少子寿命仪测试原理

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少子寿命仪测试原理相关的仪器

  • SPM900 系列少子寿命成像测试仪原理说明非平衡少数载流子少数载流子的寿命是半导体材料的一个重要参数,也是评价半导体质量的一个指标。例如在光伏电池中,少子寿命决定了少子扩散长度, 决定了光吸收层、内建电场区域的厚度设计等重要的器件参数;载流子寿命也可以反映器件中杂质或者缺陷的影响,抑或是存在污染, 进行失效分析,对工艺过程进行优化。载流子的复合在一定温度下,处于热平衡状态的半导体材料,电子- 空穴对的产生和复合保持一种动态平衡,载流子浓度是一定的。然而,外界的作用会破坏这种热平衡,使其处于与热平衡相偏离的状态,随之改变的是载流子的浓度, 多于平衡值的载流子就是非平衡载流子。非平衡少数载流子也称也称少子,通常对于半导体器件的性能起到决定性的作用。当外界作用撤掉后,处于非平衡态的载流子会通过复合而产生衰减,直到载流子浓度恢复到之前的热平衡状态。载流子的复合方式可以分为三类:SRH 复合、辐射复合及俄歇复合(直接和间接)。(a) SRH 复合; (b) 辐射复合; (c) 直接俄歇复合;(d)间接俄歇复合少子寿命测试少子寿命的测量通常包括非平衡载流子的注入和检测两个方面,*常用的注入方法是光注入和电注入。对于间接带隙的半导体,常使用电注入或者微波光电导衰减的方法进行少子寿命测试,间接带隙半导体一般寿命较长, 为毫秒量级。而对于GaAs 这类的直接间隙半导体,复合的能量几乎全部以发光的形式放出,发光效率高,寿命较短(典型的寿命在10-8-10-9s),通常使用时间分辨光致发光光谱(TRPL)的方法来进行测试。激光扫描少子寿命成像测量仪SPM900当外界作用停止以后,少子的浓度(ΔC)随时间t 增长呈指数衰减的规律。由以下方程可知,少子的寿命为当少子浓度衰减到初始浓度1/e 时候所经历的时间。在辐射复合中,发光的强度与少子的浓度相关,因此可以通过检测发光的寿命来获得少子的寿命信息。当在显微镜上加载少子寿命测试模块,就可以得到微区下半导体器件的少子寿命分布信息,这对于微小型器件的研究及质量控制十分重要。激光扫描少子寿命成像仪基于时间相关单光子计数进行设计,包含显微镜主体,激光光源,光子计数检测器,单色仪以及自动XY 样品台等部分。位于显微镜上的激光光源用于样品的激发,通过控制样品台的移动,可以进行微区单点少子寿命测量和少子寿命成像。少子寿命成像测试应用外延ZnS 薄膜半导体本征带- 浅杂质复合半导体中施主- 受主对复合深能级复合III-V 族载流子杂质俘获过程研究非辐射中心的电子弛豫及复合机制研究半导体外延片缺陷和杂质检测测试软件控制测试界面测试软件的界面遵循“All In One”的简洁设计思路,用户可在下图所示的控制界面中完成采集数据的所有步骤:包括控制样品平移台移动,通过显微镜的明场光学像定位到合适区域,框选扫描区域进行扫描,逐点获得荧光衰减曲线,实时生成荧光图像等。数据处理界面功能丰富的荧光寿命数据处理软件,充分挖掘用户数据中的宝贵信息。可自动对扫描获得的FLIM 数据,逐点进行多组分荧光寿命拟合(组分数小于等于4),对逐点拟合获得的荧光强度、荧光寿命等信息生成伪彩色图像显示。3D 显示功能少子寿命测试案例MicroLEDMicroLED 显示技术是指以自发光的微米量级的LED 为发光像素单元,将其组装到驱动面板上形成高密度LED 阵列的显示技术, 在发光亮度、分辨率、对比度、稳定性、能量损耗等方面有很大优势,可以应用在AR/VR,可穿戴光电器件,柔性显示屏等领域。由于MicroLED 的尺寸在微米级别,因此需要在显微镜下进行检测。下图为使用少子寿命成像系统对直径为80 微米的MicroLED 微盘进行测试。单组分拟合,可以看到红圈中的污损位置,虽然影响发光强度,但对发光寿命没有影响钙钛矿测试钙钛矿属于直接带隙半导体材料,具有高光学吸收,高增益系数、高缺陷容忍度、带隙可调,制备成本低等优点,可以广泛应用在光子学与光电信息功能器件等领域,例如钙钛矿太阳能电池,钙钛矿量子点,钙钛矿LED 等材料的研究。对于钙钛矿中的载流子辐射复合的研究对于提供器件的光电转换性能有很大的帮助。以下示例为钙钛矿样品的少子辐射复合发光成像和寿命成像。图中可见此钙钛矿样品有两个寿命组分,且不同寿命组分的相对含量也可以从相对振幅成像图中很直观的看到。晶圆级大尺寸的少子寿命成像测试仪4、6、8 英寸晶圆样品测试,可在此基础上增加小行程电动位移台实现数百纳米至微米尺度的精细扫描显微尺度的少子寿命成像测试仪参数指标 系统性能指标:光谱扫描范围200-900nm*小时间分辨率16ps寿命测量范围500ps-1ms(具体视激光器而定)小尺寸空间分辨率≤ 1μm@100X 物镜@405nm 皮秒脉冲激光器大尺寸扫描可适用4 英寸、6 英寸、8 英寸样品配置参数:脉冲激光器375nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:30ps,平均功率1.5mW@50MHz405nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:25ps,平均功率2.5mW@50MHz450nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:50ps,平均功率1.9mW@50MHz488nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:70ps,平均功率1.3mW@50MHz510nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:75ps,平均功率1.1mW@50MHz635nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:65ps,平均功率4.3mW@50MHz660nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:60ps,平均功率1.9mW@50MHz670nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:40ps,平均功率0.8mW@50MHz其他皮秒或纳秒脉冲激光器具体视材料及激发波长而定科研级正置显微镜落射明暗场卤素灯照明,12V,100W5 孔物镜转盘,标配明场用物镜:10×,50×,100×监视CCD:高清彩色CMOS 摄像头,像元尺寸:3.6μm*3.6μm,有效像素:1280H*1024V,扫描方式:逐行,快门方式:电子快门小尺寸扫描用电动位移台高精度电动XY 样品台,行程:75*50mm(120*80mm 可选),*小步进:50nm,重复定位精度< 1μm大尺寸扫描用电动位移台XY 轴行程200mm/250mm,单向定位精度≤ 30μm,水平负载:30Kg;光谱仪320mm焦距影像校正单色仪,双入口、狭缝出口、CCD出口,配置三块68×68mm大面积光栅, 波长准确度:±0.1nm,波长重复性:±0.01nm,扫描步距:0.0025nm,焦面尺寸:30mm(w)×14mm(h),狭缝缝宽:0.01-3mm 连续电动可调探测器:制冷型紫外可见光电倍增管,光谱范围:185-900nm(标配,可扩展)光谱CCD( 可扩展PL mapping)低噪音科学级光谱CCD(LDC-DD),芯片格式:2000x256,像元尺寸:15μm*15μm,探测面:30mm*3.8mm,背照式深耗尽芯片,低暗电流,*低制冷温度-60℃ @25℃环境温度,风冷,*高量子效率值95%时间相关单光子计数器(TCSPC)时间分辨率:16/32/64/128/256/512/1024ps… … 33.55μs,死时间< 10ns,*高65535 个直方图时间窗口,瞬时饱和计数率:100Mcps,支持稳态光谱测试;OmniFlμo-FM 寿命成像专用软件控制功能:控制样品平移台移动,通过显微镜的明场光学像定位到合适区域,框选扫描区域进行扫描,逐点获得发光衰减曲线,实时生成发光图像等数据处理功能:自动对扫描获得的寿命成像数据,逐点进行多组分发光寿命拟合( 组分数小于等于4),对逐点拟合获得的发光强度、发光寿命等信息生成伪彩色图像显示图像处理功能:直方图、色表、等高线、截线分析、3D 显示等操作电脑品牌操作电脑,Windows 10 操作系统
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  • 少子寿命测试仪 400-860-5168转1545
    仪器简介:少子寿命测试仪性能参数: 测量原理 QSSPC(准稳态光电导)少子寿命测量范围 100 ns-10 ms测试模式:QSSPC,瞬态,寿命归一化分析电阻率测量范围 3&ndash 600 (undoped) Ohms/sq.注入范围:1013-1016cm-3感测器范围 直径40-mm测量样品规格 标准直径: 40&ndash 210 mm (或更小尺寸)硅片厚度范围 10&ndash 2000 &mu m外界环境温度 20° C&ndash 25° C功率要求 测试仪: 40 W 电脑控制器:200W 光源:60W通用电源电压 100&ndash 240 VAC 50/60 Hz主要特点:  适应低电阻率样片的测试需要,最小样品电阻率可达0.1ohmcm  全自动操作及数据处理  对太阳能级硅片,测试前一般不需钝化处理  能够测试单晶或多晶硅棒、片或硅锭  可以选择测试样品上任意位置  能提供专利的表面化学钝化处理方法  对各道工序的样品均可进行质量监控:  硅棒、切片的出厂、进厂检查  扩散后的硅片  表面镀膜后的硅片以及成品电池少子寿命测试仪Best available calibrated measurement of carrier recombination lifetime. Widely used for both monocrystalline and multicrystalline wafers.Product OverviewWCT testers showcase our unique measurement and analysis techniques, including the highly regarded Quasi-Steady-State Photoconductance (QSSPC) lifetime measurement method developed by Sinton Instruments in 1994.The QSSPC technique is ideal for monitoring multicrystalline wafers, dopant diffusions, and low-lifetime samples. This method complements the use of the transient photoconductance technique that is also standard on this instrument.The QSSPC lifetime measurement also yields the implied open-circuit voltage (versus illumination) curve, which is comparable to an I-V curve at each stage of a solar cell process.WCT System CapabilitiesPrimary application:Step-by-step monitoring and optimization of a fabrication process.Other applications: Sinton Instruments' analysis yields a calibrated carrier injection level for each wafer, so you can interpret lifetime data in a physically precise way. Specific parameters of interest are displayed and logged for each measurement.&bull Monitoring initial material quality&bull Detecting heavy metals contamination during wafer processing&bull Evaluating surface passivation and emitter dopant diffusion&bull Evaluating process-induced shunting using the implied I-V measurementFurther Information技术参数:FAQ:&bull What is the recombination lifetime?&bull How does the solar cell efficiency depend on the lifetime?&bull What determines the lifetime in silicon?&bull How is lifetime measured by the Sinton Instruments tools?&bull How is the data analyzed?&bull Can you measure surface recombination velocity?&bull Does the system measure emitter saturation current density?&bull Can wafers be measured with no surface passivation (&ldquo out of the box&rdquo )?&bull Can any of these instruments do lifetime maps?&bull How do these measurements compare to microwave PCD?&bull What lifetimes can be measured?&bull What is the smallest sample size?&bull How do you measure bulk lifetime on blocks or ingots?&bull At what carrier density should I report the result?&bull Can the lifetime tester be used to detect Fe contamination?&bull How is the instrument calibrated?&bull When should wafers be tested inline?&bull Does the lifetime tester measure the trapping? Module and Cell Flash Testers frequently asked questions主要特点:常见问题:WT-2000与WCT-120测少子寿命的差异?WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance(QSSPC准稳态光电导)而WT2000是微波光电导。WCT-120/100准稳态光电导法测少子寿命的原理?WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance(QSSPC准稳态光电导)
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  • 是一款硅片少子寿命测试仪,不仅适用于硅片少子寿命的测量,更适用于硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶等多种不规则形状硅少子寿命的测量。少子测试量程从1μs到6000μs,硅料电阻率下限达0.1Ω.cm(可扩展至0.01Ω.cm)。测试过程全程动态曲线监控,少子寿命测量可灵敏地反映单晶体重金属污染及陷阱效应表面复合效应等缺陷情况,是原生多晶硅料及半导体及太阳能拉晶企业不可多得少子寿命测量仪器。■适用于低阻硅料少子寿命的测量,电阻率测量范围可达ρ0.1Ω?cm(可扩展至0.01Ω?cm),完全解决了微波光电导无法检测低阻单晶硅的问题。■全程监控动态测试过程,避免了微波光电导(u-PCD)无法观测晶体硅陷阱效应,表面复合效应缺陷的问题。■贯穿深度大,达500微米,相比微波光电导的30微米的贯穿深度,真正体现了少子的体寿命的测量,避免了表面复合效应的干扰。■专业定制样品架最大程度地满足了原生多晶硅料生产企业测试多种形状的硅材料少子寿命的要求,包括硅芯、检磷棒、检硼棒等。■性价比高,价格远低于国外国外少子寿命测试仪产品,极大程度地降低了企业的测试成本。
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  • 匈利亚WT-1200少子寿命测量仪

    现出售一台匈利亚WT-1200少子寿命测量仪,详细了解请请致电或加微信13752862762[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/01/201801211733341414_4355_3364647_3.jpeg[/img][img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/01/201801211733344324_6932_3364647_3.jpeg[/img]

少子寿命仪测试原理相关的耗材

  • 安捷伦(Agilent)长寿命氘灯丨G1314-60100丨
    经认证的灯. 所有氘灯都经过噪声和漂移性能指标的测试,矫正了操作电压、光强度和定位. 改善了涂层工艺使Agilent 氘灯的使用寿命延长50%. 安捷伦氘灯采用了更窄的狭缝宽度设计,可提高光强度,降低噪声,进而获得更高的信噪比. 通过提供更高的灵敏度,安捷伦氘灯可以扩展检测能力,改善痕量级的检测质量,使用寿命超过 2000 小时安捷伦的灯是在ISO 9001 认证环境中制造的,并且制造过程的每一步均是完全可追踪的。每一只灯生产后均经过测试,以确保满足安捷伦的性能指标要求。测试设备按照NIST(美国国家标准技长寿命 HiS 氘灯,5190-0917 术研究院)或 PTB(德国柏林的联邦物理技术研究院)规定的光学标准进行定期校正。可变波长检测器(VwD)长寿命氘灯,带RFID 标签用于G1314D/E/F G1314-60101长寿命氘灯用于G1314A/B/C、1120 和1220 Infinity LC G1314-60100长寿命HiS 氘灯(8 针),带RFID 标签用于G4212A/B 5190-0917长寿命氘灯,带RFID 标签用于G1315C/D 和G1365C/D 2140-0820长寿命氘灯用于G1315A/B 和G1365A/B 2140-0813长寿命氘灯用于G1315A/B 和G1365A/B 5182-1530氘灯用于G1315A/B 和G1365A/B 2140-0590钨灯用于G1315A/B/C/D 和G1365A/B/C/D G1103-60001
  • 热电赛默飞原子吸收光谱仪原装进口强度高能量长寿命编码/非编码空心阴极灯
    热电赛默飞原子吸收光谱仪原装进口强度高能量长寿命编码/非编码空心阴极灯热电赛默飞原子吸收光谱仪原装进口强度高能量长寿命编码/非编码空心阴极灯热电赛默飞原子吸收光谱仪原装进口强度高能量长寿命编码/非编码空心阴极灯北京龙天韬略科技有限公司代理销售美国赛默飞 热电ThermoFisher光谱耗材配件,色谱耗材、包括热电长寿命石墨管、美国热电涂层石墨管、热电标准石墨管、美国热电编码元素灯、美国热电非编码元素灯、多元素复合空心阴极灯、美国热电进样杯、美国热电雾化器、美国热电进样泵管、美国热电废液泵管、美国热电泵油、美国热电进样针、美国热电样品杯、美国热电矩管、美国热电中心管、ICP雾化器、美国热电蠕动泵、美国热电O型圈等美国赛默飞世尔 热电原子吸收光谱耗材全线产品。美国热电空心阴极灯采用了高标准精心制造。得益于美国热电经久的设计和制作经验。每一支灯具都经过严格的测试,确保可满足最严苛的要求。所有空心阴极灯都经过严格测试,以确保最大光输出、高强度、高稳定性和光谱纯度标准。精心的设计使得本空心阴极灯具有灵敏度高、光输出稳定、低噪音和长寿命等特点,可令您放心地获得您所需要的检测结果。美国热电空心阴极灯的使用维护注意事项: 1.使用时不得超过最大额定电流,否则会使阴极材料大量溅射、热蒸发或 阴极熔化,寿命缩短,甚至发生**性损坏 。 2.每隔3~4个月,应将不常用的灯,通电点燃2~3小时,以保证灯的性能,延长其寿命。 3.使用一段时间后灯会老化,导致发光不稳,光强减弱,噪声增加。在这种情况下可用激活器加以激活,或把灯的极性反接, 在规定的最大电流下点燃30分钟,多数灯的性能可以恢复。 4.取放或拆卸等时,应拿灯座,不要拿灯管。
  • 高强度、长寿命灯 N3150303/03030998
    特点和优势灯强度:与对应的空心阴极灯相比,在相同条件下,EDL灯强度要高许多,而且所提供的灵敏度更高。精度:EDL可提供更低的检测极限,为分析工作的首选产品,它可克服由于空心阴极发射强度低而产生“噪音”。寿命长:System 2 EDL使用寿命长,具有超常的成本效益。自动化:珀金埃尔默编码灯允许在配备有自动转动架的系统上进行自动设置。质量:制造灯时仔细挑选的材料避免了光谱干扰。测试:每一支灯都经过彻底测试。设计:对于您最为艰难的测定,我们的设计都会为您提供您所需要的低检测极限。EDL驱动组件说明零件编号用于AAnalyst?200/400N3150131用于AAnalyst 600/700/800, SIMAA?4110 ZL(短电缆)03030997用于除AAnalyst 600/700/800 , SIMAA 4110 ZL(长电缆)之外的所有型号03030793EDL驱动元件说明零件编号驱动器组件适配器电缆允许系统2 EDL激发器(03030793和03030997)用于AAnalyst 200/400上N3150303伸长电缆 转换AAnalyst 600/700/800,SIMAA 4110 Z系统2 EDL激发器组件上的电缆03030998?? ?

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  • 立标杆尺度,树领域典范——少子寿命测试
    半导体材料少数载流子寿命不仅可以表征半导体材料的质量,还可以评价器件制造过程中的质量控制,如集成电路公司利用载流子寿命来表征工艺过程的金属沾污程度,并研究造成器件性能下降原因。因此,随着半导体器件工艺发展,半导体材料少数载流子寿命的测试设备要求越来越高,从早期对块状体材料的接触式测量,逐渐发展到对片状材料的无破坏、无接触和无污染的在线检测。由于不同测试技术在光电注入量、测试频率、温度等参数上存在差别,同一半导体材料在不同测试设备上测试值往往相差很大,误差范围甚至达到100%以上,因此,准确测量半导体材料少子寿命成为人们关注重点。 Freiberg Instruments公司长期致力于开发半导体检测技术,提供不同需求的少子寿命检测设备,现有MDP系列少子寿命检测设备:单点少子寿命检测MDPspot,桌面型扫描设备MDPmap,在线检测少子寿命设备MDPlinescan,变温少子寿命设备MDPpro以及大通量硅錠检测MDPinline Ingot等,这些设备不仅可以准确测试少子寿命参数,还可检测缺陷的俘获截面,激活能等参数,对半导体和光伏材料和工艺控制给出全面评估。 Freiberg Instruments公司的采用微波光电导衰减技术,由于操作简单,对样品进行无接触、无破坏和无污染测试,测试重复性高,稳定性好,已成为光伏和半导体材料少子寿命的标准检测手段,极大促进了半导体和光伏材料工艺发展。微波光电导衰减技术主要包括激光注入半导体材料产生非平衡载流子,电子-空穴对的增加,导致样品电导率增加,当测去外界光注入时,电导率随时间指数衰减,这一趋势反应了少数载流子的衰减趋势,通过微波探测器测出半导体材料的电导率随时间变化趋势,从而得到少数载流子的寿命参数。 Freiberg Instruments公司MDP系列少子寿命检测设备,针对不同材料和测试要求,提供个性化定制测试方案。对少子寿命参数测试提供MDP准稳态和μ-PCD瞬态不同微波光电导检测技术,同时还有很多其他不同功能,包括电阻率/方块电阻的非接触面扫描测试,通过LBIC测试计算内外量子效率,偏置光设置,P/N型,BiasMDP,硅材料中的Fe杂质面分布扫描,硼氧含量测试,自动确定硅錠切割标准等功能。 欢迎访问:https://www.instrument.com.cn/netshow/SH104682/ 联系我们:400-860-5168转4682
  • 评新而论Vol.05 卓立汉光显微荧光寿命成像系统RTS2-FLIM
    听用户真实评价,晓新品技术进展!【评“新”而论】第5期,是曾获“3i奖-2022年度科学仪器行业优秀新品”的卓立汉光显微荧光寿命成像系统RTS2-FLIM。本次分享2位来自高校、科研院所的用户评价。 评新而论区 用户1:荧光寿命成像系统,解决了我们关于在微观尺度下研究材料超快寿命的问题!单位:浙江省某高校我们采购的是卓立汉光基于FLIM的超快光谱测试系统,配合飞秒激光器和条纹相机,用于研究钙钛矿材料在大电流注入下的俄歇复合问题,放大自发辐射(ASE)的效应以及宽禁带半导体材料等。 这套系统可以帮助我们从科学机理上去理解器件发光的内在规律,从而为设计更高效和更长使用寿命的器件提供理论支撑和研究方向。用户2:助力开发低成本、可产业化和小型化的光电功能器件,应用于光通信、光信息处理、光存储等方向。单位:长春某研究所我们采购了卓立汉光公司的FLIM加条纹相机系统主要用于钙钛矿太阳能电池、钙钛矿发光LED、钙钛矿激光以及有机高分子光电功能材料的研究。这套系统还配备了显微镜下专用的低温附件,可以帮助我们研究器件本征失效机理,进而提出解决方案,开发更加稳定的材料体系和先进的器件技术。 仪器新品区 卓立汉光显微荧光寿命成像系统RTS2-FLIM|查看报价参数什么是显微荧光寿命成像技术(FLIM)?显微荧光寿命成像技术(Fluorescence Lifetime ImagingMicroscopy,FLIM)是一种在显微尺度下展现荧光寿命空间分布的技术,由于其不受样品浓度影响,具有其他荧光成像技术无法代替的优异性能,目前在生物医学工程、光电半导体材料等领域是一种重要的表征测量手段。FLIM 一般分为宽场FLIM 和激光扫描FLIM。FLIM 两大应用——01——材料科学领域宽禁带半导体如GaN、SiC 等体系的少子寿命mapping 测量;量子点如CdSe@ZnS 等用作荧光寿命成像显微镜探针;钙钛矿电池/LED 薄膜的组分分析、缺陷检测;铜铟镓硒CIGS,铜锌锡硫CZTS 薄膜太阳能电池的组分、缺陷检测;镧系上转换纳米颗粒;GaAs 或GaAsP 量子阱的载流子扩散研究。——02——生命科学领域细胞体自身荧光寿命分析;自身荧光相对荧光标记的有效区分;活细胞内水介质的PH 值测量;局部氧气浓度测量;具有相同频谱性质的不同荧光标记的区分;活细胞内钙浓度测量;时间分辨共振能量转移(FRET):纳米级尺度上的远差测量,环境敏感的FRET 探针定量测量;代谢成像:NAD(P)H 和FAD 胞质体的荧光寿命成像。显微荧光寿命成像系统RTS2-FLIM是基于显微和时间相关单光子计数技术,配合高精度位移台得到微观样品表面各空间分布点的荧光衰减曲线,再经过用数据拟合,得到样品表面发光寿命表征的影像。高度适用于光电半导体材料、荧光标记常用荧光分子等类似荧光寿命大多分布在纳秒、几十、几百纳秒尺度的物质。参数指标系统性能指标光谱扫描范围200-900nm*小时间分辨率16ps荧光寿命测量范围500ps-1μs@ 皮秒脉冲激光器空间分辨率≤1μm@100X 物镜@405nm 皮秒脉冲激光器荧光寿命检测IRF≤2ns配置参数激发源及匹配光谱范围(光源参数基于50MHz 重复频率)375nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:30ps,平均功率1.5mW,荧光波段:400-850nm405nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:25ps,平均功率2.5mW,荧光波段:430-920nm450nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:50ps,平均功率1.9mW,荧光波段:485-950nm488nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:70ps,平均功率1.3mW,荧光波段:500-950nm510nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:75ps,平均功率1.1mW,荧光波段:535-950nm635nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:65ps,平均功率4.3mW,荧光波段:670-950nm660nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:60ps,平均功率1.9mW,荧光波段:690-950nm670nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:40ps,平均功率0.8mW,荧光波段:700-950nm科研级正置显微镜落射明暗场卤素灯照明,12V,100W5 孔物镜转盘,标配明场用物镜:10×,50×,100×监视CCD:高清彩色CMOS 摄像头,像元尺寸:3.6μm*3.6μm,有效像素:1280H*1024V,扫描方式:逐行,快门方式:电子快门电动位移台高精度电动XY 样品台,行程:75*50mm(120*80mm 可选),*小步进:50nm,重复定位精度:< 1μm光谱仪320mm 焦距影像校正单色仪,双入口、狭缝出口、CCD 出口,配置三块68×68mm 大面积光栅,波长准确度:±0.1nm,波长重复性:±0.01nm,扫描步距:0.0025nm,焦面尺寸:30mm(w)×14mm(h),狭缝缝宽:0.01-3mm 连续电动可调探测器:制冷型紫外可见光电倍增管,光谱范围:185-900nm(标配,可扩展)光谱CCD(可扩展PLmapping)低噪音科学级光谱CCD(LDC-DD),芯片格式:2000x256,像元尺寸:15μm*15μm, 探测面:30mm*3.8mm,背照式深耗尽芯片,低暗电流,*低制冷温度-60℃ @25℃环境温度,风冷,*高量子效率值95%时间相关单光子计数器(TCSPC)时间分辨率:16/32/64/128/256/512/1024ps……33.55μs,死时间< 10ns,*高65535 个直方图时间窗口,瞬时饱和计数率:100Mcps,支持稳态光谱测试;OmniFluo-FM 荧光寿命成像专用软件控制功能:控制样品平移台移动,通过显微镜的明场光学像定位到合适区域,框选扫描区域进行扫描,逐点获得荧光衰减曲线,实时生成荧光图像等数据处理功能:自动对扫描获得的FLIM 数据,逐点进行多组分荧光寿命拟合(组分数小于等于4),对逐点拟合获得的荧光强度、荧光寿命等信息生成伪彩色图像显示图像处理功能:直方图、色表、等高线、截线分析、3D 显示等操作电脑品牌操作电脑,Windows 10 操作系统——03——更多用户应用案例1、用荧光分子对海拉细胞进行染色用荧光分子转子Bodipy-C12 对海拉细胞(宫颈癌细胞的一种) 进行染色。(a) 显微荧光寿命成像图,寿命范围1ns(蓝色)到2.5ns(红色);(b) 荧光寿命直方图,脂肪滴的短寿命约在1.6ns 附近,细胞中其他位置寿命较长,在1.8ns 附近。用荧光分子转子的时间分辨测量最大的好处在于荧光寿命具备足够清晰的标签特性,且与荧光团的浓度无关。2、钙钛矿太阳能电池研究研究中展示了一种动态热风(DHA)制备工艺来控制全无机PSC 的薄膜形态和稳定性,该工艺不含有常规的有害反溶剂,可以在大气环境中制备。同时,钙钛矿掺有钡(Ba2+) 碱金属离子(BaI2:CsPbI2Br)。这种DHA 方法有助于形成均匀的晶粒并控制结晶,从而形成稳定的全无机PSC。从而在环境条件下形成完整的黑色相。经过DHA处理的钙钛矿光伏器件,在0.09cm小面积下,效率为14.85%,在1x1cm的大面积下,具有13.78%的*高效率。DHA方法制备的器件在300h后仍然保持初始效率的92%。“3i奖-2023年度科学仪器行业优秀新品”评选火热进行中!获奖结果将于ACCSI2024中国科学仪器发展年会现场揭晓并颁发证书。时间:4月17-19日地点:苏州狮山国际会议中心详情点击:https://www.instrument.com.cn/accsi/2024/index 日常新品申报入口 ↓↓↓https://www.instrument.com.cn/Members/NewProduct/NewProduct 关于:“3i奖—科学仪器行业优秀新品”仪器及检测3i奖,又名3i奖(创新innovative、互动interactive、整合integrative),是由信立方旗下网站:仪器信息网和我要测网联合举办的科学仪器及检验检测行业类奖项,是随着行业的发展需求,应运而生。从旗下第一个奖项优秀新品奖于2006年创办,3i奖为记录行业发展路上的熠熠星光,截至目前,已设置有12个常设奖项。“科学仪器行业优秀新品”作为3i奖中非常重要的一项,旨在将在中国仪器市场上推出的、创新性比较突出的国内外仪器产品全面、公正、客观地展现给广大的国内用户,同时,鼓励各仪器厂商积极创新、推出满足中国用户需求的仪器新品。“科学仪器行业优秀新品”评选活动已经成功举办了十七届。评选出的年度优秀新品受到越来越多仪器用户、国内外仪器厂商以及相关媒体的关注和重视。经过10余年的打造,该奖项已经成为国内外科学仪器行业最权威的奖项之一,获奖名单被多个政府部门采信,仪器信息网新品首发栏目也成为了国内外科学仪器厂商发布新品的首选平台。
  • HORIBA推出高精度荧光寿命测试系统DeltaPro
    仪器信息网讯 在第六届上海慕尼黑生化展中,HORIBA推出了最新的高精度荧光寿命测试系统DeltaPro。 高精度荧光寿命测试系统DeltaPro   该款仪器采用模块化设计,具有超宽荧光寿命测试范围(25ps-1s),可以满足荧光、磷光寿命测定要求;配备多种脉冲半导体光源,包括DeltaDiode、NanoLED和SpectraLED,用户可以根据自己的需求选择不同的光源;其中,最新设计DeltaHub计时模块,死时间极短(10ns),无需再校准;另外,大样品仓设计可加载搅拌和控温装置;皮秒检测模块标准配置为250-850nm,可升级至1700nm。   据介绍, HORIBA一直致力于荧光光谱仪的研发和销售,相继推出了Flurolog-3模块化荧光光谱仪、NanoLog红外荧光快速测量系统、FluroMax-4紧凑型荧光光谱仪、FluroCube荧光寿命光谱仪、Tempro荧光寿命测量单元、DeltaPro高精度荧光寿命测试系统、DynaMyc荧光寿命成像显微镜等。并且也一直在积极的推进相关应用标准的制定工作。

少子寿命仪测试原理相关的试剂

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