半导体激光器原理

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半导体激光器原理相关的仪器

  • 我们为您提供日本Kimmon公司和德国KLASTECH公司的全固态激光器和半导体激光器,波长涵盖:266nm,375nm,408nm,442nm,445nm,532nm,1064nm等波长可选,使用寿命甚至超过10,000小时。产品选型表:型号波长(nm)功率(mW)模态(TEM)光束直径(mm)发散角(mrad)功率稳定度(4小时)激光头尺寸(mm)DENICAFC-266-100266100001-± 2%216x80 x66KAL-15375± 515001.5× 3.51.2± 2%52× 131× 46KBL-25408± 725001.5× 3.51.2± 2%52× 131× 46KBL-50408± 750001.5× 3.51.2± 2%52× 131× 46DENICAFC-442-084428001-± 2%123× 64× 58DENICAFC-442-2044220001-± 2%123× 64× 58KCL-40445± 540001.5× 3.51.2± 2%52× 131× 46DENICAFC-488-2048820001-± 2%123× 64× 58DENICAFC-532-3053230001.5-± 2%136× 69× 64DENICAFC-532-150532150001.5-± 2%136× 69× 64DENICAFC-532-300532300001.5-± 2%136× 69× 64KDPL-Y1211064120001.27± 2%52× 171× 46KDPL-Y121L106480001.27± 2%52× 171× 46KDPL-Y2011064200001.27± 2%52× 171× 46KDPL-Y201L1064160001.27± 2%52× 171× 46SFIR-1064-5001064500001-± 2%136× 69× 66SFIR-1064-50010641000001-± 2%136× 69× 66
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  • 半导体激光器 400-860-5168转6171
    半导体激光器 新势力光电供应半导体激光器,具有体积小、结构紧凑、驱动电路集成化的特点。同时,该系列半导体激光器具有最佳的光束质量和调制性能,适合于工业仪器和设备的集成化开发。Cobolt MLD 系列半导体激光器,可以单独用于实验室研究,也可以用于各类分析仪器和计量设备的OEM系统集成。Wavelength [ nm ]405445473488515640660Wavelength precision± 5 nmPower [ mW ]10050806025100100Beam divergence (full angle) [ mrad ] 1.1 1.2 1.2 1.3 1.3 1.7 1.7Spatial modeTEM00, M2 1.2Beam diameter at aperture700 um ± 100 umBeam symmetry 0.90:1Noice, 250 Hz - 2 MHz (rms) 0.2%Power stability over 8 hours 0.5%Spectral linewidth (FWHM) 1.2 nmPolarization ratio 1:100ModulationDigital modulationInput signal: 0 to 3.3 - 5.0 V TTLbandwidthDC - 150 MHzextinction ratio 10,000:1Rise / Fall time 2.5 nsAnalogue modulationInput signal: 0-1 V ( 1 kOhm or 50 Ohm)bandwidthDC - 2 MHzextinction ratio 10,000:1Rise / Fall time 200 nsRemote ON - OFFInput signal: 0 to 3.3 - 5.0 V TTLfrequencyDC - 500 KHzextinction ratio1 : infRise / Fall time 500 nsMaximum base plate temperature50 ℃Total system power consumption 10 WCommunicationRS - 232 or USBModel number structureWavel-06-01-pwr-100 (CDRH: Control box with key-switch included)Wavel-06-01-pwr-200 (OEM: Auto - start mode)Warranty12 monthsNoteOutput beam diameter can be tailored to specific customer requirements 连续激光器(单纵模/单频) 尾纤激光器 激光二极管 皮秒半导体激光器
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  • 小型半导体激光器 400-860-5168转3067
    半导体激光器适用于荧光和拉曼光谱的紧凑型激光器: 激光器分类:CW激光器(宽带和窄线宽)纳秒SLM激光器适配器 产品特色:多波长可选低成本独立的设计紧凑高效可软件操控各种适配器 应用:荧光/拉曼光谱分析扫描显微镜3D 打印激励/脉冲激光器泵浦源流式细胞术计量学全息术 产品一览表: 激光器适配器:
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半导体激光器原理相关的方案

半导体激光器原理相关的论坛

  • 氦氖激光器与半导体激光器的性能有何差异?

    [font=宋体]同样作为激光器,氦氖激光器稳定性比普通半导体激光器的稳定性更高,主要原因在于激光器受温度影响,激光波长会发生偏移,氦氖激光器的温度稳定度相比半导体激光器更稳定,受环境影响更小。[/font]

  • 【转帖】He-Ne激光器与半导体激光器

    半导体激光器又称激光二极管(LD),是二十世纪八十年代半导体物理发展的最新成果之一。导体激光器的优点是体积小、重量轻、可靠性高、使用寿命长、功耗低,此外半导体激光器是采用低电压恒流供电方式,电源故障率低、使用安全,维修成本低等。因此应用领域日益扩大。目前,半导体激光器的使用数量居所有激光器之首,某些重要的应用领域过去常用的其他激光器,已逐渐为半导体激光器所取代。它的应用领域包括光存储、激光打印、激光照排、激光测距、条码扫描、工业探测、测试测量仪器、激光显示、医疗仪器、军事、安防、野外探测、建筑类扫平及标线类仪器、激光水平尺及各种标线定位等。以前半导体激光器的缺点是激光性能受温度影响大,光束的发散角较大(一般在几度到20度之间),所以在方向性、单色性和相干性等方面较差.但随着科学技术的迅速发展,目前半导体激光器的的性能已经达到很高的水平,而且光束质量也有了很大的提高.以半导体激光器为核心的半导体光电子技术在21 世纪的信息社会中将取得更大的进展,发挥更大的作用。 在气体激光器中,最常见的是氦氖激光器。1960年在美国贝尔实验室里由伊朗物理学家贾万制成的。由于氦氖激光器发出的光束方向性和单色性好,光束发散角小,可以连续工作,所以这种激光器的应用领域也很广泛,是应用领域最多的激光器之一,主要用在全息照相的精密测量、准直定位上。He-Ne激光器的缺点是体积大,启动和运行电压高,电源复杂,维修成本高。

  • 半导体激光器的优点和缺点

    半导体激光器又称激光二极管(LaserDiode,LD),是二十世纪八十年代半导体物理发展的最新成果之一。半导体激光器的优点是体积小、重量轻、可靠性好、使用寿命长、功耗低。此外,半导体激光器采用低电压恒流供电方式,电源故障率低、使用安全,维修成本低。目前,半导体激光器的使用数量居所有激光器之首,某些重要的应用领域,过去常用的其他激光器,已逐渐被半导体激光器所取代。此外,半导体激光器品种繁多,既有波长较长的红外、红光,也有波长较短的绿光、蓝光,可以利用这些优势拓展激光粒度仪的测量范围, 提高测量精度。早期的半导体激光器激光性能受温度影响大,光束的发散角也大( 一般在几度到 20 度之间 ),所以在方向性、单色性和相干性等方面的性能并不理想。但随着科学技术的迅速发展,目前半导体激光器的的性能已经达到很高水平,光束质量也有了很大提高,因此世界上大多数品牌的激光粒度仪都使用半导体激光器做为光源,半导体激光器用作激光粒度仪的光源时,在控制电路上须采取恒流和恒温措施,以保证输出功率的稳定。

半导体激光器原理相关的耗材

  • 半导体激光器电源
    ?这款高功率半导体激光器电源,半导体激光器驱动电源是专业为高功率激光二极管或DPSSL而设计的激光二极管电源。半导体激光器电源,半导体激光器驱动电源,激光二极管电源可提供高达10A的电流,并具有Peltier半导体制冷的控制功能,紧凑设计,具有广阔的通用性。半导体激光器电源并提供LD保护功能,使得电流缓慢上升 (软启动功能),具有限制电流,限制温度以及过热保护的功能。领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪!半导体激光器电源,半导体激光器驱动电源,激光二极管电源电源参数Laser diode current source current range0.4 to 10 ALaser diode current increment/decrement step0.004 ALaser diode voltage limit range1.5 to 3 VLaser diode voltage limit increment/decrement step0.001 VNTC (termoresistor) value @25degC10 kOhmTEC driver current (each channel)up to 4 AExternal power supply voltage100-240 V AC to +5 V DCInternal pulse generator frequencies (effective only on ALTx10A-2TEC-LCD-Modulation (OEM version))single shot - 1kHz - 2kHz - 5kHz - 10kHz, other upon requestDimensions126.7mm x 51mm x 18.5mm*******************************************************************LD current modulationAs optional accessoryModulation frequencyfrom Single Shot to 500kHzCurrent Rise/Fall timeExternal TTL trigger signal0-5 V
  • 半导体激光器
    半导体激光器筱晓光子供应半导体激光器,具有体积小、结构紧凑、驱动电路集成化的特点。同时,该系列半导体激光器具有最佳的光束质量和调制性能,适合于工业仪器和设备的集成化开发。Cobolt MLD 系列半导体激光器,可以单独用于实验室研究,也可以用于各类分析仪器和计量设备的OEM系统集成。Wavelength [ nm ]405445473488515640660Wavelength precision± 5 nmPower [ mW ]10050806025100100Beam divergence (full angle) [ mrad ]Spatial modeTEM00, M2 Beam diameter at aperture700 um ± 100 umBeam symmetry 0.90:1Noice, 250 Hz - 2 MHz (rms)Power stability over 8 hoursSpectral linewidth (FWHM)Polarization ratio 1:100ModulationDigital modulationInput signal: 0 to 3.3 - 5.0 V TTLbandwidthDC - 150 MHzextinction ratio 10,000:1Rise / Fall timeAnalogue modulationInput signal: 0-1 V ( 1 kOhm or 50 Ohm)bandwidthDC - 2 MHzextinction ratio 10,000:1Rise / Fall timeRemote ON - OFFInput signal: 0 to 3.3 - 5.0 V TTLfrequencyDC - 500 KHzextinction ratio1 : infRise / Fall timeMaximum base plate temperature50 ℃Total system power consumptionCommunicationRS - 232 or USBModel number structureWavel-06-01-pwr-100 (CDRH: Control box with key-switch included)Wavel-06-01-pwr-200 (OEM: Auto - start mode)Warranty12 monthsNoteOutput beam diameter can be tailored to specific customer requirements
  • 可调谐半导体激光器
    TEC-500/TEC-520可调谐半导体激光器TEC-500/TEC-520外腔半导体激光器的外腔结构为Littman/Metcalf,输出功率可达100mW以上,窄线宽,无模跳调节范围大。完整的系统易于用户使用和掌握。波长范围:635nm-1690nm光学功率高:输出功率可达150mW优秀的量子效率光纤耦合效率高良好的调谐特性:使用内部增透涂层激光二极管通过分辨率高于1MHz的压电致动器微调在780nm或830nm处,手工粗调可达30nm无模跳调谐范围大,可达100GHz以上窄线宽:线宽优秀的边模抑制50dB优秀的频率锁定功能:高共振自由压电调节电流调制高频激光优秀的温度稳定性低噪声敏感性良好的长期锁定稳定性高灵活性:自由选择光束与光纤耦合方式通过远程软件控制自动波长扫描恒电流和恒功率运行模式(可选)优良的激光性能和频率稳定性即插即用配置:模块化激光系统设计自动压电调谐通过GPIB,RS232和USB远程控制应用:光谱和光学过程控制太赫兹种子激光发生器光学冷却和捕捉,BEC绝对距离干涉激光和OPO种子光非线性光学工艺光纤系统表征规格:

半导体激光器原理相关的资料

半导体激光器原理相关的资讯

  • 我国成功研发出民用半导体激光器件
    “民用半导体激光器件我们已摆脱长期依赖进口的局面。现在,我们已经发明成功,工艺性能稳定,产品投入规模生产阶段。”1月10日,记者在山东浪潮华光公司采访,听着技术专家高兴地介绍着,看到那长长的流水线正“收获成熟的芯片”。如今,我们的企业真正拥有了世界顶尖的核心技术,产品价格大幅度下降,让“等面值人民币”买到“等面值美元”的产品不再是梦想。  民用激光显示技术能够完美地再现自然色彩,是继黑白显示、彩色显示、数字显示之后的第四代显示技术。目前,国际上激光显示技术已发展到产业化前期阶段,未来3至5年,将是全球激光显示技术产业化发展的关键时期。为加快推进光电技术研究,打破关键技术的“封锁”,我国把“新一代激光显示技术工程化开发”列为863计划重点项目,其中的“高可靠性、低成本半导体激光器材料与器件工程化开发”课题让山东浪潮华光光电子有限公司所承担。  浪潮华光是国内唯一一家拥有从激光器材料生长到器件制作的完整生产线的高新技术企业,自1999年建厂以来,其半导体激光二极管及大功率激光器的产销量持续稳居国内第一。为推进课题进展,浪潮华光组建精英团队,加速科研攻关。公司成立了由总经理、国务院特殊津贴专家郑铁民研究员担任组长的项目小组,调动公司所有资源,完善了科研团队建设,从半导体激光器的材料生长、管芯工艺制作、器件封装等整个制造工艺链均配备了专业人才。组建了以长江学者徐现刚教授为学术带头人的研发团队,有研究员、高级工程师和博士、硕士等80余人。强大的科研团队借助公司已有的省级半导体激光器技术实验室、山东省半导体发光材料与器件工程实验室等科研平台,开展了技术攻关。  期间,在徐现刚教授的引领下,技术总监夏伟博士组织浪潮华光的精英团队成员,集思广益,刻苦钻研,成功实现了三大关键技术突破:一是TM偏振808nm半导体激光器外延材料与芯片研制。围绕实现项目要求的特定偏振激光输出,项目组从理论设计激光器的材料结构开始,进行了系统的研究,有效采用了MOCVD技术制备这种特殊材料,加快了科研步伐。目前,该技术世界上只有为数不多的几个大公司掌握。通过5个月的努力,浪潮华光成功掌握了自主生长技术,满足了项目需求。二是635nm激光器外延材料与芯片研制。为了增加红光分量的亮度,激光显示项目在红光波段选择了波长最短的635nm半导体激光器。浪潮华光在650nm半导体激光器方面积累了丰富经验,形成了稳定的650nm半导体激光器产品,占据市场70%的份额。虽然635nm激光器相比650nm红光激光器只有十五纳米的波长差异,但是其带来的技术难题却成几何级数增长。目前,只有日本的几家公司掌握了635nm激光器的制作技术。浪潮华光研发团队经过上千次的试验,最终突破了635nm红光激光器材料的生长技术难点,实现了红光激光器的大功率输出和长期可靠工作。三是模组封装及集成技术。浪潮华光的封装技术人员克服时间紧任务重的困难,与863项目的用户积极配合,实现了高精度多管芯封装技术、新型热沉制作技术、微透镜整形技术等多项自主创新技术,完成了项目要求的模组封装和整形。  目前,针对所承担的“863”项目,浪潮华光已成功研制出满足激光显示工程化要求的808nm、635nm高可靠性、低成本半导体激光器件,并已经初步实现了规模化的生产。从目前的科研和生产进度上看,浪潮华光有望提前全面完成项目预定任务,并能实现批量提供民用激光显示用激光光源的目标,将会大大降低激光器的价格,并带动国内激光器应用市场的发展和更加广泛的应用,实现了“替代进口产品、提高我国半导体激光器的地位、实现激光器显示用核心元器件国产化”的梦想,让该公司产品在国际激光显示产业中独占鳌头。
  • 新型半导体激光器成功解决激光成像“光斑”问题
    美国耶鲁大学的科学家开发出一种新的半导体激光器,成功解决了长期困扰激光成像技术的&ldquo 光斑&rdquo 问题,有望显著提高下一代显微镜、激光投影仪、光刻录、全息摄影以及生物医学成像设备的成像质量。相关论文发表在1月19日出版的美国《国家科学院学报》上。  物理学家组织网1月20日报道称,全视场成像应用近几年来已经成为众多研究所关注的焦点,但光源问题却一直未能得到解决。这项由耶鲁大学多个实验室合作完成的项目成功破解了这一难题,为激光成像技术大范围的应用铺平了道路。  耶鲁大学物理学教授道格拉斯· 斯通说,这种混沌腔激光器是基础研究最终解决实际应用问题的一个典型范例。所有的基础性工作,都是由一个问题驱使的&mdash &mdash 如何让激光成像技术更好地在现实中获得应用。最终,在来自应用物理、电子学、生物医学工程以及放射诊断等多个学科的科学家努力下,这一问题得到了解决。  此前,科学家们发现激光在成像领域极具潜力。但&ldquo 光斑&rdquo 问题却一直困扰着人们:当传统激光器被用于成像时,由于高空间相干性,会产生大量随机的斑点或颗粒状的图案,严重影响成像效果。一种能够避免这种失真的方法是使用LED光源。但问题是,对高速成像而言,LED光源的亮度并不够。新开发出的电泵浦半导体激光器提供了一种不同的解决方案。它能发出十分强烈的光,但空间相干性却非常低。  论文作者、耶鲁大学应用物理学教授曹辉(音译)说,对于全视场成像,散斑对比度只有低于4%时才能达到可视要求。通过实验他们发现,普通激光器的散斑对比度高达50%,而新型激光器则只有3%。所以,新技术完全解决了全视场成像所面临的障碍。  论文合著者、放射诊断和生物医学助理教授迈克尔· 乔马说:&ldquo 激光斑点是目前将激光技术用于临床诊断最主要的障碍。开发这种无斑点激光器是一项极其有意义的工作,借助这一技术,未来我们将能开发出多种新的影像诊断方法。&rdquo
  • 我国攻克大功率半导体激光器关键技术
    从中国科学院长春光学精密机械与物理研究所了解到,由该所研究员王立军带领的课题组攻克了大功率半导体激光器关键核心技术,成功开发出千瓦量级、高光束质量、小型化的各种半导体激光光源,并将成为工业激光加工领域的新一代换代产品。  王立军对记者说,大功率半导体激光器是激光加工、激光医疗、激光显示等领域的核心光源和支撑技术之一。由于西方发达国家掌控着大功率半导体激光器关键核心技术,长期以来,我国工业用激光加工设备不得不依赖进口。  王立军介绍说,他们的团队历经数年努力,通过激光光束整形、激光合束等关键技术,实现了高光束质量半导体激光大功率输出。  据了解,日前由王立军团队承担的这项研究——“高密度集成、高光束质量激光合束高功率半导体激光关键技术及应用”荣获了2011年度国家技术发明奖二等奖。项目组已经开始与一汽集团和北车集团接洽,尝试将这项技术应用于汽车制造等领域。
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