少子寿命仪测试原理

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少子寿命仪测试原理相关的仪器

  • SPM900 系列少子寿命成像测试仪原理说明非平衡少数载流子少数载流子的寿命是半导体材料的一个重要参数,也是评价半导体质量的一个指标。例如在光伏电池中,少子寿命决定了少子扩散长度, 决定了光吸收层、内建电场区域的厚度设计等重要的器件参数;载流子寿命也可以反映器件中杂质或者缺陷的影响,抑或是存在污染, 进行失效分析,对工艺过程进行优化。载流子的复合在一定温度下,处于热平衡状态的半导体材料,电子- 空穴对的产生和复合保持一种动态平衡,载流子浓度是一定的。然而,外界的作用会破坏这种热平衡,使其处于与热平衡相偏离的状态,随之改变的是载流子的浓度, 多于平衡值的载流子就是非平衡载流子。非平衡少数载流子也称也称少子,通常对于半导体器件的性能起到决定性的作用。当外界作用撤掉后,处于非平衡态的载流子会通过复合而产生衰减,直到载流子浓度恢复到之前的热平衡状态。载流子的复合方式可以分为三类:SRH 复合、辐射复合及俄歇复合(直接和间接)。(a) SRH 复合; (b) 辐射复合; (c) 直接俄歇复合;(d)间接俄歇复合少子寿命测试少子寿命的测量通常包括非平衡载流子的注入和检测两个方面,*常用的注入方法是光注入和电注入。对于间接带隙的半导体,常使用电注入或者微波光电导衰减的方法进行少子寿命测试,间接带隙半导体一般寿命较长, 为毫秒量级。而对于GaAs 这类的直接间隙半导体,复合的能量几乎全部以发光的形式放出,发光效率高,寿命较短(典型的寿命在10-8-10-9s),通常使用时间分辨光致发光光谱(TRPL)的方法来进行测试。激光扫描少子寿命成像测量仪SPM900当外界作用停止以后,少子的浓度(ΔC)随时间t 增长呈指数衰减的规律。由以下方程可知,少子的寿命为当少子浓度衰减到初始浓度1/e 时候所经历的时间。在辐射复合中,发光的强度与少子的浓度相关,因此可以通过检测发光的寿命来获得少子的寿命信息。当在显微镜上加载少子寿命测试模块,就可以得到微区下半导体器件的少子寿命分布信息,这对于微小型器件的研究及质量控制十分重要。激光扫描少子寿命成像仪基于时间相关单光子计数进行设计,包含显微镜主体,激光光源,光子计数检测器,单色仪以及自动XY 样品台等部分。位于显微镜上的激光光源用于样品的激发,通过控制样品台的移动,可以进行微区单点少子寿命测量和少子寿命成像。少子寿命成像测试应用外延ZnS 薄膜半导体本征带- 浅杂质复合半导体中施主- 受主对复合深能级复合III-V 族载流子杂质俘获过程研究非辐射中心的电子弛豫及复合机制研究半导体外延片缺陷和杂质检测测试软件控制测试界面测试软件的界面遵循“All In One”的简洁设计思路,用户可在下图所示的控制界面中完成采集数据的所有步骤:包括控制样品平移台移动,通过显微镜的明场光学像定位到合适区域,框选扫描区域进行扫描,逐点获得荧光衰减曲线,实时生成荧光图像等。数据处理界面功能丰富的荧光寿命数据处理软件,充分挖掘用户数据中的宝贵信息。可自动对扫描获得的FLIM 数据,逐点进行多组分荧光寿命拟合(组分数小于等于4),对逐点拟合获得的荧光强度、荧光寿命等信息生成伪彩色图像显示。3D 显示功能少子寿命测试案例MicroLEDMicroLED 显示技术是指以自发光的微米量级的LED 为发光像素单元,将其组装到驱动面板上形成高密度LED 阵列的显示技术, 在发光亮度、分辨率、对比度、稳定性、能量损耗等方面有很大优势,可以应用在AR/VR,可穿戴光电器件,柔性显示屏等领域。由于MicroLED 的尺寸在微米级别,因此需要在显微镜下进行检测。下图为使用少子寿命成像系统对直径为80 微米的MicroLED 微盘进行测试。单组分拟合,可以看到红圈中的污损位置,虽然影响发光强度,但对发光寿命没有影响钙钛矿测试钙钛矿属于直接带隙半导体材料,具有高光学吸收,高增益系数、高缺陷容忍度、带隙可调,制备成本低等优点,可以广泛应用在光子学与光电信息功能器件等领域,例如钙钛矿太阳能电池,钙钛矿量子点,钙钛矿LED 等材料的研究。对于钙钛矿中的载流子辐射复合的研究对于提供器件的光电转换性能有很大的帮助。以下示例为钙钛矿样品的少子辐射复合发光成像和寿命成像。图中可见此钙钛矿样品有两个寿命组分,且不同寿命组分的相对含量也可以从相对振幅成像图中很直观的看到。晶圆级大尺寸的少子寿命成像测试仪4、6、8 英寸晶圆样品测试,可在此基础上增加小行程电动位移台实现数百纳米至微米尺度的精细扫描显微尺度的少子寿命成像测试仪参数指标 系统性能指标:光谱扫描范围200-900nm*小时间分辨率16ps寿命测量范围500ps-1ms(具体视激光器而定)小尺寸空间分辨率≤ 1μm@100X 物镜@405nm 皮秒脉冲激光器大尺寸扫描可适用4 英寸、6 英寸、8 英寸样品配置参数:脉冲激光器375nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:30ps,平均功率1.5mW@50MHz405nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:25ps,平均功率2.5mW@50MHz450nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:50ps,平均功率1.9mW@50MHz488nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:70ps,平均功率1.3mW@50MHz510nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:75ps,平均功率1.1mW@50MHz635nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:65ps,平均功率4.3mW@50MHz660nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:60ps,平均功率1.9mW@50MHz670nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:40ps,平均功率0.8mW@50MHz其他皮秒或纳秒脉冲激光器具体视材料及激发波长而定科研级正置显微镜落射明暗场卤素灯照明,12V,100W5 孔物镜转盘,标配明场用物镜:10×,50×,100×监视CCD:高清彩色CMOS 摄像头,像元尺寸:3.6μm*3.6μm,有效像素:1280H*1024V,扫描方式:逐行,快门方式:电子快门小尺寸扫描用电动位移台高精度电动XY 样品台,行程:75*50mm(120*80mm 可选),*小步进:50nm,重复定位精度< 1μm大尺寸扫描用电动位移台XY 轴行程200mm/250mm,单向定位精度≤ 30μm,水平负载:30Kg;光谱仪320mm焦距影像校正单色仪,双入口、狭缝出口、CCD出口,配置三块68×68mm大面积光栅, 波长准确度:±0.1nm,波长重复性:±0.01nm,扫描步距:0.0025nm,焦面尺寸:30mm(w)×14mm(h),狭缝缝宽:0.01-3mm 连续电动可调探测器:制冷型紫外可见光电倍增管,光谱范围:185-900nm(标配,可扩展)光谱CCD( 可扩展PL mapping)低噪音科学级光谱CCD(LDC-DD),芯片格式:2000x256,像元尺寸:15μm*15μm,探测面:30mm*3.8mm,背照式深耗尽芯片,低暗电流,*低制冷温度-60℃ @25℃环境温度,风冷,*高量子效率值95%时间相关单光子计数器(TCSPC)时间分辨率:16/32/64/128/256/512/1024ps… … 33.55μs,死时间< 10ns,*高65535 个直方图时间窗口,瞬时饱和计数率:100Mcps,支持稳态光谱测试;OmniFlμo-FM 寿命成像专用软件控制功能:控制样品平移台移动,通过显微镜的明场光学像定位到合适区域,框选扫描区域进行扫描,逐点获得发光衰减曲线,实时生成发光图像等数据处理功能:自动对扫描获得的寿命成像数据,逐点进行多组分发光寿命拟合( 组分数小于等于4),对逐点拟合获得的发光强度、发光寿命等信息生成伪彩色图像显示图像处理功能:直方图、色表、等高线、截线分析、3D 显示等操作电脑品牌操作电脑,Windows 10 操作系统
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  • 少子寿命测试仪 400-860-5168转1545
    仪器简介:少子寿命测试仪性能参数: 测量原理 QSSPC(准稳态光电导)少子寿命测量范围 100 ns-10 ms测试模式:QSSPC,瞬态,寿命归一化分析电阻率测量范围 3&ndash 600 (undoped) Ohms/sq.注入范围:1013-1016cm-3感测器范围 直径40-mm测量样品规格 标准直径: 40&ndash 210 mm (或更小尺寸)硅片厚度范围 10&ndash 2000 &mu m外界环境温度 20° C&ndash 25° C功率要求 测试仪: 40 W 电脑控制器:200W 光源:60W通用电源电压 100&ndash 240 VAC 50/60 Hz主要特点:  适应低电阻率样片的测试需要,最小样品电阻率可达0.1ohmcm  全自动操作及数据处理  对太阳能级硅片,测试前一般不需钝化处理  能够测试单晶或多晶硅棒、片或硅锭  可以选择测试样品上任意位置  能提供专利的表面化学钝化处理方法  对各道工序的样品均可进行质量监控:  硅棒、切片的出厂、进厂检查  扩散后的硅片  表面镀膜后的硅片以及成品电池少子寿命测试仪Best available calibrated measurement of carrier recombination lifetime. Widely used for both monocrystalline and multicrystalline wafers.Product OverviewWCT testers showcase our unique measurement and analysis techniques, including the highly regarded Quasi-Steady-State Photoconductance (QSSPC) lifetime measurement method developed by Sinton Instruments in 1994.The QSSPC technique is ideal for monitoring multicrystalline wafers, dopant diffusions, and low-lifetime samples. This method complements the use of the transient photoconductance technique that is also standard on this instrument.The QSSPC lifetime measurement also yields the implied open-circuit voltage (versus illumination) curve, which is comparable to an I-V curve at each stage of a solar cell process.WCT System CapabilitiesPrimary application:Step-by-step monitoring and optimization of a fabrication process.Other applications: Sinton Instruments' analysis yields a calibrated carrier injection level for each wafer, so you can interpret lifetime data in a physically precise way. Specific parameters of interest are displayed and logged for each measurement.&bull Monitoring initial material quality&bull Detecting heavy metals contamination during wafer processing&bull Evaluating surface passivation and emitter dopant diffusion&bull Evaluating process-induced shunting using the implied I-V measurementFurther Information技术参数:FAQ:&bull What is the recombination lifetime?&bull How does the solar cell efficiency depend on the lifetime?&bull What determines the lifetime in silicon?&bull How is lifetime measured by the Sinton Instruments tools?&bull How is the data analyzed?&bull Can you measure surface recombination velocity?&bull Does the system measure emitter saturation current density?&bull Can wafers be measured with no surface passivation (&ldquo out of the box&rdquo )?&bull Can any of these instruments do lifetime maps?&bull How do these measurements compare to microwave PCD?&bull What lifetimes can be measured?&bull What is the smallest sample size?&bull How do you measure bulk lifetime on blocks or ingots?&bull At what carrier density should I report the result?&bull Can the lifetime tester be used to detect Fe contamination?&bull How is the instrument calibrated?&bull When should wafers be tested inline?&bull Does the lifetime tester measure the trapping? Module and Cell Flash Testers frequently asked questions主要特点:常见问题:WT-2000与WCT-120测少子寿命的差异?WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance(QSSPC准稳态光电导)而WT2000是微波光电导。WCT-120/100准稳态光电导法测少子寿命的原理?WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance(QSSPC准稳态光电导)
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  • 灵活的OEM少子寿命测试仪器,用于各种不同样品的少子寿命测量,从单晶硅砖到多晶硅砖,从生长的硅片到不同层或金属化的硅片的过程控制。标准的软件接口,便于连接到许多处理或自动化系统。在众多的少子寿命测量方法中,MDP(微波检测光电导率)采用改进的少子寿命检测技术,是微波检测光电导衰减法检测仪中常用的仪器之一,少子寿命测试仪原理从载流子输运原理出发,建立广义速率方程和偏微分方程系统。拥有先进的灵敏度和分辨率,很大程度提升在线检测的速度和质量,快速出具少子寿命测试的实验报告。 MDPlinescan被设计成一个易于集成的OEM设备,可以集成到各种自动化检测线。关键的是在传送过程中进行少子寿命扫描。样品通常由测量头下面的传送带或机器人系统携带。应用实例包括从晶砖到晶圆检测,单晶少子寿命测试、多晶少子寿命测试,每块晶圆的测量速度小于一秒。电池生产线上的来料质量检查是经典的通用案例,也用于钝化和扩散后的工艺质量检查,还有许多其他特殊的应用的可能性。易于集成,只需要以太网连接和电源。 MDPlinescan W 包括一个额外的电阻率测量选项。 优点: ◇ 在µ -PCD或稳态激励条件下线扫描少数载流子寿命和电阻率是这个小型设备的重要功能; ◇ OEM设备可以集成到多晶或单晶硅片的生产线上,在不同的制备阶段,直至器件、砖块或晶锭。 ◇ 小巧的尺寸和标准的自动化接口使其易于集成。重点是测量结果的长期可靠性和精确性。 示范性线状扫描图 细节: ◇ 允许单晶圆片调查 ◇ 不同的晶圆级有不同的配方 ◇ 监控物料、工艺质量和稳定性 技术规格: 样品多种尺寸的多晶或单晶晶片,如156mm×156mm、晶砖、电池片等样品尺寸50 x 50 mm² 以上电阻率0.2 - 10³ Ωcm电导类型P,N样品类型硅片、部分或完全加工的硅片、化合物半导体及更多的产品可测量的特性少数载流子寿命硬件接口以太网尺寸规格体积:174 x 107 x 205mm;重量:3公斤电源24 V DC, 2 A
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  • 匈利亚WT-1200少子寿命测量仪

    现出售一台匈利亚WT-1200少子寿命测量仪,详细了解请请致电或加微信13752862762[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/01/201801211733341414_4355_3364647_3.jpeg[/img][img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2018/01/201801211733344324_6932_3364647_3.jpeg[/img]

少子寿命仪测试原理相关的耗材

  • 少子寿命测试仪
    少子寿命测试仪性能参数? 测量原理 QSSPC(准稳态光电导) 少子寿命测量范围 100 ns-10 ms 测试模式:QSSPC,瞬态,寿命归一化分析 电阻率测量范围 3&ndash 600 (undoped) Ohms/sq. 注入范围:1013-1016cm-3 感测器范围 直径40-mm 测量样品规格 标准直径: 40&ndash 210 mm (或更小尺寸) 硅片厚度范围 10&ndash 2000 &mu m 外界环境温度 20° C&ndash 25° C 功率要求 测试仪: 40 W 电脑控制器:200W 光源:60W 通用电源电压 100&ndash 240 VAC 50/60 Hz -------------------------------------------------------------------------------- 少子寿命测试仪成功使用用户? 江苏,上海,北京,浙江,西安,四川,河北,河南等地的硅料生产企业及半导体光伏拉晶企业等等。 一、采购项目名称:硅片少子寿命测试系统、溶剂净化系统等 二、采购代理机构 :杭州求是招标代理有限公司 三、确定成交日期:2010年11月16日 四、本项目公告日期: 2010年11月4日、11月5日 五、项目成交单位: 硅片少子寿命测试系统(z9264):上海瞬渺光电技术有限公司 -------------------------------------------------------------------------------- 相关资料下载 少子寿命测试仪一款功能强大的少子寿命测试仪,不仅适用于硅片少子寿命的测量,更适用于硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶等多种不规则形状硅少子寿命的测量。少子测试量程从1&mu s到6000&mu s,硅料电阻率下限达0.1&Omega .cm(可扩展至0.01&Omega .cm)。测试过程全程动态曲线监控,少子寿命测量可灵敏地反映单晶体重金属污染及陷阱效应表面复合效应等缺陷情况,是原生多晶硅料及半导体及太阳能拉晶企业不可多得少子寿命测量仪器。 少子,即少数载流子,是半导体物理的概念。 它相对于多子而言。   半导体材料中有电子和空穴两种载流子。如果在半导体材料中某种载流子占少数,导电中起到次要作用,则称它为少子。如,在 N型半导体中,空穴是少数载流子,电子是多数载流子;在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。   多子和少子的形成:五价元素的原子有五个价电子,当它顶替晶格中的四价硅原子时,每个五价元素原子中的四个价电子与周围四个硅原子以共价键形式相结合,而余下的一个就不受共价键束缚,它在室温时所获得的热能足以便它挣脱原子核的吸引而变成自由电子。出于该电子不是共价键中的价电子,因而不会同时产生空穴。而对于每个五价元素原子,尽管它释放出一个自由电子后变成带一个电子电荷量的正离子,但它束缚在晶格中,不能象载流子那样起导电作用。这样,与本征激发浓度相比,N型半导体中自由电子浓度大大增加了,而空穴因与自由电子相遇而复合的机会增大,其浓度反而更小了。  少子浓度主要由本征激发决定,所以受温度影响较大。 少数载流子寿命(简称少子寿命)是半导体晶体硅材料的一项重要参数,它对半导体器件的性能、晶体硅太阳能电池的光电转换效率都有重要的影响.分别介绍了常用的测量晶体硅和晶体硅太阳电池少子寿命的各种方法,包括微波光电导衰减法(MW-PCD),准稳态光电导方法(QSSPC),表面光电压(SPV),IR浓度载流子浓度成像(CDI),调制自由载流子吸收(MFCA)和光束(电子束)诱导电流(LBIC,EBLC) 少子寿命是描述半导体 材料特征方程的基本参数之一,对器件特性的精确描述起着重要作用,特别是对以PN结为基本结构的器件,额外载流子的产生与复合在PN结的状态转换过程中起着决定性的作用,因而少子寿命是决定PN结型器件工作特性的关键材料参数之一。   太阳电池的转换效率主要依赖于基区的少子寿命.少子寿命越长光照产生的过剩载流子越可能到达PN结,受PN结电场分离后对外产生光电流,同样由于暗电流的降低可增加太阳电池的开路电压,所以大部分生产商都在生产前检验原始材料的一些关键性参数,光伏工业生产中最常见的测试就是少子寿命的测试,通过对原始材料的寿命测量预测成品太阳电池的效率。   少子寿命测试仪采用微波光电导衰减法(ASTM国际标准-1535)的测试原理,提供低成本、快速、无接触、无损伤的少数载流子寿命的测试,主要是通过904nm波长的激光激发出硅片,硅棒或硅锭体内的非平衡载流子,再通过微波反射的探测手段来测试少数载流子引起的电导率的变化,从而判断该硅片,硅棒或硅锭的缺陷、沾污情况。该设备主要应用于硅棒,硅片的出厂、进厂检查,生产工艺过程的沾污检测等。特别是在太阳能领域,少子寿命将直接关系到成品电池的效率,是必备的检测手段。   少子寿命测量仪可测量半导体的少子寿命。少子寿命值反映了太阳电池表面和基体对光生载流子的复合程度,即反映了光生载流子的利用程度。少子寿命是半导体晶体硅材料的一项关键性参数,它对晶体硅太阳能电池的光电转换效率有重要的影响,可以说硅电池的转化效率和少子寿命成正向相关对应关系。   少子寿命测量仪采用微波光电导衰减法(SEMI国际标准-1535)的测试原理,即通过激光激发出硅体内的非平衡载流子,再通过微波反射的探测手段来测试少数载流子引起的电导率的变化,从而计算出少子寿命值,为半导体提供低成本、快速、无接触、无损伤的少数载流子寿命的测试。该仪器测量少子寿命的精度达到ns级,分辨率达1%,测试结果准确性好、重复性高,完全能满足太阳能级硅电池的少子寿命测试。目前该方法是最受市场接受的少子寿命测试方法 主要特点:   适应低电阻率样片的测试需要,最小样品电阻率可达0.1ohmcm   全自动操作及数据处理   对太阳能级硅片,测试前一般不需钝化处理   能够测试单晶或多晶硅棒、片或硅锭   可以选择测试样品上任意位置   能提供专利的表面化学钝化处理方法   对各道工序的样品均可进行质量监控:   硅棒、切片的出厂、进厂检查   扩散后的硅片   表面镀膜后的硅片以及成品电池常见问题: WT-2000与WCT-120测少子寿命的差异? WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance(QSSPC准稳态光电导)而WT2000是微波光电导。 WCT-120准稳态光电导法测少子寿命的原理? WCT用的是Quasi-Steady-State Photoconductance(QSSPC准稳态光电导) 准稳态光电导衰减法(QSSPC)和微波光电导衰减法(MWPCD)的比较? QSSPC方法优越于其他测试寿命方法的一个重要之处在于它能够在大范围光强变化区间内对过剩载流子进行绝对测量,同时可以结合 SRH模型,得出各种复合寿命,如体内缺陷复合中心引起的少子复合寿命、表面复合速度等随着载流子浓度的变化关系。 MWPCD方法测试的信号是一个微分信号,而QSSPC方法能够测试少子寿命的真实值,MWPCD在加偏置光的情况下,结合理论计算可以得出少子寿命随着过剩载流子的变化曲线,而QSSPC直接就能够测得过剩载流子浓度,因此可以直接得出少子寿命与过剩载流子浓度的关系曲线,并且得到PN结的暗饱和电流密度;MWPCD由于使用的脉冲激光的光斑可以做到几个到十几个,甚至更小的尺寸,在照射过程中,只有这个尺寸范围的区域才会被激发产生光生载流子,也就是得到的结果是局域区域的差额寿命值,这对于寿命分布不均匀的样品来说,结果并不具备代表性。
  • 祝贺上海瞬渺光电成功中标浙江大学硅片少子寿命测试系统
    祝贺上海瞬渺光电成功中标浙江大学硅片少子寿命测试系统 一、采购项目名称:硅片少子寿命测试系统、溶剂净化系统等 二、采购代理机构 :杭州求是招标代理有限公司 三、确定成交日期:2010年11月16日 四、本项目公告日期: 2010年11月4日、11月5日 五、项目成交单位: 硅片少子寿命测试系统(z9264):上海瞬渺光电技术有限公司
  • SINTON少子寿命测试仪技术论坛讲座_论坛主题:硅太阳电池研发及生产的量测与检验方案
    论坛主题:硅太阳电池研发及生产的量测与检验方案 时间地点: SNEC 2011-2-22,下午2点--5点,上海会议室编号: E3-M21 主持人:Ronald A. Sinton Sinton Instruments公司创办人及总经理 特定题目包括: -针对SEMI最新制订载子合复寿命量测标准的内含意义及讨论。 -利用载子合复寿命及电阻率量测针对硅锭,硅块进行合格检验及优化分析。 -如何对原生硅片进行生产前合格检验。 -如何优化掺杂扩散制程。 -如何评估并优化选择性射极技术。 -如何利用Suns-Voc进行浆料与烧结技术优化 -硅太阳电池片与组件的电流-电压曲线量测。 -如何针对新的生产设备进行合格检验。 Ron Sinton于1992年创办Sinton Instruments,具备30年在硅太阳电池片宝贵检验,包括在1987证实28%高效率的聚光型硅太阳电池,1989年达到一个太阳23%电池转换效率并以Sunpower 公司研发部经理身份移转这些技术成量产制程。自从1992年,Sinton Instruments公司已经成为一个提供创先性量测及检验技术,并用于单晶,多晶硅太阳电池生产优化的领导供应商 座位有限,请发送您的姓名,职位,公司名称和邮件地址到saleschina@rayscience.com mike@rayscience.com或 margaret@sintoninstruments.com (英文),我们会发送邀请函给您。 Seminar: Test and measurement solutions for silicon solar cell R&D and manufacture Time and Location: SNEC 2011-2-22 pm 2--5, Shanghai Room: E3-M21 Ronald A. Sinton: Founder and President, Sinton Instruments. Specific topics include: -A discussion of the implications of the new SEMI standards for carrier recombination measurements lifetime in silicon. -The optimization and qualification of ingots and bricks using carrier recombination and resistivity measurements. -Qualifying bare wafers prior to processing. -Optimizing dopant diffusion processes. -Evaluating and optimizing selective emitter technology. -Paste-firing optimization using Suns-Voc. -Cell and module test. -Qualifying new production equipment. Ron Sinton founded Sinton Instruments in 1992. He has 30 years of experience in silicon solar cells, including the demonstration of 28% silicon concentrator solar cells in 1987, 23% one-sun cells in 1989, and the transfer of these processes to SunPower Corp. as Manager of R&D. Since 1992, his company has been a leading supplier for innovative test instruments and measurement strategies for use in the optimization and production of both multi-crystalline and mono-crystalline silicon solar cells. Seating is limited. For an invitation please send your name, position, company name and email to saleschina@rayscience.com mike@rayscience.com (Chinese) or margaret@sintoninstruments.com (English) ,so that we can send you a personal invitation.

少子寿命仪测试原理相关的资料

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  • 立标杆尺度,树领域典范——少子寿命测试
    半导体材料少数载流子寿命不仅可以表征半导体材料的质量,还可以评价器件制造过程中的质量控制,如集成电路公司利用载流子寿命来表征工艺过程的金属沾污程度,并研究造成器件性能下降原因。因此,随着半导体器件工艺发展,半导体材料少数载流子寿命的测试设备要求越来越高,从早期对块状体材料的接触式测量,逐渐发展到对片状材料的无破坏、无接触和无污染的在线检测。由于不同测试技术在光电注入量、测试频率、温度等参数上存在差别,同一半导体材料在不同测试设备上测试值往往相差很大,误差范围甚至达到100%以上,因此,准确测量半导体材料少子寿命成为人们关注重点。 Freiberg Instruments公司长期致力于开发半导体检测技术,提供不同需求的少子寿命检测设备,现有MDP系列少子寿命检测设备:单点少子寿命检测MDPspot,桌面型扫描设备MDPmap,在线检测少子寿命设备MDPlinescan,变温少子寿命设备MDPpro以及大通量硅錠检测MDPinline Ingot等,这些设备不仅可以准确测试少子寿命参数,还可检测缺陷的俘获截面,激活能等参数,对半导体和光伏材料和工艺控制给出全面评估。 Freiberg Instruments公司的采用微波光电导衰减技术,由于操作简单,对样品进行无接触、无破坏和无污染测试,测试重复性高,稳定性好,已成为光伏和半导体材料少子寿命的标准检测手段,极大促进了半导体和光伏材料工艺发展。微波光电导衰减技术主要包括激光注入半导体材料产生非平衡载流子,电子-空穴对的增加,导致样品电导率增加,当测去外界光注入时,电导率随时间指数衰减,这一趋势反应了少数载流子的衰减趋势,通过微波探测器测出半导体材料的电导率随时间变化趋势,从而得到少数载流子的寿命参数。 Freiberg Instruments公司MDP系列少子寿命检测设备,针对不同材料和测试要求,提供个性化定制测试方案。对少子寿命参数测试提供MDP准稳态和μ-PCD瞬态不同微波光电导检测技术,同时还有很多其他不同功能,包括电阻率/方块电阻的非接触面扫描测试,通过LBIC测试计算内外量子效率,偏置光设置,P/N型,BiasMDP,硅材料中的Fe杂质面分布扫描,硼氧含量测试,自动确定硅錠切割标准等功能。 欢迎访问:https://www.instrument.com.cn/netshow/SH104682/ 联系我们:400-860-5168转4682
  • HORIBA推出高精度荧光寿命测试系统DeltaPro
    仪器信息网讯 在第六届上海慕尼黑生化展中,HORIBA推出了最新的高精度荧光寿命测试系统DeltaPro。高精度荧光寿命测试系统DeltaPro  该款仪器采用模块化设计,具有超宽荧光寿命测试范围(25ps-1s),可以满足荧光、磷光寿命测定要求;配备多种脉冲半导体光源,包括DeltaDiode、NanoLED和SpectraLED,用户可以根据自己的需求选择不同的光源;其中,最新设计DeltaHub计时模块,死时间极短(10ns),无需再校准;另外,大样品仓设计可加载搅拌和控温装置;皮秒检测模块标准配置为250-850nm,可升级至1700nm。  据介绍, HORIBA一直致力于荧光光谱仪的研发和销售,相继推出了Flurolog-3模块化荧光光谱仪、NanoLog红外荧光快速测量系统、FluroMax-4紧凑型荧光光谱仪、FluroCube荧光寿命光谱仪、Tempro荧光寿命测量单元、DeltaPro高精度荧光寿命测试系统、DynaMyc荧光寿命成像显微镜等。并且也一直在积极的推进相关应用标准的制定工作。
  • 评新而论Vol.05 卓立汉光显微荧光寿命成像系统RTS2-FLIM
    听用户真实评价,晓新品技术进展!【评“新”而论】第5期,是曾获“3i奖-2022年度科学仪器行业优秀新品”的卓立汉光显微荧光寿命成像系统RTS2-FLIM。本次分享2位来自高校、科研院所的用户评价。 评新而论区 用户1:荧光寿命成像系统,解决了我们关于在微观尺度下研究材料超快寿命的问题!单位:浙江省某高校我们采购的是卓立汉光基于FLIM的超快光谱测试系统,配合飞秒激光器和条纹相机,用于研究钙钛矿材料在大电流注入下的俄歇复合问题,放大自发辐射(ASE)的效应以及宽禁带半导体材料等。 这套系统可以帮助我们从科学机理上去理解器件发光的内在规律,从而为设计更高效和更长使用寿命的器件提供理论支撑和研究方向。用户2:助力开发低成本、可产业化和小型化的光电功能器件,应用于光通信、光信息处理、光存储等方向。单位:长春某研究所我们采购了卓立汉光公司的FLIM加条纹相机系统主要用于钙钛矿太阳能电池、钙钛矿发光LED、钙钛矿激光以及有机高分子光电功能材料的研究。这套系统还配备了显微镜下专用的低温附件,可以帮助我们研究器件本征失效机理,进而提出解决方案,开发更加稳定的材料体系和先进的器件技术。 仪器新品区 卓立汉光显微荧光寿命成像系统RTS2-FLIM|查看报价参数什么是显微荧光寿命成像技术(FLIM)?显微荧光寿命成像技术(Fluorescence Lifetime ImagingMicroscopy,FLIM)是一种在显微尺度下展现荧光寿命空间分布的技术,由于其不受样品浓度影响,具有其他荧光成像技术无法代替的优异性能,目前在生物医学工程、光电半导体材料等领域是一种重要的表征测量手段。FLIM 一般分为宽场FLIM 和激光扫描FLIM。FLIM 两大应用——01——材料科学领域宽禁带半导体如GaN、SiC 等体系的少子寿命mapping 测量;量子点如CdSe@ZnS 等用作荧光寿命成像显微镜探针;钙钛矿电池/LED 薄膜的组分分析、缺陷检测;铜铟镓硒CIGS,铜锌锡硫CZTS 薄膜太阳能电池的组分、缺陷检测;镧系上转换纳米颗粒;GaAs 或GaAsP 量子阱的载流子扩散研究。——02——生命科学领域细胞体自身荧光寿命分析;自身荧光相对荧光标记的有效区分;活细胞内水介质的PH 值测量;局部氧气浓度测量;具有相同频谱性质的不同荧光标记的区分;活细胞内钙浓度测量;时间分辨共振能量转移(FRET):纳米级尺度上的远差测量,环境敏感的FRET 探针定量测量;代谢成像:NAD(P)H 和FAD 胞质体的荧光寿命成像。显微荧光寿命成像系统RTS2-FLIM是基于显微和时间相关单光子计数技术,配合高精度位移台得到微观样品表面各空间分布点的荧光衰减曲线,再经过用数据拟合,得到样品表面发光寿命表征的影像。高度适用于光电半导体材料、荧光标记常用荧光分子等类似荧光寿命大多分布在纳秒、几十、几百纳秒尺度的物质。参数指标系统性能指标光谱扫描范围200-900nm*小时间分辨率16ps荧光寿命测量范围500ps-1μs@ 皮秒脉冲激光器空间分辨率≤1μm@100X 物镜@405nm 皮秒脉冲激光器荧光寿命检测IRF≤2ns配置参数激发源及匹配光谱范围(光源参数基于50MHz 重复频率)375nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:30ps,平均功率1.5mW,荧光波段:400-850nm405nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:25ps,平均功率2.5mW,荧光波段:430-920nm450nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:50ps,平均功率1.9mW,荧光波段:485-950nm488nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:70ps,平均功率1.3mW,荧光波段:500-950nm510nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:75ps,平均功率1.1mW,荧光波段:535-950nm635nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:65ps,平均功率4.3mW,荧光波段:670-950nm660nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:60ps,平均功率1.9mW,荧光波段:690-950nm670nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:40ps,平均功率0.8mW,荧光波段:700-950nm科研级正置显微镜落射明暗场卤素灯照明,12V,100W5 孔物镜转盘,标配明场用物镜:10×,50×,100×监视CCD:高清彩色CMOS 摄像头,像元尺寸:3.6μm*3.6μm,有效像素:1280H*1024V,扫描方式:逐行,快门方式:电子快门电动位移台高精度电动XY 样品台,行程:75*50mm(120*80mm 可选),*小步进:50nm,重复定位精度:< 1μm光谱仪320mm 焦距影像校正单色仪,双入口、狭缝出口、CCD 出口,配置三块68×68mm 大面积光栅,波长准确度:±0.1nm,波长重复性:±0.01nm,扫描步距:0.0025nm,焦面尺寸:30mm(w)×14mm(h),狭缝缝宽:0.01-3mm 连续电动可调探测器:制冷型紫外可见光电倍增管,光谱范围:185-900nm(标配,可扩展)光谱CCD(可扩展PLmapping)低噪音科学级光谱CCD(LDC-DD),芯片格式:2000x256,像元尺寸:15μm*15μm, 探测面:30mm*3.8mm,背照式深耗尽芯片,低暗电流,*低制冷温度-60℃ @25℃环境温度,风冷,*高量子效率值95%时间相关单光子计数器(TCSPC)时间分辨率:16/32/64/128/256/512/1024ps……33.55μs,死时间< 10ns,*高65535 个直方图时间窗口,瞬时饱和计数率:100Mcps,支持稳态光谱测试;OmniFluo-FM 荧光寿命成像专用软件控制功能:控制样品平移台移动,通过显微镜的明场光学像定位到合适区域,框选扫描区域进行扫描,逐点获得荧光衰减曲线,实时生成荧光图像等数据处理功能:自动对扫描获得的FLIM 数据,逐点进行多组分荧光寿命拟合(组分数小于等于4),对逐点拟合获得的荧光强度、荧光寿命等信息生成伪彩色图像显示图像处理功能:直方图、色表、等高线、截线分析、3D 显示等操作电脑品牌操作电脑,Windows 10 操作系统——03——更多用户应用案例1、用荧光分子对海拉细胞进行染色用荧光分子转子Bodipy-C12 对海拉细胞(宫颈癌细胞的一种) 进行染色。(a) 显微荧光寿命成像图,寿命范围1ns(蓝色)到2.5ns(红色);(b) 荧光寿命直方图,脂肪滴的短寿命约在1.6ns 附近,细胞中其他位置寿命较长,在1.8ns 附近。用荧光分子转子的时间分辨测量最大的好处在于荧光寿命具备足够清晰的标签特性,且与荧光团的浓度无关。2、钙钛矿太阳能电池研究研究中展示了一种动态热风(DHA)制备工艺来控制全无机PSC 的薄膜形态和稳定性,该工艺不含有常规的有害反溶剂,可以在大气环境中制备。同时,钙钛矿掺有钡(Ba2+) 碱金属离子(BaI2:CsPbI2Br)。这种DHA 方法有助于形成均匀的晶粒并控制结晶,从而形成稳定的全无机PSC。从而在环境条件下形成完整的黑色相。经过DHA处理的钙钛矿光伏器件,在0.09cm小面积下,效率为14.85%,在1x1cm的大面积下,具有13.78%的*高效率。DHA方法制备的器件在300h后仍然保持初始效率的92%。“3i奖-2023年度科学仪器行业优秀新品”评选火热进行中!获奖结果将于ACCSI2024中国科学仪器发展年会现场揭晓并颁发证书。时间:4月17-19日地点:苏州狮山国际会议中心详情点击:https://www.instrument.com.cn/accsi/2024/index 日常新品申报入口 ↓↓↓https://www.instrument.com.cn/Members/NewProduct/NewProduct 关于:“3i奖—科学仪器行业优秀新品”仪器及检测3i奖,又名3i奖(创新innovative、互动interactive、整合integrative),是由信立方旗下网站:仪器信息网和我要测网联合举办的科学仪器及检验检测行业类奖项,是随着行业的发展需求,应运而生。从旗下第一个奖项优秀新品奖于2006年创办,3i奖为记录行业发展路上的熠熠星光,截至目前,已设置有12个常设奖项。“科学仪器行业优秀新品”作为3i奖中非常重要的一项,旨在将在中国仪器市场上推出的、创新性比较突出的国内外仪器产品全面、公正、客观地展现给广大的国内用户,同时,鼓励各仪器厂商积极创新、推出满足中国用户需求的仪器新品。“科学仪器行业优秀新品”评选活动已经成功举办了十七届。评选出的年度优秀新品受到越来越多仪器用户、国内外仪器厂商以及相关媒体的关注和重视。经过10余年的打造,该奖项已经成为国内外科学仪器行业最权威的奖项之一,获奖名单被多个政府部门采信,仪器信息网新品首发栏目也成为了国内外科学仪器厂商发布新品的首选平台。

少子寿命仪测试原理相关的试剂

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