半导体参数分析仪原理

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半导体参数分析仪原理相关的仪器

  • SPM600 系列半导体参数分析仪是一款专用于半导体材料光电测试的系统。其功能全面,提供多种重要参数测试。系统集成高精度光谱扫描,光电流扫描以及光响应速率测试。40μm 探测光斑,实现百微米级探测器的绝对光谱响应度测量。超高稳定性光源支持长时间的连续测试,丰富的光源选择以及多层光学光路设计可扩展多路光源,例如超连续白光激光器,皮秒脉冲激光器,半导体激光器,卤素灯,氙灯等,满足不同探测器测试功能的要求。是半导体微纳器件研究的优选。功能:■ 光谱响应度■ 单色光/变功率IV;■ 不同辐照度IT曲线(分辨率200ms)■ 不同偏压下的IT曲线■ LBIC,Mapping■ 线性度测试■ 响应速率测试■ 瞬态光电压(载流 子迁移率)■ 瞬态光电流(载流子扩散长度)光源选项卓立汉光根据样品光谱相应范围选择适合的光源,如EQ 光源,氙灯光源,氙灯溴钨灯复合光源。EQ光源特点:■ 光谱范围宽:190-1700nm宽光谱范围;■ 光源本身发光点小,百微米级别;■ 紫外波段亮度高;■ 寿命长,理论寿命可达9000h;■ 体积小,重量轻;散热好;氙灯光源特点:■ 光谱范围宽:250-1700nm宽光谱范围;■ 光源本身发光点较小,mm级别;■ 总功率大,亮度高;适合紫外-可见-近红外光谱测试;■ 灯泡更换简单,成本低;氙灯卤素灯双光源特点:■ 光谱范围:250-2500nm■ 适合紫外、可见、近红外,且可见、近红外波段光谱平滑■ 灯泡更换简单,成本低。数采选项测试案例
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  • SPM300系列半导体参数测试仪设备概览基于拉曼光谱法的半导体参数测试仪,具有非接触、无损检测、特异性高的优点。可以对半导体材料进行微区分析,空间分辨率< 800nm (典型值),也可以对样品进行扫描从而对整个面进行均匀性分析。设备具有智能化的软件,可对数据进行拟合计算,直接将载流子浓度、晶化率、应力大小或者分布等结果直观的展现给用户。系统稳定,重复性好,可用于实验室检验或者产线监测。① 光路接口盒:内置常用激光器及激光片组,拓展激光器包含自由光及单模光纤输入;② 光路转向控制:光路转向控制可向下或向左,与原子力、低温、探针台等设备连用,可升级振镜选项③ 明视场相机:明视场相机代替目镜④ 显微镜:正置科研级金相显微镜,标配落射式明暗场照明,其它照明方式可升级⑤ 电动位移台:75mm*50mm 行程高精度电动载物台,1μm 定位精度⑥ 光纤共聚焦耦合:光纤共聚焦耦合为可选项,提高空间分辨率⑦ CCD- 狭缝共聚焦耦合:标配CCD- 狭缝耦合方式,可使用光谱仪成像模式,高光通量⑧ 光谱CCD:背照式深耗尽型光谱CCD相机, 200-1100nm 工作波段,峰值QE > 90%⑨ 320mm 光谱仪:F/4.2高光通量影像校正光谱仪, 1*10-5 杂散光抑制比SPM300系列半导体参数测试仪主要应用SPM300系列半导体参数测试仪选型表型号描述SPM300-mini基础款半导体参数分析仪,只含一路532nm 激光器,常规正置显微镜,光谱仪,高精度XYZ 位移台SPM300-SMS532多功能型半导体参数分析仪,含532nm 激光器,常规正置显微镜,光谱仪,高精度XYZ 位移台,可升级耦合最多4 路激光器SPM300-OM532开放式半导体参数测试仪,含532nm 激光器,定制开放式显微镜,光谱仪,高精度XYZ 位移台,可升级耦合最多4 路激光器系统参数项目详细技术规格光源标配532nm,100mW 激光器,其他激光可选,最多耦合4 路激光,可电动切换,功率可调节光谱仪320mm 焦距影像校正光谱仪,光谱范围90-9000cm-1,光谱分辨率2cm-1空间分辨率1μm样品扫描范围标配75mm*50mm,最大300mm*300mm显微镜正置显微镜,明场或者暗场观察,带10X,50X,100X 三颗物镜;开放式显微镜可选载流子浓度分析测试范围测试范围1017 ~ 1020 cm-3,重复性误差5%应力测试可直观给出应力属性(拉力/ 张力),针对特种样品,可直接计算应力大小,应力均匀性分析(需额外配置电动位移台), 应力解析精度0.002cm-1晶化率测试可自动分峰,自动拟合,自动计算出晶化率,并且自动计算晶粒大小和应力大小测试案例举例
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  • 半导体参数分析仪概述:SPA-6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统,具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试,旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发,具有桌越的测量效率与可靠性。基于模块化的体系结构设计,SPA-6100半导体参数分析仪可以帮助用户根据测试需要,灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量,同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量。SPA-6100半导体参数分析仪搭载普赛斯自主开发的专用半导体参数测试软件,支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作,能够从测量设置、执行、结果分析到数据管理的整个过程,实现高效和可重复的器件表征 也可与高低温箱、温控模块等搭配使用,满足高低温测试需求。产品特点:30μV-1200V;1pA-100A宽量程测试能力;测量精度高,全量程下可达0.03%精度;内置标准器件测试程序,直接调用测试简便;自动实时参数提取,数据绘图、分析函数;在CV和IV测量之间快速切换而无需重新布线;提供灵活的夹具定制方案,兼容性强;免费提供上位机软件及SCPI指令集;典型应用:纳米、柔性等材料特性分析;二极管;MOSFET、BJT、晶体管、IGBT;第三代半导体材料/器件;有机OFET器件;LED、OLED、光电器件;半导体电阻式等传感器;EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管;电阻率系数和霍尔效应测量;太阳能电池;非易失性存储设备;失效分析;系统技术规格半导体电学特性测试系统CV+IV测试仪订货信息模块化构成:低压直流I-V源测量单元-精度0.1%或0.03%可选-直流工作模式-Z大电压300V,Z大直流1A或3A可选-最小电流分辨率10pA-四象限工作区间-支持二线,四线制测试模式-支持GUARD保护低压脉冲I-V源测量单元-精度0.1%或0.03%可选-直流、脉冲工作模式-Z大电压300V,Z大直流1A或3A可选,Z大脉冲电流10A或30A可选-最小电流分辨率1pA-最小脉宽200μs-四象限工作区间.-支持二线,四线制测试模式-支持GUARD保护高压I-V源测量单元-精度0.1% -Z大电压1200V,Z大直流100mA-最小电流分辨率100pA-一、三象限工作区间-支持二线、四线制测试模式-支持GUARD保护高流I-V源测量单元-精度0.1%-直流、脉冲工作模式.-Z大电压100V,Z大直流30A,Z大脉冲电流100A-最小电流分辨率10pA-最小脉宽80μs-四象限工作区间支持二线、四线制测试模式-支持GUARD保护电压电容C-V测量单元-基本精度0.5%-测试频率10hZ~1MHz,可选配至10MHz-支持高压DC偏置,Z大偏置电压1200V-多功能AC性能测试,C-V、 C-f、 C-t硬件指标-IV测试半导体材料以及器件的参数表征,往往包括电特性参数测试。绝大多数半导体材料以及器件的参数测试,都包括电流-电压(I-V)测量。源测量单元(SMU),具有四象限,多量程,支持四线测量等功能,可用于输出与检测高精度、微弱电信号,是半导体|-V特性测试的重要工具之-。SPA-6100配置有多种不同规格的SMU,如低压直流SMU,低压脉冲SMU,大电流SMU。用户可根据测试需求灵活配置不同规格,以及不同数量的搭配,实现测试测试效率与开支的平衡。灵活可定制化的夹具方案 针对市面上不同封装类型的半导体器件产品,普赛斯提供整套夹具解决方案。夹具具有低阻抗、安装简单、种类丰富等特点,可用于二极管、三极管、场效应晶体管、IGBT、SiC MOS、GaN等单管,模组类产品的测试 也可与探针台连接,实现晶圆级芯片测试。探针台连接示意图
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半导体参数分析仪原理相关的方案

半导体参数分析仪原理相关的论坛

  • 【分享】气体分析仪的各种分析原理

    测量气体成分的流程分析仪表。在很多生产过程中,特别是在存在化学反应的生产过程中,仅仅根据温度、压力、流量等物理参数进行自动控制常常是不够的。例如,在合成氨生产中,仅控制合成塔的温度、压力、流量并不能保证最高的合成率,必须同时分析进气的化学成分,控制氢气和氮气的最佳比例,才能获得较高的生产率。又如在锅炉的燃烧控制中除需控制燃料与助燃空气的比例外,还必须在线分析烟道的化学成分,据此改变助燃空气的供给量,使炉子获得最高的热效率。此外,在排出有害气体的工厂中,也必须采用气体分析仪对有害气体进行连续监视,以防止危害工人健康或污染环境或引起爆炸等恶性事故。由于被分析气体的千差万别和分析原理的多种多样,气体分析仪的种类繁多。常用的有热导式气体分析仪、电化学式气体分析仪和红外线吸收式分析仪等。1、热导式气体分析仪  一种物理类的气体分析仪表。它根据不同气体具有不同热传导能力的原理,通过测定混合气体导热系数来推算其中某些组分的含量。这种分析仪表简单可靠,适用的气体种类较多,是一种基本的分析仪表。但直接测量气体的导热系数比较困难,所以实际上常把气体导热系数的变化转换为电阻的变化,再用电桥来测定。热导式气体分析仪的热敏元件主要有半导体敏感元件和金属电阻丝两类。半导体敏感元件体积小、热惯性小,电阻温度系数大,所以灵敏度高,时间滞后小。在铂线圈上烧结珠形金属氧化物作为敏感元件,再在内电阻、发热量均相等的同样铂线圈上绕结对气体无反应的材料作为补偿用元件(图1)。这两种元件作为两臂构成电桥电路,即是测量回路。半导体金属氧化物敏感元件吸附被测气体时,电导率和热导率即发生变化,元件的散热状态也随之变化。元件温度变化使铂线圈的电阻变化,电桥遂有一不平衡电压输出,据此可检测气体的浓度。热导式气体分析仪的应用范围很广,除通常用来分析氢气、氨气、二氧化碳、二氧化硫和低浓度可燃性气体含量外,还可作为色谱分析仪中的检测器用以分析其他成分。

  • 【资料】气体检测仪与分析仪的原理和区别

    气体检测仪是一种气体泄露浓度检测的仪器仪表工具,主要是指便携式/手持式的,相对比较简易。常用的传感器原理有催化燃烧、电化学、PID光离子化、半导体技术。 气体分析仪是测量气体成分的流程分析仪表。在很多生产过程中,特别是在存在化学反应的生产过程中,仅仅根据温度、压力、流量等物理参数进行自动控制常常是不够的。例如,在合成氨生产中,仅控制合成塔的温度、压力、流量并不能保证最高的合成率,必须同时分析进气的化学成分,控制氢气和氮气的最佳比例,才能获得较高的生产率。又如在锅炉的燃烧控制中除需控制燃料与助燃空气的比例外,还必须在线分析烟道的化学成分,据此改变助燃空气的供给量,使炉子获得最高的热效率。此外,在排出有害气体的工厂中,也必须采用气体分析仪对有害气体进行连续监视,以防止危害工人健康或污染环境或引起爆炸等恶性事故。由于被分析气体的千差万别和分析原理的多种多样,气体分析仪的种类繁多。常用的有热导式气体分析仪、电化学式气体分析仪和红外线吸收式分析仪等。

  • 半导体芯片失效分析实验室汇总

    半导体芯片失效分析实验室汇总随着半导体技术的发展,芯片已经成为现代电子产品中不可缺少的部分。然而,芯片在长时间运行后可能会出现失效或故障,这将导致电子产品无法正常使用。为了解决这个问题,半导体芯片失效分析实验室应运而生。半导体芯片失效分析实验室是一种专门用于分析芯片故障原因和找出解决方案的实验室。它主要由多种设备和技术组成,包括光学显微镜、扫描电子显微镜、离子注入系统、穿透电子显微镜、电子束刻蚀机等。半导体芯片失效分析实验室可以用于以下方面的分析:1.失效分析如果芯片出现了故障,失效分析可以用来找出导致问题的原因。分析的过程通常包括对芯片进行非常规测试,如X射线衍射、扫描探针显微镜和热分析等,以找出故障根源,如堆积缺陷、擦除缺陷、漏电等。2.质量控制半导体芯片失效分析实验室也可以用于质量控制,以确保每个芯片都符合准确的规格和标准。质量控制分析通常包括对芯片进行成品检验,如外观检查、电性能测量和可靠性测试等。半导体芯片失效分析实验室汇总1.北京软件产品质量检测检验中心芯片失效分析实验室(简称:北软检测)成立于2002 年7月。北软芯片失效分析实验室可以进行全流程的失效分析,可靠性测试,安全验证等。主要包括点针工作站(Probe Station)、反应离子刻蚀(RIE)、微漏电侦测系统(EMMI)、X-Ray检测(2D X-ray,3D X-ray)、超声波扫描显微就(SAT)、缺陷切割观察系统(FIB系统)、体式显微镜、金相显微镜、研磨台(定点研磨,非定点研磨,封装研磨)、激光黑胶层取出系统(自动decap,laser decap)、自动曲线追踪仪(IV)、切割制样模块、扫描电镜(SEM)、能谱成分分析(EDX)、交变温湿度试验箱、高温储存试验、低温存储试验、温湿度存储试验等。通讯地址:北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园3A楼联系人:赵工?2.南京微电子技术研究所半导体芯片失效分析实验室南京微电子技术研究所半导体芯片失效分析实验室是国内最早成立的芯片失效分析实验室之一。实验室配备有先进的设备和技术,可对芯片的物理结构、器件参数、芯片性能、线路连接等方面进行全面的分析和测试。3.上海半导体研究所失效分析实验室上海半导体研究所失效分析实验室成立于2005年,是一家具备IC生产能力的高新技术企业。实验室在芯片失效分析领域积累了丰富的经验和成果,并不断引入先进的设备和技术,为客户提供高水平的技术支持和服务。4.北京中科微电子有限公司失效分析实验室北京中科微电子有限公司是一家专业从事半导体封装测试与分析的公司。实验室配备有一批优秀的专业技术人员和一流的设备,能够为客户提供全面、高效的失效分析服务。5.惠州半导体失效分析中心惠州半导体失效分析中心是惠州市政府支持的创新创业平台,依托留学海归、国内外知名院校科研机构等优势资源,致力于半导体失效分析领域的研发和服务。6.中国电子科技集团公司第十四研究所该实验室成立于20世纪80年代,针对集成电路芯片的失效问题,建立了先进的实验室设备和完整的芯片失效分析技术流程。这些技术流程包括非常规样品处理、样品制备、分析测试和故障分析定位等。该实验室能够对各种类型的芯片进行失效分析,如DRAM、NOR FLASH、SRAM、Flip Chip等。7.中国电子科技集团公司第五十五研究所该实验室成立于20世纪90年代,主要研究领域是空间电子电路可靠性和失效分析。在芯片失效分析方面,该实验室研究了很多芯片失效的根本原因和解决办法。例如,该实验室率先提出了在高温下检测集成电路失效的方法,推出了系列失效分析和故障定位技术。8.中国航天科工集团有限公司第六十所该实验室成立于20世纪90年代初期,由中国第一位半导体芯片设计师胡启恒教授领导,主要研究集成电路的失效分析和检测。该实验室在失效分析方面的主要技术包括侵入式和非侵入式技术、信号分析、快速失效分析以及优化分析等。此外,该实验室还开创了集成电路失效分析的新技术领域。9.南京微米尺度材料分析与应用国家级实验室该实验室拥有完整的半导体芯片失效分析实验平台及技术团队,能够进行芯片性能评估、芯片分析、缺陷定位和失效机理研究等多方面的工作,可为企业提供完整的半导体芯片失效分析服务。10.北京微电子所半导体芯片失效分析实验室该实验室依托于北京微电子所,能够利用所拥有的半导体芯片分析技术和完善的实验平台,提供专业的半导体芯片失效分析服务,包括芯片失效原因分析、失效机理研究、失效模拟与验证等多方面的服务。11.武汉微纳电子制造国家工程研究中心半导体芯片失效分析实验室武汉微纳电子制造国家工程研究中心依托于华中科技大学,其半导体芯片失效分析实验室拥有全套高端的半导体芯片失效分析仪器,为企业提供完整的半导体芯片失效分析服务,涉及芯片失效原因分析、失效机理研究、失效模拟与验证等多方面的服务。12.上海微电子设备有限公司半导体芯片失效分析实验室该实验室作为上海微电子设备有限公司的技术支持,结合上海微电子设备有限公司的芯片检测与分析设备,可为企业提供完整的半导体芯片失效分析服务,包括芯片失效原因分析、失效机理研究、失效模拟与验证等多方面的服务。以上仅是部分中国半导体芯片失效分析实验室,随着技术的不断更新和进步,相信未来将会涌现更多实验室,并且实验室之间也将进行更多的协作与交流,加速半导体芯片失效分析技术的发展和普及。国内较为知名的半导体芯片失效分析实验室还有中芯国际、台积电、联芯科技等。这些实验室拥有一流的实验设备和技术人才,可以开展多种类型的半导体芯片失效分析工作,并为客户提供专业的技术支持和服务。此外,在国际上也有多家著名的半导体芯片失效分析实验室,如SiliconExpert、IEEE Components Partitioning and Analysis Center等。这些实验室不仅具备高水平的技术装备和技术人才,还通过与多家知名公司合作,积累了丰富的经验和数据资源。同时,这些实验室还开展了大量的研究工作,不断推动半导体芯片失效分析领域的发展。总之,半导体芯片失效分析实验室在提高半导体芯片可靠性方面起着至关重要的作用。希望通过本文的介绍,可以帮助大家了解半导体芯片失效分析实验室的相关情况,为半导体芯片失效分析工作提供参考和支持。[img]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/05/202305240713065889_2888_3233403_3.png[/img]

半导体参数分析仪原理相关的耗材

  • 3200M 多参数分析仪 G4387A
    产品特点:3200M 多参数分析仪可同时测量pH/pX、离子浓度、离子电极电位(mV)、电导率(TDS、盐度)、溶解氧(浓度和饱和度)、温度及更多。3200M 多参数分析仪G4387A订购信息:3200M 多参数分析仪性能指标*性能指标3200M测量范围 pH-2.000-20.000 pHpX0.000-14.000 pXmV-1999.9-1999.9 mV电导率0.000 μS/cm-2000 mS/cm电阻率5.00 ?.cm-100.0 M?.cmTDS0.000 mg/L-1000 g/L盐度 0.00%-8.00%(中文版)0.0-80.0 g/L(英文版)DO0-45.00 mg/L溶解氧 饱和度0.0-300.0%离子浓度范围 0-19990-5.0-110.0 °C温度-5.0-110.0 °C分辨率 pH/pX0.1/0.01/0.001 pH/pXmV0.1 mV离子浓度范围四位有效数字(采用科学记数法)DO0.01 mg/L溶解氧 饱和度0.10%温度0.1 °C*EC Print 软件用于进行简单和直接打印,而 EC 固件可以通过网站 www.agilent.com/chem/phmeters 免费下载
  • 3200M 多参数分析仪
    产品特点:3200M 多参数分析仪订购信息: 3200M 多参数分析仪性能指标* 性能指标3200M 准确度 pH/pX±0.002 pH/pX:pXII:± 0.005 pXmV±0.03% FS离子浓度范围±0.3%电导率±0.5% FS电阻率±0.5% FSTDS±0.5% FS盐度±0.1%DO±0.10 mg/L溶解氧 饱和度±2.0%温度±0.1 °C 电源 通用交流电源适配器 100 V-240 V,50/60 Hz** 外型尺寸(长 ×宽 ×高)[mm]190 × 190 × 105 重量(kg)11 *EC Print 软件用于进行简单和直接打印,而 EC 固件可以通过网站 www.agilent.com/chem/phmeters 免费下载 **随测量仪提供 电导池常数和相应测量范围 电导池常数(K) (cm-1)0.0010.010.1110100 溶液的测量范围 0.000μS/cm- 1.999μS/cm0.000μS/cm-19.99 μS/cm0.200μS/cm - 199.9μS/cm2.00μS/cm-19.99mS/cm20.0μS/cm-199.9mS/cm200mS/cm-2000mS/cm
  • 3200M 多参数分析仪附件 G4398A
    3200M 多参数分析仪可同时测量pH/pX、离子浓度、离子电极电位(mV)、电导率(TDS、盐度)、溶解氧(浓度和饱和度)、温度及更多。性能指标:性能指标3200M测量范围pH-2.000-20.000 pHpX0.000-14.000 pXmV-1999.9-1999.9 mV电导率0.000 μS/cm-2000 mS/cm电阻率5.00 ?NaN-100.0 M?NaNTDS0.000 mg/L-1000 g/L盐度0.00%-8.00%(中文版)0.0-80.0 g/L(英文版)DO0-45.00 mg/L溶解氧 饱和度0.0-300.0%离子浓度范围0-19990-5.0-110.0 °C温度-5.0-110.0 °C分辨率pH/pX0.1/0.01/0.001 pH/pXmV0.1mV离子浓度范围四位有效数字(采用科学记数法)DO0.01 mg/L溶解氧 饱和度0.10%温度0.1 °C准确度pH/pX±0.002 pH/pX:pXII:± 0.005 pXmV±0.03% FS离子浓度范围±0.3%电导率±0.5% FS电阻率±0.5% FSTDS±0.5% FS盐度±0.1%DO±0.10 mg/L溶解氧 饱和度±2.0%温度±0.1 °C电源通用交流电源适配器100 V-240 V,50/60 Hz**外型尺寸190 × 190 × 105(长×宽×高)[mm]重量(kg)11*EC Print 软件用于进行简单和直接打印**随测量仪提供电导池常数和相应测量范围:电导池常数(K)(cm-1)0.0010.010.1110100溶液的测量范围0.000 μS/cm-0.000 μS/cm-0.200 μS/cm-2.00 μS/cm-20.0 μS/cm-200 mS/cm-1.999 μS/cm19.99 μS/cm199.9 μS/cm19.99 mS/cm199.9 mS/cm2000 mS/cm订货信息:说明推荐应用部件号Agilent 3200M台式多参数分析仪套装包括:pH、电导率和溶解氧测量;各种领域的离子分析(不同的离子,不同的电极)G4398AAgilent 3200M台式多参数分析仪—G4387AAgilent 3200EA电极支架—G4389AP3211 pH复合电极,包括 30 mL 参比溶液—5190-3988T7111 温度电极—5190-3998pH缓冲液,4.01、7.00、10.01,NIST 可追溯,250 mL,3/包—5190-0533*pH缓冲液,4.00、6.86、9.18,GB 可追溯,250 mL,3/包—5190-0534**D6111 溶解氧电极,30 mL 瓶装溶解氧填充液 —5190-3997C5111 电导电极—5190-3994*默认配置,除另有规定外**仅针对中国用户

半导体参数分析仪原理相关的资料

半导体参数分析仪原理相关的资讯

  • 610万!北京脑科学与类脑研究中心半导体参数分析仪等设备采购项目
    项目编号:JW-ZBDL-2201项目名称:北京脑科学与类脑研究中心半导体参数分析仪等设备采购项目预算金额:610.0000000 万元(人民币)最高限价(如有):610.0000000 万元(人民币)采购需求:包数采购设备名称数量简要说明1▲ 半导体参数分析仪等设备1套包括:半导体参数分析仪2台、探针台1台及配套全部附件。… 3.1 测量频率范围1kHZ-5MHZ,最小设定分辨率1mHZ。… 详见招标文件“第五章——二.技术性能参数”备注:⑴.标“▲”项为允许提供进口产品。未标明允许提供进口产品的,如投标人所投货物为进口产品,其投标无效。⑵.本项目共1个包,投标人只可投完整包,不允许将一包中的内容拆开进行投标。合同履行期限:采购合同签订后半导体参数分析仪40周内完成交货安装;探针台20周内完成交货安装。本项目( 不接受 )联合体投标。
  • 种子尺寸分析仪-玉米种子粒型参数分析仪器
    托普云农作物考种分析系统TPKZ-1型,专业用于各种作物籽粒的考种,同时也适用于测量玉米果穗、截面。种子尺寸分析仪-玉米种子粒型参数分析仪器。  种子分析仪适用范围:  玉米、水稻、小麦、油菜、豆类、花生、芝麻等各种作物种子。  种子尺寸分析仪功能特点:  1、配A3幅面最gao分辨率1600dpi × 1600dpi、紫光M1彩色扫描仪。可分析各类种粒的种粒直径1~20mm。扫描仪分析工作区:A3幅面(431.8mm×304.8 mm)。  2、分析速度:可同时成像分析10个玉米果穗、35个玉米截面、1000粒左右玉米籽粒。  3、自动数粒速度:1500~3000粒/分钟(玉米籽粒),其它籽粒为1200~20000粒/分钟,数粒误差≤±0.1~0.4%,可监视修正结果,监视修正即达准确。具有相机画面畸变、背光板均匀性的自动矫正特性,有效减小尺寸测量误差。  4、自动测出籽粒数、各籽粒的粒形参数(长、宽、长宽比、面积、等效直径、周长等),以及其平均值,并排序输出。自动千粒重分析的精度误差:≤±0.5%。并能对不同品种的种子进行长和宽的对比,并输出矢量图。  5、同时成像分析玉米果穗:10个/次/分钟、玉米截面:35个/次/2分钟。自动测出各玉米穗长、穗粗、秃尖长、左右穗缘角、穗行角、平均行粒数、粒厚、截面穗行数、穗粗、轴粗,颜色以及其平均值,可测出各玉米截面上的种子粒长、粒宽、颜色(RGB具体数值表示)、粒高等尺寸参数。  6、水分测定:通过水分测定仪,数据能输入到软件中,然后统一输出分析数据。  7、图像分析:有任意放大、缩小,方便查看标记结果。  8、有被测样本条码、电子天平RS232重量数据的自动输入接口,插上电脑条码枪即可刷入样本条码编号 电子天平上的被测样本重量数据可一键送到电脑保存为EXCEL表。  9、分析过程为全程电脑控制,高效、准确、简便易用,真正一键式操作,鼠标一点,结果即现。  10、辅助删补:用鼠标选择增加/删除,或直接用鼠标在屏上手工计数,以确保结果准确性。目标区的个性化计数:对工作区视野中任选范围或矩形范围内的计数。  11、种子尺寸分析数据导出:分析图像结果可保存,自动形成总报表,统计分析结果能输出至Excel表,考种系统有云平台的支持,通过云平台可以上传或是下载数据。  12、软件加密:采用动态二维码+密码狗加密,登记具体使用单位的信息,防止加密狗的丢失。
  • 精科公司推出新一代“三合一”718型便携式多参数分析仪
    精科公司电化学事业部新近向市场推出新一代“三合一”718型便携式多参数分析仪,因新产品具有过去三种实验室仪器即离子计、电导率仪、溶解氧测定仪的一般特点及功能,受到了用户的欢迎。该小型仪器内置离子测量模块、电导测量模块、溶解氧测量模块和温度测量模块,允许同时检测上述模块的相应参数,也允许用户按实际需要选择单独的模块进行测量。产品技术与指标在国内同行业中属先进。   “三合一”718型便携式多参数分析仪其离子测量模块具有很大的“宽容性”,除了仪器提供的离子模式,如用户需要测量其它离子,只要用户有相应的离子电极,可自己建立自定义离子模式,同样可以测量其它离子 其电导测量模块可测量电导率、电阻率、总固态溶解物(TDS)以及盐度值,具有自动温度补偿、自动校准、自动量程、自动频率切换等功能 其溶解氧测量模块,可进行溶解氧浓度、溶解氧饱和度和电极电流的测量,具有自动温度补偿功能、标定功能,可进行零氧、满度、气压校准和盐度校准。该仪器可满足化工、环保、科研、教育等领域用户的不同测量需要。   该多参数分析仪采用低功耗设计,还具有欠压检测、自动关机、背光控制以及测量模块电源智能管理等电源管理功能,防水防尘,非常适用于野外作业。     图为新一代“三合一”718型便携式多参数分析仪

半导体参数分析仪原理相关的试剂

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