微霍尔阵列磁场相机

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  • 北京霍尔斯生物科技有限公司 银牌3年
    400-860-5168转4937
    霍尔斯（HOLVES）是一家创新的生命科学公司。自2010年创立至今，聚焦于合成生物学、生物制药、创新生物医疗等新兴领域，研发和生产了多款新型发酵罐、生物反应器、超滤系统、喷雾干燥机等设备，满足从实验到工业生产等各个需求环节。霍尔斯（HOLVES）致力于打造智能自动化系统，赋能生物研究和产业放大领域发展。 发展历程： 2010年创立霍尔斯（HOLVES）品牌，成立北京霍尔斯生物科技有限公司。2012年与美国NBS合作代理生物反应器，与德国GEA合作代理喷雾干燥机，积极学习国外先进的理念和经验。2016年自主研发的首台喷雾干燥机问世，获得市场一致好评，标志着霍尔斯（HOLVES)正式开启自主品牌道路。2017年投入全新现代化工厂基地，成立安徽霍尔斯工程技术有限公司。2020年推出全新设计的Cla系列发酵罐，Eu系列生物反应器，Su系列不锈钢发酵罐，公司和产品双双步入新征程。2021年重磅推出HPB系列平行生物反应器，助力新一代生物智造平台。
    主营产品： 发酵罐   微滤系统   细胞反应器   喷雾干燥机  
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  • 上海续波光电技术有限公司 铜牌1年
    400-860-5168转4180
    上海续波光电技术有限公司是一家专业从事高性能薄膜沉积及处理设备、光电材料及软件、金刚石合成及应用、激光等离子体仿真和诊断等产品及服务进口的技术贸易服务型公司。公司至今已与法国、德国、英国、瑞士、意大利、美国、加拿大、日本、俄罗斯等国家的多家企业建立了战略合作关系，并服务于国内从事微电子、半导体、光学、纳米技术等领域的研究所和大学。公司从事领域及产品主要包括：加速器质谱仪：第三代14C加速器质谱仪系统（AMS），包括全套可兼容第三代石墨化系统AGE3、气动压样装置PSP、铁制分配器FED、管密封装置TSE、气体电离探测器GID、气体接口系统GIS、碳酸盐处理系统CHS2、同位素比质谱仪IRMS。薄膜制备及处理：磁控溅射仪（magnetron sputtering system）、电子束蒸镀设备(E-beam Evaporation system)、离子束溅射沉积(IBS system)、化学束外延镀膜(CBE/GSMBE)、分子束外延设备(MBE)、离子减薄仪(Ion Milling)、超高真空多功能镀膜设备、高精密光学镀膜设备(Optical Coating system)、刻蚀机（RIE, RIEB）、超导约瑟夫森结制备(Josephson Junction, Qubits)、DLC类金刚石镀膜设备。金刚石制备及应用：纳米晶金刚石制备设备、热丝化学气相沉积（HFCVD）、CVD单晶金刚石合成设备、CVD光学级金刚石窗口合成、微波等离子化学气相沉积（MPCVD）、工具级金刚石涂层制备（tool coating）、金刚石单晶/多晶掺杂（single crystal diamond and doping）、CVD金刚石单晶及其应用、高温高压金刚石单晶（HPHT diamond）、金刚石抛光设备（diamond polishing）、激光切割设备（laser cutting）、钻石净度及切工评定仪器；高能密度物理：辐射流体力学模拟、原子光谱分析软件、多维碰撞辐射软件、三维热辐射CAD软件、状态方程和不透明度、原子物理数据库；微波干涉仪、金刚石靶丸、超高功率输出窗口；激光等离子体气体/固体靶、粒子加速器源、激光等离子体加速器及应用（无损测试）激光器与设计：固体激光器设计软件(Solid-state Laser)、光纤激光器设计软件(Fiber laser)、半导体激光器设计软件(Semiconductor laser)、激光镜面镀膜设备(Lasers coating system)、高功率激光输出窗口(High power output window)、高功率激光热沉片(Heat Sink)、高功率钻石激光器(Diamond Laser)、金刚石窗口镀增透膜(AR coating service)；磁场分布测量：微霍尔阵列磁场相机(1D/3D)、大面积磁场分布测量解决方案、永磁转子表磁测量解决方案，多功能表磁测试平台
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  • 山东霍尔德电子科技有限公司 白金5年
    400-875-3669
    山东霍尔德电子科技有限公司是cod检测仪、氨氮检测仪、总磷总氮检测仪、生物毒性检测仪、测油仪、BOD检测仪、水质在线监测设备等生产研发销售集于一体的原厂厂家。公司主营业务是研发、生产和销售应用于水质检测、农业生态、食品快检、植物生理、气象环境、智能物联等仪器设备，在多重相关领域构建起完整的产品体系，将光电技术与物联网和云服务结合，为用户提供更加广泛的应用和深度服务，为农业、林业、科研、畜牧、气象、水利、食药、环境等相关领域提供综合解决方案。公司与全国各大高校和科研院所建立了长久的合作关系，引进先进的高科技成果，研发了众多高性价比高科技产品，广泛应用于各个行业，得到了客户的认可和青睐。
    主营产品： 水质分析仪   食品安全检测   土壤测定仪   水质在线监测  
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微霍尔阵列磁场相机相关的仪器

  • Metrolab HallinSight® 3D-霍尔磁场相机-表磁分布测量 400-860-5168转2831
    Metrolab HallinSight 3D-霍尔磁场相机-表磁分布测量昊量光电全新推出的Metrolab HallinSight--真正的3D霍尔磁场相机-表磁分布测量。Metrolab HallinSight是由弗劳恩霍夫集成电路研究所 （Fraunhofer IIS）开发的一项技术。Metrolab HallinSight评估套件代表了精确的矢量磁测量，可以高度灵活地适应不同的要求和应用。HallinSight矢量磁场成像技术能够实时测量磁场的所有三个维度。磁场矢量可以以每秒1000次的测量速度在μT范围内确定。以平面阵列的形式，该技术可以作为磁场相机来实现，并用于描述静态或动态磁场的特征。HallinSight技术的高灵活性，使其有可能实现对沿线或平面以及空间体积的磁场的测量。各种通信接口可用于整合到实验室和工业设置的现有环境中。独特的矢量测量HallinSight 矢量磁场成像技术能够实时测量所有三个磁场轴3 轴霍尔传感器以 4 uT 解析磁场矢量 分辨率速率高达 1 kHz。该霍尔磁场相机可表征静态或动态磁场HallinSight技术的灵活性使得沿线或平面测量磁场成为可能！HallinSight系统实时映射动态磁场。32×32、16×16 或 32×2 三轴霍尔传感器阵列分别以 25、100 和 250 Hz 的速率测量从几 μT 到几 T。Metrolab HallinSight--真正的3D霍尔磁场相机-表磁分布测量突出亮点&bull 随时可用的真实三维磁场测量（矢量），在2.5毫米的网格内进行空间分辨率测量&bull 有可能为更高的分辨率使用内插算法&bull 集成温度传感器&bull 整个测量系统的磁力校准&bull 用于可视化和分析的Windows软件&bull 整合LabVIEW和Python库&bull 磁中性测量范围&bull 通过USB和串行ASCII协议进行通信Metrolab HallinSight--真正的3D霍尔磁场相机-表磁分布测量应用范围&bull 磁铁制造中的质量控制&bull 检测磁性材料的缺陷（如裂缝、空洞）。&bull 永磁体的特性（如场强、磁化）。&bull 非破坏性的材料测试（例如，磁反偏压）。&bull 多维位置测量&bull 测量高动态的磁场（如梯度场）。&bull 检测隐藏的电流（如太阳能电池板）。&bull 静态或变化的磁场（如电机、线圈）的可视化Metrolab HallinSight--真正的3D霍尔磁场相机-表磁分布测量技术规格&bull 在 2.5 mm 网格上测量 &bull 横向几何位置误差 50 μm&bull 垂直几何位置误差 10 μm&bull 正交误差 0.1°&bull 分辨率4 μT&bull 包括 4 个测量范围± 100 mT、± 400 mT、± 800 mT、± 2'000 mT&bull 测量速率高达 250 Hz关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是国内知名光电产品专业代理商，代理品牌均处于相关领域的发展前沿；产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等，涉及应用领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防及更细分的前沿市场如量子光学 、生物显微、物联传感、精密加工、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等优质服务。
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    厂商： 上海昊量光电设备有限公司
    品牌： 昊量/auniontech
    型号： 磁学测量
    价格： 面议
  • 低温强磁场原子力/磁力/扫描霍尔显微镜 400-860-5168转0980
    低温强磁场原子力/磁力/扫描霍尔显微镜 - attoAFM/attoMFM/attoSHPM系统 纳米尺度下的磁学图像对于研究磁性材料和超导样品是非常重要的，利用attocube公司attoAFM/attoMFM/atoSHPM系统，科学家可以在无以伦比的空间分辨率（20nm）和磁场敏感性下分析样品磁性，工作温度从低温、强磁场到室温。attoAFM/attoMFM/attoSHPM采用模块化的设计。利用标配的控制器和样品扫描台，用户仅需要更换扫描头和对应的光学部件即可实现不同功能之间的切换。低温强磁场磁力显微镜 - attoMFM I系统 attoMFM I采用紧凑设计，其主要用于低温和低温环境中。在扫描时，探针是固定的，而进行样品扫描。样品与探针之间的磁力梯度由光纤干涉的模式，通过测量共振频率或相位变化而确定。 在实验过程中，样品和探针保持一定的距离，典型值为10-100nm。工作在共振频率模式时，PLL用于激发微悬臂，进行闭环扫描，实现高的空间分辨率（10.7nm，如下图）。attoMFM I特点与技术优势+ 工作模式：MFM、接触式/半接触式/非接触模式AFM、导电AFM、EFM+ 可升到SHPM、共聚焦显微镜、SNOM和STM+ 5X5X5mm粗定位范围，4K+ 30umX30um扫描范围，4K+ MFM高空间分辨率：好于11nm+ 变温范围：mK - 373K+ 兼容强磁场：可达15Tesla+ 兼容1"和2"孔径的磁体与恒温器，如Quantum Design-PPMS系统 + 其紧凑和可靠MFM扫描头设计+ 闭环式扫描模式+ 外置CCD，用于检测低温环境中样品的位置 + 用于超导体的vortex分布与定扎测量+ 磁性颗粒的局域场测量+ 磁化率和磁滞回线测量+ 超导、磁畴、材料科学研究attoMFM I技术参数+ 样品定位范围：5 X 5 X 5mm，4K+ 样品位移步长：0.05 -3um @ 300K， 10 -500nm @ 4K+ 扫描范围：40X40 um @300K；30X30 um @4K+ 磁场强度： 0 -15Tesla (取决于磁体）+ 变温范围：mK - 300K （取决于恒温器）+ 工作真空环境：1X10-6mbar - 1bar（He交换气氛） + MFM侧向分辨率：好于20nm+ RMS z-noise水平（4K）：0.05nm+ z bit分辨率（全范围内）：7.6pm+ z bit分辨率（扫描范围内）：0.12pm低温强磁场扫描霍尔显微镜- attoSHPM系统 attoSHPM采用紧凑设计，其主要用于低温和低温环境中。其探针是采用MBE生长的GaAs/AlGaAs霍尔传感器。局域测量通过霍尔探针在样品表面进行扫描而实现，将测得的霍尔电压进行转换，即可计算出局域磁场强度。attoSHPM特点与技术优势+ 可升到MFM、接触式/半接触式/非接触模式AFM、导电AFM、EFM、共聚焦显微镜、SNOM和STM+ 5X5X5mm粗定位范围，4K+ 30umX30um扫描范围，4K+ 变温范围：mK - 373K+ 兼容强磁场：可达15Tesla+ 兼容1"和2"孔径的磁体与恒温器，如Quantum Design-PPMS系统 + 其紧凑和可靠SHPM扫描头设计+ 定量和非破坏性磁性测量，mK温度+ 闭环式扫描模式 + 用于超导体的vortex分布与定扎测量+ 磁性颗粒的局域场测量+ 磁化率和磁滞回线测量+ 超导、磁畴、材料科学研究attoSHPM技术参数+ 利用STM原理/音叉模式探测样品与探针之间的距离+ 样品定位范围：5 X 5 X 5mm，4K+ 样品位移步长：0.05 -3um @ 300K， 10 -500nm @ 4K+ 扫描范围：40X40 um @300K；30X30 um @4K+ 磁场强度： 0 -15Tesla (取决于磁体）+ 变温范围：mK - 300K （取决于恒温器）+ 工作真空环境：1X10-6mbar - 1bar（He交换气氛） + SHPM探针：MBE生长的GaAs/AlGaAs异质结+ 分辨率：250nm超高分辨 + z bit分辨率，300K ：0.065nm，4.3um扫描范围+ 侧向（xy）bit分辨率，4K：0.18nm，12um扫描范围+ z bit分辨率，4K：0.030nm，2um扫描范围应用案例：PPMS-MFM vortex测量高分辨磁畴测量315mK下vortex测量300mK下SHPM测量AFM在脉冲管制冷机中使用300mK-9T下AFM/STM测量
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    厂商： QUANTUM量子科学仪器贸易（北京）有限公司
    品牌： Attocube Systems AG
    型号： attoAFM/attoMFM/attoSHPM
    价格： 面议
  • 霍尔效应传感器（磁场测量传感器） 400-860-5168转2255
    霍尔效应传感器可为科学研究、医疗健康、航空航天和工业应用提供高性能的模拟磁场测量。 Figure 1. sensor on test assembly 产品特点:• 超高分辨率• 超低噪音性能• 可在极低温条件下使用• 大动态范围• 高线性• 超低功耗运行 简述:利用石墨烯固有的低噪声特性，无需信号调节即可提供出色的场分辨率。石墨烯的二维性质 很大程度地降低了平面霍尔效应，并且石墨烯的稳定性和电子 迁移率提供了 超强的温度和磁场工作范围。 应用包括：• 精密磁场测量• 场梯度和边缘场的精确映射• 高精度位置，旋转和速度感应• 低温下的超低功率场测量 产品优点:可满足各种应用需求。可以利用的优点包括：• 可以在 1.8 K - 353 K的极端温度下运行• 在大磁场范围( 9 T)内ppb磁场变化的分辨率• 低至 10 nA的工作电流，节省了功率，仅产生5 pW的散热• 平面霍尔效应可忽略不计，有助于精确地确定仪器的摆放位置场方向 需要特定要求，请联系我们info 性能特点:ParameterSymbolValue (typical)UnitNotesMaximum operating temperature rangeT1.8 to 353KPerformance guaranteed within this range. Operation 1.8 K is possibleMeasurable field rangeB+/- 9TSee Fig.2. At 1.8K, 0-9 T is possible with reduced linearityOpen Circuit SensitivityS1100V/AT@ room temperature. see Fig 3 for change with temperatureOpen Circuit Hall VoltageVH110mVI=IN and B=1 T, increases with reducing temperature Spectral Noise Density SDT7 μ???√????10 Hz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.71 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.310 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.07100 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN) Resolution, based on SDT on a 1 T field RSND7 ppm10 Hz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.71 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.310 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)0.07100 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)RMS noise??T2?40?T0.1 – 10 Hz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)2810 – 100 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)Linearity of Hall Voltage% of full scaleFL0.5%-1 to 1 T. See Fig 2 for full 0-9 T rangeCorrected Linearity0.01%-1 to 1 T, after 3rd order correctionPlanar Hall EffectHPL10μTAt I=IN , 1 TNominal Supply CurrentIN0.1mACan be operated down to I=10 nAMaximum Supply CurrentImax1mASupply Side Internal ResistanceRIN22k?B=0 THall Side Internal ResistanceROUT22k?B=0 T Offset Voltage VR08mVTypical offset voltage at I=IN and B=0 T0.6mVMin offset voltage at I=IN and B=0 T34mVMax offset voltage at I=IN and B=0 TTemperature Coefficient of SensitivityTCS-4.7V/AT/K@ room temperature, IN 高场和低温性能 Figure 2. Hall Voltage output at 295 K, from 0 to 9 T Figure 3. Sensitivity as a function of temperature from 1.8 K to 300 K. Measured at 1T. 封装信息有效面积：1.3 x 1.3 mm 位于封装的中心封装类型: 20-pin LCC, 陶瓷,无镍, 表面贴焊。PinNotesVIN+1 or 11Input voltage can be supplied with eitherpolarityVIN-11 or 1VH+6 or 16Hall voltage polarity willdepend on VIN polarity and field polarityVH-16 or 6
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    厂商： 杭州谱镭光电技术有限公司
    品牌： 谱镭光电/SPL
    型号： GHS09CC
    价格： 1万 - 5万元
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  • 磁场驱动微板阵列表面实现定向输运
    设计并驱动微纳米结构表面实现物体的定向输运在微电子、生物医药及防污自清洁等领域具有广泛的应用前景。在这些应用领域中，提高定向输运的速度能进一步提高输运效率。此外，通过对微结构和驱动方式的创新性设计，实现对多种不同形状的物体在不同环境中的定向输运也具有重要意义。近日，北京理工大学先进结构技术研究院陈少华教授课题组提出了一种通过磁场控制微结构表面快速输运固体物块的方法。该方法能够对厘米级的固体物块进行快速定向输运，其输运速率相对于已有文献中的输运速率有大幅度的提升。微结构表面主要由磁响应微板阵列结构和纯PDMS基底组成，单个微板高度为950微米，厚度为150微米。该研究结合微尺度3D打印技术制备实验样件，所使用的3D打印设备（nanoArch S140，摩方精密）的光学精度为10μm，能实现94×52×45mm大小的三维加工尺寸。基于该设备加工了板状微结构阵列，并通过倒模制备出含有磁颗粒的PDMS微结构试样，然后通过磁场控制微结构的变形储能以及能量的快速释放，实现定向输运的功能。该成果以“Directional Transportation on Microplate-Arrayed Surfaces Driven via a Magnetic Field”为题发表于国际期刊ACS Applied Materials & Interfaces上。该工作由北京理工大学先进结构技术研究院李程浩博士作为第一作者完成。图1.微结构制备及实验装置示意图图2.固体物块定向输运及驱动过程分析图3.通过磁场控制微结构表面实现不同形状物体的定向输运，及不同重量物体的筛选分离（空气环境和水下） 该研究提出了一种通过磁场控制微结构表面快速输运固体物块的方法，并揭示了输运机理：通过磁场控制微结构变形储存弹性能，然后通过控制微结构逐个回弹，使得储存在微结构中的弹性能依次快速释放，并驱动物体连续向前运动，以此实现固体物块的快速定向输运。此方法具有广泛的适用性，能够在空气和水环境中同时输运不同形状的物块，且能够较好控制输运速度，对于更加智能甚至编程化的定向输运技术具有重要意义。官网：https://www.bmftec.cn/links/10
    时间： 2022-05-25
    作者： 摩方精密
  • 磁场驱动微板阵列表面实现定向输运
    设计并驱动微纳米结构表面实现物体的定向输运在微电子、生物医药及防污自清洁等领域具有广泛的应用前景。在这些应用领域中，提高定向输运的速度能进一步提高输运效率。此外，通过对微结构和驱动方式的创新性设计，实现对多种不同形状的物体在不同环境中的定向输运也具有重要意义。 近日，北京理工大学先进结构技术研究院陈少华教授课题组提出了一种通过磁场控制微结构表面快速输运固体物块的方法。该方法能够对厘米级的固体物块进行快速定向输运，其输运速率相对于已有文献中的输运速率有大幅度的提升。微结构表面主要由磁响应微板阵列结构和纯PDMS基底组成，单个微板高度为950微米，厚度为150微米。该研究结合微尺度3D打印技术制备实验样件，所使用的3D打印设备（nanoArch S140，摩方精密）的光学精度为10μm，能实现94×52×45mm大小的三维加工尺寸。基于该设备加工了板状微结构阵列，并通过倒模制备出含有磁颗粒的PDMS微结构试样，然后通过磁场控制微结构的变形储能以及能量的快速释放，实现定向输运的功能。该成果以“Directional Transportation on Microplate-Arrayed Surfaces Driven via a Magnetic Field”为题发表于国际期刊ACS Applied Materials & Interfaces上。该工作由北京理工大学先进结构技术研究院李程浩博士作为第一作者完成。原文链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.1c09648图1.微结构制备及实验装置示意图图2.固体物块定向输运及驱动过程分析图3.通过磁场控制微结构表面实现不同形状物体的定向输运，及不同重量物体的筛选分离（空气环境和水下） 该研究提出了一种通过磁场控制微结构表面快速输运固体物块的方法，并揭示了输运机理：通过磁场控制微结构变形储存弹性能，然后通过控制微结构逐个回弹，使得储存在微结构中的弹性能依次快速释放，并驱动物体连续向前运动，以此实现固体物块的快速定向输运。此方法具有广泛的适用性，能够在空气和水环境中同时输运不同形状的物块，且能够较好控制输运速度，对于更加智能甚至编程化的定向输运技术具有重要意义。
    时间： 2021-08-23
    作者： 摩方精密
  • 微纳3D打印结合二次翻模形成的微柱在磁场作用下实现定向可控变形
    北京理工大学宇航学院的陈少华教授课题组柴泽博士，近日在知名期刊《Soft Matter》发表了一篇高质量文章“Controllabledirectional deformation of micro-pillars actuated by a magnetic field”。研究人员在实验过程中使用了深圳摩方材料科技有限公司微尺度3D打印设备S140，该设备具有10um精度的分辨率，94*52*45mm大小的三维加工尺寸。基于该设备加工了阵列的微柱结构，通过PDMS二次倒模形成含有磁性颗粒的PDMS微柱阵列，通过磁场控制来研究微柱变形，进而研究可逆粘附、可控润湿性和方向性表面输运等特殊功能性表面的设计和研究。微柱阵列（BMF nanoArchS140 GR resin）填充磁性颗粒的柔性微柱阵列的制备工艺如图（a）所示，先通过深圳摩方（BMF）10μm精度的微立体光固化3D打印机S140打印出微米级别的微柱阵列，再倒模出纯PDMS孔洞模具，最后二次倒模获得含有磁性颗粒的PDMS微柱阵列；（b）PDMS模具的SEM图像，该模具的孔的大小与3D打印的微柱的大小相同；（c-d）从顶视图（c）和侧视图（d）观察的磁性颗粒填充的微柱阵列的SEM图像；（e）单根微柱；（f）夹角为90°时，永磁铁和微柱阵列表面之间具有不同距离的微柱变形形态；（g）距离一定时，磁体围绕固定微柱样品以半圆形旋转，微柱的变形形态。众所周知，可以通过改变微结构表面的形貌来设计特殊的表面功能。本文提出了一种通过旋转磁场控制微柱阵列方向变形的简单有效的方法。每个微柱的大变形可以通过磁场强度和方向来调整。当磁场强度固定时，微柱的变形方向由磁场方向控制。当确定磁场方向时，微柱的挠度随磁场强度的增加而增加。根据最小势能原理，进一步建立了揭示微柱大变形机理的理论模型。从理论上预测变形柱的形态与实验结果非常吻合。目前的实验技术和理论结果有利于典型功能性表面的设计和制备。例如，通过外场精准控制表面微结构的变形，实现目标表面界面粘附性和液体浸润性的可连续性调控，以及呈现梯度变化。为实现仿生壁虎脚设计，微纳器件转印，生物医学微液滴混合及方向性输运等提供技术支持。BMF nanoArchS140System
    时间： 2022-10-31
    作者： 摩方精密
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  • 记一次脉冲强磁场设备维修

    记一次脉冲强磁场设备维修

    记一次脉冲强磁场设备维修原创：大陆2015-11-13一、前言磁场设备是磁学研究中产生磁场的设备，根据可产生最高磁场强弱可以分为亥姆赫兹线圈、永磁场发生器、电磁铁、超导磁体与强脉冲磁场发生器几种，其中使用脉冲磁场发生器原理是短时间通大电流产生强磁场，在相同的散热及供电功率等配套条件下可以产生比稳恒磁体强一个数量级以上的磁场，因而可以在物理、化学与生物研究中需要强场的场合应用。目前脉冲强磁场能产生的最高磁场的世界纪录超过2千特斯拉，不过这些极端磁场的产生过程伴随爆炸冲击波作用，只是一次性的产生，线圈无法再次使用，而且需要防爆实验环境；能够重复使用同一个线圈可控产生的脉冲强磁场最高约1百特斯拉，这需要配套专门的实验室与供电通道；在普通实验室条件下对脉冲磁场发生装置的需求一是不需要专门的电力改造，且整个装置方便移动，不过产生的磁场最高超过10特斯拉，我们实验室(磁学国家重点实验室)就有一套这样的样机设备，是实验室几位老前辈在1990年前后自己做的，设备整体照片如图1，它的主体分为充放电控制模块、线圈负载与电容柜(如图02中肚子里主要装的是1kV，0.1mF的电容阵列，合计98个，总容量9.8毫法拉) 、。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/11/201511132130_573466_1611921_3.png图01 脉冲强磁场装置照片http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/11/201511132130_573467_1611921_3.jpeg图02 脉冲强磁场装置中的电容二、故障及诊断维修前段时间有使用者在使用过程中发现设备电容无法充到设定电压，从而无法放电产生磁场。首先通过沟通，获知设备是在用户更换自己的负载线圈之后引起，用户自己的负载线圈电感约10纳亨，而设备标配的负载线圈是280微亨，相差4个数量级；然后结合图03所示的脉冲强磁场的电路分析故障在充电模块；最后打开机柜，通过肉眼观察线路板与元器件，如图04所示，可以看到大功率晶闸管的散热固定木柱有裂纹，从而将故障诊断在晶闸管上。值得一提的是，必须赞一下实验室前辈们：在设备制造过程中保留着晶闸管的铭牌，这样尽管他们退休好多年了，设备出现问题，后人还可以找到配件的线索。将晶闸管拆下来后发现正反向都是导通状态，显然控制端无法控制其单向积累电荷给电容充电，因而根据铭牌上的最大电流500A、耐压1800V、控制电压1.5V指标购买替换晶闸管，幸运的是市场上还能找到同样规格的KP-500A晶闸管，买回来替换上后测试发现仪器可以正常充放电，至此维修工作完成。简单分析其原因是使用者将负载换成特别轻的电感，这样在最高800V充电后，电感几乎不能增加阻抗，此时放电回路电路中的阻抗幅值约0.5欧姆，导致放电回路中的电流瞬间超过1600安培，而晶闸管的最高承受电流只有500安培，所以损坏导致故障。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/11/201511132130_573468_1611921_3.gif图03 脉冲强磁场装置充放电原理电路图http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/11/201511132130_573469_1611921_3.png图04 脉冲强磁场装置充放电电路照片http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/11/201511132130_573470_1611921_3.jpeg图05 更换的晶闸管照片三、测试验证我们知道，设备维修让设备能工作与是否适合科学研究是两码事，为了让使用者更好的在该设备上开展研究，需要在正常工作的基础上对其性能做一次测试验证，测量不同充电电压对应在标准负载线圈中的放电脉冲磁场。测试用到的工具是带轴向(霍尔传感器)磁场探头的特斯拉计(高斯计)，与一台示波器，如图06所示，由于仪器尾部自带有BNC模拟接口，将其连在示波器上，但初步测试发现仪器标配的模拟信号在较高磁场下有饱和截断平台，如图07所示。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/11/201511132130_573471_1611921_3.png图06 测试验证需要的仪器http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/11/201511132130_573472_1611921_3.png图07 直接使用模拟信号观测脉冲场波形经过与特斯拉计的工程师交流，得知其模拟输出的是原始霍尔电压信号放大10倍并做滤波限幅保护等电路处理之后输出的结果，而设备限幅4V，对应典型传感器最高只能测量4T的磁场。我们目前的应用明显要测量超过4T的磁场，那么要想获得高于4T的模拟脉冲信号，怎么办呢？使用原始(未经放大、调理、限幅处理的)霍尔电压信号！于是打开特斯拉计机箱，如图08所示，http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/11/201511132130_573473_1611921_3.png图08 特斯拉计内部电路结构http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/11/201511132130_573474_1611921_3.png图09 改变模拟BNC输入线的接入位置做好以上的准备工作后，开始进行测量系统标定，为了简便，这里使用一块永磁体产生磁场做动态模拟电压-磁场标定，放在探头边上，通过调节距离改变特斯拉计的输入磁场，记录特斯拉计与示波器上直流信号的平均值，绘制成曲线并拟合如图10所示。然后将磁场探头放入负载线圈的中心位置，测量不同放电电压下产生的脉冲磁场波形，并根据指数衰减放电函数拟合出峰值与脉宽，如图11所示。最后将所有的初始放电电压获得的脉冲磁场信号曲线的拟合结果汇总可得脉宽不随放电电压变化，恒定约1毫秒，峰值磁场与初始放电电压关系经拟合满足为B(特斯拉)=20V(千伏)关系，该设备在最高800V电压充电时产生峰值磁场约16T，使用相对简单的原理与低成本[c

  • “量子反常霍尔效应”离诺贝尔物理奖有多近?

    我国科学家首次发现“量子反常霍尔效应”这一科研成果离诺贝尔物理奖有多近2013年04月11日 来源： 中国科技网 作者： 林莉君 李大庆 http://www.stdaily.com/stdaily/pic/attachement/jpg/site2/20130410/051365597244421_change_wtt3427_b.jpg量子反常霍尔效应的示意图，拓扑非平庸的能带结构产生具有手征性的边缘态，从而导致量子反常霍尔效应 http://www.stdaily.com/stdaily/pic/attachement/jpg/site2/20130410/051365597244437_change_wtt3428_b.jpg理论计算得到的磁性拓扑绝缘体多层膜的能带结构和相应的霍尔电导 “这个研究成果是从中国实验室里，第一次发表出来了诺贝尔物理奖级别的论文，这不仅是清华大学、中科院的喜事，也是整个国家发展中喜事。”4月10日，诺贝尔物理奖得主、清华大学高等研究院名誉院长杨振宁教授高度评价了我国科学家的重大发现——量子反常霍尔效应。 由清华大学薛其坤院士领衔、清华大学物理系和中科院物理研究所组成的实验团队从实验上首次观测到量子反常霍尔效应。美国《科学》杂志于3月14日在线发表这一研究成果。由于此前和量子霍尔效应有关的科研成果已经3获诺贝尔奖，学术界很多人士对这项“可能是量子霍尔效应家族最后一个重要成员”的研究给予了极高的关注和期望。那么什么是量子反常霍尔效应？对它的研究为什么引起世界各国科学家的兴趣？它的发现有什么重大意义？ 重要性 突破摩尔定律瓶颈 加速推动信息技术革命进程 在认识量子反常霍尔效应之前，让我们先来了解一下量子霍尔效应。量子霍尔效应，于1980年被德国科学家发现，是整个凝聚态物理领域中重要、最基本的量子效应之一。它的应用前景非常广泛。 薛其坤院士举了个简单的例子：我们使用计算机的时候，会遇到计算机发热、能量损耗、速度变慢等问题。这是因为常态下芯片中的电子运动没有特定的轨道、相互碰撞从而发生能量损耗。而量子霍尔效应则可以对电子的运动制定一个规则，让它们在各自的跑道上“一往无前”地前进。“这就好比一辆高级跑车，常态下是在拥挤的农贸市场上前进，而在量子霍尔效应下，则可以在‘各行其道、互不干扰’的高速路上前进。”薛其坤打了个形象的比喻。 然而，量子霍尔效应的产生需要非常强的磁场，“相当于外加10个计算机大的磁铁，这不但体积庞大，而且价格昂贵，不适合个人电脑和便携式计算机。”薛其坤说，而量子反常霍尔效应的美妙之处是不需要任何外加磁场，在零磁场中就可以实现量子霍尔态，更容易应用到人们日常所需的电子器件中。 自1988年开始，就不断有理论物理学家提出各种方案，然而在实验上没有取得任何进展。2006年, 美国斯坦福大学张首晟教授领导的理论组成功地预言了二维拓扑绝缘体中的量子自旋霍尔效应，并于2008年指出了在磁性掺杂的拓扑绝缘体中实现量子反常霍尔效应的新方向。2010年，我国理论物理学家方忠、戴希等与张首晟教授合作，提出磁性掺杂的三维拓扑绝缘体有可能是实现量子化反常霍尔效应的最佳体系。这个方案引起了国际学术界的广泛关注。德国、美国、日本等有多个世界一流的研究组沿着这个思路在实验上寻找量子反常霍尔效应，但一直没有取得突破。 薛其坤团队经过近4年的研究，生长测量了1000多个样品。最终，他们利用分子束外延方法，生长出了高质量的Cr掺杂（Bi，Sb）2Te3拓扑绝缘体磁性薄膜，并在极低温输运测量装置上成功观测到了量子反常霍尔效应。 “量子反常霍尔效应可在未来解决摩尔定律瓶颈问题，它发现或将带来下一次信息技术革命，我国科学家为国家争夺了这场信息革命中的战略制高点。”拓扑绝缘体领域的开创者之一、清华大学“千人计划”张首晟教授说。 创新性 让实验材料同时具备“速度、高度和灵巧度” 从美国物理学家霍尔丹于1988年提出可能存在不需要外磁场的量子霍尔效应，到我国科学家为这一预言画上完美句号，中间经过了20多年。课题组成员、中科院物理所副研究员何珂告诉记者：“量子反常霍尔效应实现非常困难，需要精准的材料设计、制备与调控。尽管多年来各国科学家提出几种不同的实现途径，但所需的材料和结构非常难以制备，因此在实验上进展缓慢。” “这就如同要求一个运动员同时具有刘翔的速度、姚明的高度和郭晶晶的灵巧度。在实际的材料中实现以上任何一点都具有相当大的难度，而要同时满足这三点对实验物理学家来讲是一个巨大的挑战。”课题组成员、清华大学王亚愚教授这样描述实验对材料要求的苛刻程度。 实验中，材料必须具有铁磁性从而存在反常霍尔效应；材料的能带结构必须具有拓扑特性从而具有导电的一维边缘态，即一维导电通道；材料的体内必须为绝缘态从而对导电没有任何贡献，只有一维边缘态参与导电。 2010年，课题组完成了对1纳米到6纳米（头发丝粗细的万分之一）厚度薄膜的生长和输运测量，得到了系统的结果，从而使得准二维超薄膜的生长测量成为可能。 2011年，课题组实现了对拓扑绝缘体能带结构的精密调控，使得其体材料成为真正的绝缘体，去除了其对输运性质的影响。 2012年初，课题组在准二维、体绝缘的拓扑绝缘体中实现了自发长程铁磁性，并利用外加栅极电压对其电子结构进行原位精密调控。 2012年10月，课题组终于发现在一定的外加栅极电压范围内，此材料在零磁场中的反常霍尔电阻达到了量子霍尔效应的特征值h/e2—25800欧姆——世界难题得以攻克。 课题组克服薄膜生长、磁性掺杂、门电压控制、低温输运测量等多道难关，一步一步实现了对拓扑绝缘体的电子结构、长程铁磁序以及能带拓扑结构的精密调控，最终为这一物理现象的实现画上了完美的句号。 “下一步我们主要的努力方向是全面测量材料在极低温下的电子结构和输运性质，寻找更好的材料体系，在更高的温度下实现这一效应。那时，也许我们能对其应用前景作更好的判断。”王亚愚告诉记者。 外界评说 这是凝聚态物理界一项里程碑式的工作 “实验成果出来以后，量子霍尔效应的发现者给我发了一封邮件。他写道：我深信拓扑绝缘体和量子反常霍尔效应是科学王冠上的明星。”张首晟向记者展示了这封邮件。 《科学》杂志的一位审稿人说：“这项工作毫无疑问地证实了与普通量子霍尔效应不同来源的单通道边缘态的存在。我认为这是凝聚态物理学一项非常重要的成就。”另一位审稿人说：“这篇文章结束了多年来对无朗道能级的量子霍尔效应的探寻。这是一篇里程碑式的文章。” 延伸阅读 霍尔效应与反常霍尔效应 霍尔效应是美国物理学家霍尔于1879年发现的一个物理效应。在一个通有电流的导体中，如果施加一个垂直于电流方向的磁场，由于洛伦兹力的作用，电子的运动轨迹将产生偏转，从而在垂直于电流和磁场方向的导体两端产生电压，这个电磁输运现象就是著名的霍尔效应。产生的横向电压被称为霍尔电压，霍尔电压与施加的电流之比则被称为霍尔电阻。由于洛伦兹力的大小与磁场成正比，所以霍尔电阻也与磁场成线性变化关系。 1880年，霍尔在研究磁性金属的霍尔效应时发现，即使不加外磁场也可以观测到霍尔效应，这种零磁场中的霍尔效应就是反常霍尔效应。反常霍尔效应与普通的霍尔效应在本质上完全不同，因为这里不存在外磁场对电子的洛伦兹力而产生的运动轨道偏转。反常霍尔电导是由于材料本身的自发磁化而产生的，因此是一类新的重要物理效应。 量子霍尔效应的相关研究已3次获得诺贝尔奖 量子霍尔效应在凝聚态物理的研究中占据着极其重要的地位。它就像一个富矿，一代又一代科学家为之着迷和献身，他们的成就也多次获得诺贝尔物理奖。 1985年，诺贝尔物理奖颁给了德国科学家冯·克利青，他于1980年发现了整数量子霍尔效应。 1998年，诺贝尔物理奖颁给了美国科学家：美籍华人物理学家崔琦以及施特默、劳弗林。前两人于1982年发现了分数量子霍尔效应，而后者则对这一效应进一步给出了理论解释。 2010年，诺贝尔物理奖颁给了英国科学家安德烈·海姆和康斯坦丁·诺沃肖洛夫。他们俩在2005年发现了石墨烯中的半整数量子霍尔效应。 此外，量子化自旋霍尔效应于2007年被发现，2010年获得欧洲物理奖，2012年获得美国物理学会巴克利奖。（记者 林莉君 李大庆） 《科技日报》（2013-04-11

  • 霍尔电流传感器简绍

    在工业、电力、牵引等领域，电压、电流及功率的计量是非常至关重要的。对于电压的计量，低压可以用电压表直接测量，如果测量高压就需要有电压互感器变压后进行测量。那么对于电流的测量交流直流电流很小时，可以用万用表直接串入电路测量，稍大点的(0-7000A以下)电流可以用分流器测量，但是这种方法测量精度低，隔离程度低，电流超过7000A以上时分流器就无法使用了。这里介绍一下测量电流的一种设备电流传感器，电流传感器是电流的一种新型设备，该设备采用霍尔检测原理具有测量精确度高、线性好、隔离程度高、安装更换简便等优点。逐渐取代比较笨重的电流互感器。电流传感器主要有霍尔直测试和霍尔检零式两种原理其中霍尔楂零式精度高但是电路复杂有功耗成本高，霍尔直测式电路简便，成本低安装件结。在此着重介绍一下直测试电流传感器。 一、霍尔电流传感器原理 霍尔元件在聚集磁路中检测到与原边电流成比例关系的磁通量后输出霍尔电压信号，经放大电路放大后输送到仪表显示或计算机采集来直观反映电流的大小。 二、霍尔元件的电原理 当霍尔元件的垂直方向加上一个磁场B，在原件上加上控制电流I，那么霍尔元件就有一个霍尔电压Uh输出，它们的关系式为Uh=kh·I·B，其中kh为霍尔元件的灵敏度，B为磁场轻度。

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  • 微透镜阵列
    微透镜阵列?方形透镜 和复眼透镜配置?精密熔融石英基底微透镜阵列适用于匀化来自窄线宽准分子激光器和高功率LED的输出光。微透镜阵列非常适合要求高效率和非高斯均匀度的应用。所有的微透镜阵列都是用紫外级的熔融石英制成，在193nm-2.5μm波长范围具有优秀的性能。微透镜阵列由基于半导体加工技术的光刻技术加工，该技术使每个微透镜的形状和位置都具有良好的一致性，与一些用模压环氧树脂生产的微透镜阵列不同，这种方法能够生产光斑尺寸近衍射极限的微透镜阵列。方形微透镜阵列我们的方形阵列提供标准的10mm x 10mm配置，提供各种镜头间距和焦距选项。方形微透镜通常用于光束均匀化和成形，产生斑点图案或方形平顶图案。镜头具有较高的填充因子，消除了照明场中的零级热点。方形镜片通常成对使用，与PCX镜头配合使用（请参阅上文）。典型应用包括焊接，钻孔，激光烧蚀和光纤耦合。复眼聚光阵列我们的复眼聚光镜阵列有5mm和10mm的方形配置，并且设计用于具有±5°，±10°或±14°发散角的平顶世代。聚光镜阵列是双表面圆柱形微透镜的单片组件，创造完全无需调节的电容器。这些微透镜通常用于需要较短工作距离的大照明场的应用中，例如医疗激光用途，太阳能模拟，UV固化，半导体仪器和荧光显微镜。技术数据订购信息标题产品号Microlens Array 10 x 10mm, 300μm Pitch, 0.5° Divergence#64-478Microlens Array 10 x 10mm, 300μm Pitch, 1° Divergence#64-477Microlens Array 10 x 10mm, 300μm Pitch, 1.6° Divergence#64-476Microlens Array 10 x 10mm, 500μm Pitch, 0.25° Divergence#64-483Microlens Array 10 x 10mm, 500μm Pitch, 0.5° Divergence#64-482Microlens Array 10 x 10mm, 500μm Pitch, 1° Divergence#64-480Microlens Array 10 x 10mm, 500μm Pitch, 1.2° Divergence#64-479Fly' s Eye Array 5 x 5mm, 250μm Pitch, 5° Divergence#64-488Fly' s Eye Array 5 x 5mm, 300μm Pitch, 13° Divergence#84-132Fly' s Eye Array 10 x 10mm, 250μm Pitch, 5° Divergence#64-489Fly' s Eye Array 10 x 10mm, 300μm Pitch, 10° Divergence#64-490Fly' s Eye Array 10 x 10mm, 300μm Pitch, 13° Divergence#83-910Microlens Array 10 x 10mm, 300μm Pitch, 2° Divergence#86-745微透镜阵列 10 x 10mm, 300μm Pitch, 0.5° Divergence库存#64-478技术参数与相关资料光学类型Plano-Convex透镜剖面Parabolic尺寸 (mm)10.0 x 10.0尺寸容差 (mm)±0.05厚度 (mm)1.20厚度容差 (mm)±0.05有效焦距 EFL (mm)18.8间距 (μm)300间距容差 (μm)±0.25发散角 (°)±0.5半径 R (mm)8.60基底Fused Silica涂层Uncoated类型Lens Array波长范围 (nm)200 - 2200RoHS符合标准微透镜阵列 10 x 10mm, 300μm Pitch, 1° Divergence库存#64-477技术参数与相关资料光学类型Plano-Convex透镜剖面Parabolic尺寸 (mm)10.0 x 10.0尺寸容差 (mm)±0.05厚度 (mm)1.20厚度容差 (mm)±0.05有效焦距 EFL (mm)8.7间距 (μm)300间距容差 (μm)±0.25发散角 (°)±1半径 R (mm)4.00基底Fused Silica涂层Uncoated类型Lens Array波长范围 (nm)200 - 2200RoHS符合标准微透镜阵列 10 x 10mm, 300μm Pitch, 1.6° Divergence库存#64-476技术参数与相关资料光学类型Plano-Convex透镜剖面Parabolic尺寸 (mm)10.0 x 10.0尺寸容差 (mm)±0.05厚度 (mm)1.20厚度容差 (mm)±0.05有效焦距 EFL (mm)5.1间距 (μm)300间距容差 (μm)±0.25发散角 (°)±1.6半径 R (mm)2.35基底Fused Silica涂层Uncoated类型Lens Array波长范围 (nm)200 - 2200RoHS符合标准微透镜阵列 10 x 10mm, 500μm Pitch, 0.25° Divergence库存#64-483技术参数与相关资料光学类型Plano-Convex透镜剖面Parabolic尺寸 (mm)10.0 x 10.0尺寸容差 (mm)±0.05厚度 (mm)1.20厚度容差 (mm)±0.05有效焦距 EFL (mm)46.7间距 (μm)500间距容差 (μm)±0.25发散角 (°)±0.25半径 R (mm)20.00基底Fused Silica涂层Uncoated类型Lens Array波长范围 (nm)200 - 2200RoHS符合标准微透镜阵列 10 x 10mm, 500μm Pitch, 0.5° Divergence库存#64-482技术参数与相关资料光学类型Plano-Convex透镜剖面Parabolic尺寸 (mm)10.0 x 10.0尺寸容差 (mm)±0.05厚度 (mm)1.20厚度容差 (mm)±0.05有效焦距 EFL (mm)32.8间距 (μm)500间距容差 (μm)±0.25发散角 (°)±0.5半径 R (mm)15.00基底Fused Silica涂层Uncoated类型Lens Array波长范围 (nm)200 - 2200RoHS符合标准微透镜阵列 10 x 10mm, 500μm Pitch, 1° Divergence库存#64-480技术参数与相关资料光学类型Plano-Convex透镜剖面Parabolic尺寸 (mm)10.0 x 10.0尺寸容差 (mm)±0.05厚度 (mm)1.20厚度容差 (mm)±0.05有效焦距 EFL (mm)15.3间距 (μm)500间距容差 (μm)±0.25发散角 (°)±1半径 R (mm)7.00基底Fused Silica涂层Uncoated类型Lens Array波长范围 (nm)200 - 2200RoHS符合标准微透镜阵列 10 x 10mm, 500μm Pitch, 1.2° Divergence库存#64-479技术参数与相关资料光学类型Plano-Convex透镜剖面Parabolic尺寸 (mm)10.0 x 10.0尺寸容差 (mm)±0.05厚度 (mm)1.20厚度容差 (mm)±0.05有效焦距 EFL (mm)13.8间距 (μm)500间距容差 (μm)±0.25发散角 (°)±1.2半径 R (mm)6.30基底Fused Silica涂层Uncoated类型Lens Array波长范围 (nm)200 - 2200RoHS符合标准Fly' s Eye Array 5 x 5mm, 250μm Pitch, 5° Divergence库存#64-488技术参数与相关资料光学类型Double-Convex透镜剖面Parabolic尺寸 (mm)5.0 x 5.0尺寸容差 (mm)±0.05厚度 (mm)2.25厚度容差 (mm)±0.05有效焦距 EFL (mm)1.6间距 (μm)250间距容差 (μm)±0.25发散角 (°)±5半径 R (mm)0.75基底Fused Silica涂层Uncoated类型Lens Array波长范围 (nm)200 - 2200RoHS符合标准Fly' s Eye Array 5 x 5mm, 300μm Pitch, 13° Divergence库存#84-132技术参数与相关资料光学类型Double-Convex透镜剖面Parabolic尺寸 (mm)5.0 x 5.0尺寸容差 (mm)±0.05厚度 (mm)0.9厚度容差 (mm)±0.05有效焦距 EFL (mm)0.6间距 (μm)300间距容差 (μm)±0.25发散角 (°)±13半径 R (mm)0.293基底Fused Silica涂层Uncoated类型Lens Array波长范围 (nm)200 - 2200RoHS符合标准Fly' s Eye Array 10 x 10mm, 250μm Pitch, 5° Divergence库存#64-489技术参数与相关资料光学类型Double-Convex透镜剖面Parabolic尺寸 (mm)10.0 x 10.0尺寸容差 (mm)±0.05厚度 (mm)2.25厚度容差 (mm)±0.05有效焦距 EFL (mm)1.6间距 (μm)250间距容差 (μm)±0.25发散角 (°)±5半径 R (mm)0.75基底Fused Silica涂层Uncoated类型Lens Array波长范围 (nm)200 - 2200RoHS符合标准Fly' s Eye Array 10 x 10mm, 300μm Pitch, 10° Divergence库存#64-490技术参数与相关资料光学类型Double-Convex透镜剖面Parabolic尺寸 (mm)10.0 x 10.0尺寸容差 (mm)±0.05厚度 (mm)1.2厚度容差 (mm)±0.05有效焦距 EFL (mm)0.8间距 (μm)300间距容差 (μm)±0.25发散角 (°)±10半径 R (mm)0.39基底Fused Silica涂层Uncoated类型Lens Array波长范围 (nm)200 - 2200RoHS符合标准Fly' s Eye Array 10 x 10mm, 300μm Pitch, 13° Divergence库存#83-910技术参数与相关资料光学类型Double-Convex透镜剖面Parabolic尺寸 (mm)10.0 x 10.0尺寸容差 (mm)±0.05厚度 (mm)0.9厚度容差 (mm)±0.05有效焦距 EFL (mm)0.6间距 (μm)300间距容差 (μm)±0.25发散角 (°)±13半径 R (mm)0.293基底Fused Silica涂层Uncoated类型Lens Array波长范围 (nm)200 - 2200RoHS符合标准微透镜阵列 10 x 10mm, 300μm Pitch, 2° Divergence库存#86-745技术参数与相关资料光学类型Plano-Convex透镜剖面Parabolic尺寸 (mm)10.0 x 10.0尺寸容差 (mm)±0.05厚度 (mm)0.9厚度容差 (mm)±0.05有效焦距 EFL (mm)4.8间距 (μm)300间距容差 (μm)±0.25发散角 (°)±2.0半径 R (mm)2.2基底Fused Silica涂层Uncoated类型Lens Array波长范围 (nm)200 - 2200RoHS符合标准
    供应商： 江阴韵翔光电技术有限公司
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  • 衍射光栅-相干光栅阵列
    衍射光栅-相干光栅阵列图1。照片LightSmyth单片光栅阵列单片式单基片硅栅阵列（图1）提供独特的高分辨率连续获得超出所能获得的单个光栅的光带宽。这种光栅须不能有移动部件。单片光栅阵列是一致的单次数据采集与许多宽带应用，例如激光诱导击穿光谱，可以帮助系统元件数显著减少。每个阵列由的所有相干在单一基板上形成的多个主光栅。母光栅有连续且轻度重叠的有效光谱范围。此外，在基底的顶部和底部的辅助光栅产生直接的校准的输出区域用于使用一个单一参考波长，如氦氖激光器的波长的光输出。图2。示意图说明操作的单片光栅阵列光谱仪与2D检测器设置在图2给出在一个简单的光谱仪装置的光栅阵列。一个二维检测器阵列被用来记录的光栅阵列的输出。图3示出了照射时由白色光源和一个共同传播的氦氖激光器的二维探测器阵列上看到的光栅阵列输出的示意图。每个附近的水平行包括四个主光栅中的一个的输出端，并对应于光谱范围表示。此外，还显示为红点是6个辅助光栅校准参考标记，当暴露在氦氖光。进一步详细描述了设备的运行和设计说明请点击http://www.lightsmyth.com/downloads/product_info/LS_MonoGrat_Array.pdf。图3。阵列输出信号检测原理图校准/准直功能特性顶部和底部的六个小光栅阵列（参见图1）提供了用于校准的光谱输出，以及协助系统对齐标记，这里的校准标记用于氦氖照明，见示意图4。校准标记提供了两个主要的功能：第一，它们表示在主光栅输出的校准部分的开始和结束点。因此，它们允许用户校准波长作为位置的函数的沿着各母光栅色散线 - 注意，校准点所表示的波长范围内是独立的光栅输入角度，使光栅阵列具备各种不同可能的样式。第二，辅助光栅辅助系统调整。当所述检测器表面被适当地定位在焦平面阵列后聚焦镜，两对对准标记设计为一致性和适当远场操作指示。中心两个标记阵列探测器表面使得水平正确的准直方式。更多单片光栅阵列技术细节请参考http://www.lightsmyth.com/downloads/product_info/LS_MonoGrat_Array.pdf。单片硅平面阵列硅基底具有0.73毫米厚度。基板的高度和宽度公差是0.3毫米。光栅基片：单晶硅。光栅镀膜：铝（其它镀膜类型额外收费）。Primary GratingCalibration Markers1Line/mmSizePart NumberPrice first 99 units2,3Unit price 100+1381, 522 nm178812.5mm x 12.5mmSAG-1212A-Al$96.00 ea.$25.00 ea.2509, 696 nm13413683, 935 nm9984929, 1271 nm7341The calibration markers listed are produced by a HeNe laser incident on the small calibration gratings. Use of a different calibration light source having a different wavelength will produce markers (see Fig. 4) coinciding with different values of the dispersed spectra of the four primary gratings. Using a common input angle for calibration light and signal, the calibration marks delineate spectral output ranges of the primary gratings that are independent of grating input angle.2For orders with the total product value below $250.00, a handling charge of $75.00 will be added.3Academic discounts are available for eligible institutions. To determine eligibility complete an account application procedure.
    供应商： 筱晓（上海）光子技术有限公司
    品牌： LIGHTSMYTH
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  • 高通量微阵列清洗器配件
    高通量微阵列清洗器配件专业为玻片清洗，微阵列芯片清洗而设计，拥有耐用的载玻片架，可容纳1-25个25×76毫米规格的玻璃玻片微阵列，可浸入到500ml的缓冲溶液槽。高通量微阵列清洗器配件特色该缓冲溶液槽配备有磁力搅拌棒和盖子，可以防止缓冲物蒸发。高通量微阵列芯片清洗器大大了微阵列芯片干燥前的清洗效率和效果。含独立的缓冲液加快微阵列芯片的处理和清洗速度。是提高基因学，生物医学，制药和农业研究的质量和速度的理想的工具高通量微阵列清洗器配件规格?容量：1?25个微阵列基片?体积：每个清洗步骤400毫升缓冲液。?缓冲液温度：4至50℃?材质：亚克力箱使温和溶剂稳定，如乙醇
    供应商： 孚光精仪（中国）有限公司
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