WHead-out OHS L10452-42连续激光二极管L10452-42808 nm0.5 Wdia. 9.0CD L10452-62连续激光二极管L10452-62808 nm0.5 WSide-out OHS(2 mmt) L10452-72连续激光二极管L10452-72808 nm0.5 WHead-out OHS L8763-42连续激光二极管L8763-42808 nm1 Wdia. 9.0CD

光电二极管简介：GPD Optoelectronics提供Ge （p-n, p-i-n, APD），InGaAs探测器，双波长探测器，自由空间和光纤输入，波长覆盖可见光到近红外。GPD Optoelectronics提供Ge （p-n, p-i-n, APD），InGaAs探测器，双波长探测器，自由空间和光纤输入，波长覆盖可见光到近红外。 特点：低噪音近红外雪崩二极管覆盖波段900-1700nm有效面积20-350um最大带宽2Ghz自由空间和光纤输入 一、 Ge探测器二、 Ge 雪崩探测器 三、 高速InGaAs光电二极管 四、 InGaAs探测器 五、 扩展InGaAs光电二极管 六、 InGaAs雪崩光电二极管 七、 热电冷却的InGaAs光电二极管 八、InGaAs象限光电二极管 九、双波长探测器

可集成到Instrument Systems测量系统中的光电二极管，用于快速测量辐射功率PD 100 光电二极管是一款紧凑型检测器，可以轻松集成到带有Instrument Systems积分球的测量系统中，用于测量光通量或辐射功率，特别适合生产线上的快速测量需求。将Instrument Systems的三开口积分球连接上 CAS 系列光谱仪，即可同时对待测物（DUT）进行光谱测量。通过对比待测设备的光谱与光电二极管的校准曲线，PD 100 能提供更准确的辐射功率或光通量测量值。适用于 450 nm 至 1650 nm 的光谱范围PD 100 光电二极管有两种型号，一种配备硅（Si）探测器，另一种配备铟镓砷（InGaAs）探测器。硅探测器型号的测量范围为450至1100 nm，适用于具有硫酸钡涂层的积分球 (如 ISP 75B 和 ISP 100B).配备InGaAs探测器的型号则专为900至1650 nm的光谱范围测量设计，通常安装在有PTFE涂层的积分球上。在测量波长超过1100 nm的待测物时，PTFE积分球的表现更出色，因为其反射率的波动较小，且一致性更高。PD 100 – 产品特长测量范围广，400-1100 nm（硅）或900-1700 nm（InGaAs）脉冲DUT的测量上升/衰减时间短可结合Instrument Systems的先进三开口积分球可追溯的校准，用于绝对测量和使用.dll或SpecWin Pro（从4.0开始）的LIV测量高度精确且可追溯的测量结果如同所有Instrument Systems的测量仪器，PD 100光电二极管的灵敏度已校准并可以追溯到PTB或NIST。校准曲线存储在光电二极管内，使用SpecWin Pro软件或PD.dll与光源的光谱对比，可以推算出精确的绝对辐射功率（或光通量）。这个过程实现了高度精确且可追溯的测量结果。PD 100光电二极管在获得ISO 17025认证的Instrument Systems测试实验室中进行校准，并且可以追溯到国家标准（例如PTB或NIST）。每个光电二极管都附带有关光谱灵敏度的个体测试报告。快速测量VCSEL或LED德国IS PD 100 光电二极管 是光谱辐射计（CAS系列）和积分球（ISP系列）测量系统的理想补充检测器。其快速响应时间能够精确测量脉冲光源，例如用于测量VCSEL的LIV曲线。如果使用具有高采样率的快速数字万用表（例如Keithley 7510，1 ms/sec），还可以可视化光学波形。技术数据型号PD100-SB-0001 orPD100-SB-0002PD100-IP-0001 orPD100-IP-0002 *探测器材料Silicon (Si)IndiumGalliumArsenide (InGaAs)光谱范围400 - 1100 nm900 - 1700 nm最高灵敏度的波长960 nm1550 nm上升/下降时间40 µ s (typ.)5 µ s (typ.)典型放大倍数 (ISP 100上)240 V/W (@940nm) or28 V/W (@940nm)2700 V/W (@1380nm) or12.5 V/W (@1380nm)* PD100-IP-0002 without calibration

特性法布里-珀罗(FP)、分布反馈(DFB)和体全息光栅(VHG)稳定型、光纤布拉格光栅(FBG)稳定型分布式布拉格反射体(DBR)激光二极管和垂直腔面发射激光器(VCSEL)输出功率高达2 W中心波长从705 nm至2000 nm提供多种封装：TO、TO尾纤、蝶形、C-Mount和COS(Chip on submount)通过我们的LD引脚可便捷地选择兼容的安装座兼容Thorlabs的激光二极管和TEC控制器提供OEM解决方案中心波长注意事项虽然对每个激光二极管都列出了中心波长，但这只是典型值。每个产品的中心波长在生产过程中都会略有偏差，所以您收到的二极管可能不工作在典型中心波长上。激光二极管可通过温度调谐，从而改变激光波长。下面的许多产品表格中都有Wavelength Tested栏，说明这些型号的主要波长都经过测量并记录。对于其中很多型号，点击下面的"Choose Item"后会弹出一个列表，包括每个库存产品的主波长、输出功率和工作电流。点击序列号旁的红色文件按钮可打开一个PDF文件，它包含了该序列号产品的L-I-V和光谱特性曲线。如果下方没有提供相关序列号产品的信息，客户也可以联系技术支持techsupport-cn@thorlabs.com来基于测试波长选择一种激光二极管。封装和安装座我们的激光二极管以不同封装提供，包括标准的?5.6 mm和?9 mm的TO封装，以及带尾纤的TO封装二极管、COS和C-Mount。我们将TO封装的二极管引脚配置分成标准的A、B、C、D、E、F、G和H型引脚代码(见下图)。这个引脚代码使用户能很容易确定兼容的安装座。Thorlabs的产品线对TO封装的二极管支持最广泛，其次是蝶形封装激光器。COS和C-Mount激光器更适合OEM应用。我们的一些二极管以开放式端头封装提供，它们可根据要求转换成密封的TO封装空间模式和线宽我们提供具有不同输出特性(功率、波长、光束尺寸、形状等等)的激光二极管。这里提供的大多数激光器为单空间模式("单模"或SM)，少部分设计用于高功率多空间模式("多模"或MM)工作。一些单模激光二激管能够以有限的单纵模工作(请见下面的表格了解更多信息)。为了达到更好的边模抑制比(SMSR)性能，请考虑如DFB激光器、VHG稳定性激光器、DBR激光器或外腔激光器等。Thorlabs也提供极窄线宽的单频激光器(VHG稳定型和DFB激光器线宽≤20 MHz，DBR和ECL激光器线宽小于100 kHz)，这些产品在表格中以绿色背景高亮显示。请通过激光二极管教程了解激光二极管的空间模式和线宽以及其它概述信息。激光二极管对静电冲击非常敏感。在操作时请采取适当的预防措施(请看我们的防静电冲击配件)。激光二极管对光学反馈也很敏感，这在特定应用中可能会引起激光二极管输出功率的显著波动。如需解决这个问题，请查看我们的光隔离器。对于所有的尾纤激光二极管，在连接到其它光纤或从其它光纤断开连接时，都要先关闭激光器，尤其是功率大于10 mW时。我们建议每次使用前清洁光纤接头，避免灰尘或任何其它污染物沉积在接头表面。光纤端面中心的激光强度可能非常高，如果有污染物存在很有可能会烧坏光纤端面。虽然发货前我们清洁了尾纤激光二极管的接头且盖上保护帽，但我们无法保证它们拆开包装后一直没有任何污染物。

仪器简介：美国SRS公司最新推出的LDC501激光二极管控制器，为您提供优良的各种新能指标，而且性价比很高。技术参数：Laser Diode Controller &bull 500mA low-noise current source &bull Ultra-low drift (10ppm/°C) &bull 1.1μA current noise &bull CC & CP mode dynamic switching &bull GPIB, RS-232 and Ethernet TEC Controller &bull 36W output power &bull Ultra-high stability (0.0005 °C/°C) &bull Thermistor, RTD and IC sensors &bull Auto-tuning of loop parameters &bull CC & CP mode dynamic switching LD控制器  500mA低噪声电流源  低飘移（10ppm/°C）  宽频带调制  GPIB,RS232和以太网 TEC控制器  高稳定度（0.0005℃/℃）  36W输出功率  数字PID、自动调整功能  热敏电阻，RTD和IC温度传感器主要特点：LDC501激光二极管控制器提供一个高达500毫安低噪声电流源和一个36 W高精密温度控制器，与标准计算机接口。主要用来测试和控制激光二极管，并对其有保护、确定稳定工作等特性。 其中激光器电流源能提供非常稳定的电流输出,同时还采取了很多措施保护激光器如：软启动,内部锁定, 短路切断，激光限流设置，过温保护，开流检测等。 而它的温度控制器可以工作在恒流状态和PID反馈控制，通过PID控制可以精确控制激光器的温度，确保激光器的稳定工作。

光电二极管模块 新势力光电供应光电二极管模块，简化光电二极管的使用。该系列光电二极管模块配套用于雪崩二极管、四象限探测器、位敏探测器，特别适合于系统集成和科学研究。不带电路板（集成放大电路）雪崩二极管(APD)TypeTransimpedance/OhmBandwidth/MHzChipPackageSeries 8 (for 800nm)AD230-8TO527502000AD230-8TO5227502000AD500-8TO527501000AD500-8TO5227501300Series 9 (for 900nm)AD500-9-8015TO52275050016AA0.13-9Ceramic10k500AD230-9TO52750600AD500-9TO52750500Series 10 (for 1064nm)AD800-10TO8S10k65带电路板（集成放大电路和温度补偿功能）雪崩二极管(APD)和雪崩二极管阵列(APD Array)ChipTypeAD1100-8USB-module APD-eval-kit25AA0.04-9125 MHz LIDAR APD-array-eval-kit64AA0.04-9125 MHz LIDAR APD-array-eval-kit带电路板（集成放大电路）位敏探测器(PSD)、四象限探测器(QP)、波长敏感探测器(WS)ChipTypePackageQP45-QQuadrant PDHVSDQP50-6Quadrant PDSD2QP50-6Quadrant PDSD2-DIAGQP50-6 (18µ m)Quadrant PDSD2QP50-6 (18µ m)Quadrant PDSD2-DIAGQP154-QQuadrant PDHVSDDL16-7PSDPCBA3DL100-7PSDPCBA3DL400-7PSDPCBAWS7.56Wavelength sensitive PDPCBA2X100-7 with ScintillatorGamma pulse counterShielded module高压电源模块Max.Voltage/VRipple/mVDescriptionFeature-5007.5High performance HV sourceUltra low ripple+5007.5High performance HV sourceUltra low ripple+2007.5High performance HV sourceUltra low ripple+20010Compact HV sourceSmall footprint+6010PIN-photodiode HV sourceVery small footprint相关商品 雪崩二极管(APD) 位敏探测器(PSD) 四象限探测器(QP) 波长敏感探测器(WS)

高功率光纤耦合激光二极管 光纤耦合输出型激光二极管（Fiber out laser diode，FOLD）不仅具备直接输出型激光二极管（direct diode laser ，DDL）的特性，它的外观紧凑而轻巧；使之非常适用于三维加工。产品实例：产品图像产品型号产品名称 L10718-0011-4A高功率光纤耦合激光二极管 L10718-0011-6A高功率光纤耦合激光二极管 L10718-0031-6A高功率光纤耦合激光二极管 L10718-0031-8A高功率光纤耦合激光二极管 L10718-0041-6A高功率光纤耦合激光二极管 L10718-0041-8A高功率光纤耦合激光二极管 L10718-0051-4A高功率光纤耦合激光二极管 L10718-0051-6A高功率光纤耦合激光二极管 L10718-0051-8A高功率光纤耦合激光二极管详细参数 特性 高品质材料处理更少飞溅和均匀辐照 简易方便免维护和电流-功率的高线性 环保高电光转化效率和无空转 尺寸小，重量轻使用耦合光纤输出，可加工极小的面积应用 激光金属焊接 钎焊 切割（金属，塑料等） 激光塑料淬火 激光焊接 退火L10718系列光纤(A11612产品单)

激光二极管光电特性测试分析系统 / 半导体芯片测试系统短脉冲大电流测试系统-LIV100LIV系列是专门用于激光二极管光电特性测量的系统，测试样品无论封装的还是裸芯片形式，均可在极短的时间内完成全部LIV测量。LIV测试对象：LIV100是用于激光二极管（chip, bar以及submount）光电特性分析的短脉冲测试系统。主要特点：l 上升时间：50ns (F-version)；500ns (L-version)；1μs (XL-version)l 最大电流：250mA-600A，最大电流阶跃数：4000l 只适用于脉冲测量l USB接口控制，同步光谱测量l 处理能力：1s/每器件（典型）LIV100提供三种不同测试速度和脉冲长度的版本：l LIV100-Fxxx（短脉冲版）：上升时间50ns，脉冲宽度范围150ns-10μs。l LIV100-Lxxx（长脉冲版）：上升时间500ns，脉冲宽度范围2μs-100μs。l LIV100-XLxxx（超长脉冲版）：上升时间1μs，脉冲宽度范围5μs-2000μs。 应用领域应用范围包括激光二极管半封装或封装前后的特性分析，来料检测以及OEM。软件支持一键生成测试样品完整的PDF数据表。LIV100的短脉冲性能可以确保测试样品可以在忽略热负荷的情况下进行测量。运行原理LIV100系统通过USB接口控制，实现自动测量。从控制计算机上传一个命令集，执行开始命令后，LIVs会按自动按照测量序列执行测量。快速的数据采集提供了高测量效率。附件：l 积分球l 光谱仪l 带状（针状）连接器l 真空卡盘l TEC和TEC驱动器 注意：标准型LIV100不具备CW测量模式。如有需要，可以按要求定制具备CW测量的LIV100如果需要CW和脉冲两种测量模式，请考虑LIV120系列，脉冲宽度： 1001μs-CW。 脉冲/QCW/CW测试系统LIV120LIV120是一款功能强大的用于实验室以及OEM应用的激光二极管测试系统。适用于脉冲/QCW/CW测量以及老化测试，测量周期通常少于1秒。主要特点：l 最大电流：250mA-1200Al 最大电流阶跃数：4000l USB接口控制，同步光谱测量l 波长范围：250-1100nm 400-1650nml 测量光功率，电压，电流，监测电流等 运行原理命令集上传到LIV120后，LIV120按命令集驱动测试样品，并进行数据采集和存储。便捷/强大的处理软件：LIV120有CW和脉冲两种工作模式： CW-LIV模式 脉冲burst模式 CW-burst模式 脉冲LIV模式 LIV120可以运行所谓 “软脉冲”模式。也就是脉冲模式下，如果用户设置最小电流值，电流脉冲就不会掉落至零。请注意非常清晰的方形电流脉冲。 电流输出（min=0） 电流输出（min ≠0） 激光二极管驱动器LDD100 LDD100是一款强大的激光二极管驱动器，适用于实验室以及OEM。例如：激光二极管LIV测试以及老化测试。特点：最大200A电流，50ns-3s脉宽，25ns上升/下降时间（无过冲）。LDD100采用数字可编程模拟平台对电流进行灵活精确控制。USB接口直接控制，可实现自动测量。所有参数可以通过图形化软件或集成键盘和LCD输入显示。支持带状线定制服务 LDD100-F40（40A脉冲）输出脉冲波形 欲了解产品详细信息，请联系公司销售人员。

我公司独特的半导体处理技术生产的硅光电二极管，涵盖了从近红外到紫外直至高能波长区域等宽广的波长范围。它们具有快速相应、高灵敏、低噪声的特性，广泛地应用于医疗和分析领域、科学计测、光通信以及一般性电子产品等。滨松提供硅光电二极管及阵列及模块、带放大器的Si光电二极管阵列、InGaAs 光电二极管及阵列、MSM光电探测器、平衡探测器、光学模块，以及光电传感器放大器、电荷放大器等附件产品。从金属、陶瓷、塑料封装到表面贴装，多种包装配备齐全，而且滨松还可以依据用户要求提供专门的设计产品。

一, 带 USB 的数字集成光电二极管 1 kHz , WL-IPD4BWL-IPD4B是一款高度集成的矩形波串积分器，最多可直接连接4个光电二极管。触发脉冲后，所有4个输入同时积分，时间可调，介于6µ s和1秒之间（boxcar积分器）。测量采用集成20位模数转换器进行数字化，具有超低噪声和卓越的动态范围。集成结果通过USB链路传输到计算机（或者：3.3V UART、SPI、I2C）。在触发模式下，IPD4B光电二极管可以连续采集4个信号测量值，并以高达1.2 kHz的触发速率通过USB链路传输。这允许在具有1kHz重复率的系统中进行逐步测量。内部触发还允许矩形波串积分测量，控制时间为500 µ s至1s，例如用于监控。除了4个模拟输入，还同时捕获和报告一个外部数字输入。这允许“标记”某些测量或同步多个积分器。通用串行总线接口为虚拟串行端口(VCP)，以便直接轻松地集成到实验室控制软件(如LabView)中。通信使用基于文本的协议。带 USB 的数字集成光电二极管 1 kHz , WL-IPD4B,带 USB 的数字集成光电二极管 1 kHz , WL-IPD4B技术参数特征最多可同时集成4个输入高达1.2kHz的转换速率控制时间6µ s到1秒，内置定时器无间隙连续集成，控制时间为500 s至1 s触发测量包括信号和背景采集20位分辨率超低噪声:低于散粒噪声，适用于许多应用极限动态范围:高达1: 250000高精度、低漂移可调全格感测范围50 pC至350 pC易于使用的接口(USB、UART)外部触发上升沿或下降沿，TTL或LVDS辅助ADC、DAC和GPIO引脚小尺寸:60 x 40 x 22 mm3价格实惠应用高达1kHz的激光脉冲监测和信号测量系统2或4段光电二极管逐级脉冲噪声测量连续无隙信号监控可与硅探测器、InGaAs探测器、GaAs探测器使用 结构 本数据表中提供的信息是准确可靠的。但是，Wieserlabs GmbH对其可能导致的任何侵犯第三方Zhuan利或其他权利的行为不承担任何责任。价格和规格如有变更，恕不另行通知。商标和注册商标属于各自所有者的财产。 照片IPD4B的照片。可以安装不同的光电二极管；图片中的只是例子。 水平分接板:这种变体允许通过分接板轻松连接多达4个光电二极管。请注意，如果直接连接二极管，噪声性能最佳；电缆越长，噪音越大。垂直安装: . 索雷博SM1安装 :基本连接，快速启动需要USB为设备供电、配置和传输测量结果。提供的4引脚导线允许连接外部触发器和监控集成门。4线电缆具有以下引脚(照片中从下到上):1–门控监视器输出(3.3V)(照片中为黑色)2–接地3–触发输入(3.3V)(照片中为白色)4–接地另请参见关于电气接口的章节。电气规格 参数条件最小值典型值最大值单位电源电压456V电源电流正常工作(kHz)90150mATTL/COMS触发输入逻辑电平3.35V监控器输出逻辑电平3.3VSPI和GPIO逻辑高电平3.3V模拟输入满量程容量默认范围(范围设置7)350pC 最小范围(范围设置1)50pC内在触发延迟无附加延迟设置(默认)100360ns增加触发延迟通过延迟设置，分辨率为1 s0100s通道间串扰范围7，连接4个光电二极管，通过一个通道上的5µ s的 LED脉冲进行刺激，信号高度500 000计数，积分时间25µ s，导线延迟2 µ s，所有其他通道上无信号7 1410 20计数ppm先前脉冲记忆效应参数同上，硅光电二极管3×3mm，刺激信号500 000计数，随后是3个暗结果，用于测量记忆效应(结果小于信号噪声)15计数 噪声性能所有测量均采用USB供电操作，内部触发模式，无光电二极管连接。满量程（即满量程的10-6）的噪声值（ppm）。 触发速率选通时间50µ s选通时间500µ s 单位范围7范围1范围7范围11000Hz13.015.0ppm FS500Hz4.67.018.020.5ppm FS200Hz3.46.03.49.6ppm FS125Hz3.56.03.69.5ppm FS83Hz3.55.83.79.3ppm FS20Hz10.211.23.79.2ppm FS 机械规格 基板尺寸54 x 40mm2带水平接线板的设备重量(约) 48g仅基板重量TBDg 推荐的光电二极管WL-IPD4B可与任何硅、InGaAs或类似光电二极管配合使用。唯一的要求是，它需要在光伏模式下产生光电流，所有常规光电二极管也是如此。因此，它不适用于CdTe探测器或PMT管。 以下是IPD4B优选的标准和经验证的光电二极管列表。 类型制造商有效面积大小mm波长范围nm备注(PD=光电二极管)S2386-44KHamamatsu3.6 x 3.6320 – 1100通用硅光电二极管S1336-5BQHamamatsu2.4 x 2.4190 – 1100紫外延展S1336-44BQHamamatsu3.6 x 3.6190 – 1100紫外延展S1336-8BKHamamatsu5.8 x 5.8320 – 1100大面积S1336-8BQHamamatsu5.8 x 5.8190 – 1100大面积和紫外延展G10899-02KHamamatsu2.0500 – 1700InGaAs 光电二极管(也有1mm和3mm)G12183-010KHamamatsu1.0900 – 2600特殊的InGaAs光电二极管，高达2.6 µ m ($$$)

总览Superluminescent Diodes (SLD) 超辐射发光二极管 是介于激光器（LD）和发光二极管（LED）之间的一种半导体光电器件,与激光二极管类似，超辐射发光二极管基于电驱动pn结，当正向偏置时，该pn结具有光学活性，并在宽波长范围内产生放大的自发发射。SLD的峰值波长和强度取决于活性材料成分和注入电流水平。SLD被设计为对沿着波导产生的自发发射具有高的单程放大，但与激光二极管不同，反馈不足以实现激光作用。这是通过倾斜波导和防反射涂层刻面的共同作用非常成功地获得的。SLD是具有相当宽的光学带宽的光源。它们不同于光谱非常窄的激光器和光谱宽度大得多的白色光源。这种特性主要反映在光源的低时间相干性上（这是发射的光波随时间保持相位的有限能力）。然而，SLD可能表现出高度的空间相干性，这意味着它们可以有效地耦合到单模光纤中。一些应用利用SLD源的低时间相干性来实现成像技术中的高空间分辨率。相干长度是一个经常用来表征光源的时间相干的量。它与光学干涉仪两臂之间的路径差有关，在该干涉仪上光波仍然能够产生干涉图案。一方面，SLD是经过优化以产生大量放大自发发射（ASE）的半导体器件。为了做到这一点，它们结合了高功率增益部分，其中以30dB或更高的高增益因子放大种子自发发射。另一方面，SLD缺乏光学反馈，因此不可能发生激光作用。通过使小面相对于波导倾斜来抑制从光学部件（例如连接器）到腔中的光的背反射产生的光学反馈，并且可以通过抗反射涂层来进一步抑制。避免了共振器模式的形成，从而避免了光谱中明显的结构和/或光谱变窄。光纤耦合超辐射发光二极管 SLD 1000nm 25mW,光纤耦合超辐射发光二极管 SLD 1000nm 25mW型号参数产品特点:超宽带ASE光谱(950-1050nm)低纹波强偏振单独老化和热循环筛选符合RoHS应用:光纤传感器仪器仪表光谱学规格测试条件:连续工作，芯片温度25°C，外壳安装在室温散热器上参数符号.最小值.典型值.最大值.单位工作输出功率Pout1525mW平均波长λm98510001015nm带宽 @ -3dBΔλ80100nm谱倾角振幅13dB基态最大位置λg101510301045nm激发态最大位置λe940955970nmASE谱波纹*0.020.3dB偏振消光比PER1520dB操作电流Iop600700mA正向电压Vf1.71.9V上升时间Trise0.15ns下降时间Tfall0.5ns* RMS在1nm范围在ASE最大，10pm分辨率典型性能仅供参考测试条件:连续工作，芯片温度25°C，外壳安装在室温散热器上绝对最大额定参数参数最小值最大值单位SLD 反向电压-2VSLD 连续波正向电流-900mA热电冷却器电流-3A热电冷却器电压-4V光纤弯曲半径3-cm芯片工作温度范围540°C外壳工作温度070°C存储温度范围-4085°C热敏电阻规格光纤规格参数数值单位参数HI1060PM980单位热敏电阻 典型NTC-NA 典型0.140.12电阻 @25°C10 ± 0.1kOhm截止波长920±50900±70nmBeta 0-50°C3375±1%K模场直径@1060nm6.2±0.36.6±0.3μm包层直径 125±1125±1μm涂覆层直径245±15245±15μm长度(每个端口)1.0 ± 0.1m接口FC/APC(narrow key)连接器对准熊猫型光纤:输出光沿PM光纤的慢轴偏振。尺寸 (单位：毫米)通用参数光纤耦合SLD典型参数型号平均波长频宽FWHM输出功率最大波长频谱下降波纹，均方根值Ripples RMS1偏振消光比PER工作电流nmnmmWnmdBdBdBmASLD-1000-100-YY-25100010025955, 103010.0220600SLD-1030-120-YY-15103012015970, 105040.0220550SLD-1030-20-YY-15010302013010300.0420800SLD-1050-90-YY-351050903510500.220700SLD-1060-20-YY-15010652513010600.0520800SLD-1060-20-YY-30010602030010600.3201600SLD-1064-20-YY-350106420350116418750SLD-1080-30-YY-10010803010010800.0520800SLD-1130-20-YY-301130273011250.0320300SLD-1140-85-YY-111408511110, 117040.0520400SLD-1190-90-YY-111909011160, 122550.0220300SLD-1250-110-YY-5125011051210, 128060.0520800SLD-1280-50-YY-1128050112800.02204001– @ ASE 最大值，RMS 在 1 nm 范围内，10pm 分辨率780-1330 nm范围内的任何定制波长都是可能的。波长功率密度曲线注意:这种设备发出的光是看不见的，可能对人眼有害。设备运行时，避免直视光纤连接器。在连接器打开的情况下操作时，必须佩戴合适的激光安全眼镜。绝对最大额定值只能在短时间内应用于设备。长时间暴露于最大额定值或暴露于一个以上的最大额定值可能会导致设备损坏或影响设备的可靠性。在最大额定值之外操作设备可能会导致设备故障或安全隐患。必须使用与部件一起使用的电源，以确保不会超过最大正向电流。散热器上的设备需要一个合适的散热器。该装置必须使用4个螺钉（以X型方式拧紧，初始扭矩设置为0.075Nm，最终X型螺栓拧紧为0.15Nm）或夹具安装在散热器上。散热器表面的平面度偏差必须小于0.05mm。建议在外壳底部和散热器之间使用铟箔或导热软材料作为热接口。为此不希望使用导热油脂避免设备背面反射。它可能会在频谱和功率稳定性方面对设备性能产生影响。它也可能造成致命的关节面损伤。强烈建议使用光学隔离器来阻挡背面反射。不要拉动光纤。不要弯曲半径小于3厘米的光纤。在安装过程中，应始终保护光纤尖端免受任何污染或损坏。取下覆盖在光纤尖端的防尘帽后，使用光学透镜清洁纸或棉签轻轻擦拭异丙醇或乙醇，向一个方向仔细清洁光纤尖端。仅使用干净的光纤连接器操作设备。静电放电是导致产品意外失效的主要原因。采取极端预防措施，防止ESD。在设备安装过程中，必须保持ESD保护——在处理产品时使用腕带、接地工作表面和严格的防静电技术

仪器简介：硅光电二极管探测器分为双波长发射二极管与接收管，硅光电二极管探测器，雪崩二极管 三种不同系列产品，其中硅光电二极管探测器包含光导/光伏型光电探测器，紫外增强探测器，单点软X射线探测器，位置探测器这四种探测器。技术参数：双波长发射二极管与接收管1.陶瓷或塑料封装；发射管有背对背（二引脚）和共阳极（三引脚）连接方式。 2.660nm LED峰值波长偏差小于+/-3nm, 半波宽小于25nm，保证了测量数据的精准度。 3.相应提供最佳匹配度的探测器，可使仪器的设计更简单可靠。 4.发射管主要型号：DLED-660/905-CSL-2 ；DLED-660/940-CSL-3 DLED-660/880-CSL-2 DLED-660/895-CSL-2 DLED-660/905-LLS-2(陶瓷封装)；DLED-660/940-LLS-3(陶瓷封装) 5.接收管型号：PIN-8.0-CSL；PIN-4.0-CSL；PIN-8.0-LLS(陶瓷封装)；PIN-4.0-CSL(陶瓷封装)硅光电二极管探测器1.波长范围：350-1100nm 2.高速响应：光导型加偏压10ns 3.低暗电流：0.01nA 4.高灵敏度：0.65A/W紫外增强探测器1.高灵敏度：0.14A/W@254nm2.反转通道型:*100%内量子效率 3.平面扩散型：红外截止，高稳定度单点软X射线探测器1.探测范围：6eV-17600eV 2.直接探测，不需要闪烁体 3.不需要偏压 4.高量子效率，低噪声 5.真空低温可适应位置探测器1.四象限和线性位置探测； 高精度，高分辨率，高速响应； 2.在长时间和温度变化下仍何以保持高稳定性；雪崩二极管1.响应峰值波长: 820nm 2.响应速度快： 0.4ns @850nm,G=100 (APD-300) 3.高灵敏度： 42A/W @850nm, G=100 4.低偏置电压高增益：G=100@200V5.标准TO封装方式： TO-18；TO-5 6.有平面窗和适合光纤应用的球透镜可选；主要特点：双波长发射二极管与接收管应用：血氧探头（SpO2）；血液分析；比例测量相关仪器硅光电二极管探测器 光导/光伏型光电探测器应用：光脉冲探测；光通信；条码读取；医疗设备；高速光度测量紫外增强探测器应用：污染监测；紫外荧光；紫外线测试；水质净化；紫外线验钞单点软X射线探测器应用：X光医疗设备；放射量测定；X光光谱仪；带电粒子探测位置探测器应用：光路准直；位置测量；测绘；导航系统；表面分析雪崩二极管应用：激光测距；高速光通讯；条码读取仪；光遥控；医疗仪器

超辐射发光二极管，880 nm这些超辐射激光二极管用于OCT系统。它们具有不大于0.3 dB(RMS)极低增益波动，典型波动值为0.06 dB(RMS)。更多有关用于OCT系统的Thorlabs SLD的信息，请点击这里。注意，带宽会随着电流的减小而降低；下方的带宽规格指定在工作电流下。Item #SLD880S-A7SLD880S-A25ParameteraMinTypicalMaxMinTypicalMaxOperating Current (mA)--225--410Center Wavelength (nm)b860880900860880900Spectral ShapeFlat TopFlat TopASE Power (mW)c,d67-2325-Optical 3 dB Bandwidth (nm)c3540-3540-Optical 20 dB Bandwidth (nm)c-80--80-RMS Gain Ripple (dB)c,e-0.060.3-0.060.3Output Spectrum (Click to Enlarge)LIV Plot (Click to Enlarge)Fiber Type780HP点击上方规格标签可查看完整规格。这些装置的中心波长定义取决于光谱形状。请查阅上方规格标签。指定处于工作电流时。当ASE处于最小功率时，可以保证最小3 dB带宽。对应尾纤的输出。产品型号 - 公英制通用SLD880S-A7超辐射发光二极管，7 mW，CWL = 880 nm，40 nm 3 dB带宽，蝶形封装，单模光纤，FC/APCSLD880S-A25超辐射发光二极管，25 mW，CWL = 880 nm，40 nm 3 dB带宽，蝶形封装，单模光纤，FC/APC

APD（雪崩二极管）是通过施加反向偏压，使其高速和高增益工作的高灵敏度光电二极管。它比PIN光电二极管相比，具有更高的信噪比，被广泛应用于光学测距仪、空间光传输、闪烁侦检器等等。滨松提供多类APD及其阵列产品，还可根据客户需求进行定制。请下载样本了解详细信息。

恒定电流LD驱动器，位于子板，低噪声评估板，用于带有OEM激光二极管驱动器的测试类应用母头DB9接头和螺丝终端，用于激光二极管USB接头和螺丝终端，用于5 VDC电源电位器，控制激光二极管的工作设定点SMA接头，用于调制信号输入激光二极管驱动器可安装在评估板上评估板MLDEVAL评估板是一种开放型电路板，可将我们的OEM级激光二极管驱动器与几种常用接头连接。它包含母头DB9接头，可用于连接到消应力电缆的激光二极管，还包含螺丝终端，用户可用其直接连接TO封装激光二极管。通过USB或可以连接5 VDC电源的螺丝终端可以供应电源。两个电位器控制激光二极管的工作设定点。Pset/Iset电位器对激光器电流的调节范围在0 mA-200 mA之间，可用于恒定电流和恒定功率激光器。TIA增益电位器能限制监测二极管的电流，因而只能用于恒定功率驱动器。为了远程调制激光器的光学输出功率，可在母头SMA接头施加电压。 (有关工作参数请看规格标签)。评估板的总尺寸为105.8 mm × 56.0 mm × 14.1 mm(包含母头DB9接头)。边角处有四个?3.2 mm通孔，用于自定义安装。激光二极管驱动器，用于评估板我们的OEM级激光二极管驱动器包含镀有半孔的接头，接头可通过自动组装系统安装。为了便于安装在MLDEVAL评估板，每个驱动器预先安装在了子板上。最后将子板插入评估板上匹配的插孔即可，这样，就可以在实验和测试环境中快速使用这些驱动器。安装驱动器之前，根据所选驱动器和激光器的引脚类型，需将评估板上的几个开关设置在正确的位置。有关正确位置的详细说明，请看评估板手册的第4和第5章。选定了驱动器，有些开关不能改变，安装驱动器时就不能进行操作。

总览Innolume 提供广泛的高功率、空间单模激光二极管产品组合，其波长范围为780-1340nm。这些器件可以采用带自由空间光束的 9 毫米 TO-can 封装，也可以采用单模或保偏 (PM) 光纤耦合标准 14 针蝶形封装。带有 PM 光纤的激光模块提供通常 18dB 的偏振消光比 (PER)。光纤耦合激光二极管可配置为以 CW（高达 600mW）或脉冲模式运行，并且可选择配备光纤布拉格光栅 (FBG) 以实现光谱稳定。Innolume 脉冲激光二极管专为播种(seeding)应用而设计，具有高达 1.2W 的低噪声峰值光功率，加宽的光谱可以抑制高功率光纤激光器中的受激布里渊散射 (SBS)。每条激光二极管产品线都通过了鉴定程序以证明其高可靠性。所有提供的激光器都通过了单独的筛选程序，并附有详细的出厂检验报告。通用参数 TO-can 单模激光二极管的典型输出功率平均波长输出功率工作电流阈值电流频谱带宽FWHM慢轴光束发散快轴光束发散角零件号nmmWmAmAnmdegdegSM-1000-TO-3001000300400300.6617SM-1064-TO-5001064500600300.6631SM-1085-TO-4001085400500400.6635SM-1155-TO-3001155300600404.5627SM-1155-TO-5001155500800405627SM-1170-TO-3001170300600307631SM-1180-TO-3001180300600307631SM-1200-TO-3001200300600404.5629SM-1200-TO-5001200500900405629SM-1210-TO-3001210300600404.5629SM-1210-TO-5001210500900405629SM-1230-TO-3001230300600407638SM-1310-TO-3001310300800807629

显微镜载玻片光电二极管功率探头波长范围：350 nm到1100 nm光功率敏感范围：10 nW至150 mW用于测量显微镜样品平面的光功率硅光电二极管：18 mm × 18 mm有效面积探头外壳尺寸：76.0 mm x 25.2 x 5.0 mm使用的折射率匹配凝胶防止内部反射接头中存储的信息探头数据可追溯到NIST和PTB的校准数据通过8-32(M4)螺孔安装接杆S170C显微镜载玻片功率探头是一种硅光电二极管探头，设计用于测量显微镜样品平面的功率。该硅光电二极管的波长范围从350 nm到1100 nm，光功率从10 nW到150 mW。探头占地面积为76.0 mm x 25.2 mm，符合标准显微镜载玻片，兼容多数正置和倒置显微镜。光电二极管的有效面积为18 mm x 18 mm，位于OD 1.5的中性密度(ND)滤光片后面，封装在密封外壳中。中性密度滤光片表面上的20 mm x 20 mm凹槽刚好接受标准显微镜盖玻片。浸渍介质(水、甘油、油)可直接涂覆在中性密度滤光片上方的这个凹槽中，也可以先插入盖玻片简化清洁步骤。光电二极管和中性密度滤光片之间的缝隙填充了折射率匹配凝胶，可以在使用浸水或浸油的高NA物镜时，防止内部反射产生明显的测量误差。探头外壳底部有一个激光所刻的方格，用于辅助光束对准和聚焦。在标准显微镜中，可以先用这个方格对准光束，然后翻过来将探头面向物镜测量功率。在倒置显微镜中，打开透射光源使用光束对准方格和探测器外壳，使探头中心对准物镜。此外，中性密度滤光片的散射面可用于聚焦平面。每个探头发货时带有可追溯NIST或PTB校准数据。包含的数据与用于测试单个探头的光电二极管校准证书匹配。探头规格和可追溯至NIST和PTB的校准数据都存储在探头接头的非易失性存储器中，使用Thorlabs的功率计可以读取这些数据。我们建议每年校准，保证精度和性能。如需订购校准，请使用下面的CAL-PD重新校准服务。Thorlabs还提供带热敏探头的显微镜载玻片探头；

产品名称：Laserline二极管激光器LDM系列产品型号：LDM产品介绍：LDM系列光纤耦合OEM模块的系统设计侧重于紧凑性、可靠性和易于集成。LDM是一种19英寸机架安装激光器，大小相当于PC。它包括二极管堆叠、光纤耦合单元、电源、冷却以及用于监测和控制激光器的微电子器件。节省空间的19英寸概念使工厂建设者更容易集成激光器，从而使其成为标准的工业工具。无论是在传统的控制柜、加工站还是在相互连接的生产工厂的传送带下面，创新的设计都使LDM二极管激光器能够集成在任何生产区域。它不需要额外的空间，因此非常适合OEM应用。随着7 RU系统中LDM产品系列性能的提高，Laserline再次为紧凑型高功率二极管激光器树立了标准。LDM技术的进一步发展使8kW激光功率的新应用成为可能。光纤耦合LDM二极管激光器的光束质量与灯泵浦固态激光器的光束品质相当，但在其尺寸的一小部分上具有十倍高的插座输出效率。由于功能标准化的信号接口，这种面向用户的产品提供了非常简单的操作。LDM模块基于久经考验且不断发展的激光线二极管技术。如今，它在世界各地的许多应用领域都得到了应用，并具有高可靠性和系统稳定性的特点。因此，Laserline的二极管激光器提供激光二极管的五年保修。此期限可根据要求延长。LDM产品理念的主要元素是用户友好性。激光系统的小型化导致投资和操作成本的明显降低。LDM二极管激光器具有巨大的潜力，不仅可以替代现有的激光器应用，还可以替代传统方法，例如焊接、补焊或热处理。LDM系列的二极管激光器很好地实现了这种平衡，它们在机架模块中以高达6000 W的激光功率设定了新的基准。性能特点：&bull 19“机架安装外壳中功率高达10 kW&bull 激光二极管5年保修&bull 光束质量与Nd:YAG固态激光器相当&bull 非常适合焊接、硬化以及移动式补焊&bull 激光工厂容易集成技术参数：&bull 型号：LDM&bull max输出功率：1000W&bull 光纤：400µ m[NA 0.1]&bull f=150 mm时的min fokus：300µ m&bull 功耗，通常为：4.6kW&bull 冷却要求，通常为：3.6 kW&bull 光纤耦合单元：LLK-D/Auto，可根据要求提供更多类型&bull 光纤长度：10米、20米、30米、50米、100米，可根据要求提供不同长度&bull 功率稳定性：2小时内+/-2%&bull 波长范围：900 nm至1080 nm&bull 温度：工作温度为10-45°C，储存温度为5-65°C&bull 湿度：max 75%@25°C，非冷凝&bull 防护等级：IP54&bull 外部输入：数字24 V，模拟电源控制0-10 V，安全联锁&bull 接口：Profibus-DP、以太网、RS232（VG5H）/USB（VG7H）&bull 二极管冷却：有源，可实现高功率密度和可靠性&bull 正常运行时间：通常99.5%&bull 产地：德国

总览WL-LDC10D是一款高速激光二极管驱动器，专为驱动近红外范围内的SOA和BOA而设计。它有一个模拟输入，可以在DC到15MHz的频率下，在0到1A之间任意设置激光电流。这种高输出驱动和高转换速率(50A/µ s)的结合使WL-LDC10D非常适合开关和模拟调制应用。数字TTL输入允许在两个任意电流设置之间进行数字切换。WL-LDC10D高速激光二极管驱动器具有可调限流、反向电流保护和集成热过载保护功能。它提供了一个内部数字控制回路，作为具有可调温度和电流限制的TEC控制器。所有参数都可以通过前面板和内置的USB接口进行调整。高速激光二极管驱动器 SOA/BOA控制器,高速激光二极管驱动器 SOA/BOA控制器通用参数产品特征模拟带宽DC至15 MHz 高达1A输出驱动电流可调输出电流限制200 mA至1A激光二极管反向电流保护电流监控器输出 TTL调制(2个任意电流)集成TEC控制器(最大1.5A)可调TEC调节器参数可调TEC电流限值USB接口(虚拟串行通讯端口) 价格实惠 应用方向 FDML激光器:扫描幅度整形 SOA/BOA/LED调制和切换 典型应用激光二极管直接安装在WL-LDC10D的背面。可为不同的引脚提供不同的插槽。 电气规格参数条件最小值典型值最大值单位电源电压1 (VS)1516V输出电流(Iout)VS=15V，二极管正向电压 2V最大输出电流随着二极管正向电压的增加而减小。11.1A输入电压(Vin)模拟电流控制电压-6.56.5V输入阻抗485052Ω 模拟带宽2VS=15V，Iout调制1App15MHz输出上升时间2VS=15V，Iout=0至1A20ns输出下降时间2VS=15V，Iout=1A至0A22ns最小电流限制可调最小输出电流200mA 1. 该设备可以在电源电压低于±15V时工作，但性能会下降。上升/下降时间和带宽会略小，最大输出电流会减少。2. 上升/下降时间和模拟带宽取决于所附激光器的特性(容量、感应率)。除非另有说明，上表中规定的数值是Covega的1310nm SOA（1132型号）测量的数据。 机械规格金属外壳尺寸(无连接器)105 x 65 x 160mm3重量，包括电源(约)1 200g

皮秒脉冲二极管激光器（Picosecond pulse diode laser）品牌： ALPHALAS型号： PICOPOWE-LDPICOPOWER™ -LD系列带驱动器的皮秒脉冲二极管激光器有效工作波长标准:375，405，450，488，635，670，785，976，1030，1064，1300，1550nm, 也可以定制其他特殊波长激光器 Fig1.皮秒激光器产品特点：1.脉宽于40ps2.特殊波长可高到3W的峰值功率3.独有的高频设计最短和最高峰值功率的激光二极管脉冲4.空间滤波器的平行输出5.可替换具有大范围的波长的激光头6.专利的激光二极管驱动器产生的皮秒高电流脉冲7.内置数字显示滤波器的频率发生器可把频率从0.1Hz调整到20MHz（可选40MHz、80MHz）8.外部的TTL触发功能和同步TTL输出9.可选光纤耦合配置应用范围：1. 荧光寿命测量2. 泵浦探测实验3. 光探测器和光电子响应时间测量4. 光通讯测试5. 光时域反射计（OTDR）6. 光纤激光器光源7. 光学层析成像 皮秒脉冲激光二极管性能：波长（nm）脉宽（ps）平均功率 @20 MHz /@40MHz1峰值功率（mW）光束发散角（mrad）注释375600.2/0.42501.3 405400.5/1.07501.2峰值功率可以达到3W450600.4/0.84501.2 488600.25/0.52501.4 635600.2/0.4200n/a光纤耦合670600.5/1.04501.3 785600.2/0.42000.5 976800.5/1.0500n/a 1030600.5/1.02501.5 1064500.5/1.03001.52)1300400.5/1.0250n/a光纤耦合1550400.5/1.0250n/a光纤耦合1更高的平均功率可以产生更长的脉宽2单频和光纤耦合可用于放大器光源。波长公差为1%。光斑模式是TEM00偏椭圆。激光为典型的1M，最大值为3B(取决于波长)。激光头机械指标：尺寸(? × D)?25×125mm可定制特殊外形操作温度15°Cto35°C(59°Fto95°F) 重量120g 皮秒激光二极管驱动器：PLDD-100-40技术参数规格注释机械方面尺寸（W×H×D）235×110×280 mm原厂规格和顾客特殊要求均可满足操作温度15°Cto35°C(59°Fto95°F) 重量2.6kg 电子方面频率发生器数字显示示波器8位显示器频率范围/0.2Hz-20MHz最大频率可选择40MHz和80MHz或者定制最大频率外部触发脉冲输入最大20MHz应用前沿的TTL信号一般化技术参数电压/电流要求100V AC/0.2A230V AC/0.1A12V DC电压消耗功率最大30W 可定制满足用户特殊参数要求

激光二极管 激光二极管，简称LD（LaserDiode），也叫激光二极管器件，是一种可以产生激光的半导体器件。激光二极管是利用外加电流激发半导体中载流子的辐射复合作用，产生的光具有单色性、方向性和相干性等特点。 激光二极管具有多种封装形式，广泛应用于通信、医疗、制造工艺等领域。 我们的激光二极管产品具有如下优势： 波长选择多（覆盖445-1850nm波段） 封装多样式（各种自由空间光封装、光纤耦合式封装） 标准产品齐全 提供定制服务 激光二极管的功率、波长选择型号多样：激光二极管产品选型方法：我们还提供定制服务，如有定制需求，欢迎联系！关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。

高亮度二极管（SLD） 这种高亮度激光二极管（SLD）既具备LD的高亮度 又具备了LED的低相干度；弥补了LD的相干噪声的缺陷。它们广泛应用于光学测量和医学成像。产品图像产品型号产品名称产品型号辐射通量中心发射波长(typ.)光谱半高宽(typ.) L8414-41高亮度二极管L8414-413 mW830 nm15 nm L11607-04高亮度二极管L11607-0430 mW875 nm10 nm详细参数 产品型号 L8414-41 辐射通量 3 mW 工作温度 - 10 to + 70 ℃ 贮存温度 - 20 to + 80 ℃ 中心发射波长(min.) 810 nm 中心发射波长(typ.) 830 nm 中心发射波长(max.) 850 nm 工作电流(typ.) 0.1 A 光谱半高宽(typ.) 15 nm 工作电压(typ.) 2 V 发射宽度 5 μm 光发散角(平行方向典型值) 23 ° 光发散角(竖直方向典型值) 35 ° 监控PD电流(typ.) 0.16 mA 相干长度 50 μm 封装 dia. 9.0CD 输出功率发光谱外形尺寸(单位 mm)详细参数 产品型号 L11607-04 辐射通量 30 mW 工作温度 - 10 to + 50 ℃ 贮存温度 - 20 to + 80 ℃ 中心发射波长(min.) 855 nm 中心发射波长(typ.) 875 nm 中心发射波长(max.) 895 nm 工作电流(typ.) 0.11 A 光谱半高宽(typ.) 10 nm 工作电压(typ.) 1.8 V 发射宽度 5 μm 光发散角(平行方向典型值) 10 ° 光发散角(竖直方向典型值) 35 ° 相干长度 28 μm 封装 dia. 9.0CD输出功率发光谱外形尺寸(单位 mm)

脉冲激光二极管 这些激光二极管在脉冲作用下有高峰值功率。峰值输出功率范围为10W到90W。发光区域面积从70 um到350 um。可用于激光雷达中的距离测量，安全性应用中的灾害监控等领域。产品实例：产品图像产品型号产品名称峰值发射波长(典型值)脉冲发射功率(典型值)封装 L6690-53脉冲激光二极管870 nm11 Wdia. 5.6CD L11348-307-05脉冲激光二极管870 nm21 Wdia. 5.6CD L11348-330-04脉冲激光二极管870 nm90 Wdia. 9.0CD L11649-120-04脉冲激光二极管870 nm22 Wdia. 9.0CD L11854-307-05脉冲激光二极管905 nm21 Wdia. 5.6CD