时间二次离子质谱仪

飞行时间二次离子质谱（TOF- SIMS）是一种表面敏感的技术，提供表面分子，元素及其同位素前几个原子层的组成图像。所有元素和同位素，包括氢气都可以用飞行时间二次离子质谱分析。在理论上，该仪器可以在一个无限大的质量范围内提供很高的质量分辨率（在实践中通常是大约 10000amu）。PHI TRIFT V nano飞行时间质谱仪（三次对焦飞行时间）是一种高传输、并行检测仪器，其目的是由主脉冲离子束轰击样品表面所产生的二次离子可以得到zui佳的收集状态，并可同时用于有机和无机表面特征分析。TRIFT分析仪的工作原理会把离子在光谱仪中不断的重新聚焦。使二次离子质谱允许更多重大的实验得以进行。主离子束zui先进的设计，允许经由计算机控制去同时达到高横向分辨率的成像和高质量的图谱分辨率。PHI TRIFT V nanoTOF是第五代SIMS仪器，该仪器具有独特的专利时间飞行（TOF）分析仪，它拥有市场上TOF-SIMS仪器中zui大的角度和能量接受标准，实现了高空间分辨率质量分辨率和使用具有优良离子传输能力的三重重点半球形静电分析器。PHI TRIFT V nanoTOF还具有很高的能力，可以图像具有非常复杂的几何形状的样本而没有阴影。

PHI nanoTOF3+ 特征先进的多功能TOF-SIMS具有更强大的微区分析能力，更加出色的分析精度 飞行时间二次离子质谱仪新一代 TRIFT 质量分析器，更好的质量分辨率 适用于绝缘材料的无人值守自动化多样品分析 独特的离子束技术 平行成像 MS/MS 功能，助力有机大分子结构分析 多功能选配附件TRIFT分析器适用于各种形状的样品 宽带通能量+宽立体接收角度宽带通能量、宽立体接受角-适用于各种形貌样品分析主离子束激发的二次离子会以不同角度和能量从样品表面飞 出，特别是对于有高度差异和形貌不规则的样品，即使相同 的二次离子在分析器中会存在飞行时间上的差异，因此导致 质量分辨率变差，并对谱峰形状和背景产生影响。 TRIFT质量分析器可以同时对二次离子发射角度和能量进行 校正， 保证相同二次离子的飞行时间一致， 所以TRIFT兼顾 了高质量分辨率和高检测灵敏度优势，而且对于不平整样品 的成像可以减少阴影效应。 实现高精度分析的一次离子设备先进的离子束技术实现更高质量分辨PHI nanoTOF3+ 能够提供高质量分辨和高空间分辨的TOF-SIMS分析:在高质量分辨模式下，其空间分辨率优于500nm 在高空间分辨模式下，其空间分辨模式优于50 nm。通过结合强度高离子源、高精度脉冲组件和高分辨率质量分析器，可以实现低噪声、高灵敏度和高质量分辨率的测量 在这两种模式下，只需几分钟的测试时间，均可完成采谱分析。前所未见的无人值守TOF-SIMS自动化多样品分析 -适用于绝缘材料PHI nanoTOF3+搭载全新开发的自动化多样品分析功能，程序可根据 样品导电性自动调整分析时所需的高度与样品台偏压， 可以对包括 绝缘材料在内的各类样品进行无人值守自动化TOF-SIMS分析。 整个分析过程非常简单， 只需三步即可对多个样品进行表面或深度 分析 ：①在进样室拍摄样品台照片 ；②在进样室拍摄的照片上指定 分析点 ；③按下分析键，设备自动开始分析。 过去，必须有熟练的操作人员专门操作仪器才能进行TOF-SIMS分析 ； 现在，无论操作人员是否熟练，都可以获得高质量的分析数据标配自动化传样系统PHI nanoTOF3+配置了在XPS上表现优异的全自动样品传送系 统 ：样品尺寸可达100mmx100 mm， 而且分析室标配内置 样品托停放装置 ；结合分析序列编辑器（Queue Editor），可以实现对大量样品的全自动连续测试。采用新开发的脉冲氲离子设备获得证书的自动荷电双束中和技术TOF-SIMS测试的大部分样品为绝缘样品，而绝缘样品表面 通常有荷电效应。PHI nanoTOF3+ 采用自动荷电双束中和 技术，通过同时发射低能量电子束和低能量氲离子束，可实现对任何类型和各种形貌的绝缘材料的真正自动荷电中和，无需额外的人为操作。 *需要选配Ar离子设备 远程访问实现远程控制仪器PHI nanoTOF3+允许通过局域网或互联网访问仪器。 只需将样品台放入进样室， 就可以对进样、换样、测试和分析等所有操作进行远程控制。我们的专业人员可以对仪器进行远程诊断。*如需远程诊断，请联系我们的客户服务人员。 从截面加工到截面分析： 只需一个离子源即可完成标配离子设备FIB(Focused lon Beam)功能在PHI nanoTOF3+中， 液态金属离子具设备备 FIB功能， 可以使用单个离子设备对样品进行 横截面加工和横截面TOF-SIMS分析。通过操 作计算机， 可以快速轻松地完成从FIB处理 到TOF-SIMS分析的全过程。此外，可在冷却 条件下进行FIB加工。 在选配Ga源进行FIB加工时，可以获得FIB加 工区域的3D影像 ；Ga源还可以作为第二分析 源进行TOF-SIMS分析。 通过平行成像MS/MS进行 分子结构分析[选配]MS/MS平行成像 同时采集MS1/MS2数据在TOF-SIMS测试中，MS1质量分析分析器接收从样品表面 产生的所有二次离子碎片，对于质量数接近的大分子离子， MS1谱图难以区分。通过安装串联质谱MS2，对于特定离子 进行碰撞诱导解离生产特征离子碎片，MS2谱图可以实现 对分子结构的进一步鉴定。PHI nanoTOF3+具备串联质谱MS/MS平行成像功能， 可以同时获取分析区域的MS1和MS2数据，为有机大分子结构解析提供了强有力的工具。 多样化配置充分发挥TOF-SIMS潜力可拆卸手套箱：可安装在样品导入室可以选配直接连接到样品进样室的可拆卸手套箱。 锂离子电池和有机 OLED等容易与大气发生反应的样品可以直接安装在样品台上。此外，在 冷却分析后更换样品时，可以防止样品表面结霜。 氩团簇离子源（Ar-GCIB）：有机材料深度剖析使用氩团簇离子源(Ar-GCIB)能够有效减少溅射过程中对有机材料的破坏，从而在刻蚀过程中保留有机大分子结构信息。Cs源和Ar/O2源：无机材料深度剖析可根据测试需求选择不同的离子源提高二次离子产额，使用Cs源可增强负离子产额 ；O2源可增强正 离子产额

仪器简介：1. 适合做多层薄膜的深度分析。2. 很好的、耐用的、普通目的的二次离子质谱仪。3. 方便使用。4. 样品可以手动转换，由于分析速度快所以每天可以分析一定数量的样品。5. 我们的系统可配置快速原子枪，使我们可以轻松处理绝缘的样品。6. 我们还可以做元素成像（就象化学地图）和混合模式扫描，自动测量正、负和中性粒子。7. 我们的系统是典型的超高真空工作台，很容易满足很多其它分析的使用。结构紧凑，但不损失性能。真正的高性价比。技术参数：质量数范围：300，510或1000amu分辨率：5%的谷，两个相连的等高峰。检测器：离子计数检测器，正、负离子检测检测限：1:10E7质量过滤器：三级过滤四极杆（9mm杆）主离子枪： A，氧离子或其它气体，能量到5KeV B，Ga离子枪，能量25KeV（选配）空间分辨率：A：100～150um B: 50nm取样深度：2个单分子层（静态） 不受限制（动态）主要特点：? 高灵敏度脉冲离子计数检测器，7个数量级的动态范围 ? SIMS 成像，分辨率在微米以下 ? 光栅控制，增强深度分析能力 ? 所有能量范围内，离子行程的最小扰动，及恒定离子传输 ? 差式泵3级过滤四极杆，质量数范围至1000amu ? 灵敏度高 / 稳定的脉冲离子计数检测器 ? Penning规和互锁装置可提供过压保护 ? 通过RS232、RS485或Ethernet LAN，软件 MASsoft控制