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目前, 3 μm 波段光纤激光器在高功率化、 降低成本化、 生产规模化等方面还有许多限制。无氧玻 璃在原料提纯、 大尺寸制备、 光纤拉制等方面的工艺 仍显不足, 这也是制约所有中红外发光稀土掺杂光 纤走向实用化的最大障碍。另外, 提高稀土离子浓度虽能提高光纤单位长 度增益, 但也会增加光纤的传输损耗或发生浓度淬 灭现象, 也制约了其发展。而 “级联” 掺 Er 3 + 光纤激 光器由于具有较低的掺杂浓度和纤芯温度具有十分 广阔的研究前景。同时, 掺 Ho 3 + 光纤激光器由于采 用 1150 nm 的抽运光, 斜效率更高, 也具有较好的应 用前景。
[font=宋体]同样作为激光器,氦氖激光器稳定性比普通半导体激光器的稳定性更高,主要原因在于激光器受温度影响,激光波长会发生偏移,氦氖激光器的温度稳定度相比半导体激光器更稳定,受环境影响更小。[/font]
半导体激光器又称激光二极管(LD),是二十世纪八十年代半导体物理发展的最新成果之一。导体激光器的优点是体积小、重量轻、可靠性高、使用寿命长、功耗低,此外半导体激光器是采用低电压恒流供电方式,电源故障率低、使用安全,维修成本低等。因此应用领域日益扩大。目前,半导体激光器的使用数量居所有激光器之首,某些重要的应用领域过去常用的其他激光器,已逐渐为半导体激光器所取代。它的应用领域包括光存储、激光打印、激光照排、激光测距、条码扫描、工业探测、测试测量仪器、激光显示、医疗仪器、军事、安防、野外探测、建筑类扫平及标线类仪器、激光水平尺及各种标线定位等。以前半导体激光器的缺点是激光性能受温度影响大,光束的发散角较大(一般在几度到20度之间),所以在方向性、单色性和相干性等方面较差.但随着科学技术的迅速发展,目前半导体激光器的的性能已经达到很高的水平,而且光束质量也有了很大的提高.以半导体激光器为核心的半导体光电子技术在21 世纪的信息社会中将取得更大的进展,发挥更大的作用。 在气体激光器中,最常见的是氦氖激光器。1960年在美国贝尔实验室里由伊朗物理学家贾万制成的。由于氦氖激光器发出的光束方向性和单色性好,光束发散角小,可以连续工作,所以这种激光器的应用领域也很广泛,是应用领域最多的激光器之一,主要用在全息照相的精密测量、准直定位上。He-Ne激光器的缺点是体积大,启动和运行电压高,电源复杂,维修成本高。