场效应管参数测试仪

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  • 香港环球分析测试仪器有限公司 银牌23年
    400-860-5168转0264
    环球分析测试仪器有限公司(UATIL)成立于1982年，总部设在香港，是国外多家知名的高新科技仪器生产制造商在中国的独家总代理。主要产品电化学仪器：电化学工作站、光电化学测试设备 化学合成仪器：全自动反应系统、反应量热仪、超声波结晶系统、平行合成仪、高温高压釜、流动化学系统 萃取及纯化仪器：超临界萃取仪、快速制备色谱、固相萃取、溶剂蒸发仪、气体纯化系统 生命科学仪器：生物反应器、发酵罐、冷冻干燥机、移液工作站、离心浓缩仪 乳品分析仪器：乳品成分分析仪、体细胞计数器、奶牛生产性能测试仪 材料测试仪器：网格应变测试仪、杯凸试验机 惰性环境仪器：手套箱 微流控仪器：单细胞测序、细胞包裹、微流控芯片、微流泵、液滴微流控系统、3D芯片打印机
    主营产品： 电化学工作站   超临界萃取   发酵罐   反应器  
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  • 菲希尔测试仪器（中国）有限公司 白金9年
    400-801-9315
    FISCHER — 让测量变得简便！ 现今，FISCHER 的测量和分析仪器广泛应用于世界各个领域，可满足客户对高精度、高可靠性测量和操作简便的需求。我们通过专业的咨询服务为客户提供最佳的解决方案，即从第一次接触开始，不断沟通，直至达到定制化服务的理念。这些紧密合作与我们的创新驱动力不断结合，为形成新的测量解决方案奠定了坚实的基础。 HELMUT FISCHER集团是一家受德国基金会控股、专业生产和销售涂镀层测厚仪、材料分析仪、微纳米压痕仪（微纳米硬度仪）和材料测试仪的全球性集团公司。集团总部位于德国和瑞士，在德国、美国和英国各建有一个工厂、并设立了一个研究院和多个全球用户应用实验室，在全世界设有近50个分公司。??位于德国总部的基地，用于生产、物流、研发及客户应用??南通菲希尔测试仪器有限公司是HELMUT FISCHER集团在中国大陆地区设立的唯一子公司，全权负责FISCHER产品在中国地区的销售、安装、维修、备品备件及技术咨询等业务。FISCHER生产的涂镀层测厚仪主要分为：X射线涂镀层测厚及材料分析仪、β射线测厚仪、电涡流法测厚仪、电磁感应测厚仪、库仑法（多层镍电位差）测厚仪，除此之外还有包括 微纳米压痕仪（微纳米硬度仪）、电导率测试仪、铁素体含量测试仪、孔隙率测试仪 和 针孔测试仪 等在内的多种测试仪器。 FISCHER 公司生产的各类仪器，广泛应用于航天工业、航空工业、造船工业、港口机械、电镀工业、显像管流水线、电子工业（包括印制电路行业、半导体工业）、汽车工业、石油化工、黄金珠宝、手表、大专院校、科研单位、第三方测试机构等众多行业。 南通菲希尔测试仪器有限公司成立于1997年，位于中国上海，至今已在东莞建立了分公司；在北京、西安、青岛、厦门设立了办事处；并在成都、昆山、苏州、南京、宁波等地建立了售后服务点。FISCHER中国的应用实验室更是在2011年获得了ISO/IEC17025:2005认证。 “让用户满意”是公司的一贯宗旨，FISCHER将以一流的服务来赢得用户的信赖。选择FISCHER仪器，为您产品的超高品质提供保障。 认证在 FISCHER，产品和服务的认证和持续改进至关重要。这也是Helmut Fischer GmbH，Institut für Elektronik und Messtechnik 能够通过 ISO 9001 认证的原因。自 1997 年起，我们的质量管理体系已符合 DIN EN ISO 9001:2008 标准。 获得认证的校准实验室 获得认证的校准实验室2003 年，Helmut Fischer 成为了第一个根据 DIN EN ISO/IEC 17025 标准而获得的“表面尺寸”量值认证的德国公司。因此，公司有资格代表德国认证机构 DAkkS 来检验校准标准片，并为其出具证书供用户使用。校准标准片如可用于：例如，对 X 射线荧光仪器进行校准；从而极大地提高了测量的可靠性。 Germany: DIN EN ISO/IEC 17025 USA: ISO/IEC 17025:2005 & ANSI/NCSL Z540-1-1994 Switzerland: ISO 17025 SCS & STS DIN 成员（德国标准化学会） 自 2016 年 3 月 1 日起 FISCHER 成为 DIN 成员。公司自愿遵守标准化自律守则，提升总体经济竞争力。 应用实验室凭借我们在业内多年的经验优势，助力您解决复杂的测量难题。在遍及欧洲、亚洲和美国的七个应用实验室中，我们的技术专家会为客户在正确选择仪器、开发测量方法及确定合适的测量程序方面提供支持。 凭借我们在业内多年的经验优势，助力您解决复杂的测量难题。 所有 Fischer 集团内部的应用实验室之间都已建立联系，同时也与各高校、机构及企业建立了合作关系。这样稳定的知识交流体系能够确保获取到全球最前沿的专业知识，同时也能够应对特殊咨询。除提供客户定制培训（可以在我们的实验室进行也可以在您的公司进行）外，我们的技术专家也非常愿意协助您对测量结果进行分析。 Helmut Fischer 博物馆企业家 Helmut Fischer博士的专业知识、工作热情、发明家精神以及卓越的执行力是公司成功发展的源动力。他的成功故事从 1953 年在斯图加特创建的技术车间开始。现今，Fischer 作为业务遍及全球的大公司，已成为工业测量技术领域的领导者之一。持续改革与永无止境的创新是其从始至终一直坚守的明确目标。Helmut Fischer 研发的首款测量仪器 位于总部的博物馆展示了公司创始人，同时也是公司长期所有人 Helmut Fischer博士的成功人生。参观者们受邀来感受公司从小工厂成长为国际性解决方案提供商的发展历程，以及了解 Fischer产品从最初创意到最终投入市场的整个过程。Helmut Fischer 博物馆的常客：当地的在校学生 ????????更多详情请访问公司官网：http://www.helmutfischer.com.cn
    主营产品： 电磁 电涡流   纳米压痕仪   X荧光测厚仪   能散型XRF  
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  • 山东领创测试仪器有限公司
    山东领创测试仪器有限公司是集试验机、分析仪器等仪器仪表研发、制造、销售、服务于一体的高科技创新型企业。山东创领与山东省科学院强强联合，凭借着强大的技术研发团队，每年都有十几项新产品推出，现产品涵盖电子万能试验机、液压万能试验机、材料分析仪器 、无损检测仪器、生命科学仪器 、计量校验仪器、环境监测仪器 、石油化工检测仪器等八大系列500多个品种。并成为国内外许多知名检测仪器品牌的山东代理。山东领创测试仪器有限公司借助雄厚的技术实力，可以承接实验室整体设计及资质认定咨询。山东领创一流的产品质量、周到的售后服务得到了国内外知名院所和各界企业的信赖与支持，并与山东大学、山东省科学院、中国科学院工程研究所、中国建筑科学研究院等多家科研院所建立了长期的战略合作关系。山东领创以“诚信为本、引领创新”为宗旨，全面贯彻科学的管理体系，并成为国内为数不多的高精度仪器仪表生产及代理企业之一。公司秉承“专业创造品质、服务传递价值”的经营理念，不断对产品进行完善、创新，最大限度满足客户需求。公司谨遵“接到故障信息1小时内回应，2小时提供解决方案，专业工程师24小时内到达现场”的服务承诺，可随时为客户提供全方位的服务。山东领创测试仪器有限公司愿与社会各界朋友精诚合作，共展宏图！
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场效应管参数测试仪相关的仪器

  • 半导体分立器件测试/直流参数测试/静态参数测试系统
    BW-3022A晶体管直流参数测试系统一、产品基本信息（1）产品名称及用途产品名称：BWDT-3022A 晶体管直流参数测试仪产品用途：满足电子元器件静态直流参数测试需求（2）产品信息及规格环境产品信息产品型号：BWDT-3022A产品名称：晶体管直流参数测试仪；物理规格主机尺寸：深 305*宽 280*高 120(mm)主机重量：＜5Kg主机颜色：白色系电气环境 主机功耗：＜75W环境要求：-20℃～60℃（储存）、5℃～50℃（工作）相对湿度：≯85%； 大气压力：86Kpa～106Kpa防护条件：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等电网要求：AC220V、±10%、50Hz±1Hz工作时间：连续；二、产品介绍 BWDT-3022A 型晶体管直流参数测试仪是专为测试电子元器件的直流参数而设计。 可测试三极管、MOS 场效应管、J 型场效应管、整流二极管、三端肖特基整流器、三端 电压稳压器和基准器 TL431，其良好的中文界面软件，简化了用户对 BWDT-3022A 的操 作和编程。测试条件和测试参数一次快捷设定，并存入 EEPROM 中。不需附加任何其它 软件，无需操作培训,就可操作该仪器. BWDT-3022A 为三极管、MOS 场效应管、J 型场效应管、二极管等提供了 15 种最主 要参数的测试，以及参数”合格/不合格”(OK/NO)测试，用户通过机器上的按键很容易的把 测试条件输入进去，并将参数存入 EEPROM 中，便于日后方便且快速的打开调用。三、产品特点※ 大屏幕液晶,中文操作界面,显示直观简洁,操作方面简单※ 大容量 EEPROM 存储器,储存量可多达 2000 种设置型号数.※ 全部可编程的 DUT 恒流源和电压源※ 内置继电器矩阵自动连接所需的测试电路,电压/电流源和测试回路※ 高压测试电流分辨率 1uA,测试电压可达 1500V※ 重复”回路”式测试解决了元件发热和间歇的问题※ 软件自校准功能※ 产品基于大规模微处理器,当用户选定了设置好的型号时,在手动测试时,按下测试 开关,使测试机开始执行功能检测,自动测试过程将在 BWDT-3022A 的测试座上检测 DUT 短路,开路或误接现象,如果发现,就立即停止测试。功能检测主要目的是保护被测器件DUT 不因型号选错而测坏※ DUT 的功能检测通过 LCD 显示出被测器件/DUT 的类型(三极管,MOS 场管等),引脚 排列(P_XXX)测试方式(手动/自动)并继续进行循环测试,显示测试结果是否合格,并有声光 提示※ 在测试整流二极管时,BWDT-3022A 能自动识别引脚功能,并自动转换矩阵开关进 行参数测试.测试后显示对应引脚功能号※ 两种工作模式1、自动模式：自动检测有无 DUT 放于测试座中,有则自动处于重复测试状态,无则处 于重复检测状态； 2、手动模式：（刚开始未测试时屏幕白屏属正常现象） 当测试开关按下后自动对测 试座中的 DUT 进行检测测试,长按开关不松开则处于重复测试状态,松开开关则自动停止测试四、测试种类及参数注释1、BJT/三极管(1)Vbe:Ib:表示测试三极管 VBE 压降时的输入电流.(2)Vce:Bv:表示测试三极管耐压 BVceo 时输入的测试电压.(3)Vce:Ir:表示测试三极管耐压 BVceo 时输入的测试电流.(4)HEF:Ic:表示测试三极管直流放大倍数的集电极电流.(5)HEF:Vce:表示测试三极管直流放大倍数的集电极电压(6)Vsat:Ib:表示测试三极管饱和导通压降时输入基极的电流.(7)Vsat:Ic:表示测试三极管饱和导通压降时输入集电极的电流.(8)Vb:表示三极管的输入压降 VBE.(9)VCEO:表示三极管的耐压(BVceo).(10)HEF:表示三极管的直流放大倍数(HEF).(11)Vsat:表示三极管的饱和导通压降(VCEsat).(12)TestModel:Auto :表示设置为自动识别测试.(13)TestModel:Manual :表示设置为手动测试.2、MOSFET/场效应管(1)Vth:ID:表示测试场效应管栅极启动电压(Vgs(th))的输入电流.(2)Vds:Bv:表示测试场效应管耐压(BVdss)时的测试电压.(3)Vds:Ir:表示测试场效应管耐压(BVdss)时的测试电流.(4)Rs:Vg:表示测试场效应管内阻(Rson)时加在栅极的电压.(5)Rs:ID:表示测试场效应管内阻(Rson)时的测试电流.(6)Vth:表示场效应管的启动电压(Vgs(th)).(7)Bvds:表示场效应管的耐压(BVdss).(8)Rs:表示场效应管的导通内阻(Rdson)(9)Igss:OG:表示测试场管输入端 G 极的电容漏电特性，该设置数据为延时时间数，利 用延时设定时间后 VGS 电压的保持量来测漏电特性。(10)Test:T:表示测试多少次后就停止测试。可设定到 9999 次。3、JFTE/结型场效应管(1)Ids:Vd 表示测试结型场效应管漏极饱和电流(Idss)加在 D 极和 S 极的电压(Vds)(2)Vds:Bv 表示测试结型场效应管耐压(BVdss)时的测试电压.(3)Vr:Ir 表示测试结型场效应管耐压(BVdss)时的测试电流.(4)Voff:Vd 表示测试结型场效应管阻断电压(Vgs(off))加在 D 极和 S 极的电压(Vds).(5)Voff:Id 表示测试结型场效应管阻断电压(Vgs(off))加在 D 和 S 的电流.(6)Is:表示结型场效应管的漏源饱和电流(Idss),在 GS=0V 的条件下测得.(7)Bvds:结型场效应管在关断时的击穿电压.(8)Vof:结型场效应管的阻断电压(VGS(off)).(9)gm:结型场效应管的跨导系数,即导通内阻的倒数.4、三端稳压 IC(1)Vo:Vi 表示测试三端稳压时的输入测试电压.(2)Vo:Vi 表示测试三端稳压时加在输出端的负载电流(3)Vo:表示三端稳压的输出电压数.5、基准 IC(1)Vz:Iz 表示测试基准 IC 时的输入测试电流.(2)Vz:表示基准 IC 的稳定电压数6、整流二极,三端肖特基整流器(1)VF:IF 表示测试三端肖特正向压降 VF 的测试电流.(2)Vr:Bv 表示测试三端肖特反向耐压(VRRM)的测试电压.(3)Ir:Fu 表示测试时反向漏电流参数是否要测，设大于 0 为开启该项参数。(4)Vr:Ir 表示测试三端肖特反向耐压(VRRM)的测试电流.(5)VF1:表示测试三端肖特正向压降 1. (5)VF2:表示测试三端肖特正向压降 BW-3022A测试技术指标：1、 整流二极管,三端肖特基:耐压(VRR)测试指标测试范围分辨率精度测试条件0-1600V2V+/-2%0-2.000mA导通正向压降(VF)测试范围分辨率精度测试条件0-2.000V2mV+/-2%0-2.000A2 、N型三极管输入正向压降(Vbe)测试范围分辨率精度测试条件0-2.000V2mV+/-2%0-2.000A耐压(Bvceo)测试指标测试范围分辨率精度测试条件0-1600V2V+/-5%0-2.000mA直流放大倍数(HEF)测试范围分辨率精度测试条件0-120001+/-2%0-2.000A(Ic) 0-20V(Vce)输出饱和导通压降(Vsat)测试范围分辨率精度测试条件0-2.000V2mV+/-2%0-2.000A(Ib) 0-2.000A(Ic)3、P型三极管输入正向压降(Vbe)测试范围分辨率精度测试条件0-2.000V2mV+/-2%0-2.000A耐压(Bvceo)测试指标测试范围分辨率精度测试条件0-1600V2V+/-5%0-2mA直流放大倍数(HEF)测试范围分辨率精度测试条件0-30001+/-2%100uA(Ib) 5V(Vce)固定输出饱和导通压降(Vsat)测试范围分辨率精度测试条件0-2V2mV+/-2%0-2.000A(Ib) 0-2.000A(Ic)4、N,P型MOS场效应管输入启动电压(VGS(th))测试范围分辨率精度测试条件0-20.00V20mV+/-2%0-2.000mA耐压(Bvds)测试指标测试范围分辨率精度测试条件0-1500V2V+/-5%0-2mA导通内阻(Rson)测试范围分辨率精度测试条件0-9999MR0.1MR+/-5%0-20.00V(VGS)0-2.000A(ID)10R-100R0.1R+/-5%0-20.00V(VGS)0-2.000A(ID)5、三端稳压IC输出电压(Vo)测试范围分辨率精度测试条件0-20.00V20mV+/-2%0-20.00V(VI)0-1.000A(IO)6、基准IC 431输出电压(Vo)测试范围分辨率精度测试条件0-20.00V20mV+/-2%0-1A(Iz)7、结型场效应管漏极饱和电流(Idss)测试范围分辨率精度测试条件0-40mA40uA+/-2%0V(VGS)0-20V(VDS)40-400mA400uA+/-2%0V(VGS)0-20V(VDS)耐压(Bvds)测试指标测试范围分辨率精度测试条件0-1600V2V+/-5%0-2mA夹断电压(Vgs(off))测试范围分辨率精度测试条件0-20.00V0.2V+/-5%0-20V(VDS)0-2mA(ID)共源正向跨导(gm)测试范围分辨率精度测试条件0-99mMHO1mMHO+/-5%0V(VGS)0-20V(VDS)8、双向可控硅导通触发电流(IGT)测试范围分辨率精度测试条件0-40.00mA10uA+/-2%0-20.00V(VD) IT(0-2.000A)导通触发电压(VGT)测试范围分辨率精度测试条件0-2.000V2mv+/-2%0-20.00V(VD) IT(0-2.000A)耐压(VDRM/VRRM)测试范围分辨率精度测试条件0-1500V2V+/-5%0-2.000mA通态压降(VTM)测试范围分辨率精度测试条件0-2.000V2mV+/-2%0-2.000A(IT)保持电流(IH)测试范围分辨率精度测试条件0-400mA0.2mA+/-5%0-400Ma(IT) 详见产品说明书。
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    厂商： 陕西博微电通科技有限责任公司
    品牌： 4FD
    型号： BW-3022A
    价格： 面议
  • IGBT测试仪
    分立器件测试仪主要技术参数分立器件测试仪系统主要技术参数列表如下： 主极电压 2000V(加选件可扩展至3300V)主极电流 50A(加选件可扩展到100A至2500A)控制极电压 20V(加选件可扩展到80V)控制极电流 10A(加选件可扩展到40A)电压分辨率 1mV电流分辨率 100pA(加选件可扩展到1pA)测试速度 5ms/参数3300V、2500A以上可订制可测试器件种类该系统是专为测试大功率半导体分立器件而设计。它具有十分丰富的编程软件和强大的测试能力，能够真实准确测试以下19个类型的半导体器件以及相关器件组成的组合器件、器件阵列：器件测试种类二极管DIODE稳压（齐纳）二极管ZENER晶体管TRANSISTOR(NPN/PNP)单向可控硅（普通晶闸管）SCR双向可控硅（双向晶闸管）TRIAC金属－氧化物－半导体场效应管MOSFET(N-CH/P-CH)结型场效应管JFET(N-CH/P-CH)三端稳压器REGULATOR(正电压／负电压，固定／可变）绝缘栅双极大功率晶体管IGBT(N-CH/P-CH)光电耦合器OPTO-COUPLER(NPN/PNP)达林顿阵列器件DARLINTON光电开关管OPTO-SWITCH继电器RELAY(A,B,C型）金属氧化物压变电阻MOV压变电阻VARISTOR智能功率模块IPM集成功率模块PIM
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    厂商： 陕西开尔文测控技术有限公司
    品牌： 开尔文测控/KEW-TEST
    型号： KEW3500
    价格： 面议
  • DI-50-400-III-50A型 二极管反向恢复时间测试仪
    二极管反向恢复时间测试仪 一：主要特点A：测量多种二极管 B：二极管反向电流峰值≥100AC：二极管正向电流≥50AD：二极管反向电压分档设定Vr=0-100/0-400VE：二极管接反、短路开路保护F：示波器图形显示G：EMI/RFI屏蔽密封 H：同步触发输出端二：应用范围A：快恢复二极管 B：场效应管（Mosfet）内建二极管C：IGBT内建二极管 D：其他需要测量trr的二极管三：DI-50-400-III外观介绍 第三代产品，在第二代产品的基础上，增加了0~50V低压大功率二极管的兼容测量；二极管反向恢复时间测试仪面板介绍如图1所示，包括电源开关、电源指示灯、触发开关、触发指示灯、接反指示灯、正向电流调节、反向电压调节显示与档位选择、恢复电流斜率调节、示波器波形采集端、示波器同步信号输入端。四：DI-50-400测试仪参数类 型数 值单 位备 注反向恢复电流≥100AA峰值，取决于二极管反向电压0-100/0-400V分档正向电流≥50A峰值触发频率0.5Hz手动按下电源输入220VAC功耗小于30W
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    厂商： 深圳艾克思科技有限责任公司
    品牌： 艾克思科技/xtech
    型号： DI-50-400-III-50A
    价格： 5.1万元
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场效应管参数测试仪相关的资讯

  • 新型有机场效应管研究：PFN+Br-中间层的引入极大提高C60单晶场效应管的性能
    有机场效应晶体管(organic field—effecttransistors)作为新一代电子元器件，自1986年问世以来，引起了学术界和工业界的广泛关注。与传统的无机半导体材料相比，有机半导体具有材料来源广，制备工艺简单，可与柔性衬底兼容等优点，在众多领域具有广泛的应用。有机场效应管性能的调解可以采用两种不同的手段：一、通过化学修饰来调解分子聚集态结构与界面电荷陷阱；二、提高载流子注入电的效率，通常方法为采用钙、镁等低功函数材料或采用复合电，减小接触电阻。Science China Chemistry近发表的一篇文章，报道了一种基于C60单晶的新型有机场效应管。通过PFN+Br-中间层的引入，大大地减小了电与半导体层的接触电阻，提高了载流子注入电的效率。其电子迁移率高达5.60cm2V-S-，阈值电压能够低至4.90V，性能远远高于没有PFN+Br-中间层的器件。 图1. C60带状晶体的形貌与晶体结构图：（a）C60晶体光学成像图；（b）C60晶体的AFM形貌图；（c）C60晶体的TEM成像图；（d）C60晶体的SAED图本研究采用美国Delong公司生产的超小型低电压透射电镜—LVEM5来表征C60的单晶带结构（如图1c所示），其主机采用Schottky场发射电子枪，能够提供高亮度高相干的电子束，并可直接放置于实验室的桌面上。在输出曲线中可以看出，IDS与VDS具有良好线性，表现出良好饱和特性。（如图2所示）。图2. 场效应管的性能表征：C60单晶不涂覆（a-c）/涂覆（d-f）共轭聚电；(a,d)转移曲线图；（b,e）45个器件电荷迁移率柱状图；（c,f）输出曲线图LVEM5加速电压只有5KV，但可以实现1.5 nm的分辨率，纳米结构可以获得高质量的电镜照片，且直接保存Tiff格式，无需转码。无需液氮，无需专人操作管理，操作维护简单快捷，是实验室的理想选择。* 展会快讯：Quantum Design中国子公司参加了 10月17-22日 在 成都 举办的“2017年电镜年会”，欢迎各位感兴趣的老师、同学亲临展台，参观指导，我们随时期待与您相会！ * 参考文献：Enhanced performance of field-effect transistors based on C60 single crystals with conjugated polyelectrolyte. Sci China Chem. April (2017) Vol.60 No.4.相关产品及链接：LVEM5 超小型透射电子显微镜 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C157727.htmRHK 扫描探针显微镜 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C44442.htm电导率-塞贝克系数扫描探针显微镜 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C71734.htm美国RHK无液氦低温STM/qPlusAFM系统 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C205015.htm超高分辨散射式近场光学显微镜 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C170040.htm
    时间： 2017-10-20
    作者： QUANTUM量子科学
  • 《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）热阻电学法测试方法》标准草案（线上）讨论会顺利召开
    2021年5月26日下午，联盟团体标准T/CASA 016-20XX《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）热阻电学法测试方法》标准草案线上讨论会顺利召开。本次会议共计15位专家代表参与标准研讨。会议由联盟标委会高伟博士主持，联盟秘书长于坤山提到团体标准作为国行标的补充，具有十分重要的意义，目前第三代半导体特别是碳化硅相关的应用发展迅速，国内外都非常的关注，但是缺乏相关的标准，该项标准的制定有助于促进相关平台的建设，推动企业研发工作的同时促进上下游之间的交流。本次会议主要针对T/CASA 016-20XX《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）热阻电学法测试方法》标准草案的范围、术语与定义、试验方法等内容进行充分讨论，并提出了诸多修改意见。SiC MOSFET的热阻在热管理设计中具有重要作用，热阻能够为器件运行时的结温评估与结构评价提供信息，为器件设计与优化改进提供参考，衡量器件散热性能的关键指标之一。准确的热阻测试对于SiC MOSFET的鉴定、评价具有重要意义。
    时间： 2021-06-09
    作者： KPC
  • 微电子所在二硫化钼负电容场效应晶体管上取得进展
    近日，2020国际电子器件大会（IEDM）以视频会议的形式召开。会上，微电子所刘明院士科研团队展示了二硫化钼负电容场效应晶体管的最新研究成果。 功耗是制约未来集成电路发展的瓶颈问题。在栅极中引入铁电新材料的“负电容晶体管”（NCFET）可突破传统场效应晶体管的亚阈值摆幅开关极限，有望在极低电源电压下工作，从而降低功耗并保持高性能。同时，原子层厚度的二硫化钼（MoS2）免疫于短沟道效应，具有较高的迁移率、极低的关态电流和CMOS兼容的制造工艺等优势，是面向先进晶体管的可选沟道材料之一。近期的一些实验显示，MoS2 NCFET能实现低于60mV/dec的亚阈值摆幅。但这些研究仅实现了较长沟道（500 纳米）的器件，没有完全发掘和利用负电容效应在短沟道晶体管中的优势。 针对该问题，刘明院士团队通过对器件参数以及制造工艺的设计与优化，首次把MoS2 NCFET的沟道长度微缩至83 纳米，并实现了超低的亚阈值摆幅（SSmin=17.23 mV/dec 和 SSave=39 mV/dec）、较低回滞和较高的开态电流密度。相比基准器件，平均亚阈值摆幅从220 mV/dec提高至39 mV/dec，沟道电流在VGS=0 V和1.5 V下分别提高了346倍和26倍。这项工作推动了MoS2 NCFET尺寸持续微缩，对此类器件面向低功耗应用有一定意义。 基于上述研究成果的论文“Scaling MoS2 NCFET to 83 nm with Record-low Ratio of SSave/SSRef.=0.177 and Minimum 20 mV Hysteresis”入选2020 IEDM。微电子所杨冠华博士为第一作者。图(a) MoS2 NCFET转移曲线。(b)亚阈值摆幅~沟道电流关系。MoS2 NCFET与MoS2 FET对比数据：(c)转移曲线和(d)输出曲线
    时间： 2021-01-15
    作者： KPC
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  • DC-DC转换器可用的N沟道增强型高压功率场效应管：FHP840场效应管

    DC-DC转换器为转变输入电压后有效输出固定电压的电压转换器，即开关电源或开关调整器，广泛应用于手机、MP3、数码相机、便携式媒体播放器等产品中。而DC-DC转换器中的MOS管则关系着电器里交流电直流电是否可以正常转换，而IRF840场效应管是目前DC-DC转换器中应用得比较多的场效应管型号之一。[img]http://img.xiumi.us/xmi/ua/1y1O8/i/54b6d726997f802083ed7ce6b14627b2-sz_179567.JPG?x-oss-process=style/xmorient[/img]我们工作生活里几乎都离不开手机电脑，而如果DC-DC转换器中的场效应管质量不过关的话，转换器则无法进行电流转换，过电保护等流程，则很容易使这些电器出现故障。现在网络舆论传播速度极快，如果这些电器频繁故障，并不利于企业的品牌声誉，如果处理不慎可能还会影响到日后的生产经营。因此，厂家在采购场效应管时除了关注成本之外，也要关注这个场效应管的质量如何。而事实上DC-DC转换器可使用的场效应管除了IRF840场效应管，还是有不少可替代的场效应管，例如飞虹的这个FHP840 高压MOS管。[img]http://img.xiumi.us/xmi/ua/1y1O8/i/c0a13a6679969948072fb49a098e74df-sz_422592.jpg?x-oss-process=style/xmorient[/img]飞虹的这个FHP840 高压MOS管为N沟道增强型高压功率场效应管，FHP840场效应管除了在电流转换，过电保护方面可替代IRF840场效应管，还可替代9N50场效应管和TK8A50D场效应管使用。FHP840 高压MOS管的封装形式主要为TO-220/O-220F，脚位排列方式为GDS，Vgs（±V）30，VTH（V）2-4，ID（A）9，BVdss（V）500，Rds（on）（max）0.8，且这个FHP840最大的特点就是可做到低电荷、低反向传输电容开关速度快，大芯片，耐过载冲击。[img]http://img.xiumi.us/xmi/ua/1y1O8/i/654f913f0bc5a09412decfc6553dafbf-sz_100392.png[/img]广州飞虹电子通过不断的研发新品，逐渐把MOS管产品的使用范围拓展到更多电子领域，希望为电子产品的生产厂家提供强有力的元器件保障。例如这款飞虹的FHP840低压MOS管，不仅质优价廉，而且还能替代IRF840场效应管。除提供免费试样外，飞虹可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。如有需要可百度搜索“广州飞虹MOS管”！

  • 飞虹国产FHP100N07场效应管，性能参数均可替代HY1906

    电动车的续航问题一直都是消费者比较关心的问题，于是电子工程师在设计电动车时都更加重视会影响到电动车续航时间的一些元部件的选用。例如影响电动车电池充电速度的逆变器，它里面采用的MOS管如果质量不过关就会影响到电动车的充电快慢，续航时间等等。虽然说市面上场效应管的通用型号为HY1906，但作为生产厂家，如果有一款质优价廉的国产替代型号，显然会更合适。[img]http://img.xiumi.us/xmi/ua/1y1O8/i/1e5b07ca451b7466a5a0213a9f17b33f-sz_177603.JPG?x-oss-process=style/xmorient[/img]我们说的常说的逆变器其实就是一种DC-AC的变压器，它就跟转化器一样，也是一种电压逆变的过程，就是把直流电转变为交流电。而跟逆变器工作效率关联比较大就是场效应管，逆变器前级电路所采用的场效应管的质量将影响到逆变器的转换效率、安全性能、物理性能、带负载适应性和稳定性，所以对于电动车生产厂商来说，想要通过续航优势这一方面来提高市场竞争力，首先就要选用一款优质的HY1906场效应管。但相对于进口场效应管而言，质优价廉的场效应管显然更符合这个要求。例如飞虹的这个国产FHP100N07低压MOS管，在参数，性能，质量方面与HY1906场效应管基本可以无差别替代。飞虹FHP100N07低压MOS管除了可以替代HY1906场效应管，还可替代IRF3205、HY1707、RU7088这些型号的场效应管。飞虹的FHP100N07N是沟道沟槽工艺MOS管，只要适用于48V/12管的电动车控制器以及12V输入的250W逆变器。FHP100N07封装形式为TO-220/TO-263；脚位排列是GDS；Vgs（±V）；VTH（V）2-4。FHP100N07N产品的最大特点就是100A ,70V, RDS(on) = 6.5mΩ(typ) @VGS=10V 开关速度快，内阻低，耐冲击特性好。[img]http://img.xiumi.us/xmi/ua/1y1O8/i/82d2441504bcb23d9d44543c7ced42af-sz_48838.png[/img]广州飞虹电子不断的研发新品，逐渐把MOS管产品的使用范围拓展到更多电子领域，希望为电子产品的生产厂家提供强有力的元器件保障。例如这款飞虹的FHP100N07低压MOS管，不仅质优价廉，而且还能替代HY1906场效应管。除提供免费试样外，飞虹可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。详情可百度搜索“飞虹电子”！

  • LED照明电器的前级电路可应用的场效应管：FHP3205低压MOS管

    也许我们消费者不知道逆变器，场效应管是什么，但作为LED这些照明工具的生产厂家对这些元器件肯定不陌生，毕竟LED这些电器的正常运转发光照明就必须通过场效应管进行过流放电。IRF3205场效应管是目前市场上LED厂家使用得相对较多的场效应管型号之一，但由于竞争压力、市场成本等原因，大多数厂家都想要找到比IRF3205场效应管性价比更高的替换场效应管。[img]http://img.xiumi.us/xmi/ua/1y1O8/i/3b551f61bc04cc88880d24ff48aff39a-sz_171568.JPG?x-oss-process=style/xmorient[/img]逆变器其实和转化器一样，将直流电转变为交流电，是一种电压逆变的过程，而其中跟逆变器工作效率关联比较大的就是场效应管。场效应管在这之中的作用就是保护前级电路，控制电流大小；避免电流过大，引起电路损坏导致整个电器故障。如果同批次采购的场效应管质量不达标，极易引起大批量的产品返修或者退货问题，这除了会导致高昂的维修费和成本外，还不利于厂家品牌的长久经营。电器厂家在采购场效应管的时候一定要考察仔细，既要物美，也要价廉。而飞虹生产的这个FHP3205低压MOS管，性能稳定，参数与IRF3205场效应管相差无二，完全是可以替换使用的。飞虹的这个FHP3205低压MOS管是N沟道沟槽工艺MOS管，适用于300W/12V输入的逆变器的前级电路。FHP3205低压MOS管除了可以替换IRF3205场效应管之外，还能替换行业上的SKT55N100AT、150N06、FQP55N10、IRF1010E这几个型号的场效应管。[img]http://img.xiumi.us/xmi/ua/1y1O8/i/bdc547069a6ff17c317f6cf8df1ad4d2-sz_144837.jpg?x-oss-process=style/xmorient[/img]FHP3205低压MOS管的封装形式主要为TO-220/TO-252/TO-263，脚位排列序为GDS，Vgs（±V）25，VTH（V）2-4，ID（A）130，BVdss（V）60，Rds（on）(typ)5.5，Rds（on）(max)8，且FHP3205场效应管最大的优势就是可做到低内阻，大电流。广州飞虹电子通过不断的研发新品，逐渐把MOS管产品的使用范围拓展到更多电子领域，希望为电子产品的生产厂家提供强有力的元器件保障。例如这款飞虹的FHP3205低压MOS管，不仅质优价廉，而且还能替代IRF3205场效应管。除提供免费试样外，飞虹可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。

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