雪崩探测器

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雪崩探测器相关的厂商

  • 深圳市汇成探测科技有限公司
    深圳市汇成探测科技有限公司始建于2007年是一家专业从事金属探测器研发、生产、销售为一体的企业。公司严格依照ISO9001国际质量标准体系的要求，从产品的研发设计、生产制造到销售及售后服务全过程，已建立一套严谨的品质管理和保证体系。目前公司主营品种齐全有地下可视成像仪、可视地下金属探测器、远程地下金属探测器、探盘式地下金属探测器、手持金属探测器。品质彰显价值，服务缔造信誉。为广大客户提供更优质的服务，公司以“专业、信誉、质量第一、用户至上”为经营宗旨，以高品质的产品与服务满足客户的梦想。追求卓越是我公司致力追求的目标。我们更坚信：有了您的支持和我们不断的努力，我们与社会各界同仁携手并进，开拓创新，共创美好未来。
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  • 东莞市嘉乐仕金属探测设备有限公司
    东莞市嘉乐仕金属探测设备有限公司是一家专业金属探测器,金属探测仪,金属检测仪,金属检测器,食品金属探测器,金属分离器,x光机,x射线异物检测仪的集研发、生产、销售于一体的民营高科技企业.经过多年的经营发展和科技上的不断创新，已成为中国最大的金属探测器生产厂家之一，嘉乐仕凭借优质的产品，卓越的技术和完善的服务，产品遍及祖国各地，并远销美洲，欧洲，非洲，中东，东南亚等国际市场。 　　东莞市嘉乐仕金属探测设备有限公司以“诚信是我风格，质量是我生命“ 为宗旨，视用户为“上帝”，一贯秉承“质量第一、顾客满意，持续改进，争创一流”的方针，从产品的研发设计、生产制造到销售及售后服务全过程，已建立一套严谨的品质管理和质量保证体系，且采取有效的市场保护措施，确保为每个用户提供最优质的产品和最完善的服务。 　　展望未来，嘉乐仕将一如继往的秉承”敬业，诚信，融合，创新“的企业精神，研制出更好的产品，提供更好的服务，树立更好的形象，愿与各界新老朋友进行更广泛的合作，共创辉煌! 　　嘉乐仕热忱欢迎企事业单位前来参观考察，洽商合作，愿与您携手共创更辉煌的明天！ 联系人：卢生15907693763（微信同号）QQ:2777469253 欢迎来电咨询！官网：www.jls668.net
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  • 上海屹持光电技术有限公司 银牌6年
    400-860-5168转3778
    上海屹持光电技术有限公司是一家专业从事太赫兹、超快激光、传统激光等领域相关产品的研发、引进、销售、方案设计、组装集成、技术服务的现代高科技企业。团队成员具有专业光电背景和长期从业经验，利用自身的专业优势将最先进的科研设备及服务提供给用户。从单个产品到整体解决方案，从商务服务到技术支持，均获得了广大用户的肯定和信赖。 公司理念：专业严谨、诚信共赢、屹于光电、持之以恒。主营产品：太赫兹：太赫兹时域光谱仪、强太赫兹产生器、光导天线、碲化锌晶体、DAST/OH1/DSTMS晶体、雪崩二极管、返波管、量子级联激光器、高莱探测器、太赫兹功率计、太赫兹相机、太赫兹探针、亚太赫兹相机、线性相机、太赫兹扫描法布里-珀罗干涉仪、太赫兹观察卡、太赫兹镜片、太赫兹系统方案等超快激光：飞秒光纤激光器、飞秒振荡器、飞秒放大器、超快同步系统、皮秒光纤激光器、半导体皮秒激光器、扫描自相关仪、单次自相关仪、三阶自相关仪、超短脉冲测量仪、可饱和吸收器件、超快激光芯片等传统激光：气体激光器、固体激光器、半导体激光器、光纤激光器、窄线宽激光器、激光驱动白光光源、功率计、光谱仪、单色仪、分光光度计、红外相机、单光子探测器、激光波长计、光束质量分析仪、波长计官方网站：www.eachwave.com
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  • 单光子雪崩探测器 SPAD/PDM 400-860-5168转3912
    武汉东隆科技为意大利Micro Photon Devices的中国区独家代理，欢迎您来电垂询！单光子雪崩探测模块 SPADPDM光子计数探测器的的探测效率为49%，具有快速时间响应，和优良的反应效率。该探测器的有效探测范围直径有20、50和100μm可选。覆盖波长是400nm到1100nm。该产品的设计使探头在长时间日光照射下也不会损坏。其优良的性能可以在很多应用上代替光电倍增管来使用。响应时间在50ps，配合光子计数卡来使用可以做短脉冲激光器的研究。 产品特点时间分辨率50ps (FWHM) 探测效率高达49% 有效探测面直径有20，50，100μm可选 超稳定的高计数率 可选光纤耦合接口，耦合效率80% 独有的源自于意大利的iAQC探测技术 帕尔贴制冷 主要应用时间分辨荧光荧光寿命成像荧光能量共振转移DNA和药物发明单分子光谱和超灵敏荧光分析荧光上转换LIDAR、遥感等量子密钥通信，量子纠缠等参数波段范围 400 – 1000 nm 有效探测面积直径 20μm，50μm，100μm可选暗计数 5cps、25cps、50cps、100cps、250cps、500cps（根据不同有效探测面积直径可选）探测效率 49% @ 550nm；典型值时间分辨率 35ps （FWHM) 典型值后脉冲效应 0.1-3% 死时间 77ns 武汉东隆科技为意大利Micro Photon Devices的中国区独家代理，欢迎您来电垂询！
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    厂商： 武汉东隆科技有限公司
    品牌： MPD/Micro Photon Devices
    型号： SPAD
    价格： 面议
  • 铟镓砷InGaAs单光子盖革雪崩探测器
    铟镓砷InGaAs单光子盖革雪崩探测器
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    厂商： 朗伯（苏州）光学科技有限公司
    品牌： 德国苏斯/ SUSS
    型号： LBGX
    价格： 2.35万元
  • Thorlabs硅雪崩光电探测器，可变增益，温度补偿 400-860-5168转4131
    硅雪崩光电探测器，可变增益，温度补偿连续可变增益温度补偿，在18 - 28 °C的温度范围上M因子的稳定性≤±3%SM05内螺纹和SM1外螺纹，可安装光纤转接件、透镜套管和其它组件包含电源这些雪崩光电探测器具有可变增益，通过外壳右侧的旋钮进行控制。与上方的APD130A探测器一样，这些探测器具有集成热敏电阻，它通过调节雪崩光电探测器两端的偏置电压，在23 ± 5 °C的温度范围内可将M因子的稳定性维持在±3%或更好。相比于上面的标准APD和温度可控的APD，APD430A2和APD430A还提供从DC至400 MHz的更大可用带宽。APD410A2和APD410A的可用带宽略小(DC至10 MHz)，但是灵敏度更高。APD440A2和APD440A探测器提供高跨阻抗增益，最大带宽为100 kHz。机械连接和电连接的方向，以及薄型外壳设计，确保了这些探测器可装在狭小空间中。外壳上有三个8-32(M4)安装孔，每侧面上一个，进一步确保它可以轻松集成到复杂的机械装置中。外壳还兼容SM05和SM1透镜套管。包含一个SM1内螺纹的盖子。光纤耦合注意事项：对于光纤耦合应用，我们不推荐使用Thorlabs带APD410A2(/M)、APD430A2(/M)和APD430A的S120-FC等光纤接头转接件，因为探测器的尺寸较小。可能会出现较高的耦合损耗以及频率响应降低。为了实现高耦合效率，可使用光纤准直器、聚焦透镜和X-Y平移调整架。
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    厂商： 青岛森泉光电有限公司
    品牌： Thorlabs
    型号： APD410A2
    价格： 面议
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  • 硅单光子探测器取得重要进展
    p style="text-align: justify text-indent: 2em " 由无锡中微晶园电子有限公司牵头承担的国家重点研发计划“重大科学仪器设备开发”重点专项“高灵敏硅基雪崩探测器研发及其产业化技术研究”项目经过近两年的努力，突破了低抖动、大光敏面硅单光子探测芯片设计、界面电场调控的离子注入和氧化层制备、低噪声芯片封装等关键技术，开发出硅单光子探测器样机。近日，项目顺利通过了科技部高技术中心组织的中期检查。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "硅单光子探测器具有超高灵敏度，是300-1100nm波段超高灵敏探测不可替代的关键芯片，且器件性能稳定可靠、易形成面阵，是实现远距离精密测量、激光雷达等重大科学仪器的关键核心部件之一。目前国内硅单光子探测芯片主要依赖进口，且阵列芯片禁运。开展硅单光子探测器的自主化研究，对独立自主研制精密测量、激光雷达等装备具有重要意义。项目提出了雪崩过程随机性电场抑制方法，基于国产硅片和研发平台，研制出大光敏面、低时间抖动的硅雪崩探测器芯片，开发了一系列可工程化应用的制备关键技术，并在“北斗系统”开展了激光测距示范应用；同时还面向智能交通的市场需求，研制出线性模式硅雪崩探测器。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "该项目下一步将加快产品化开发，提高产品技术成熟度，加快产品应用示范及推广。 /p
    时间： 2019-10-28
    作者： 葱头
  • 【新书推荐】宽禁带半导体紫外光电探测器
    基于宽禁带半导体的固态紫外探测技术是继红外、可见光和激光探测技术之后发展起来的新型光电探测技术，是对传统紫外探测技术的创新发展，具有体积小、重量轻、耐高温、功耗低、量子效率高和易于集成等优点，对紫外信息资源的开发和利用起着重大推动作用，在国防技术、信息科技、能源技术、环境监测和公共卫生等领域具有极其广阔的应用前景，成为当前国际研发的热点和各主要国家之间竞争的焦点。我国迫切要求在宽禁带半导体紫外探测技术领域取得新的突破，以适应信息技术发展和国家安全的重大需要。本书是作者团队近几年来的最新研究成果的总结，是一本专门介绍宽禁带紫外光电探测器的科技专著。本书的出版可以对我国宽禁带半导体光电材料和紫外探测器的研发及相关高新技术的发展起到促进作用。本书从材料的基本物性和光电探测器工作原理入手，重点讨论宽禁带半导体紫外探测材料的制备、外延生长的缺陷抑制和掺杂技术、紫外探测器件与成像芯片的结构设计和制备工艺、紫外单光子探测与读出电路技术等；并深入探讨紫外探测器件的漏电机理、光生载流子的倍增和输运规律、能带调控方法、以及不同类型缺陷对器件性能的具体影响等，展望新型结构器件的发展和技术难点；同时，介绍紫外探测器产业化应用和发展，为工程领域提供参考，促进产业的发展。本书作者都是长年工作在宽禁带半导体材料与器件领域第一线、在国内外有影响的著名学者。本书主编南京大学陆海教授是国内紫外光电探测领域的代表性专家，曾研制出多种性能先进的紫外探测芯片；张荣教授多年来一直从事宽禁带半导体材料、器件和物理研究，成果卓著；参与本书编写的陈敦军、单崇新、叶建东教授和周幸叶研究员也均是在宽禁带半导体领域取得丰硕成果的年轻学者。本书所述内容多来自作者及其团队在该领域的长期系统性研究成果总结，并广泛地参照了国际主要相关研究成果和进展。作者团队：中国科学院郑有炓院士撰写推荐语时表示：“本书系统论述了宽禁带半导体紫外探测材料和器件的发展现状和趋势，对面临的关键科学技术问题进行了探讨，对未来发展进行了展望。目前国内尚没有一本专门针对宽禁带半导体紫外探测器的科研参考书，本书的出版填补了这一空白，将会对我国第三代半导体紫外探测技术的研发起到重要的推动作用。”目前市面上还没有专门讲述宽禁带半导体紫外探测器的科研参考书，该书的出版可以填补该领域的空白。本书可为从事宽禁带半导体紫外光电材料和器件研发、生产的科技工作者、企业工程技术人员和研究生提供一本有价值的科研参考书，也可供从事该领域科研和高技术产业管理的政府官员和企业家学习参考。详见本书目录：本书目录：第1章 半导体紫外光电探测器概述1.1 引言1.2 宽禁带半导体紫外光电探测器的技术优势1.3 紫外光电探测器产业发展现状1.4 本书的章节安排参考文献第2章 紫外光电探测器的基础知识2.1 半导体光电效应的基本原理2.2 紫外光电探测器的基本分类和工作原理2.2.1 P-N/P-I-N结型探测器2.2.2 肖特基势垒探测器2.2.3 光电导探测器2.2.4 雪崩光电二极管2.3 紫外光电探测器的主要性能指标2.3.1 光电探测器的性能参数2.3.2 雪崩光电二极管的性能参数参考文献第3章 氮化物半导体紫外光电探测器3.1 引言3.2 氮化物半导体材料的基本特性3.2.1 晶体结构3.2.2 能带结构3.2.3 极化效应3.3 高Al组分AlGaN材料的制备与P型掺杂3.3.1 高Al组分AlGaN材料的制备3.3.2 高Al组分AlGaN材料的P型掺杂3.4 GaN基光电探测器及焦平面阵列成像3.4.1 GaN基半导体的金属接触3.4.2 GaN基光电探测器3.4.3 焦平面阵列成像3.5 日盲紫外雪崩光电二极管的设计与制备3.5.1 P-I-N结GaN基APD3.5.2 SAM结构GaN基APD3.5.3 极化和能带工程在雪崩光电二极管中的应用3.6 InGaN光电探测器的制备及应用3.6.1 材料外延3.6.2 器件制备3.7 波长可调超窄带日盲紫外探测器参考文献第4章 SiC紫外光电探测器4.1 SiC材料的基本物理特性4.1.1 SiC晶型与能带结构4.1.2 SiC外延材料与缺陷4.1.3 SiC的电学特性4.1.4 SiC的光学特性4.2 SiC紫外光电探测器的常用制备工艺4.2.1 清洗工艺4.2.2 台面制备4.2.3 电极制备4.2.4 器件钝化4.2.5 其他工艺4.3 常规类型SiC紫外光电探测器4.3.1 肖特基型紫外光电探测器4.3.2 P-I-N型紫外光电探测器4.4 SiC紫外雪崩光电探测器4.4.1 新型结构SiC紫外雪崩光电探测器4.4.2 SiC APD的高温特性4.4.3 材料缺陷对SiC APD性能的影响4.4.4 SiC APD的雪崩均匀性研究4.4.5 SiC紫外雪崩光电探测器的焦平面成像阵列4.5 SiC紫外光电探测器的产业化应用4.6 SiC紫外光电探测器的发展前景参考文献第5章 氧化镓基紫外光电探测器5.1 引言5.2 超宽禁带氧化镓基半导体5.2.1 超宽禁带氧化镓基半导体材料的制备5.2.2 超宽禁带氧化镓基半导体光电探测器的基本器件工艺5.3 氧化镓基日盲探测器5.3.1 基于氧化镓单晶及外延薄膜的日盲探测器5.3.2 基于氧化镓纳米结构的日盲探测器5.3.3 基于非晶氧化镓的柔性日盲探测器5.3.4 基于氧化镓异质结构的日盲探测器5.3.5 氧化镓基光电导增益物理机制5.3.6 新型结构氧化镓基日盲探测器5.4 辐照效应对宽禁带氧化物半导体性能的影响5.5 氧化镓基紫外光电探测器的发展前景参考文献第6章 ZnO基紫外光电探测器6.1 ZnO材料的性质6.2 ZnO紫外光电探测器6.2.1 光电导型探测器6.2.2 肖特基光电二极管6.2.3 MSM结构探测器6.2.4 同质结探测器6.2.5 异质结探测器6.2.6 压电效应改善ZnO基紫外光电探测器6.3 MgZnO深紫外光电探测器6.3.1 光导型探测器6.3.2 肖特基探测器6.3.3 MSM结构探测器6.3.4 P-N结探测器6.4 ZnO基紫外光电探测器的发展前景参考文献第7章 金刚石紫外光电探测器7.1 引言7.2 金刚石的合成7.3 金刚石光电探测器的类型7.3.1 光电导型光电探测器7.3.2 MSM光电探测器7.3.3 肖特基势垒光电探测器7.3.4 P-I-N和P-N结光电探测器7.3.5 异质结光电探测器7.3.6 光电晶体管7.4 金刚石基光电探测器的应用参考文献第8章 真空紫外光电探测器8.1 真空紫外探测及其应用8.1.1 真空紫外探测的应用8.1.2 真空紫外光的特性8.2 真空紫外光电探测器的类型和工作原理8.2.1 极浅P-N结光电探测器8.2.2 肖特基结构光电探测器8.2.3 MSM结构光电探测器8.3 真空紫外光电探测器的研究进展8.3.1 极浅P-N结光电探测器的研究进展8.3.2 肖特基结构光电探测器的研究进展8.3.3 MSM结构光电探测器的研究进展
    时间： 2022-05-31
    作者： 张小鱼
  • 近红外双模式单光子探测器----单光子探测主力量子通讯
    一． 近红外双模式单光子探测器介绍SPD_NIR为900nm至1700 nm的近红外范围内的单光子检测带来了重大突破。 SPD_NIR建立在冷却的InGaAs / InP盖革模式单光子雪崩光电二极管技术上，是NIR单光子检测器的第一代产品，可同时执行同步“门控”（GM）和异步“自由运行”（FR ）检测模式。 用户通过提供的软件界面选择检测模式。冠jun级别的器件具有低至800 cps的超低噪声，高达30％的高校准量子效率，100 ns最小死区，100 MHz外部触发，150 ps的快速成帧分辨率和极低的脉冲 。 当需要光子耦合时，标准等级可提供非常有价值且经济高效的解决方案。基于工业设计，该设备齐全的探测器不需要任何额外的笨重的冷却系统和控制单元。 经过精心设计的紧凑性及其现代接口使SPD_NIR非常易于集成到最苛刻的分析仪器和Quantum系统中。OEM紧凑型 多通道控制器软件界面二． 近红外双模式单光子探测器原理TPS_1550_type_II是基于远程波长自发下变频的双光子源。TPS_1550_type_II采用波导周期性极化铌酸锂(WG-ppln)晶体，用于产生光子对。波导- ppln的转换效率比任何块状晶体都高2到3个数量级，并确保与单模光纤的高效耦合。0型和II型双光子的产生三． 近红外双模式单光子探测器应用特点特点： ▪ 自由模式 & 门模式▪ 集成电子计数▪ 校准后 QE可达 30%▪ TTL和NIM信号兼容▪ 暗记数 800 cps▪ 软件可远程控制▪ 最小死时间 100 ns▪ 冷却板兼容欧盟/美国▪ 外部触发频率：可达100 MHz▪ DLL 文件库 : Python, C++, LabVIEW应用方向：▪ 量子通信▪ 盖革模式激光雷达▪ 量子密钥分发▪ 高分辨率OTDR▪ 光子源特性▪ FLIM 成像▪ 符合测试▪ 光纤传感四． 近红外双模式单光子探测器技术规格五． Aura 介绍AUREA Technology是法国一家知名的探测器供应商，公司致力于尖端技术的研发，基于先进的单光子雪崩光电二极管，超快激光二极管和快速定时电子设备，设计和制造了新一代高性能，功能齐全的近红外探测器。作为全球技术领导者之一，AUREA技术提供盖革模式单光子计数，皮秒激光源，快速时间关联和光纤传感仪器。此外，AUREA Technology直接或通过其在北美，欧洲和亚洲的专业分销渠道为200多个全球客户提供一流的专业支持。并与客户紧密合作，以应对当今和未来在量子安全，生命科学，纳米技术，汽车，医疗和国防领域的挑战。昊量光电作为法国AUREA公司在中国区域的独家代理商，全权负责法国Aurea公司在中国的销售、售后与技术支持工作。AUREA技术提供了新一代的光学仪器，使科学家和工程师实现卓越的测量结果。奥瑞亚科技与全球的客户和合作伙伴紧密合作，共同应对量子光学、生命科学、纳米技术、化学、生物医学、航空和半导体等行业的当前和未来挑战双光子是展示量子物理原理的关键元素，并实现新的量子应用。例如，双光子使量子密钥分发技术得以发展，以确保数百公里范围内的数据网络安全。在生物成像应用中，双光子光源产生原始的无色散测量。 更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。
    时间： 2022-10-25
    作者： 昊量光电
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  • 基于带电粒子追踪与蒙特卡洛方法的低真空SEM电子探测器仿真分析

    分享一篇关于低真空SEM技术的文献。《电子显微学报》2023年4月，第42卷第2期低真空扫描电子显微镜对含水、含气以及不导电样品等的表征方面有着重要应用。国仪量子公司团队基于电子轨迹追踪模拟和粒子碰撞蒙特卡洛模拟,对低真空信号探测器的工作过程进行仿真和实测,分析了探测器在不同位置和气压大小对收集效率的影响。根据模型所预测的探测电流的大致范围同实测探测电流较为一致。同时仿真分析的结果表明,空间中不同区域的放电强度有较大区别,局部区域的雪崩倍增剧烈程度与该区域的电场强度成正相关。这对探测器的形状和位置布局设计具有显著的指导意义。

  • 【分享】美“凤凰号”探测器首次发现火星下雪

    美“凤凰号”探测器首次发现火星下雪 并且找到了火星上曾经存在液态水的最新证据 火星上也有下雪！美国凤凰号火星探测器已经探测到来自火星云层的降雪，而且找到了火星上曾经存在液态水的最新证据。 美国航空航天局(NASA)今天（9月29日）公布了凤凰号火星探测器的最新科学成果。凤凰号上一个用来收集火星大气层和火星表面相互作用的激光设备已经探测到火星降雪，降雪来自凤凰号着陆点上空大约四千米的火星云层，数据显示降雪在到达火星表面前已经气化。 负责凤凰号气象检测系统的加拿大约克大学教授吉姆怀特威说，火星上下雪的景观从来没有被发现过，科学家未来将寻找可能降落火星表面的降雪。 除了首次发现降雪，凤凰号还找到了火星上存在碳酸钙和粘土的线索。碳酸钙是石灰石的主要成分，在地球上，绝大部分碳酸盐和粘土只有在液态水的作用下才能形成。这些证据来自凤凰号上的热力与释出气体分析仪(TEGA)及电化学传导性显微镜分析仪( MECA)。 凤凰号采集到的火星土壤样本被装入“热力与释出气体分析仪”进行加热，结果释放出无色气体，经质谱仪分析，这种气体就是二氧化碳，而且释放气体的温度与大家熟知的碳酸钙释放二氧化碳温度一致。通过电化学传导性显微镜分析仪检测，发现土壤样本中钙的浓度与碳酸钙缓冲液的钙含量一致。此外，通过凤凰号上的原子力显微镜分析，土壤中有一些表面光滑的微粒，这些微粒与粘土十分相像。 截至9月29日，原计划运转三个月的凤凰号火星探测器已经工作了一百二十七天。因火星公转的原因，凤凰号着陆点的太阳照射越来越少，随着太阳能的逐步衰减，凤凰号的活动将逐渐减少。科学家表示，十月底，因为电力不足，机械臂将停止工作，预计今年底凤凰号将停止运转。在能量耗尽前，科学家将尝试开启凤凰号上的麦克风，期望记录下来自火星的神秘声音。

  • 【分享】半导体探测器

    【分享】半导体探测器

    半导体探测器（semiconductor detector）是以半导体材料为探测介质的辐射探测器。最通用的半导体材料是锗和硅，其基本原理与气体电离室相类似。半导体探测器发现较晚，1949年麦凯（K.G.McKay）首次用α 射线照射PN结二极管观察到输出信号。5O年代初由于晶体管问世后，晶体管电子学的发展促进了半导体技术的发展。半导体探测器有两个电极，加有一定的偏压。当入射粒子进入半导体探测器的灵敏区时，即产生电子-空穴对。在两极加上电压后，电荷载流子就向两极作漂移运动﹐收集电极上会感应出电荷，从而在外电路形成信号脉冲。但在半导体探测器中，入射粒子产生一个电子－空穴对所需消耗的平均能量为气体电离室产生一个离子对所需消耗的十分之一左右，因此半导体探测器比闪烁计数器和气体电离探测器的能量分辨率好得多。半导体探测器的灵敏区应是接近理想的半导体材料，而实际上一般的半导体材料都有较高的杂质浓度，必须对杂质进行补偿或提高半导体单晶的纯度。通常使用的半导体探测器主要有结型、面垒型、锂漂移型和高纯锗等几种类型（下图由左至右）。金硅面垒型探测器1958年首次出现，锂漂移型探测器60年代初研制成功，同轴型高纯锗(HPGe)探测器和高阻硅探测器等主要用于能量测量和时间的探测器陆续投入使用，半导体探测器得到迅速的发展和广泛应用。[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2009/12/200912291643_192752_1615922_3.jpg[/img]

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  • MP6514S型InGaAs单光子阵列探测器组件
    MP6514S型InGaAs单光子阵列探测器组件MP6514S型探测器组件由4x4阵列规格InGaAs单光子雪崩光电二极管(SPAD)芯片、CMOS主被动淬灭电路芯片倒焊互连而成的探测器模块与电压逆变模块、制冷模块、信号控制模块组成。在盖革工作模式下，探测器组件各像元独立、自由运行，探测0.95 ~ 1.65 μ m的近红外波段范围内微弱光信号，实时输出TTL电信号。产品特点●光谱响应波段0.95 ~ 1.65μm ●采用金属封装，器件质轻灵巧 ●像元独立、自由运行 ●像元可探测弱光子信号 ●死时间、盖革雪崩信号检测阈值可调 产品应用●透雾、霾、烟尘等测距●近红外激光告警●远距离激光测距●远距离空间激光通信技术参数探测器面阵规格主要性能指标(Tc=22+3℃)绝对最大额定值质量可靠性保证● 产品执行GJB8121-2013《半导体光电组件通用规范》相关要求。封装及尺寸封装外形结构与尺寸(单位: mm )电学接口●电源输入: +5V●数据输出类型: TTL●控制命令接口: J63A-31●电源输入接口类型: J30J●数据输出接口类型: J63A-31●外触发接口: SSMA咨询电话：021-64149583、021-56461550、021-65061775公司邮箱：info@microphotons.com公司网址：http://www.ideal-photonics.com公司地址：上海市杨浦区黄兴路2077号蓝天大厦21F
    供应商： 筱晓（香港）光子技术有限公司
    品牌： LD-PD
    价格： 面议
  • 硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18
    C30902EH高性能硅雪崩光电二极管(APD)的感光面直径为0.5 mm，适合于生物医学和分析应用。 这种Si APD设计为双扩散“穿透式”结构，可在400和1000 nm之间提供高响应度，以及在所有波长处都极快的上升和下降时间。器件的响应度与最高约800 MHz的调制频率无关。探测器芯片采用经过修改的TO-18封装，密封在平玻璃窗后面。多型号C30902EH/C30902EH-2 C30902SH C30902SH-TC光谱响应400-1100nm感光规格0.5mm ?材质硅 Silicon技术参数C30902和C30921系列用于微光应用的高速固态探测器C30902EH系列雪崩光电二极管非常适合广泛的应用，包括激光雷达、测距、小信号荧光、光子计数和条形码扫描。Excelitas Technologies的C30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“穿透”结构制造。这种结构在400到1000纳米之间提供了高响应度，并且在所有波长上都提供了极快的上升和下降时间。该器件的响应度与高达800 MHz的调制频率无关。探测器芯片密封在一个改进的TO-18封装的平板玻璃窗后面。感光表面的有效直径为0.5 mm。C30921EH封装在TO-18光管中，该光管允许从聚焦点或直径高达0.25 mm的光纤将光有效耦合到探测器。密封的TO-18封装允许光纤与光管端部匹配，以最大限度地减少信号损失，而无需担心危及探测器稳定性。C30902EH-2或C30902SH-2（带内置905nm通带滤波器的密封TO-18封装）和C30902BH（带密封球透镜）构成了C30902系列。C30902SH和C30921SH均选用具有极低噪声和体暗电流的C30902EH和C30921EH光电二极管。它们适用于超微光级应用（光功率小于1 pW），可在增益高达250或更高的正常线性模式（VrVbr）下的光子计数器使用，其中单个光电子可触发约108个载波的雪崩脉冲。在这种模式下，不需要放大器，单光子检测概率可能高达约50%。光子计数在门控和符合技术用于信号检索的情况下也是有利的。主要特征 高量子效率：在830 nm时为77% C30902SH和C30921SH可在盖革模式下运行 C30902EH/SH-2型，带内置905 nm过滤器 C30902BH型，带球形透镜 密封包装 室温下的低噪音 高响应度–内部雪崩增益超过150 光谱响应范围- （10%Q.E.点）400至1000纳米 时间响应–通常为0.5纳秒 宽工作温度范围-40°C至+70°C 符合RoHS标准应用• 激光雷达• 测距• 小信号荧光• 光子计数• 条形码扫描表1。电光特性测试条件：外壳温度=22?C，除非另有规定，请参见下页的注释。C30902EH/C30902EH-2C30902SHC30902SH-TCDetector TypeC30902BHC30921EHC30902SH-2C30921SHC30902SH-DTCParameterMinTypMaxMinTypMaxMinTypMaxUnits感光区有效直径0.50.50.5mmactive area0.20.20.2mm2光管特性（C30921）光管数值孔径0.550.55[no units]岩芯折射率（n）1.611.61[no units]芯径0.250.25mmField of view α (see Figure 15)视野α（见图15） 带标准/球形透镜窗口（-2）内置905 nm滤光片 90559055122N/ADegrees带灯管（在空气中） 3333N/AField of view α’ (see Figure 15)带标准窗口/球透镜114114129Degrees（-2）内置905 nm滤光片7878N/A击穿电压, Vbr225225225V反向偏置温度系数，Vr，恒定增益电压0.50.70.90.50.70.90.50.70.9V/?C探测器温度（见注2）-TC0?C-DTC-20?CGain (see note 1)150250250响应度830 nm时（不适用于-2）7077117128128A/Wat 900 nm556592108108A/W量子效率at 830 nm (not applicable for -2)777777%at 900 nm606060%Dark current, id153015301530nA-TC (at 0 °C)2nA-DTC (at -20 °C)1nANoise current, in (see note 3)-TC (at 0 °C)0.230.50.110.2 0.04pA/?HzpA/?Hz-DTC (at -20 °C)0.02pA/?Hz电容1.621.621.62pFRise/Fall time, RL=50 ?10% to 90% points 0.5 0.75 0.5 0.75 0.5 0.75 ns90% to 10% points0.50.750.50.750.50.75ns最大驱动电流-TC1.8A-DTC1.4A最大偏置电压-TC0.8V-DTC2.0V5%光子检测时的暗计数率 probability (830 nm)(see Figure 9 and note 4) 5000 150001100 (-TC)250 (-DTC) 15000 cps电压高于Vbr，光子探测概率为5%（830nm）（见图7和注4） 2 2 V5%光子检测时的脉冲比后概率（830nm）（注5）2152%1.在特定直流反向工作电压下，Vop或Vr，随每个装置提供，光斑直径为0.25 mm（C30902EH，SH）或0.10 mm（C30921EH，SH）。在180至250V的电压下运行，设备将满足上述电气特性限制。2.热敏电阻的温度（开尔文）可为使用以下方程式计算：[??] = ?? ,项次(??/??∞)式中，R是测量的热敏电阻电阻，单位为?,?? = 3200，R0=5100Ω，T0=298.15 K和r∞ =? ??R e ? 0.1113表2–最大额定值1.雪崩光电二极管中散粒噪声电流的理论表达式为in=（2q（Ids+（IdbM2+PORM）F）BW）?，其中q是电子电荷，Ids是暗表面电流，Idb是暗体电流，F是过量噪声系数，M是增益，PO是器件上的光功率，BW是噪声带宽。对于这些装置，F=0.98（2-1/M）+0.02 M（参考文献：PP Webb，RJ McIntyre，JJ Conradi，“RCA审查”，第35卷第234页，（1974年））。2.C30902SH和C309021SH可在更高的检测概率下运行。（参见盖革模式操作部分）。3.主脉冲后1μs至60秒发生脉冲后。
    供应商： 筱晓（上海）光子技术有限公司
    品牌： LIGHTSMYTH
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  • 超快光电探测器
    超快光电探测器：UPD系列现在有42种特别的光电二极管型号！ ALPHALAS GmbH已发布超快光电二极管的新型号，该产品将产品范围扩展到更快的上升时间以及从紫外到红外的更宽波长范围。新增功能：在800至2600 nm波长范围内，超快光电探测器的HF性能大大提高（新闻稿，PDF）光电二极管的功能光电二极管的应用• 高速运行• 上升时间：从15 ps开始• 带宽：高达25 GHz• 光谱范围：170-2600 nm（紫外线到红外线）• 紧凑式设计• 电池或外接电源• 自由空间光束模型，或带有FC / PC插座或带有SM光纤的尾纤• 脉冲形式测量• 脉冲持续时间测量• 同步• 模式跳动监控• 外差测量介绍UPD系列超快光电二极管UPD系列超快光电探测器适合测量DC至25 GHz的光波形。各种型号的上升时间短至15 ps，并且覆盖170至2600 nm的光谱范围。所有光电二极管均封装在紧凑的实心铝制外壳中，并可用电池或外部电源偏置。硅类光电探测器的紫外线扩展版是覆盖170至1100 nm光谱范围的商业产品。另一类特别的对紫外线敏感的InGaAs光电探测器可用于探测350至1700 nm范围内的激光脉冲，因此具有较宽的光谱范围和较快的市售速度。阻抗匹配和微波技术可确保对脉冲形式进行测量，而不会产生振铃或伪影。客户可以自由使用50Ω端接电阻来实现高速操作，也可以自由使用高阻抗负载来获取大信号。这保证了针对各种应用的较大灵活性。结合我们的BBA系列宽带高增益放大器，高速光电检测器是昂贵的雪崩光电二极管的有利替代品。UPD系列高速光电探测器是激光和光子学研究不可或缺的工具。新的光电探测器型号可用：上升时间更快和波长范围更广UPD-15-IR2-FC：超快InGaAs PIN光电探测器，上升时间 25 GHz，光谱范围800-1700 nm，光纤耦合输入，带FC / APC连接器UPD-35-IR2-P：UPD-35-IR2-D：超快速InGaAs PIN光电探测器，上升时间 10 GHz，光谱范围800-1700 nm，带有抛光或漫射窗口UPD-35-UVIR-P：UPD-35-UVIR-D：超快速InGaAs PIN光电探测器，上升时间 10 GHz，光谱范围350-1700 nm，带有抛光或漫射窗口UPD-50-SP：UPD-50-SD，UPD-50-UD，UPD-50-UP：超快速Si PIN光电探测器，上升时间50 ps，下降时间50 ps，带宽 7 GHz，光谱范围170-1100 nm或320-1100 nm，带有抛光或漫射窗口UPD-100-IR1-P：超快Ge光电探测器，上升时间UPD-3N-IR2-P：快速InGaAs光电探测器，红外范围扩展到2.1 µm，上升时间150 psUPD-5N-IR2-P：快速InGaAs光电探测器，扩展的红外范围高达2.6 µm，上升时间为200 ps超快光电二极管（UPD系列）光电探测器型号上升时间（ps）带宽（GHz）光谱范围（nm）量子效率@峰值敏感区域（直径µm/ mm2）等效噪音功率（W /√Hz）暗电流（nA）材料光学输入/窗口类型射频输出连接器UPD-15-IR2-FC 25800 - 170075%Fiber, 9 µm1.0 × 10-150.1InGaAsFiber w.FC/APC 5)SMAUPD-30-VSG-P 10320 - 90040%200x200/0.043.0 × 10-150.1GaAsPolished,glassSMAUPD-35-IR2-P 10800 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAsPolished,glassSMAUPD-35-IR2-D 10800 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAsDiffuse,quartzSMAUPD-35-IR2-FR 10800 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAsFC/PCreceptacle 5)SMAUPD-35-IR2-FC 10800 - 170080%Fiber, 9 µm1.0 × 10-150.3InGaAsFiber w.FC/APC 5)SMAUPD-35-UVIR-P 10350 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAs4)Polished,MgF2SMAUPD-35-UVIR-D 10350 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAs4)Diffuse,quartzSMAUPD-40-VSI-P 8.5500 - 169040%200x200/0.043.0 × 10-105000InGaAsPolished,glassSMAUPD-40-IR2-P 8.5800 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAsPolished,glassSMAUPD-40-IR2-D 8.5800 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAsDiffuse,quartzSMAUPD-40-IR2-FR 8.5800 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAsFC/PCreceptacle 5)SMAUPD-40-IR2-FC 8.5800 - 170080%Fiber, 9 µm1.1 × 10-150.5InGaAsFiber w.FC/APC 5)SMAUPD-40-UVIR-P 8.5350 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAs4)Polished,MgF2SMAUPD-40-UVIR-D 8.5350 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAs4)Diffuse,quartzSMAUPD-50-SP 7.0320 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001SiPolished,glassSMAUPD-50-SD 7.0320 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001SiDiffuse,quartzSMAUPD-50-UP 7.0170 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001Si4)Polished,MgF2SMAUPD-50-UD 7.0170 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001Si4)Diffuse,quartzSMAUPD-70-IR2-P 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsPolished,glassSMAUPD-70-IR2-D 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsDiffuse,quartzSMAUPD-70-IR2-FR 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsFC/PCreceptacle 5)SMAUPD-70-IR2-FC 5.0800 - 170080%Fiber, 9 µm2.0 × 10-150.8InGaAsFiber w.FC/APC 5)SMAUPD-70-UVIR-P 5.0350 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAs4)Polished,MgF2SMAUPD-70-UVIR-D 5.0350 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAs4)Diffuse,quartzSMAUPD-100-IR1-P 3.0400 - 200080%80/0.0053.0 × 10-13700GePolished,glassSMAUPD-200-SP 2.0320 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001SiPolished,glassBNCUPD-200-SD 2.0320 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001SiDiffuse,quartzBNCUPD-200-UP 2.0170 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001Si4)Polished,MgF2BNCUPD-200-UD 2.0170 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001Si4)Diffuse,quartzBNCUPD-300-SP 1.0320 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01SiPolished,glassBNCUPD-50-SP 7.0320 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001SiPolished,glassSMAUPD-50-SD 7.0320 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001SiDiffuse,quartzSMAUPD-50-UP 7.0170 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001Si4)Polished,MgF2SMAUPD-50-UD 7.0170 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001Si4)Diffuse,quartzSMAUPD-70-IR2-P 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsPolished,glassSMAUPD-70-IR2-D 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsDiffuse,quartzSMAUPD-70-IR2-FR 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsFC/PCreceptacle 5)SMAUPD-70-IR2-FC 5.0800 - 170080%Fiber, 9 µm2.0 × 10-150.8InGaAsFiber w.FC/APC 5)SMAUPD-70-UVIR-P 5.0350 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAs4)Polished,MgF2SMAUPD-70-UVIR-D 5.0350 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAs4)Diffuse,quartzSMAUPD-100-IR1-P 3.0400 - 200080%80/0.0053.0 × 10-13700GePolished,glassSMAUPD-200-SP 2.0320 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001SiPolished,glassBNCUPD-200-SD 2.0320 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001SiDiffuse,quartzBNCUPD-200-UP 2.0170 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001Si4)Polished,MgF2BNCUPD-200-UD 2.0170 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001Si4)Diffuse,quartzBNCUPD-300-SP 1.0320 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01SiPolished,glassBNCUPD-300-SD 1.0320 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01SiDiffuse,quartzBNCUPD-300-UP 1.0170 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01Si4)Polished,MgF2BNCUPD-300-UD 1.0170 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01Si4)Diffuse,quartzBNCUPD-500-SP 0.6320 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01SiPolished,glassBNCUPD-500-SD 0.6320 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01SiDiffuse,quartzBNCUPD-500-UP 0.6170 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01Si4)Polished,MgF2BNCUPD-500-UD 0.6170 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01Si4)Diffuse,quartzBNCUPD-3N-IR2-P6) 0.46)800 - 210075%300/0.071.5 × 10-1390InGaAsPolished,glassBNCUPD-5N-IR2-P6) 0.36)800 - 260070%300/0.077.0 × 10-132000InGaAsPolished,glassBNCUPD-2M-IR2-P 0.004900 - 170080%2000/3.144.0 × 10-145InGaAsPolished,glassBNCUPD-2M-IR2-P-1TEC3) 0.004900 - 170075%2000/3.141.0 × 10-140.3InGaAsPolished,glassBNC注意：1）漫射窗降低了定位精度要求，并以降低的灵敏度为代价将损伤阈值提高了大约2倍。 三到五。仅推荐用于高峰值功率激光器。2）该模型的输出为负。 所有其他型号默认情况下都具有正输出，但如果需要，也可以订购负输出。3）带TEC冷却模块，非标准外壳。4）具有增强的蓝/紫外线敏感性的改性材料。5）与可选的滤光片支架不兼容。6）大大提高了性能。UPD系列光电探测器的电源相关产品• 低噪声电源，输入：230 V AC（欧洲标准）PS-UPD-12-EU：输出：12 V DC• 低噪声电源，输入：100-240 V AC（通用）PS-UPD-6-WW：输出：6 V DCPS-UPD-9-WW：输出：9 V DCPS-UPD-12-WW：输出：12 V DC• BAT-UPD-6V：偏置电池，6 V• 宽带放大器BBA系列（幅度增益：×10，×100或可变×1÷100）• BNC 50Ω终端负载• SMA（公头）到BNC（母头）适配器• SMA转SMA适配器• 衰减滤光片适配器
    供应商： 江阴韵翔光电技术有限公司
    品牌： 韵翔
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