雪崩探测器

武汉东隆科技为意大利Micro Photon Devices的中国区独家代理，欢迎您来电垂询！单光子雪崩探测模块 SPADPDM光子计数探测器的的探测效率为49%，具有快速时间响应，和优良的反应效率。该探测器的有效探测范围直径有20、50和100μm可选。覆盖波长是400nm到1100nm。该产品的设计使探头在长时间日光照射下也不会损坏。其优良的性能可以在很多应用上代替光电倍增管来使用。响应时间在50ps，配合光子计数卡来使用可以做短脉冲激光器的研究。 产品特点时间分辨率50ps (FWHM) 探测效率高达49% 有效探测面直径有20，50，100μm可选 超稳定的高计数率 可选光纤耦合接口，耦合效率80% 独有的源自于意大利的iAQC探测技术 帕尔贴制冷 主要应用时间分辨荧光荧光寿命成像荧光能量共振转移DNA和药物发明单分子光谱和超灵敏荧光分析荧光上转换LIDAR、遥感等量子密钥通信，量子纠缠等参数波段范围 400 – 1000 nm 有效探测面积直径 20μm，50μm，100μm可选暗计数 5cps、25cps、50cps、100cps、250cps、500cps（根据不同有效探测面积直径可选）探测效率 49% @ 550nm；典型值时间分辨率 35ps （FWHM) 典型值后脉冲效应 0.1-3% 死时间 77ns 武汉东隆科技为意大利Micro Photon Devices的中国区独家代理，欢迎您来电垂询！

铟镓砷InGaAs单光子盖革雪崩探测器

硅雪崩光电探测器，可变增益，温度补偿连续可变增益温度补偿，在18 - 28 °C的温度范围上M因子的稳定性≤±3%SM05内螺纹和SM1外螺纹，可安装光纤转接件、透镜套管和其它组件包含电源这些雪崩光电探测器具有可变增益，通过外壳右侧的旋钮进行控制。与上方的APD130A探测器一样，这些探测器具有集成热敏电阻，它通过调节雪崩光电探测器两端的偏置电压，在23 ± 5 °C的温度范围内可将M因子的稳定性维持在±3%或更好。相比于上面的标准APD和温度可控的APD，APD430A2和APD430A还提供从DC至400 MHz的更大可用带宽。APD410A2和APD410A的可用带宽略小(DC至10 MHz)，但是灵敏度更高。APD440A2和APD440A探测器提供高跨阻抗增益，最大带宽为100 kHz。机械连接和电连接的方向，以及薄型外壳设计，确保了这些探测器可装在狭小空间中。外壳上有三个8-32(M4)安装孔，每侧面上一个，进一步确保它可以轻松集成到复杂的机械装置中。外壳还兼容SM05和SM1透镜套管。包含一个SM1内螺纹的盖子。光纤耦合注意事项：对于光纤耦合应用，我们不推荐使用Thorlabs带APD410A2(/M)、APD430A2(/M)和APD430A的S120-FC等光纤接头转接件，因为探测器的尺寸较小。可能会出现较高的耦合损耗以及频率响应降低。为了实现高耦合效率，可使用光纤准直器、聚焦透镜和X-Y平移调整架。

一,Si雪崩平衡探测器 BAPD系列 400-1100nmSi雪崩平衡探测模块集成了低噪声APD探测器、低噪声宽带跨阻放大器、超低噪声隔离电源、高压电源、 APD 温度补偿；隔离电源供电确保输出信号不受外部供电电源的影响；APD温度补偿提高探测模块的稳定性。Si雪崩平衡探测器 BAPD系列 400-1100nm ,Si雪崩平衡探测器 BAPD系列 400-1100nm通用参数产品特点噪声低高增益内置高压电源APD温度补偿结构紧凑内置低噪隔离电源产品应用光纤传感纤通信激光测距光谱测量产品参数产品型号BAPD-100M-BBAPD-200M-BBAPD-300M-BBAPD-400M-BBAPD-500M-BBAPD-1G-BBAPD-2G-B单位探测器类型Si波长400~1100nm带宽100M200M300M400M500M1G2GHz探测器响应度25252525252525A/W@850nm跨阻增益300K300K300K300K300K300K300KV/W输出阻抗50505050505050ΩNEP0.180.180.180.180.180.180.2pW/√(Hz)输出耦合方式 DC/AC DC/AC DC/AC DC/AC DC AC AC供电电压555551212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光学输入FC/APC(自由空间光可选)射频输出SMA外形尺寸80*90*25mm二, Si雪崩单元探测器 APD系列 400-1100nmSi雪崩单元探测模块集成了低噪声APD探测器、低噪声宽带跨阻放大器、超低噪声隔离电源、高压电源、APD温度补偿；隔离电源供电确保输出信号不受外部供电电源的影响；APD温度补偿提高探测模块的稳定性。雪崩光电探测器具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声等特点Si雪崩单元探测器 APD系列 400-1100nm,Si雪崩单元探测器 APD系列 400-1100nm通用参数产品特点噪声低高增益内置高压电源APD温度补偿结构紧凑内置低噪隔离电源产品应用光纤传感光纤通信激光测距光谱测量ns 级光脉冲探测产品参数产品型号APD-100M-BAPD-200M-BAPD-300M-BAPD-400M-BAPD-500M-BAPD-1G-BAPD-2G-B单位探测器类型Si波长400~1100nm带宽100M200M300M400M500M1G2GHz响应度25252525252525A/W@850nm跨阻增益300K300K300K300K300K300K300KV/W输出阻抗50505050505050Ω饱和功率13131313131330uWNEP0.180.180.180.180.180.20.2pW/√(Hz)输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACAC供电电压555551212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光学输入FC/APC（自由空间光可选）射频输出SMA外形尺寸65*50*20mm三,硅 Si 放大型 光电探测器 320-1100nm (DC-5MHz/200kHz)光电探测器是一种额定带宽，固定增益的光电探测器，用于检测光信号。光信号从光电sensor感应面输入，输出通过BNC以电压形式输出。本产品能测量800nm到1700nm波长范围的光信号。具体性能参数数据参考附录表格。LD-PD光电探测器外壳带有英制1/4"-20螺纹的安装孔，可以方便的安装固定。 外壳部分还附带两种不同尺寸的螺纹接圈，这两种螺纹接圈分别适合于工业应用和科研应用，可以方便适配外部光学部件，如滤光片，衰减片，镜头，FC光纤转接盘等。该产品包含一个塑料防尘盖。具体安装请参考阅读第三章节。 每个光电探测器都配有一个输出±9V的直流线性电源，该直流电源的输入额定电压为220VAC/50HZ。硅 Si 放大型 光电探测器 320-1100nm (DC-5MHz/200kHz),硅 Si 放大型 光电探测器 320-1100nm (DC-5MHz/200kHz)通用参数产品特点：低噪声，小于±lmV过冲小，过冲电压小于2.5%增益稳定：增益误差小于1%暗偏置电压输出噪声：小于ImV (rms)应用领域：&bull 显示面板检测&bull LED照明频闪分析&bull 玩具灯闪烁频率及功率测量&bull 气体分析参数PN#PDAM005B-SiPDAM36A5B6G-SIPDAM20A6B4G-InGaAs电器特性输入电压±9VDC, 60mA±9VDG 100mA±9VDC. 100mA探头Silicon PINSilicon PINInGaAs PIN感光面2.65mm * 2.65mm3.6mm * 3.6mmDiameters@2 mm波长400 nm - 1100 nm320 nm - 1100 nm800 nm - 1700 nm(Optional Extended(可选扩展) 2600nm)峰值响应0.62A/W @850nm0.6 A/W @960nm0.9 A/W@1550nm43.6mV/uW @850nm1 mV/nW @960nm9mV/uW@1550nm饱和光功率113pW@ 850nm (Hi-Z)6uW @960nm (Hi-Z)660 uW@1550nm (Hi-Z)带宽DC &bull -5MHzDC - 200kHzDC - 5MHzNEP7.2 pW/4HZ1/22.2 pW/HZ1/264.5 pW/HZ1/2输出噪声（RMS）700 uV1 mV ・ typ1.3 mV .typ暗电流偏置（MAX）±5 mV±1 mV±5 mV上升沿/下降沿（10%—90%）65 ns1.7 us68ns输出电压Hi-Z0- SV (Hi-Z)0-6V (Hi-Z)0-6V (Hi-Z)5000 &bull 2.5V (50ohm)0 &bull 25V (50ohm)0 &bull 25V (50ohm)增益倍数Hi-Z67.5 kV/A1.68 MV/A10 kV/A50033.8 kV/A0.84 MV/A5kV/A增益精度（typ）±1%±1%±1%其他参数拨动开关拨动开关拨动开关输出接口BNCBNCBNC尺寸53*50*50mm53*50*50mm53*50*50mm重量150g150g150g操作温度10-50deg10-50deg10-50deg存储温度・ 25°C - 70°C-25°C - 70°C-25°C - 70°C 硅基光电探测器，带放大，固定增益,型号参考目录波长带宽上升时间增益RMS噪声NEP感应面积工作温度电源Hi-Z 负载50Ω 负载PDA12A8B4G-VIS400 - 1100 nmDC - 140MHz2.5 nS1*104 V/A5*103 kV/A850µ V .typ2*10-11 W/√HZ1.2mm*1.2 mm10-50℃包含（±9V）PDA12A7B4G-VIS400 - 1100 nmDC - 50MHz7 nS5*104 V/A2.5*104 kV/A800µ V .typ6.3*10-12 W/√HZ1.2mm*1.2 mm10-50℃包含（±9V）PDA25A6B4G-VIS400 - 1100 nmDC - 5MHz68 nS1*105 V/A5*104 V/A700µ V .typ5.3*10-12 W/√HZ2.5mm*2.5 mm10-50℃包含（±9V）PDA36A5B6G-VIS320 - 1100 nmDC - 200KHZ1.7 µ S1.68*106 V/A8.4*105 V/A1mV .typ2.2*10-12 W/√HZ3.6mm*3.6mm10-50℃包含（±9V）PDA25A4B8G-VIS400 - 1100 nmDC - 20KHZ18 µ S1*108 V/A—1.5mV .typ1.8*10-13 W/√HZ2.5mm*2.5 mm10-50℃包含（±9V）四,硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 C12702系列 200 -1000nmAPD 是具有通过施加反向电压产生的内部增益的光电二极管。它们具有比 PIN 光电二极管更高的信噪比 (SNR)，以及快速的时间响应、低暗电流和高灵敏度。光谱响应范围通常在 200 - 1150 nm 范围内。 C12702-12为短波型，有效面积：Φ3.0 mm APD 模块专为方便使用 Si APD 而设计。硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 C12702系列 200 -1000nm,硅 Si 高灵敏度雪崩光电二极管APD模块 C12702系列 200 -1000nm通用参数特点使用高灵敏度Si APD。有四种类型，具有不同的光谱响应范围和感光区域。针对APD评估优化的高灵敏度检测板。APD和高速电流电压放大器电路安装在紧凑的电路板上。高速电流-电压放大器电路具有低噪声配置，是APD信号读出的理想选择，工作速度快，灵敏度高。易于操作,单个5 V电源操作内置温度补偿偏置电压电路通过热传感器控制偏置电压，以保持APD增益恒定。增益稳定到±2.5%典型值。在25±10°C的环境温度下，通常高压电源固有的波纹噪声也被最小化。小巧轻便电路板大小不超过名片大小，重量仅37克。定制设计的模块具有不同的尺寸和规格产品应用APD评估空间透光条形码阅读器激光雷达光学测距仪光通信型号参考 Type no.感光面积（mm）频率带宽-3 dB（Hz） Type of APD峰值灵敏度波长（nm）C12702-03&varphi 1.04 k to 100 MStandard type800C12702-04&varphi 3.04 k to 80 MC12702-11&varphi 1.04 k to 100 MShort-wavelength type620C12702-12&varphi 3.04 k to 40 M注意：装运前，增益（M）预设为30。(Note: Gain (M) is preset to 30 prior to shipping.)结构/绝对最大额定值 Type No. 感光面积（mm） 电源电压 VCurrent consumption (mA)消耗电流 电路板尺寸 (mm) 输出阻抗 (Ω)Weight (g)Absolute maximum ratings绝对最大额定值Supply voltage(V)Maximum Incident light level(mW)最大入射光水平工作温度Topr(°C)储存温度Tstg(°C)Min.Typ.Max.Typ.Max.C12702-03&varphi 1.0 +4.75 +5 +5.25 +50 +80 80 × 50 × 22 50 37 +7 10 0 to +60 -20 to +70C12702-04&varphi 3.0C12702-11&varphi 1.0C12702-12&varphi 3.0注：即使是暂时超过绝对最大额定值，也可能导致产品质量下降。始终确保在绝对最大额定值范围内使用产品。电气和光学特性（典型Ta=25°C，Vcc=5 V，除非另有说明）光电转换器部分（APD） Type No.光谱响应范围λ(nm)峰值灵敏度波长λp(nm)光敏性 SM=1 (A/W)增益温度稳定性*1 25 °C ± 10 °C, M=(%)λ=800 nmλ=620 nmTyp.Max.C12702-03400 to 10008000.5- ±2.5 ±5C12702-04C12702-11200 to 1000620-0.42C12702-12高速放大器部分 Type No截止频率-3 dB噪声等效功率NEP(pW/Hz1/2) 反馈电阻(kΩ) 光电灵敏度*1including APD, M=30 (104 V/W) 最小定向限制 (nW rms)High bandLow bandλ=800 nmλ=620 nmMin. (MHz)Typ. (MHz)Min. (kHz)Typ. (kHz)Typ.Max.Typ.Max.Min.Typ.Max.Min.Typ.Max.C12702-0390100 3 40.30.6--9.1-6.4-6.8-7.1-3.06.0C12702-0470800.40.8--3.0-2.1-2.3-2.4-3.67.2C12702-1190100--0.51.03.9-2.3-2.5-2.7-5.010.0C12702-123040--1.02.03.0-1.8-1.9-2.0-6.312.6*1： 装运前，增益预设为30。(*1: Gain is preset to 30 prior to shipping.)五, SI硅光电探测器模块320-1100nm 直径 1.2mmC3A系列光电检测模块将光电二极管，放大电路和电源调理电路集成在一个小型化的模块内。不仅适用于各种实验室光学系统的搭建，也适用于在用户产品中进行集成。模块安装方便，并可实现光路的密封。模块可使用宽范围正负电源进行工作，模块内部含有线性整流电路以降低输入噪声并提高信噪比。系列内可选不同的类型、尺寸和速度的光电二极管，诸如Si或InGaAs。 采用1 mm2 硅光电二极管的模块典型输出特性为 ±3V, 0~25MHz (正负5V电源时)。 SI硅光电探测器模块320-1100nm 直径 1.2mm,SI硅光电探测器模块320-1100nm 直径 1.2mm技术参数产品特点● 尺寸小巧● 4个φ6mm通孔实现同轴安装● 可实现光密和气密● 多种传感器选择● 可切换的20dB增益● 宽电源输入: ±5至±20V产品应用● Q调制激光器监控● 锁模激光器输出监控● 微弱可见光探测器项目数值光电探测器Si探测器光敏面大小φ1.2mm (1.1 mm2)光学窗口Plane borosilicate glass响应波长范围320 – 1100nm峰值波长960nm灵敏度0.45A/W @660nm 0.55A/W @830nm方向性±60º NEP6*10-15 W/Hz1/2工作带宽0 ~ 25MHz跨阻增益50k V/A @ 0dB Gain500k V/A @20dB Gain输出电压范围0~+3V (into Hi-Z)0~+1.5V (into 50Ω)输出阻抗50Ω输入工作电压V+: +5 ~ +20VV- : -5 ~ -20V工作温度10~50 º C最大压力差±50kPa响应光谱C3A-S1010光电探测器尺寸

一 , InGaAs超低噪平衡探测器 UBD-A 800-1700nm总览UBD系系列超低噪平衡探测模块是原MBD系系列基础上升级产品，相比较原MBD系列在其他参数相同条件下其本底噪声显著降低，在相同带宽以及增益条件下，其本底噪声约为MBD系列模块三分之一，因此灵敏度更高，信噪比更高.InGaAs超低噪平衡探测器 UBD-A 800-1700nm,InGaAs超低噪平衡探测器 UBD-A 800-1700nm通用参数产品特点超低噪声高增益高带宽结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域分布式光纤传感激光测风雷达光学相干层析光谱测量级光脉冲探测产品参数产品型号UBD-100M-AUBD-200M-AUBD-300M-AUBD-400M-AUBD-500M-AUBD-800M-AUBD-1G-AUBD-1.2G-AUBD-1.5G-AUBD-2G-AUBD-2.5G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500M800M1G1.2G1.5G2G2.5GHz探测器响应度0.950.950.950.950.950.950.950.950.950.950.95A/W@1550nm跨阻增益30K30K30K20K10K30K30K30K30K30K30KV/W最大输入光功率140140140210420140140140140140140μWNEP2.52.52.52.93.13.13.13.13.13.13.1pW/Sqrt(Hz)共模抑制比3030303030303030303030dB输出阻抗5050505050505050505050Ω输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACACACACACAC供电电压55555121212121212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光学输入FC/APC（自由空间可选）射频输出SMA外形尺寸80*90*25mm测试结果300MHz带宽相应曲线超低噪平衡探测器与常规平衡探测器底噪对比八 , ULN-PDB 超低噪声平衡光电探测器 (直流耦合 100 MHz 增益3.9kV/A)ULN-PDB 模块是一种即插即用型超低噪声平衡光电探测器，封装紧凑，使用方便。它采用 InGaAs、Si 或 GaAs 光电二极管，在直流耦合版本中，带宽为 100 MHz，增益高达 3.9 kV/A。ULN-PDB 超低噪声平衡光电探测器 (直流耦合 100 MHz 增益3.9kV/A),ULN-PDB 超低噪声平衡光电探测器 (直流耦合 100 MHz 增益3.9kV/A)通用参数参数输出端数量2跨阻抗增益3.9 kV/A (x1) 和 39 kV/A (x10) 输出阻抗 50 Ω带宽100 MHz输出连接器SMA 母头输入连接器FC输出电压范围-3 V 至 +3 V输入插头P1J产品尺寸71 x 48 x 29 mm3产品重量约 300 克其它双色 LED 显示屏x1 通道和 500 µ W 光功率下输出的典型电压噪声功率谱密度：(受限于测量本底噪声）二,铟镓砷 InGaAs光电平衡探测器 MBD-A系列 800-1700nm总览高速低噪声光电平衡探测模块集成了两个匹配的低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声电源。具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声、高共模抑制比等特点，可以有效的减少信号的共模噪声，提高系统的信噪比。铟镓砷 InGaAs光电平衡探测器 MBD-A系列 800-1700nm,铟镓砷 InGaAs光电平衡探测器 MBD-A系列 800-1700nm通用参数产品特点 噪声低 高增益 高带宽 结构紧凑 内置低噪隔离电源产品应用分布式光纤传感激光测风雷达光学相干层析光谱测量ns 级光脉冲探测产品参数产品型号MBD-100M-AMBD-200M-AMBD-300M-AMBD-400M-AMBD-500M-AMBD-800M-AMBD-1G-AMBD-1.5G-AMBD-2G-AMBD-2.5G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500M800M1G1.5G2G2.5GHz探测器响应度0.950.950.950.950.950.950.950.950.950.95A/W@1550nm跨阻增益30K30K30K10K5K30K30K30K15K15KV/A最大输入光功率140140140420840140140140280280μWNEP5557799999pW/Sqrt(Hz)输出阻抗50505050505050505050Ω输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACACACACDC供电电压555551212121212V供电电流0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)A光学输入FC/APC（自由空间光可选）射频输出SMA外形尺寸62*47*2575*55*25mm测试结果相干探测分布式光纤传感三,铟镓砷 InGaAs 蝶形封装低噪声光电平衡探测器 1100~1700nm总览铟镓砷 InGaAs 蝶形封装低噪声光电平衡探测器 1100~1700nm铟镓砷 InGaAs 蝶形封装低噪声光电平衡探测器 1100~1700nm,铟镓砷 InGaAs 蝶形封装低噪声光电平衡探测器 1100~1700nm通用参数产品特点：蝶形封装高带宽 DC~400MHz高增益 60KV/A；低噪声应用领域： 分布式光纤传感 ,包含ψ-OTDR,C-OTDR,DAS等激光测风雷达光学相干层析其他应用参数表型号XBD-200M-60K-A参数范围单位波长1100~1700nm带宽200MHz探测器响应度0.95@1550nmAw探测器类型lnGaAs跨阻增益*160Kv/A饱和输入光功率60uwNEP5pW/Sqrt(Hz)输出阻抗50共模抑制比25dB输出耦合方式*2AC/DC供电电压5v供电电流0.2(max)A外形尺寸蝶形封装光学输入FC/APC射频输出MCX*1：表中给出的是常规放大倍数，其它放大倍数可以根据客户需求进行定制；*2：耦合方式可以根据客户需求来确定；外形尺寸图（单位：mm)四,铟镓砷 InGaAs 相干接收模块 集成光电平衡探测器光纤耦合器 800~1700nm总览筱晓光子针对光学相干检测应用研发了高速低噪声模拟相干接收模块。svdc power coherent receiver module模块内部集成了高速低噪声模拟光电平衡探测器以及高品质光纤耦合器。制作过程对耦合器分光比以及长度进行严格控制，从而进一步提高共模抑制比。在相干接收基础上，为进一步提高光学信噪比，高信噪比相干接收模块集成了一个低噪声小信号光纤放大器，用来放大微弱后向散射光信号。该模块适合于光纤传感、激光测风雷达等领域。包含 CRM-100M-A CRM-200M-A CRM-350M-A CRM-800M-A CRM-1.6G-A等型号铟镓砷 InGaAs 相干接收模块 集成光电平衡探测器光纤耦合器 800~1700nm,铟镓砷 InGaAs 相干接收模块 集成光电平衡探测器光纤耦合器 800~1700nm产品特点● 高宽带● 高增益● 低噪声● 内置低噪隔离电源产品应用● 光纤传感● 激光测风雷达● 光学相干层析● 光谱测量技术参数产品型号CRM-100M-ACRM-200M-ACRM-350M-ACRM-800M-ACRM-1.6G-A单位波长800~1700800~1700800~1700800~1700800~1700nm带宽DC-100MDC-200MDC-350MAC-800MAC-1.6GHZ探测器响应度0.95@1550nm0.95@1550nm0.95@1550nm0.95@1550nm0.95@1550nmA/W跨阻增益30k(60k)30k(60k)30k30k30kV/A光输入Local＜5＜5＜5＜5＜5mWSignal200300300300300uW供电电压5551212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光纤类型SMF-28(PM可选）光学输入FC/APC射频输出SMA外形尺寸80*80*30mm相关测试数据200MHz拍频信号（示波器数据）典型应用领域相干探测分布式光纤传感光纤上PZT振动点解调相位（1KHz）五,铟镓砷 InGaAs 程控增益可调平衡探测器 800-1700nm总览筱晓光子自主研发了目前市场上优秀的程控增益光电平衡探测器，该探测器通过软件方便快捷调节增益，增益调节范围高达31dB，最大增益高达60KV/A。在增益调节过程中，调节速度快，噪声低，输出信噪比以及信号带宽不受影响，特别适用于科研、设备集成。产品型号 ABD-100M-A ABD-200M-A ABD-350M-A ABD-800M-A ABD-1.6G-A铟镓砷 InGaAs 程控增益可调平衡探测器 800-1700nm,铟镓砷 InGaAs 程控增益可调平衡探测器 800-1700nm产品特点● 增益可调(软件调节)● 增益调节范围大(0~31dB)● 无信噪比劣化● 高增益(60KV/A)● 低噪声、高带宽● 操作方便产品应用● 分布式光纤传感● 激光测风雷达● 光学相干层析● 光谱测量● ns 级光脉冲探测技术参数产品型号ABD-100M-AABD-200M-AABD-350M-AABD-800M-AABD-1.6G-A单位波长800~1700800~1700800~1700800~1700800~1700nm带宽DC-100MDC-200MDC-350MAC-800MAC-1.6GHZ探测器响应度0.95@1550nm0.95@1550nm0.95@1550nm0.95@1550nm0.95@1550nmA/W增益调节范围0~310~310~310~310~31dB增益调节步进11111dB跨阻增益30k30k30k30k30kV/A饱和输入光功率100150150150150μWNEP55599pW/Sqrt(Hz)输出阻抗5050505050Ω输出耦合方式ACACACACAC供电电压5551212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光学输入FC/APCFC/APCFC/APCFC/APCFC/APC射频输出SMASMASMASMASMA外形尺寸80*80*3080*80*3080*80*3080*80*3080*80*30mm相关测试数据与国外Thorlabs公司产品底噪对标测试底噪10mVpp200MHz拍频信号（示波器数据）典型应用领域相干探测分布式光纤传感光纤上PZT振动点解调相位（1KHz）六,铟镓砷 InGaAs 光电平衡探测器 BPD系列 800-1700nm总览C3A-I1700LA1高速低噪声光电平衡探测模块集成了两个匹配的超低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声电源。具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声、高共模抑制比等特点，可以有效的减少信号的共模噪声，提高系统的信噪比。产品型号 BPD-100M-A BPD-200M-A BPD-350M-A BPD-800M-A BPD-1.6G-A铟镓砷 InGaAs 光电平衡探测器800-1700nm,铟镓砷 InGaAs 光电平衡探测器800-1700nm通用参数产品特点● 噪声低● 高增益● 高带宽● 结构紧凑● 内置低噪隔离电源产品应用● 分布式光纤传感● 激光测风雷达● 光学相干层析● 光谱测量● ns 级光脉冲探测技术参数产品型号BPD-100M-ABPD-200M-ABPD-350M-ABPD-800M-ABPD-1.6G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700800~1700800~1700800~1700800~1700nm带宽DC-100MDC-200MDC-350MAC-800MAC-1.6GMHZ探测器响应度0.95@1550nm0.95@1550nm0.95@1550nm0.95@1550nm0.95@1550nmA/W跨阻增益60k(30可选)30k(60k可选)30k(60k可选)30k(700k可选)30k(700k可选)V/A饱和输入光功率100150150150/2000150/2000μWNEP55599pW/Sqrt(Hz)输出阻抗5050505050Ω输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACACAC供电电压5551212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光学输入FC/APCFC/APCFC/APCFC/APCFC/APC射频输出SMASMASMASMASMA外形尺寸62x47x2562x47x2562x47x2562x47x2562x47x25mm相关测试数据与国外Thorlabs公司产品底噪对标测试底噪10mVpp200MHz拍频信号（示波器数据）七,铟镓砷 InGaAs 雪崩平衡探测器 (800~1700nm)总览雪崩光电平衡探测模块集成了低噪声APD探测器、低噪声宽带 跨阻放大器、超低噪声隔离电源、高压电源、APD温度补偿；隔离 电源供电确保输出信号不受外部供电电源的影响；APD温度补偿提 高探测模块的稳定性。雪崩光电探测器具有高增益、高灵敏度、高 带宽、低噪声等特点。铟镓砷 InGaAs 雪崩平衡探测器 (800~1700nm) ,铟镓砷 InGaAs 雪崩平衡探测器 (800~1700nm)通用参数产品特点噪声低高增益内置高压电源APD温度补偿结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域： 光纤传感光纤通信激光测距光谱测量产品参数产品型号BAPD-100M-ABAPD-200M-ABAPD-300M-ABAPD-400M-ABAPD-500M-ABAPD-600M-ABAPD-800M-ABAPD-1G-ABAPD-1.2G-ABAPD-1.5G-ABAPD-2G-ABAPD-2.5G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500M600M800M1G1.2G1.5G1.5G2.5GHz探测器响应度999999999999A/W@1550nm跨阻增益300K300K300K100K50K50K300K300K300K200K150K150KV/W饱和光功率131313397878131313202020uW输出阻抗505050505050505050505050ΩNEP0.460.460.460.460.460.460.460.460.460.460.460.46pW/√(Hz)输出耦合方式 DC/AC DC/AC DC/AC DC/AC DC AC AC AC AC AC AC AC供电电压555555121212121212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光学输入FC/APC(自由空间光可选)射频输出SMA外形尺寸80*90*25mm八,铟镓砷 InGaAs Koheron 100MHz 平衡探测器 900-1700nmKoheron PD100B是一款增益为39kV/A、带宽为100MHz、共模抑制比为35dB的放大平衡探测器。PD100B有交流和直流耦合版本，可安装InGaAs光电二极管或不安装光电二极管，是光学相干层析成像和激光探测等应用的理想选择。铟镓砷 InGaAs Koheron 100MHz 平衡探测器 900-1700nm, 铟镓砷 InGaAs Koheron 100MHz 平衡探测器 900-1700nm通用参数参数表PD100B-ACPD100B-DC探测器探测器类型InGaAs光电二极管InGaAs光电二极管波长范围900-1700nm900-1700nm输入光功率0 -1.5 mW0 -1.5 mW连接器类型FCFC光敏面直径300um300um峰值响应度0.9 A/W0.9 A/W跨阻放大器耦合方式ACDCDC截止频率160Hz小信号带宽（3dB,Cin=8pF)160 Hz to 100 MHz跨阻增益39 kV/A39 kV/A输出电压范围-3 V to 3 V-3 V to 3 V共模抑制比（CMRR at 1MHz）35 dB35 dB输入电流噪声强度（10MHz,Cin=8pF)8 pA/√Hz8 pA/√Hz输出阻抗50 Ω50 Ω输出连接器SMA female connectorSMA female connector电源正极电源电压5.5 V to 12 V, nom. 6 V5.5 V to 12 V, nom. 6 V负极电源电压-12 V to -5.5 V, nom. -6 V-12 V to -5.5 V, nom. -6 V每路静态电流25 mA25 mA每路Max. 电流120 mA120 mA其他外部尺寸63 mm x 38 mm x 14 mm63 mm x 38 mm x 14 mm工作温度0 °C to 50 °C0 °C to 50 °C重量21 g21 g机械细节与M6公制兼容面包板（25 mm间距）与M6公制兼容面包板（25 mm间距）功能图表征输出功率谱密度针对不同的入射光功率测量了 PD100B 输出的功率谱密度。指示功率是每个光电二极管的入射功率。光源为Koheron LD100 激光器，波长为 1550 nm。

kongtum.com KT-APR系列雪崩光电探测模块集成了高速响应的雪崩光电二极管（APD）、低噪声放大器及高压供电模块，光纤或自由空间耦合，SMA连接器输出，具有高增益、高灵敏度、增益平坦等特点，主要应用于微弱光信号接收、光纤传感系统、空间光通信等领域。产品特点&bull 光谱范围：320-1000、850-1650nm&bull 3dB带宽: 最高可至10GHz&bull 低噪声&bull 高增益应用领域&bull 弱光探测&bull 光纤传感系统&bull 空间光通信产品型号型号参数KT-APR-200MKT-APR-500MKT-APR-1GKT-APR-10G响应频率DC-200MHzDC-500MHz100KHz-1GHz100KHz-8GHz上升时间4ns1.5ns0.5ns0.05ns增益5.5×105 V/W4.2×104 V/W6×104 V/W5.2×104 V/W订货信息KTAPRXXXXXXX雪崩光探测模块Avalanche Photoreceiver-3dB 带宽：200M---200MHz500M---500MHz1G---1GHz工作波长：A---850~1650nm B---320~1000nm输入类型：FC光纤耦合FSFree space耦合类型：空--- 默认 500M 及 以 下 带 宽 为DC 耦合，1G 及以上带宽为 AC 耦合性能参数型号参数KT-APR-200M-AKT -APR-200M-B光谱响应范围850~1650nm320~1000nm材料类型InGaAsSi光输入光纤自由空间光纤自由空间光敏面直径-75um-75μm频率响应DC-200MHzDC-200MHz上升时间1.5ns1.5ns响应度0.9A/W@1550nm,M=10.5A/W@700nm,M=1增益11×104V/W55×104V/W噪声等效功率NEP1.5pw/√Hz0.4pw/√Hz饱和光功率30uW10uW灵敏度-42dBm-型号参数KT-APR-500M-AKT -APR-500M-B光谱响应范围850~1650nm320~1000nm材料类型InGaAsSi光输入光纤自由空间光纤自由空间光敏面直径-75um-75um-3dB带宽DC-500MHzDC-500MHz上升时间0.55ns0.55ns响应度0.9A/W@1550nm, M=10.5A/W@700nm,M=1增益18×103V/W42×103V/W噪声等效功率NEP35pw/√Hz65pw/√Hz饱和光功率100uW300uW型号参数KT-APR-1G-AKT-APR-1G-B光谱响应范围850~1650nm400~1000nm材料类型InGaAsSi光输入光纤自由空间光纤自由空间光敏面直径*-75um-75um频率响应DC-1GHzDC-1GHz上升时间0.5ns0.5ns响应度0.9A/W@1550nm,M=10.5A/W@700nm,M=1增益1.2×104V/W6×104V/W噪声等效功率NEP1.5pw/√Hz0.8pw/√Hz饱和光功率0.8mW0.4mW灵敏度-33dBm-36dBm极限条件：参数符号单位最小值典型值最大值PinmW10 VopV±13.5±15±16.5Topº C-1060Tstº C-4085RH%590特性曲线封装尺寸(mm)

单光子计数模块|硅APD探测模块SPDSi|Si-APD单光子探测器 单光子计数模块SPDSi是基于Si-APD的超灵敏光电探测器。探测波段覆盖200 -1060 nm，可工作在线性模式和盖革模式。盖革模式下增益超过60 dB。SPDSi特有的高性能主动抑制电路，可以实现连续的单光子探测，并且可加载任意宽度和周期的探测门。该电路实现了大于20 dB的雪崩抑制，从而将Si APD的性能发挥到最佳状态。在700 nm波段的探测效率超过60%，暗计数200-2000 cps，死时间小于50 ns。SPDSi标准型号的有效光敏探测面积最高可达500 um，单光子计数信号在模块内部转化为数字TTL信号，并通过SMA接口送出。高度集成的模块化设计便于OEM应用和工业集成。APD通过模块内部制冷工作在-20 ℃的低温环境下，以获得最佳的信噪比。制冷模块由高效的TEC控制。控制精度可达±0.2 ℃。技术特点： 高探测效率：65%@700 nm500 um光敏面积TTL数字信号输出低暗计数低后脉冲低时间抖动 应用领域： 荧光测量 激光测距量子通信 光谱测量光子关联 自适应光学 Fig1. 量子效率 Fig2. Si单光子探测器 Fig3. Si单光子探测器结构图 产品参数：参数规格 参数值单位供电电压*122 -28V供电电流0.5A光谱响应范围200 ----1060nm探测效率@200 nm@700 nm@850 nm@1060 nm 265453%暗计数200 -2000cps死时间50ns后脉冲3 - 8%时间抖动300 - 500ps饱和计数率*210Mcps光敏面积500umAPD制冷温度-20℃工作温度-15 - +50℃输出信号电平LVTTL 输出信号脉宽530ns门脉冲输入电平Disable=LVTTL lowEnable=LVTTL high 0-0.42 -3.3V产品说明：1.不正确的电压可能损坏模块，应保证接入电源不高于28V，并可提供足够电流。2.APD属于高灵敏光电探测器件，在雪崩状态下应控制输入光信号强度，过高的光强可能损坏APD，这种损害可能降低APD的探测灵敏度，严重时甚至会造成二极管击穿。3.在特殊的应用场景下，应保证模块的工作温度不超过50 ℃，过高的温度可能导致APD工作温度上升，从而引起暗计数水平升高。4.SPDSi的默认死时间为50ns。死时间设定会影响模块的最大计数率，当死时间设定在50ns时，最大计数率为10Mcps，如您的应用对死时间设定有特别要求，请在订购时与我们联系。5.同样，输出信号的脉宽也会影响最大计数率，典型脉宽为30 ns，如您的应用对输出信号有特别要求，请在订购时与我们联系。6.SPDSi支持空间和光纤接口接入。单光子探测器选型：

InGaAs单元探测器产品简介高速低噪声光电单元探测模块集成了低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声隔离电源单电源供电，输出信号不受外部供电电源的影响，具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声等特点。产品特点噪声低高增益高带宽结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域光纤传感光纤通信激光测距光谱测量ns 级光脉冲探测测试结果产品参数产品型号PD-100M-APD-200M-APD-300M-APD-400M-APD-500M-APD-600M-APD-800M-APD-1G-APD-1.2G-APD-1.5G-APD-2G-APD-2.5G-APD-5G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500M600M800M1G1.2G1.5G2G2.5G5GHz探测器响应度0.950.950.950.950.950.950.950.950.950.950.950.950.95A/W@1550nm跨阻增益30K30K30K10K5K5K30K30K30K20K15K15K3KV/A饱和光功率1401401404208408401401401402102802801400uWNEP5557789999999pW/Sqrt(Hz)输出阻抗50505050505050505050505050Q输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACACACACACACAC供电电压55555512121212121212V供电电流0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(maxA光学输入FC/APC(自由空间光可选)射频输出SMA外形尺寸65*50*2075*55*25mmInGaAs蝶形单元探测器产品简介蝶形封装单元探测器集成低噪声PIN探测器以及跨阻放大器，探测器采用单电源供电；在兼具原探测器模块性能基础上，其尺寸更小，重量更轻，功耗更低，特别符合目前设备系统集成小型化趋势需求。产品特点噪声低高增益高带宽小尺寸单电源供电应用领域光纤传感光纤通信激光测距光谱测量ns 级光脉冲探测产品参数产品型号DPD-100M-ADPD-200M-ADPD-300M-ADPD-400M-ADPD-500M-ADPD-600M-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500M600MHz探测器响应度0.950.950.950.950.950.95A/W@1550nm跨阻增益30K30K30K10K5K4KV/A最大输入光功率130130130390780970pWNEP555778pW/Sqrt(Hz)输出阻抗505050505050Q输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCDC供电电压5555512V供电电流0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)A光学输入FC/APC射频输出MCX(Female)外形尺寸25*22*10mmInGaAs超低噪单元探测器产品简介超低噪声光电单元探测模块集成了超低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声隔离电源单电源供电，输出信号不受外部供电电源的影响。该模块在本底噪声控制方面尤为突出，在相同参数下其本底噪声约为常规模块的三分之一，很好满足客户对更小信号探测以及更高信噪比的需求。产品特点噪声超低高增益高带宽结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域光纤传感光纤通信激光测距光谱测量ns 级光脉冲探测测试结果产品参数产品型号UPD-100M-AUPD-200M-AUPD-300M-A UPD-400MAUPD-500M-A UPD-600M-A UPD-800M-AUPD-1G-AUPD-1.2G-AUPD-1.5G-AUPD-2G-AUPD-2.5G-AUPD-5G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500M600M800M1G1.2G1.5G2G2.5G5GHz探测器响应度0.950.950.950.950.950.950.950.950.950.950.950.950.95A/W@1550nm跨阻增益30K30K30K20K15K15K30K30K30K30K30K30K6KV/W饱和光功率140140140420280280140140140420140140700jwNEP2.22.22.22.73.13.13.33.33.33.33.33.33.3pW/Sqrt(Hz输出阻抗50505050505050505050505050Q输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCDCACACACACACACAC供电电压555551212121212121212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.3A光学输入FC/APC(自由空间光可选)FC/APC射频输出SMASMA外形尺寸65*50*2065*50*2580*90*25mmSi单元探测器产品简介Si单元探测模块集成了超低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声隔离电源单电源供电，输出信号不受外部供电电源的影响，具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声等特点。产品特点噪声低高增益高带宽结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域光纤传感光纤通信激光测距光谱测量ns 级光脉冲探测产品参数产品型号PD-100M-BPD-200M-BPD-300M-BPD-400M-BPD-500M-BPD-1G-BPD-2G-B单位探测器类型Si波长400~1100nm带宽100M200M300M400M500M1G2GHz探测器响应度0.550.550.550.550.550.550.55A/W@850nm跨阻增益30K30K30K10K5K30K15KV/A最大输入光功率2402402407251450240480uWNEP11111114182020pW/Sqrt(Hz)输出阻抗50505050505050Q输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACAC供电电压555551212V供电电流0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)A光学输入FC/APC(自由空间光可选)射频输出SMA外形尺寸65*50*20mmInGaAs雪崩单元探测器产品简介雪崩单元探测模块集成了低噪声APD探测器、低噪声宽带跨阻放大器、超低噪声隔离电源、高压电源、APD温度补偿；隔离电源供电确保输出信号不受外部供电电源的影响；APD温度补偿提高探测模块的稳定性。雪崩光电探测器具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声等特点。产品特点噪声低高增益内置高压电源APD温度补偿结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域光纤传感光纤通信激光测距光谱测量ns 级光脉冲探测测试结果产品参数产品型号APD-100M-AAPD-200M-AAPD-300M-AAPD-400M-AAPD-500M-AAPD-600M-AAPD-800M-AAPD-1G-AAPD-1.2G-AAPD-1.5G-AAPD-2G-AAPD-2.5G-AAPD-5G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500M600M800M1G1.2G1.5G2G2.5G5GHz响应度999999999999V/W跨阻增益300K300K300K100K50K50K300K300K200K150K150K30KV/W输出阻抗50505050505050505050505050饱和功率13131339787813131320262678uWNEP0.460.460.460.460.460.460.460.460.460.460.460.460.46pW/(Hz)输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCDCACACACACACACAC供电电压55555512121212121212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光学输入FC/APC(自由空间光可选)FC/APC射频输出SMASMA外形尺寸65*50*2080*90*25mmSi雪崩单元探测器产品简介Si雪崩单元探测模块集成了低噪声APD探测器、低噪声宽带跨阻放大器、超低噪声隔离电源、高压电源、APD温度补偿；隔离电源供电确保输出信号不受外部供电电源的 影响；APD温度补偿提高探测模块的稳定性。雪崩光电探 测器具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声等特点。产品特点噪声低高增益内置高压电源APD温度补偿结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域光纤传感光纤通信激光测距光谱测量ns 级光脉冲探测产品参数产品型号APD-100M-BAPD-200M-BAPD-300M-BAPD-400M-BAPD-500M-BAPD-1G-BAPD-2G-B单位探测器类型Si波长400~1100nm带宽100M200M300M400M500M1G2GHz响应度25252525252525A/W@850nm跨阻增益300K300K300K300K300K300K300KV/W输出阻抗50505050505050饱和功率13131313131330uWNEPO.180.180.180.180.180.20.2pW/(Hz)输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACAC供电电压555551212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光学输入FC/APC(自由空间光可选)射频输出SMA外形尺寸65*50*20mm

硅光电倍增（SiPM）高灵敏度中子探测器SiPM(Silicon Photo-multiplier,硅光电倍增探测器)是近年来逐渐兴起的一种用于光探测领域的光电探测器件。与传统的PMT(Photo-multiplier tube,光电倍增管)相比,它有着尺寸小、工作电压低、几乎不受磁场影响等优点,但其缺点是对环境温度变化较敏感。为了掌握SiPM性能指标随环境温度的变化规律,搭建了SiPM温度特性实验系统,通过改变环境温度来实时测量记录SiPM的雪崩临界电压和增益,从而定量得出SiPM的温度特性,并通过理论计算对实验数据进行分析。简单集成化探测系统取代过去He3探测组件可扩展性能 极高性价抗冲击和振动，特别适用于恶劣环境下

探测器Thorlabs提供一系列光学探测器产品，能够探测整个紫外、可见、近红外、红外以及太赫兹光谱区域内的光源。根据所选择的传感器可以测量不同参数，如强度、功率、强度分布、波前形状、能量和波长。未安装的光电二极管 校准过的光电二极管 已安装的无偏压的光电二极管 带尾纤的光电二极管 偏压探测器 放大探测器 位置传感探测器 积分球 平衡放大探测器 单光子计数器 光电倍增管模块 多通道光电倍增管模块 雪崩探测器 光纤耦合PMT模块 太赫兹 CCD / CMOS Cameras 光电二极管放大器 激光观察卡 光电二极管 Related Products 概述 Thorlabs提供一系列分立光电二极管和经过校准的光电二极管。其中包括铟镓砷（InGaAs）光电二极管，磷化镓 （GaP）光电二极管，硅（Si）光电二极管， 和锗（Ge）光电二极管。我们也提供一些专用的光电二极管。例如DSD2双波段光电二极管，它在一个包装内同时提供硅光电二极管和铟砷化镓光电二极管，两者结合起来可以达到400到1700纳米的波长范围。FGA20是一个具有高响应率的铟镓砷光电二极管，波长范围从1200到2600纳米，能够探测到的波长范围比典型的铟镓砷光电二极管的1800纳米要高。我们也提供FGAP71，它是一种磷化镓（GaP）光电二极管，它的波长范围是我们所提供的光电二极管中最短的，从150纳米到550纳米。已校准的光电二极管 Related Products 概述 Thorlabs公司提供5种NIST可追溯校准的光电二极管，有库存随时发货，包括一种铟镓砷（InGaAs）、两种硅（Si）和两种锗（Ge）光电二极管。校准特性：在光电二极管的整个光谱范围内，每隔10纳米测量响应度测量不确定度± 5%NIST可追溯每个光电二极管都附带响应度与波长的关系的数据表和图。不同批次的光电二极管之间的响应度不一样。因此，您收到的光电二极管的响应也许与下面描述的会有轻微的差异，但是仍将附带有校准数据。右图显示了不同FDS1010光电二极管之间的响应特性有多显著。这些数据是从104个光电二极管中采集的。在每个数据点都计算了最小、平均和最大响应度，并给出了曲线。 点击放大已封装的光电二极管 Related Products 概述 SM05PD和SM1PD系列光电二极管包含安装在方便的SM05（Ø 0.535英寸-40）和SM1（Ø 1.035英寸-40）外螺纹套管的铟镓砷、锗、硅或磷化镓光电二极管。光电二极管的电信号输出是通过一个能快速连接到测量电路上的标准SMA接头（SM05PD系列）或BNC接头（SM1PD系列）提供的。该光电二极管可分为A型（阴极接地）或B型（阳极接地）布置。所有的型号都是测量脉冲和CW光源的理想选择。主体上的绝缘外螺纹能使这些光电二极管与Thorlabs公司的所有SM05和SM1安装适配器兼容。 带尾纤光电二极管 Related Products 概述 特性适用于610-770纳米和780-970纳米的单模型号多模型号高速宽带特性低偏置电压增强型光纤典型应用光通信高速光度测定监测Thorlabs 的FDSP系列带尾纤光电二极管是高速带尾纤硅PIN光电二极管，设计用于可见到近红外范围的光探测。这些光电二极管具有在低偏置电压下的宽带特性，是光通信、高速光度测定和监测等应用的理想选择。FDSP系列的外壳为不锈钢套管，用来实现光纤到光电二极管的主动耦合。光纤用一个900微米的松套管外保护和橡胶护套进行强化，以便于减少光纤的弯曲应力。 提供两种型号的单模光纤和一种型号的多模光纤：FDSP780 Nufern的780-HP单模光纤，780-970纳米，芯径5微米，数值孔径0.13FDSP660 Nufern的630-HP，单模光纤，610-770纳米，芯径4微米，数值孔径0.13FDSP625 梯度折射率多模光纤，320-1000纳米，芯径62.5微米，数值孔径0.27单模光纤的型号设计用于低背反射，同时单模光纤也能抑制模式干扰（也称为MPI－多路径干扰），是基于光纤的干涉仪的信号探测中的基本组件。根据需要，可提供带工业标准光纤接头的连接。偏压探测器该页面是我们的各种偏压探测器。我们提供自由空间型和光纤耦合型两种类型。可通过转接件将光纤和自由空间探测器耦合起来。偏压探测器 光纤耦合探测器 放大探测器Thorlabs提供一系列自由空间型和光纤耦合型放大探测器。此外，光纤转接件可用于本公司的自由空间探测器，以获得更多的功能和灵活性。放大探测器 飞瓦光电探测器 TEC HgCdTe 探测器 光纤耦合探测器 Menlo Systems快速PIN光电探测器 雪崩探测器 位置传感器 Related Products 横向效应位置传感器概述 特性2D横向效应位置传感探测器对光斑形状和功率密度不敏感SM05镜筒兼容结构紧凑Item #PDP90AWavelength Range320 to 1100 nmResolution, @ 635 nm0.68 µ m @ 100 µ W,6.8 µ m @ 10 µ WNoise2.25 µ mpp, 340 nmrmsRecommended Spot SizeØ 0.2 &ndash 7 mm PDP90A位置传感器利用针垫横向传感器来精确测量入射光与校准中心之间的位移。这些器件适用于测量光线的移动，传播的距离或者作为对准系统的反馈。 大的探测表面允许光束直径9毫米，然而，我们推荐光束直径范围在0.2到7 毫米。与象限传感器需要所有象限均有覆盖不同，横向传感器可以提供在探测区域内任何点的位置信息，与光斑形状，尺寸和能量分布无关。PDP90A的噪声很小2毫伏峰峰值（300微伏有效电压），对应的探测误差为0.675微伏有效电压。分辨率与输入光功率直接相关，表示为以下方程，这里，&Delta R是分辨率，Lx是探测器长度，9毫米，en是输出噪声电压，300微伏有效电压，Vo是总输出电压水平，4伏特最大值因此，对于最高功率水平，分辨率将达到0.675微米。更多详细技术信息参见技术信息标签。每个PDP90A象限探测器与一个8-32到M4适配器一同包装，提供与英制或者公制安装接杆的兼容性。 下表中阴影区域显示最小和最大输入光强水平与波长的关系。确保输入光功率与最大水平接近来获得最佳的分辨率和噪声系数。超过最大水平传感器将饱和，结果将会有误差。 积分球Thorlabs提供已定标的（NIST标定）和未标定的积分球。已定标的积分球有一个接口，能连接自由空间光源或光纤光源。它能与本公司的所有C系列接头的功率计兼容。未定标的积分球有三到四个接口，这些接口可以连接多种探测器和输入转接件。多端口积分球 校准的积分球功率传感器 平衡探测器这里介绍了Thorlabs的平衡探测器。根据这个模型，硅或者InGaAs探测器可以用于320-1000纳米、800-1700纳米或者1270-1350纳米范围内。偏振非敏感平衡探测器 偏振相关平衡探测器 带高速输出监测的平衡放大光电探测器 平衡放大探测器 单光子计数器 Related Products 概述 Item #SPCM20ASPCM20A/MSPCM50ASPCM50A/MDetector TypeSi Avalanche PhotodetectorWavelength Range350 - 900 nmActive Detector Diameter20 µ m50 µ mTypical Max Responsivity35% @ 500 nmDark Count Rate Typical60 Hz Max (25 Hz Typical)200 Hz Max(150 Hz Typical)Max Count Rate *28 MHz22 MHz* 对于脉冲光特点低暗计数 SPCM20A(/M): 25赫兹 (常规值)SPCM50A(/M): 150赫兹(常规值l)两种探头面积 SPCM20A(/M): Ø 20微米 有效面积SPCM50A(/M): Ø 50微米 有效面积有源抑制温度稳定USB接口脉冲输出TTL 开启/触发 输入体积小: 68毫米x 85毫米x 25毫米应用单分子的光谱学研究光谱-光度计测量流式细胞计光子相关谱法激光雷达图 1: 光子探测几率作为其波长的函数如图显示。SPCM仅在白框区域内对光子有感应。Thorlabs的光子计数器模块使用雪崩硅光电二极管探测单光子。SPCM计数器对发出的光子在350至900纳米范围内敏感，最高灵敏度在500纳米（见图1）。其工作原理是用光电探头将接收的光子转换成一个TTL脉冲，然后由内部的31位计数器计数。另有一个额外的USB接头可直接输出脉冲信号，可以输出到示波器查看或连接到外部计数器模块。这个光子计数器的功能的详细信息，请参阅&ldquo 教程&rdquo 选项。用一个集成的Peltier元件来稳定二极管的温度，使之降低到环境温度以下，那么低暗计数率也就降低了。有两种型号供选择，SPCM20A 和 SPCM50A，其典型的低暗计数率分别为25赫兹和150赫兹，能够探测到的功率低至0.4飞瓦。SPCM中的二极管集成了有源抑制电路，从而能获得高计数率。它的高速性能让用户每35-45 ns计数一个光子，取决于不同的型号。 SPCM20A提供的有效探测面积为Ø 20微米，而SPCM50A为Ø 50微米。软件SPCM包括一个GUI 软件包来进行暗箱操作。以下操作模式可以通过软件设置：手动模式 用于手动操作自由运行时间计数器用于计数一定&ldquo 时间块长度&rdquo 内的入射光子数量外部触发时间计数器用于触发时间器开始计算一定周期内的入射光子数量外部触发计数器通过一个外部触发来开启或关闭计数器外部启动 用于外部激活计数器和 雪崩光电二极管如需获得更多关于软件和它的操作方法的信息，请见&ldquo 软件 &rdquo 选项光电倍增管模块 Related Products 概述 特性提供两种光谱范围：280&ndash 630纳米，或280&ndash 850纳米端窗型光电倍增管结构静电和磁屏蔽转换增益：阳极电流1伏/微安圆形打拿极链配置外壳有SM1螺纹外壳有4个螺纹孔，用于ER系列笼式支杆可以三种不同方式接杆安装附带120和230伏插接适配器的电源SMA输出无需高压电源需要可变（0-1.8伏直流）电源（不包括）Thorlabs提供两种光电倍增管模块，结合了一个端窗型光电倍增管（PMT），外壳，以及高增益、直流耦合的跨阻抗放大器：PMM01用于280 &ndash 630纳米光谱范围，PMM02用于280 &ndash 850纳米光谱范围。PMM01具有一个半透明的双碱光电阴极，与PMM02（点击规格标签了解详细信息）相比，它具有更高的增益，&lambda 500纳米时更高的量子效率，和更低的暗电流，但是它适用的光谱范围较窄。由于灵敏度与最常用的闪烁体材料非常匹配，双碱光电阴极在闪烁光探测方面具有广泛应用。相比之下，PMM02具有半透明的多碱（S20型）光电阴极，具有&lambda 500纳米时更高的量子效率，和更宽的光谱范围。多碱光电阴极常用于宽带分光光度计和光子计数应用。Thorlabs的PMT模块具有内置高压电路，消除了PMT运行时通常对外部高压电源的需要。通过将高压电路加入PMT模块，Thorlabs的PMT降低了成本和设备的大小，以及触电的风险。此外，该PMT模块由± 12伏直流电源（包括120伏和230伏插接适配器）和0&ndash 1.8伏的可变直流电源（不包括在内）供电。两种模块都配备有3个8-32螺纹，可在不同方向接杆安装。附带1个公制兼容的AS4M8E（8-32至M4）适配器。此外，在该模块的正面有4个4-40螺纹孔，使其与我们的30毫米笼式共轴系统 （点击笼式兼容性标签了解更多信息）兼容。这些部件与PMT孔径上的保护盖一起发货。一旦去除保护盖，该模块带有的SM1兼容内孔，可与我们一系列的SM1透镜套管兼容。因此，成像光学元件和滤光片可便捷地安装并位于PMT光电阴极的中心。此外，使用透镜管可阻止杂散光和散射光到达探测器，这对探测弱光或噪声信号非常有利。光电倍增管模块 Related Products 概述 特性极其适合用于激光扫描显微应用兼容Thorlabs公司的激光扫描必备套件光电倍增管模块可以扩展到最多8个通道附带双通道模块 两个多碱光电倍增管可替换荧光滤光片立方SM1螺纹光电倍增管安装座用于安装滤光片模块我们还提供单体多碱光电倍增管宽带光谱响应：185 - 900纳米 点击了解详情 Thorlabs公司的光电倍增管（PMT）模块设计使成像系统，如我们的激光扫描必备套件，更容易集成PMT探测功能。PMTSS2双通道PMT模块包含两个多碱标准灵敏度的PMT、一个DFMT1滤光片立方插件、和一个底座。该模块中的两个多碱PMT能够进行高效探测，并具有185 -900纳米的宽带光谱响应范围。模块的底座装备有一个MDFB滤光片立方和一些插槽，这些插槽可以用来安装英制或公制光学平台、面包板的配件。其滤光片模块的输入端口带有SM1（1.035英寸-40）螺纹，可以直接兼容Thorlabs公司的各种SM1透镜套筒和光纤准直适配器。PMT已经经过准直，可以和附带的滤光片立方插件配合使用，该滤光片立方插件可以轻松替换进行分色镜/发射滤光套件。通过购买额外的单通道附加模块（PMTSS2-SCM），该双通道PMT模块可以最多被扩展为8个探测通道。这些PMT模块在我们的C共聚焦激光扫描显微系统中有专题介绍。对于只需要购买PMT的用户，我们提供不带滤光片模块和底座的PMTSS系列的多碱PMT探测器。该探测器带有C安装座内螺纹，可以直接兼容常用显微镜相机接口。这些PMT探测器附带一根电源线，用于连接用户自备的± 15伏电压和0.25 - 1伏的增益控制。探测器数据输出则由BNC接头输出。将一个PMTSS2双通道模块与额外的PMTSS2-SCM单通道模块相结合可以实现三通道探测。附带的滤光片模块可以实现荧光滤光片套件的简易插入和替换。雪崩探测器Thorlabs提供两种雪崩探测器。第一种是由Thorlabs的合作公司Menlo系统设计和制造的，该探测器能探测最高1GHz频率的信号。第二种是由本公司自己设计和制造的。两种探测器的探测波长范围从400纳米到1700纳米可选。Menlo Systems雪崩探测器 雪崩探测器 用于共聚焦荧光成像的光电倍增管 Related Products 概述 特性设计用于VCM-F共聚焦基础系统有单PMT和双PMT单元可供选择低噪声高灵敏度的镓砷磷PMT或标准灵敏度的多碱PMT选项光谱响应 300-720纳米，高灵敏度型号185-900纳米，标准灵敏度型号软件控制在附带的三种发射滤光片之间选择 带通：440 ± 40纳米带通：525 ± 50纳米长通：600纳米 Thorlabs提供两种不同的光电倍增管（PMT）单元，用于VCM-F共聚焦基础系统。PCU2A包含两个宽带，标准灵敏度的PMT模块。 PCUxB系列包含一个（PCU1B）或者两个（PCU2B）高灵敏度低噪声PMT模块（详细信息请看表格）。双PMT单元（PCU2A或者PCU2B）是使用基于VCM-F共聚焦基础系统进行多通道荧光成像的理想选择，因为它们可用ThorVCM软件完全控制。每个双PMT单元标配三种发射滤光片，能通过软件控制进行选择。用户可以在440/40带通滤光片和525/50带通滤光片之间，或者525/50带通滤光片和600纳米长通滤光片之间切换。需要其他发射滤光片，请联系我们的技术支持询问具体信息和价格。太赫兹该指南介绍了Thorlabs的太赫兹系列产品。我们目前提供的产品有THz天线/接收器安装座、THz天线和THz套件。太赫兹套装 太赫兹天线 太赫兹接收器安装座 CCD/CMOS相机Thorlabs提供一系列结构紧凑的CCD和CMOS面阵列相机，以及CCD线阵列相机。我们的CCD面阵列相机属于高端设备，提供外部触发输入。而对于不需要外部触发的应用，我们的CMOS相机是高性价比的替代方案。CCD和CMOS面阵列相机都有黑白或者彩色版本。这些相机与Thorlabs的MVL系列C接口相机镜头兼容。CCD线阵列相机提供外部触发输入，可用于自制光谱仪等应用中。CMOS相机，C形安装 CCD相机，C形安装 线性CCD相机 C形安装相机镜头 台式光电二极管放大器 Related Products 概述 特性阻抗光电流放大器整个动态范围内噪声极低分辨率高达10皮安的5位数字显示支持单点功率校准支持两种光电二极管极性（CG和AG）偏压可调输入放大器及光电二极管暗电流偏移补偿符合RoHS标准PDA200C型光电二极管放大器适用于很小光电二极管电流的超低噪声放大。可以提供从100纳安到10毫安满量程的六种电流范围，以及最10pA大的显示分辨率。该设备同时支持阴极接地（CG）以及阳极接地（AG）光电二极管。这种放大器可以在光伏或光导模式下工作。可调节的偏压提供更好的响应线性度和增强的频率响应。利用升级的PDA200C系列，我们的光电流放大器符合RoHS标准，此外，还改变了电流测量范围。其余的特性与以前的PDA200系列几乎相同。

InGaAs光电平衡探测器产品简介高速低噪声光电平衡探测模块集成了两个匹配的低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声电 源。具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声、高共模抑制比等特点，可以有效的减少信号的共模噪声，提高系统的信噪比。产品特点噪声低高增益高带宽结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域分布式光纤传感激光测风雷达光学相干层析光谱测量ns 级光脉冲探测测试结果产品参数产品型号MBD-100M-AMBD-200M-AMBD-300M-AMBD-400M-AMBD-500M-AMBD-800M-AMBD-1G-AMBD-1.5G-AMBD-2G-AMBD-2.5G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500M800M1G1.5G2G2.5GHz探测器响应度0.950.950.950.950.950.950.950.950.950.95A/W@1550nm跨阻增益30K30K30K10K5K30K30K30K15K15KV/A最大输入光功率140140140420840140140140280280pwNEP5557799999pW/Sqrt(Hz)输出阻抗50505050505050505050Q输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACACACACDC供电电压555551212121212V供电电流0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)光学输入FC/APC(自由空间光可选)射频输出SMA外形尺寸62*47*2575*55*25mmInGaAs蝶形平衡探测器产品简介蝶形封装光电平衡探测器集成了两个匹配的超低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器，采用单电源供电。可以有效的减少信号的共模噪声，提高系统的信噪比。该探测器在兼具原模块性能同时尺寸小、重量轻、功耗低特别适合于模 块以及系统集成。产品特点噪声低高增益高带宽小尺寸单电源供电应用领域分布式光纤传感激光测风雷达光学相干层析光谱测量ns 级光脉冲探测产品参数产品型号DBD-100M-ADBD-200M-ADBD-300M-ADBD-400M-ADBD-500M-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500MHz探测器响应度0.950.950.950.950.95A/W@1550nm跨阻增益30K30K30K10K5KV/A共模抑制比3030303030dB最大输入光功率130130130390780pwNEP55577pW/Sqrt(Hz)输出阻抗5050505050Q输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDC供电电压55555V供电电流0.2(max)0.2(max)0.2(max)0.2(max)0.2(max)A光学输入S MFC/APC(PM可选)射频输出MCX(Female)外形尺寸25*22*10mmInGaAs超低噪平衡探测器产品简介UBD系系列超低噪平衡探测模块是原MBD系系列基础上升级产品，相比较原MBD系列在其他参数相同条件下其本底噪声显著降低，在相同带宽以及增益条件下，其本底噪声约为MBD系列模块三分之一，因此灵敏度更高，信噪比更高。产品特点超低噪声高增益高带宽结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域分布式光纤传感激光测风雷达光学相干层析光谱测量ns 级光脉冲探测测试结果产品参数产品型号UBD-100M-AUBD-200M-AUBD-300M-AUBD-400M-AUBD-500M-AUBD-800M-AUBD-1G-AUBD-1.2G-AUBD-1.5G-AUBD-2G-AUBD-2.5G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500M800M1G1.2G300M400M500MHz探测器响应度0.950.950.950.950.950.950.950.950.950.950.95A/W@1550nm跨阻增益30K30K30K20K10K30K30K30K30K30K30KV/W最大输入光功率140140140210420140140140140140140uWNEP2.52.52.52.93.13.13.13.13.13.13.1pW/Sqrt(Hz)共模抑制比3030303030303030303030dB输出阻抗5050505050505050505050Q输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACACACACACAC供电电压55555121212121212供电电流0.5(max0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)光学输入FC/APC(自由空间可选)射频输出SMA外形尺寸80*90*25mmSi平衡探测器产品简介Si平衡探测模块集成了两个匹配的低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声电源。具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声、高共模抑制比等特点，可以有效的减少信号的共模噪声，提高系统的信噪比。产品特点噪声低高增益高带宽结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域光纤传感光纤通信激光测距光谱测量ns 级光脉冲探测产品参数产品型号MBD-100M-BMBD-200M-BMBD-300M-BMBD-400M-BMBD-500M-BMBD-1G-BMBD-2G-B单位探测器类型Si波长400~1100nm带宽100M200M300M400M500M1G2GHz探测器响应度0.550.550.550.550.550.550.55A/W@850nm跨阻增益30K30K30K10K5K30K15KV/A最大输入光功率2402402407251450240480uWNEP11111114182020pW/Sqrt(Hz)输出阻抗50505050505050Q输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACAC供电电压555551212V供电电流0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max0.3(max0.3(max)A光学输入FC/APC(自由空间光可选)射频输出SMA外形尺寸62*47*25mmInGaAs雪崩平衡探测器产品简介雪崩光电平衡探测模块集成了低噪声APD探测器、低噪声宽带跨阻放大器、超低噪声隔离电源、高压电源、APD温度补偿；隔离 电源供电确保输出信号不受外部供电电源的影响；APD温度补偿提高探测模块的稳定性。雪崩光电探测器具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声等特点。产品特点噪声低高增益内置高压电源APD温度补偿结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域光纤传感光纤通信激光测距光谱测量测试结果产品参数产品型号BAP D-100M-ABAP D-200M-ABAP D-300M-ABAP D-400M-ABAP D-500M-ABAP D-600M-ABAP D-800M-ABAP D-1G-ABAP D-1.2G-ABAP D-1.5G-ABAP D-2G-ABAP D-2.5G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500M600M800M1G1.2G1.5G1.5G2.5GHz探测器响应度99999999999A/W@1550nm跨阻增益300K300K300K100K50K50K300K300K300K200K150K150KV/W饱和光功率131313397878131313202020输出阻抗505050505050505050505050NEP0.460.460.460.460.460.460.460.460.460.460.460.46pW/(Hz)输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACACACACACACAC供电电压555555121212121212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5{max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光学输入FC/APC(自由空间光可选)射频输出SMA外形尺寸80*90*25mmSi雪崩平衡探测器产品简介Si雪崩平衡探测模块集成了低噪声APD探测器、低噪 声宽带跨阻放大器、超低噪声隔离电源、高压电源、 APD 温度补偿；隔离电源供电确保输出信号不受外部供电电源 的影响；APD温度补偿提高探测模块的稳定性。产品特点噪声低高增益内置高压电源APD温度补偿结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域光纤传感光纤通信激光测距光谱测量产品参数产品型号BAP D-100M-BBAP D-200M-BBAP D-300M-BBAP D-400M-BBAP D-500M-BBAP D-1G-BBAP D-2G-B单位探测器类型Si波长400~1100nm带宽100M200M300M400M500M1G2GHz探测器响应度25252525252525A/W@850mm跨阻增益300K300K300K300K300K300K300KV/W输出阻抗50505050505050NEP0.180.180180.180.180.180.2pW/V(Hz)输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACAC供电电压555551212V供电电流0.5(max)0.5(max]0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光学输入FC/APC(自由空间光可选)射频输出SMA外形尺寸80*90*25mm

仪器简介：硅光电二极管探测器分为双波长发射二极管与接收管，硅光电二极管探测器，雪崩二极管 三种不同系列产品，其中硅光电二极管探测器包含光导/光伏型光电探测器，紫外增强探测器，单点软X射线探测器，位置探测器这四种探测器。技术参数：双波长发射二极管与接收管1.陶瓷或塑料封装；发射管有背对背（二引脚）和共阳极（三引脚）连接方式。 2.660nm LED峰值波长偏差小于+/-3nm, 半波宽小于25nm，保证了测量数据的精准度。 3.相应提供最佳匹配度的探测器，可使仪器的设计更简单可靠。 4.发射管主要型号：DLED-660/905-CSL-2 ；DLED-660/940-CSL-3 DLED-660/880-CSL-2 DLED-660/895-CSL-2 DLED-660/905-LLS-2(陶瓷封装)；DLED-660/940-LLS-3(陶瓷封装) 5.接收管型号：PIN-8.0-CSL；PIN-4.0-CSL；PIN-8.0-LLS(陶瓷封装)；PIN-4.0-CSL(陶瓷封装)硅光电二极管探测器1.波长范围：350-1100nm 2.高速响应：光导型加偏压10ns 3.低暗电流：0.01nA 4.高灵敏度：0.65A/W紫外增强探测器1.高灵敏度：0.14A/W@254nm2.反转通道型:*100%内量子效率 3.平面扩散型：红外截止，高稳定度单点软X射线探测器1.探测范围：6eV-17600eV 2.直接探测，不需要闪烁体 3.不需要偏压 4.高量子效率，低噪声 5.真空低温可适应位置探测器1.四象限和线性位置探测； 高精度，高分辨率，高速响应； 2.在长时间和温度变化下仍何以保持高稳定性；雪崩二极管1.响应峰值波长: 820nm 2.响应速度快： 0.4ns @850nm,G=100 (APD-300) 3.高灵敏度： 42A/W @850nm, G=100 4.低偏置电压高增益：G=100@200V5.标准TO封装方式： TO-18；TO-5 6.有平面窗和适合光纤应用的球透镜可选；主要特点：双波长发射二极管与接收管应用：血氧探头（SpO2）；血液分析；比例测量相关仪器硅光电二极管探测器 光导/光伏型光电探测器应用：光脉冲探测；光通信；条码读取；医疗设备；高速光度测量紫外增强探测器应用：污染监测；紫外荧光；紫外线测试；水质净化；紫外线验钞单点软X射线探测器应用：X光医疗设备；放射量测定；X光光谱仪；带电粒子探测位置探测器应用：光路准直；位置测量；测绘；导航系统；表面分析雪崩二极管应用：激光测距；高速光通讯；条码读取仪；光遥控；医疗仪器

仪器简介：雪崩光电探测器（APD） 产品特性： 高速响应达GHz 封装尺寸小：50 x 50 x 45 mm 400-1000 nm /850-1650 nm波长可选 增益连续可调：1x to 100x (ADP210) 1x to 10x (ADP310) SM05适配器 光电倍增管Photomultiplier Modules 产品特性： 两种波段可选：280 - 630 nm 或 280 - 850 nm 可提供倍增管接口组件 具有防静电和消磁作用 变换增益：阳极电流1 V/&mu A 链构型环形电极 封装与SM1螺纹匹配 封装含4个螺纹孔，与ER系列笼杆匹配 支杆可安装于3种不同组件 120V电源供应（230V可选） SMA输出技术参数：高速探测器Biased Detectors 产品特性： 宽光谱150 nm to 2.6 &mu m 高速响应1 ns~220ns 大面积光敏面Ø 1.0 mm~Ø 9.8 mm 可选的光纤适配器，方便光纤耦合输入 标准的BNC输出接口 内装A23 12V电池，使用方便，还可外接电源 带放大电路探测器Amplified Detectors 产品特性: 宽光谱150 nm to 4.8 &mu m 带宽高达150MHz 放大增益可固定，亦可调 0-10V电信号输出 大面积光敏面Ø 1.0 mm~Ø 9.8 mm 可选的光纤适配器，方便光纤耦合输出 标准的BNC输出接口 提供230 VAC外接电源主要特点：光纤耦合探测器Fiber Optic Detectors 产品特性： 宽光谱320 nm to 1700nm ps级高速响应，带宽1-8GHz 可提供带放大电路 FC/PC光纤接口，方便光纤耦合输入 标准的BNC输出接口 内装A23 12V电池，使用方便，可外接电源 平衡探测器Balanced Detectors 产品特性： 宽光谱320nm-1700nm 高带宽DC-350MHz 超低噪音 探测器类型：Si & InGaAs 可提供带放大电路 自由空间或尾纤输入 直接的探测器监视输出 含外接电源 增益可调和增益固定可选 应用： 光谱与波谱学: 外差检测 OCT系统 光学延迟测量 THz检测

量青光电代理美国GPD公司全线产品 成立于1973年的GPD公司，一直致力于高速锗晶体和光电探测器的研发和生产，为用户提供用于辐射探测和电信应用的Ge，p-n，APD和InGaAs p-i-n高速和大面积光电探测器。 GPD维护符合MIL-I-45208的检查系统。 光电二极管要符合Telcordia的测试要求（TA-NWT-00093），MIL-STD-883测试方法和/或客户要求。 主要产品包括：温馨提示：点击产品名称，自动跳转到详情页。更多信息可联系我们。低偏振相关损耗铟镓砷探测器Low Polarization Dependent Loss (PDL) InGaAs Photodiodes线性阵列式探测器 Linear Arrays铟镓砷象限探测器 InGaAs Quadrant Photodiodes含制冷铟镓砷光电探测器铟镓砷光电探测器 InGaAs Avalanche Photodiodes1.9-2.6μm铟镓砷探测器Extended InGaAs Photodiodes大面积铟镓砷探测器Large Area InGaAs Photodiodes高速铟镓砷探测器High Speed InGaAs Photodiodes锗雪崩探测器Ge Avalanche Photodiodes锗探测器Ge Photodiodes

一, 单光子探测器阵列SPAD23单光子探测器阵列SPAD23技术源于代尔夫特理工大学和洛桑联邦理工学院 7 年的研究工作和 6 项独te技术。它是由23个六角形封装的单光子雪崩二极管组成的探测器阵列(SPADs)，具有更高的灵敏度和更低的噪声。 这款单光子探测器阵列SPAD23在其宽探测谱段内拥有50%的探测效率，100cps的暗计数水平，且因其独te的半导体工艺及设计实现了非常的填充因子＞80%。这款带有时间标记功能（Time Tagging）的SPAD23整体尺寸只有信用ka大小，是荧光显微和量子信息领域的理想探测工具单光子探测器阵列SPAD23,单光子探测器阵列SPAD23通用参数单光子探测器阵列SPAD23技术源于代尔夫特理工大学和洛桑联邦理工学院 7 年的研究工作和 6 项独te技术。它是由23个六角形封装的单光子雪崩二极管组成的探测器阵列(SPADs)，具有更高的灵敏度和更低的噪声。 这款单光子探测器阵列SPAD23在其宽探测谱段内拥有50%的探测效率，100cps的暗计数水平，且因其独te的半导体工艺及设计实现了非常的填充因子＞80%。这款带有时间标记功能（Time Tagging）的SPAD23整体尺寸只有信用ka大小，是荧光显微和量子信息领域的理想探测工具SPAD23集成性强，操作时，只需要两个插头，一个5 V电源和一个USB3连接。软件程序支持二次开发，系统软件支持光子计数和时间标记，可以通过TCP/IP访问，以便轻松集成到LabVIEW、MATLAB或Python中。推荐操作条件 SPAD high-voltage 工作电压: VOP:26-32 V环境温度:-55 to 35 °C典型技术参数参数条件TYPPeak detection probability峰值检测概率VOP= 32 v55%@520 nmWavelength window with PDP 35%PDP35%的波长窗口VOP= 32v440-660 nmFill factor填充因子Collimated light准直光源80%Dark count rate暗计数率VOP= 32 vT = 20°℃100 cpsNumber of noisy pixels with DCR1kcpsDCR1kcps的噪声像素数VOP= 32v1Dead time停滞时间VOP= 32vV= 0.8v50 nsTiming jitter定时抖动Vop= 32v120 psAfterpulsing逆转VOP= 32vV=0.8 v0.1%Crosstalk串扰VOP= 32v0.14%Maximum count rate per pixel每像素最大计数率7.8 McpsTime-tagging resolution时间标记分辨率20 ps在共焦荧光显微中的应用：图像扫描显微镜(ISM)量子ISM (Q-ISM)荧光寿命成像荧光相关光谱法(FCS)、受激发射耗尽显微镜(STED)优势:SPAD阵列增加了光的收集，使共聚焦扫描显微镜领域的创新成为可能。这一创新蕞终导致了清晰和明亮的图像与潜在的分子功能，相互作用和环境的功能信息。单光子探测器阵列SPAD23能使标准的共聚焦显微镜实现超分辨率，增加光线收集，提高成像速度，降低背景噪声共焦显微镜图像 显微镜图像在量子信息中的应用： 反聚束与符合相关，量子随机数生成 优势： 时间光子相关性和光子数解析(PNR)使探测光的量子特性成为可能。我们的探测器具有急低的串扰，因此能够可靠地测量二阶和三阶光子相关性，以及不可破解的加密量子随机数生成。 单光子探测器阵列SPAD23相当于简化了的多通道单光子探测器，通过检测器并行化提高数据速率，光子数分辨(PNR)检测光子探测概率。二, InGaAs单光子阵列探测器组件 950～1650nmMP6514S型探测器组件由4x4阵列规格InGaAs单光子雪崩光电二极管(SPAD)芯片、CMOS主被动淬灭电路芯片倒焊互连而成的探测器模块与电压逆变模块、制冷模块、信号控制模块组成。在盖革工作模式下，探测器组件各像元独立、自由运行，探测0.95 ~ 1.65 μ m的近红外波段范围内微弱光信号，实时输出TTL电信号。InGaAs单光子阵列探测器组件 950～1650nm,InGaAs单光子阵列探测器组件 950～1650nm产品特点●光谱响应波段0.95 ~ 1.65μm ●采用金属封装，器件质轻灵巧 ●像元独立、自由运行 ●像元可探测弱光子信号 ●死时间、盖革雪崩信号检测阈值可调 产品应用●透雾、霾、烟尘等测距●近红外激光告警●远距离激光测距●远距离空间激光通信通用参数封装外形结构与尺寸(单位: mm )电学接口●电源输入: +5V●数据输出类型: TTL●控制命令接口: J63A-31●电源输入接口类型: J30J●数据输出接口类型: J63A-31●外触发接口: SSMA接口编号功能1SSMA-1:内同步信号输出2SSMA-2:外同步信号输入3J63A-31:输出信号端口及探测器工作设置输入信号端口4J30J: +5V单电源供电技术参数探测器面阵规格性能描述器件类型InGaAs APD阵列规模4x4像元大小100μm x 100μm光敏面大小[1]85μm x 85μm光窗石英光窗感光靶面至光窗外表面间距4mm (光窗厚度为1mm )注[1]:单片集成微透镜焦距150μm。主要性能指标(Tc=22+3℃)特性参数参数指标工作波长[1]0.95 ~ 1.65μm探测效率≥10% ( 1.57 +0.05μm)暗计数率≤10KHz时间抖动≤500ps死时间100 ~ 1000ns可调有效像元率100%注[1]:在工作波长范围内选配标准窄带滤光片。绝对最大额定值参数额定值单位工作温度范围Tc-40～+55°C贮存温度范围TSTG-40～+70°C最大功耗P15W输入偏置范围VR4.9～5.5V静电放电敏感度ESD1000～2000V质量可靠性保证● 产品执行GJB8121-2013《半导体光电组件通用规范》相关要求。三, AD200单光子探测器 400-1100nm 光敏面直径500umRedwave Labs AD200是一种紧凑且经济的单光子探测器模块，基于可靠的硅雪崩光电二极管敏感的可见光谱范围。AD200的探测器在近可见区域（约650 nm）具有较高的效率。AD200的特点是主动淬火和全数字温度控制的APD。提供单独的电源。AD200单光子探测器 400-1100nm 光敏面直径500um,AD200单光子探测器 400-1100nm 光敏面直径500um通用参数产品特点：在650 nm处的量子效率为70%在800 nm处的量子效率为55%二极管的温度可调包括软件产品应用：时间相关的单光子计数单光子探测激光扫描显微镜粒子物理学分光光度学技术参数：型号AD200电源单相, +12 V，2x 3A，来自PCIe扩展电源光电二极管波长：400 – 1100 n击穿电压：125V@25C有效光敏面直径：500μm单光子探测率At 650nm - 70,At 800nm - 55%暗计数率25@-20C，典型值停滞时间40 ns输出脉冲40 ns连接器电源：Molex 2 PIN输出：SMB USB:USB TYPEB定时门(Timing Gate )：SMB尺寸（宽x高x深）重量120 x 92 x 30 mm350克存储温度工作温度-55至100℃-40至85℃绝对最大值参数符号参数数值单位Vdd电源电压+12VoltTop工作温度-40 to 85Deg CTst存储温度-55 to 100Deg C 机械尺寸：参数数值单位长度5.004 (127.1)Inch (mm)宽度3.000 (76.2)Inch (mm)高度1.325 (33.65)Inch (mm)重量350gram

铟镓砷探测器(InGaAs) 新势力光电供应铟镓砷探测器(InGaAs)，有效探测直径可达3mm，具有低暗电流和高灵敏度的特点，封装形式包括：TO针脚形式和SMD贴片形式。其中，可见光增强模块可选。InGaAs detectors (high sensitivity up to 1700nm)Type No.Active areaDark currentSpectral responsivityWavebandChipPackageSizeArea5V650nm1550nm-mmmm2nAA/WA/WnmPC0.7-iLCC6.11.0 0.720.050.95900-1700PC0.7-iTO52S11.0 0.720.050.95900-1700PC0.7-ixLCC6.11.0 0.720.30.95600-1700PC0.7-ixTO52S11.0 0.720.30.95600-1700PC2.6-iTO5i2.0 2.6100.050.95900-1700PC7.1-iTO5i3.0 7.1250.050.95900-1700相关商品光电二极管(PIN) 雪崩二极管(APD) 光电管接收模块 光电管放大器

一, 单光子探测器阵列SPAD23单光子探测器阵列SPAD23技术源于代尔夫特理工大学和洛桑联邦理工学院 7 年的研究工作和 6 项独te技术。它是由23个六角形封装的单光子雪崩二极管组成的探测器阵列(SPADs)，具有更高的灵敏度和更低的噪声。 这款单光子探测器阵列SPAD23在其宽探测谱段内拥有50%的探测效率，100cps的暗计数水平，且因其独te的半导体工艺及设计实现了非常的填充因子＞80%。这款带有时间标记功能（Time Tagging）的SPAD23整体尺寸只有信用ka大小，是荧光显微和量子信息领域的理想探测工具单光子探测器阵列SPAD23,单光子探测器阵列SPAD23通用参数单光子探测器阵列SPAD23技术源于代尔夫特理工大学和洛桑联邦理工学院 7 年的研究工作和 6 项独te技术。它是由23个六角形封装的单光子雪崩二极管组成的探测器阵列(SPADs)，具有更高的灵敏度和更低的噪声。 这款单光子探测器阵列SPAD23在其宽探测谱段内拥有50%的探测效率，100cps的暗计数水平，且因其独te的半导体工艺及设计实现了非常的填充因子＞80%。这款带有时间标记功能（Time Tagging）的SPAD23整体尺寸只有信用ka大小，是荧光显微和量子信息领域的理想探测工具SPAD23集成性强，操作时，只需要两个插头，一个5 V电源和一个USB3连接。软件程序支持二次开发，系统软件支持光子计数和时间标记，可以通过TCP/IP访问，以便轻松集成到LabVIEW、MATLAB或Python中。推荐操作条件 SPAD high-voltage 工作电压: VOP:26-32 V环境温度:-55 to 35 °C典型技术参数参数条件TYPPeak detection probability峰值检测概率VOP= 32 v55%@520 nmWavelength window with PDP 35%PDP35%的波长窗口VOP= 32v440-660 nmFill factor填充因子Collimated light准直光源80%Dark count rate暗计数率VOP= 32 vT = 20°℃100 cpsNumber of noisy pixels with DCR1kcpsDCR1kcps的噪声像素数VOP= 32v1Dead time停滞时间VOP= 32vV= 0.8v50 nsTiming jitter定时抖动Vop= 32v120 psAfterpulsing逆转VOP= 32vV=0.8 v0.1%Crosstalk串扰VOP= 32v0.14%Maximum count rate per pixel每像素最大计数率7.8 McpsTime-tagging resolution时间标记分辨率20 ps在共焦荧光显微中的应用：图像扫描显微镜(ISM)量子ISM (Q-ISM)荧光寿命成像荧光相关光谱法(FCS)、受激发射耗尽显微镜(STED)优势:SPAD阵列增加了光的收集，使共聚焦扫描显微镜领域的创新成为可能。这一创新蕞终导致了清晰和明亮的图像与潜在的分子功能，相互作用和环境的功能信息。单光子探测器阵列SPAD23能使标准的共聚焦显微镜实现超分辨率，增加光线收集，提高成像速度，降低背景噪声共焦显微镜图像 显微镜图像在量子信息中的应用： 反聚束与符合相关，量子随机数生成 优势： 时间光子相关性和光子数解析(PNR)使探测光的量子特性成为可能。我们的探测器具有极低的串扰，因此能够可靠地测量二阶和三阶光子相关性，以及不可破解的加密量子随机数生成。 单光子探测器阵列SPAD23相当于简化了的多通道单光子探测器，通过检测器并行化提高数据速率，光子数分辨(PNR)检测二, AD200单光子探测器 400-1100nm 光敏面直径500umRedwave Labs AD200是一种紧凑且经济的单光子探测器模块，基于可靠的硅雪崩光电二极管敏感的可见光谱范围。AD200的探测器在近可见区域（约650 nm）具有较高的效率。AD200的特点是主动淬火和全数字温度控制的APD。提供单独的电源。AD200单光子探测器 400-1100nm 光敏面直径500um,AD200单光子探测器 400-1100nm 光敏面直径500um通用参数产品特点：在650 nm处的量子效率为70%在800 nm处的量子效率为55%二极管的温度可调包括软件产品应用：时间相关的单光子计数单光子探测激光扫描显微镜粒子物理学分光光度学技术参数：型号AD200电源单相, +12 V，2x 3A，来自PCIe扩展电源光电二极管波长：400 – 1100 n击穿电压：125V@25C有效光敏面直径：500μm单光子探测率At 650nm - 70,At 800nm - 55%暗计数率25@-20C，典型值停滞时间40 ns输出脉冲40 ns连接器电源：Molex 2 PIN输出：SMB USB:USB TYPEB定时门(Timing Gate )：SMB尺寸（宽x高x深）重量120 x 92 x 30 mm350克存储温度工作温度-55至100℃-40至85℃绝对最大值参数符号参数数值单位Vdd电源电压+12VoltTop工作温度-40 to 85Deg CTst存储温度-55 to 100Deg C 机械尺寸：参数数值单位长度5.004 (127.1)Inch (mm)宽度3.000 (76.2)Inch (mm)高度1.325 (33.65)Inch (mm)重量350gram

SiPM单光子探测器硅光电倍增管（Silicon photomultiplier，简称SiPM)，是一种新型的光电探测器件，由工作在盖革模式的雪崩二极管阵列组成，SiPM单光子探测器具有增益高、灵敏度高、偏置电压低、对磁场不敏感、结构紧凑等特点。SiPM单光子探测器发明于二十世纪九十年代末，广泛应用于高能物理及核医学（PET）等领域，代表着未来极微弱光探测器的发展方向。SiPM单光子探测器主要参数：有效面积3mmX3mm像元尺寸15um微孔数量38800探测效率31% @ 430nm, ctrl=0.7V暗计数率125kHz/mm3串扰几率18%残留脉冲几率5%恢复时间15ns跨阻增益150V/A输出带宽12.5MHz偏置电压0-1V输入电压5VDC功耗350mW （typ.）外观尺寸40mm×50mm×19.8mm工作温度0-60oCSiPM单光子探测器应用图例：其他规格要求，可咨询上海昊量光电设备有限公司。更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。

四象限探测器(QP) 新势力光电供应四象限探测器(QP)，由小间隙隔开的四个有效探测区域组成。四象限探测器应用广泛，包括：激光光束的位置测量、其它需要精确调整的光学系统。Quadrant photodiodes (low dark current)Type No.Active areaDark currentRise time ChipPackageSizeArea10V850nm 10V 50Ωmmmm2nAnsQP1-6TO52Ø 1.1310.110QP5-6TO5Ø 2.5250.210QP5.8-6TO52.4x2.45.80.420QP10-6TO5Ø 3.57100.415QP20-6TO8SØ 5.0520120QP50-6TO8SØ 7.850240QP100-6LCC10SØ 11.2100450Quadrant photodiodes (fully depletable)Type No.Active areaDark currentRise time ChipPackageSizeArea10V905nm 10V 50Ωmmmm2nAnsQP100-7LCC1010x104x250.550Quadrant photodiodes (for 1064nm)Type No.Active areaDark currentRise time ChipPackageSizeArea150V1064nm 150V 50Ωmmmm2nAnsQP22-QTO8SØ 5.34x5.71.55QP45-QTO8S6.7x6.74x10.9635QP154-QTO1032iØ 14.04x38.5106相关商品 光电二极管(PIN) 雪崩二极管(APD) 铟镓砷探测器(InGaAs) 位敏探测器(PSD)

激光雷达核心器件~SPAD 单光子雪崩二极管效率测试仪/新型单光子探测器特性分析设备SPD2200是针对最新型的单光子探测器SPD ,Single Photon Detector ,dToF LiDAR 激光雷达收发光核 心芯片测试仪，常应用于dToF的SPAD（Single Photon Avalanche Detector)光感测器（或称SPAD光电探测器，SPAD传感器）的特性测试分析设备。单光子探测器可以对单个光子进行探测和计数，在许多可获得的信号强度仅为几个光子能量级的新兴套用中，单光子探测器可以一展身手。SPD2200是针对最新型的单光子探测器（SPD，Single Photon Detector)，如应用于dToF的SPAD（Single Photon Avalanche Detector)光感测器的特性测试分析设备可整合分析如下参数：全光谱性能参数测试分析：（SR，Spectral Responsivity)全光谱量子效率（EQE , External Quantum Efficiency)全光谱光子探测率（PDP，Photon Detection Probability)暗计数DCR（Dark Count Rate)崩溃电压BDV（Break-Down Voltage)SPAD的单光子雪崩二极管特性参数分析： JitterAfterpulsing probabilityDiffusion tailSNR

位敏探测器(PSD) 新势力光电供应位敏探测器(PSD)，是根据横向光电效应(电压和电流信号随着光斑位置变化而变换的现象)的半导体敏感元件，将照射在光敏面上的光斑强度和位移量转换为电信号，以实现位置探测。Position sensitive diodes (up to 20mm measuring range in two directions)Type No.Active areaRise time DimensionsChipPackageSizeArea865nm 10V 50&Omega mmmm2nsOD3.5-6SO83.5× 13.5200singleOD3.5-6SMD3.5× 13.5200singleOD6-6SO166× 16200singleOD6-6SMD6× 16200singleDL16-7CERpin4× 416500dual a× isDL16-7CERsmd4× 416500dual a× isDL16-7LCC10G4× 416500dual a× isDL100-7CERpin10× 101004000dual a× isDL100-7CERsmd10× 101004000dual a× isDL100-7LCC10G10× 101004000dual a× isDL400-7CERpin20× 204004000dual a× isDL400-7CERsmd20× 204004000dual a× is相关商品雪崩二极管(APD) 光电二极管(PIN) 四象限探测器(QP) 光电二极管模块

PDM 系列 单光子雪崩探测模块PDM光子计数探测器的的探测效率为49%，具有快速时间响应和优良的反应效率。该探测器的有效直径20、50和100 μm， 覆盖波长400~1100 nm。该产品的设计使探头在长时间日光照射下也不会损坏。其优良的性能可以在很多应用上代替光电倍增管。反应时间50 ps，配合光子计数卡可应用于短脉冲激光器的研究。特点：时间分辨率低至50ps（FWHM）可选光纤耦合接口，效率80%探测效率高达49%敏感区域直径20, 50和100 μm可选高计数率情况下超高的稳定性帕尔贴制冷源自于意大利 的iAQC探测技术应用：时间分辨荧光荧光寿命成像单分子光谱和超灵敏荧光分析荧光上转换FRETLIDAR、遥感等DNA和药物发明量子密钥通信，量子纠缠等参数：波长范围400 ~1000 nm探测孔径20，50，100 μm暗计数25cps； 50cps； 250cps探测效率49% @ 550nm；典型值时间分辨率35ps 典型值后脉冲效应0.1~3%死时间 77ns

波长敏感探测器(WS) 新势力光电供应波长敏感探测器(WS)，利用特定波长在硅基材料的辐射吸收深度来实现。硅晶体两个相互垂直的p-n结的结构特征，特别适合于单色光的波长检测。Wavelength sensitive diodes (particularly suitable for monochromatic light)Type No.Dark currentRise time Diode 1Rise time Diode 2ChipPackage5V0V 1k&Omega 0V 1k&Omega nAnsnsWS7.56(Discontinued)PCBA10100001000WS7.56TO510100001000WS7.56TO5i5100001000相关商品光电二极管(PIN) 雪崩二极管(APD) 光电管接收模块 光电管放大器

武汉东隆科技国内总代理德国 Laser ComponentsLASER COMPONENT公司的COUNT-T系列单光子计数探测器具有优秀的探测效率（典型值：70%@670nm）、较宽的动态范围（400-1000nm）和极低的暗噪声计数（百计数/秒），非常适合应用于时间相关单光子计数（TCSPC）、荧光寿命成像（FLIM）、量子光学等涉及单光子探测的研究领域。COUNT-T拥有TTL、NIM信号输出接口和gating input输入接口。COUNT-T还可选择带光纤耦合型，便于使用光纤连接该探测模块。产品特点暗计数：25~1500cps 时间分辨率350ps（典型值） 探测效率65%@650nm空间光或FC光纤接口 NIM和TTL信号输出 低电压（12V DC）供电 主要应用时间相关单光子计数（TCSPC） 荧光相关光谱（FCS） 荧光寿命成像（FLIM） 荧光分析 激光雷达 量子光学（量子密码，量子通信等） 参数光谱范围 400-1000nm 暗计数率： COUNT-T-100 COUNT-T-250 100 Counts/s 250 Counts/s 探测效率： 405nm 670nm 810nm 典型值： 40% 75% 60% 有效直径 100μm 计时分辨率 350ps 余（后）脉冲 1% 死时间 典型值：45ns NIM输出 20ns，-0.8~-1V TTL输出 15ns，3V（50欧） 光-TTL延时 30ns 相关产品PDM 系列单光子雪崩探测模块 SPADInGaAs 单光子红外探测器 SPADPMA系列单光子探测器PMA Hybrid系列单光子探测器Opus One 超导纳米线单光子探测器系统COUNTBLUE系列 单光子计数探测模块COUNTNIR系列 单光子计数探测模块COUNTS系列 单光子计数探测模块COUNT系列 单光子计数探测模块

紫外-可见光单光子探测器Laser Components的COUNT BLUE系列单光子计数模块已经开发出来，为光子计数应用提供了高光子检测效率，宽动态范围和易于使用的独特组合。该模块将激光元件公司的超低噪声VLoK硅雪崩光电二极管与专门开发的淬火和信号处理电子器件相结合，提供了350-1000 nm的单光子探测所需的一切。入射光子产生相应的电脉冲，可方便地在TTL输出端读出。门控功能允许模块在测量之间被禁用，以提供对意外过载的保护。可选配FC连接器，方便使用多模光纤连接样品。紫外-可见光单光子探测器应用:共聚焦显微粒子尺寸荧光分析Lidar天文拉曼光谱ParameterMinTypMaxUnit光谱范围3501000nm暗噪声Count-10BCount-20BCount-50BCount-100BCount-250B102050100250counts/scounts/scounts/scounts/scounts/s探测效率405nm532nm670nm506050557055%%%主动检测区域100μm时间分辨率1000ps后脉冲概率0.2%死时间4245ns门控输入电压Gating on（=disable moduule）Gating off（=enable moduule）TTL low（＜0.5）TTL high(＞2.4）VV门控输入响应时间Gating on（=disable moduule）Gating off（=enable moduule）15602065nsnsTTL输出脉宽1517nsTTL输出幅值（50Ω）3V供电电压11.512.012.5V供电电流0.8A计数率20Mcounts/s量子效率曲线图更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。

单光子探测器阵列SPAD23单光子探测器阵列SPAD23：单光子探测器阵列SPAD23技术源于代尔夫特理工大学和洛桑联邦理工学院 7 年的研究工作和 6 项独特技术。它是由23个六角形封装的单光子雪崩二极管组成的探测器阵列(SPADs)，具有更高的灵敏度和更低的噪声。这款单光子探测器阵列SPAD23在其宽探测谱段内拥有50%的探测效率，100cps的暗计数水平，且因其独特的半导体工艺及设计实现了前所未有的填充因子＞80%。这款带有时间标记功能（Time Tagging）的SPAD23整体尺寸只有普通卡片大小，是荧光显微和量子信息领域的理想探测工具。单光子探测器阵列SPAD23-应用：共焦荧光显微：图像扫描显微镜(ISM)，量子ISM (Q-ISM)，荧光寿命成像荧光相关光谱法(FCS)、受激发射耗尽显微镜(STED)SPAD阵列增加了光的收集，使共聚焦扫描显微镜领域的创新成为可能。这一创新蕞终导致了清晰和明亮的图像与潜在的分子功能，相互作用和环境的功能信息。单光子探测器阵列SPAD23能使标准的共聚焦显微镜实现超分辨率，增加光线收集，提高成像速度，降低背景噪声单光子探测器阵列SPAD23-量子信息：反聚束与符合相关，量子随机数生成时间光子相关性和光子数解析(PNR)使探测光的量子特性成为可能。我们的探测器具有极低的串扰，因此能够可靠地测量二阶和三阶光子相关性，以及不可破解的加密量子随机数生成。单光子探测器阵列SPAD23相当于简化了的多通道单光子探测器，通过检测器并行化提高数据速率，光子数分辨(PNR)检测。更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是国内知名光电产品专业代理商，代理品牌均处于相关领域的发展前沿；产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等，涉及应用领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防及更细分的前沿市场如量子光学、生物显微、物联传感、精密加工、先进激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等优质服务。您可以通过我们昊量光电的官方网站了解更多的产品信息，或直接来电咨询。

可见光-近红外单光子探测器激光组件的计数系列单光子计数模块的低暗计数率，已经发展成为高光子检测效率，宽动态范围，低暗计数率和低光子计数应用的独特组合。可见光-近红外单光子探测器将激光组件的超低噪声vlok硅胶雪崩光电二极管与专门开发的量子化和信号处理电子相结合，模块提供了400-1000 nm的单光子检测所需的一切。输入光子产生的电子对应脉冲可能会在ttl输出处方便地读取。可见光-近红外单光子探测器在提供防止意外超载的保护的措施之间，仍然可以使模块无法工作。可选的fc连接器提供了一种使用多模式光纤连接模块到样本的便捷方法。可见光-近红外单光子探测器特点：10cps极低的黑暗计数率检测效率70%可选fc光纤连接器单12v供电稳定计数率（无双稳性）ParameterMinTypMaxUnit光谱范围4001000nm暗噪声Count-10CCount-20CCount-50CCount-100CCount-250C102050100250counts/scounts/scounts/scounts/scounts/s探测效率405nm520nm670nm810nm540604015557550%%%主动检测区域100μm时间分辨率1000ps后脉冲概率0.2%死时间424548ns门控输入电压Gating on（=disable moduule）Gating off（=enable moduule）TTL low（＜0.5）TTL high(＞2.4）VV门控输入响应时间Gating on（=disable moduule）Gating off（=enable moduule）15602065nsnsTTL输出脉宽1517nsTTL输出幅值（50Ω）3V供电电压11.512.012.5V供电电流0.8A量子效率曲线 可见光-近红外单光子探测器应用：量子技术&密码学粒子聚焦激光雷达共焦显微镜荧光分析天文学更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。

端窗式光电倍增管CPM是一种新型超高灵敏的光电探测器，它的阳极灵敏度比通用的光电倍增管PMT提高一个量级，达到10E7A/W，暗电流降低两个数量级，噪声电平长时间极端稳定。极低的暗电流导致比传统PMT更高的动态范围，而且扩展了探测应用范围，能够替代传统的光电倍增管（PMT）以及雪崩管（APD），用于需要高性能的场合。CPM能应用在模拟-直流模式和单光子计数模式，它的光谱响应覆盖115nm(UV范围)－900nm(NIR范围)。这种新的探测器具备的超高的增益和超高的动态范围，极低的暗电流，快速的响应以及紧凑的结构设计的优势特点，扩展了分析仪器的应用范围，例如辐射光谱学、荧光探测、原子吸收光谱、生物发光以及化学发光研究。同时CPM也为生命科学、工业和医疗仪器、高能物理，提供重要的研究手段。CPM工作原理：类似于传统的光电倍增管（PMT），通过安装在端窗式光窗口内表面的一个半透明的光电阴极，接收非常微弱的入射光，把低电平的光转换成光电子。然后光电子从阴极到阳极,穿过一个窄的半导体通道，光电子每次撞击弯曲通道的内表面时，产生类似于光电倍增管的雪崩效应，发射出倍增的二次电子。这个效应沿着整个倍增通道，发生许多次，导致雪崩效应，增益达到10E8。弯曲的玻璃管形状加强了倍增效应。 主要特点 超高的阳极灵敏度，在3000伏最大偏置电压下，增益达到10E8A/W；在2400伏时，典型增益为3x10E6A/W，比传统PMT超过一到两个数量级，比APD超过5个数量级 极低的暗电流，典型值3pA@10E6增益，比传统的PMT降低了一到两个数量级，扩展了探测范围 高动态范围非常低的等效输入噪声(低于10E-17W)非常高稳定的暗电流，CPM半导体内表面没有充电效应，不会产生突变脉冲电流高增益，可达10E8紧凑的尺寸设计，最小的端窗式探测器，只需要一个3000伏的电源，无外部电压分配网络要求，1/3' ' 、1/2' ' and3/4' ' 三种尺寸有MgF2，Quartz，UV-玻璃和硼硅酸盐玻璃等多种光电阴极窗口材料，响应光谱范围从115nm到900nm 卓越的光子计数分辨率，极好的波峰/波谷比率，在增益达到10E7时，将光电子脉冲与电噪声，完美地区分开来快速响应时间 防电磁干扰特典型应用荧光、紫外、可见、红外分光光度计，色度光度计高精度、高效率光子探测和闪烁计数应用荧光探测分析，荧光分光光度计微弱光探测精密分析仪器和生化分析、医疗仪器生物发光和化学发光研究环境射线剂量监测β射线和γ射线探测 高能物理 产品功能 倍增管信号直接输出电流信号(H系列）输出是光子计数脉冲TTL电平(P系列）集成高压，最高3000V自带电子快门带I/U转换放大器强光自动保护50μs门控时间 7ID102-X9系列新型端窗式光电倍增管探测器 型号 7ID102-H944 7ID102-H963 7ID102-H9737ID102-D9447ID102-D9637ID102-D9737ID102-P9447ID102-P9637ID102-P973 感光直径5mm 阴极材料 双碱阴极多碱阴极红敏多碱阴极 窗口材料Borosil.透紫玻璃（UV glass） 光谱响应范围300-650nm185-850nm185-900nm 输入等效噪声1x10-17W4x10-17W1.5x10-16W 暗噪声/偏压3pA/150μV30pA/1.5mV200pA/10mV 7ID102-X13系列新型端窗式光电倍增管探测器 型号 7ID102-H1344 7ID102-H1363 7ID102-H13737ID102-D13447ID102-D13637ID102-D13737ID102-P13447ID102-P13637ID102-P1373 感光直径9mm 阴极材料双碱阴极多碱阴极红敏多碱阴极窗口材料Borosil.透紫玻璃（UV glass）光谱响应范围300-650nm185-850nm185-900nm输入等效噪声2x10-17W8x10-17W3x10-16W暗噪声/偏压12pA/600μV120pA/6mV800pA/40mV 7ID102-X19系列新型端窗式光电倍增管探测器 型号 7ID102-H1944 7D102-H1963 7ID102-H19737ID102-D19447ID102-D19637ID102-D19737ID102-P19447ID102-P19637ID102-P1973 感光直径13mm 阴极材料双碱阴极多碱阴极红敏多碱阴极 窗口材料Borosil.透紫玻璃（UV glass）光谱响应范围300-650nm185-850nm185-900输入等效噪声3x10-17W1x10-16W5x10-16W暗噪声/偏压30pA/1.5mV300pA/15mV2nA/100mW

Alphalas超快光电探测器UPD系列超快光电探测器系列适用于从直流到25GHz的空间光波形的测量。可提供检测最短为15ps上升时间的光脉冲信号，覆盖从170至2600nm的光谱范围。所有探测器都由紧凑坚实的过氧极化铝外壳封装，供电方式可以采用电池或外接电源。是可提供从170到1100 nm扩展到紫外光谱范围高速硅探测器商业产品。另一种类型独特的紫外线敏感的InGaAs 探测器，可用于检测从350到1700纳米范围内的激光脉冲，因此具有最宽的光谱范围和highest的响应速度。Alphalas超快光电探测器UPD阻抗匹配和微波技术结合，确保测量的脉冲波形的保真度。用户可以自由使用50Ω的匹配电阻，进行highest响应速度的检测。或为获得大的信号响应曲线，加入高阻抗负载。保证了UPD产品为不同的应用提供max的灵活性。 结合BBA系列宽带高增益放大器，高速光探测器对于取代昂贵和繁琐的雪崩光电二极管是一个选择。UPD的系列高速光电探测器是激光和光子学研究的不可缺少的工具。特点：1.Alphalas超快光电探测器UPD可超高速运行2.上升时间：15 ps - 500ps3.带宽：highest达25 GHz4.光谱范围：170 - 2600纳米5.紧凑封装6.电池或外部电源7.自由空间光入射或FC/PC型8.接头或光纤尾纤应用：1.脉冲形式测量2.脉冲宽度测量3.精确的同步4.模式变化监控5.外差测量新的UPD型号：快速的上升时间及更宽的光谱范围1.UPD-15-IR2-FC: 超快InGaAs光电探测器，上升时间15ps，带宽25 GHz，光谱范围800 - 1700 nm, 光纤耦合输入， FC/APC口。2.UPD-35-IR2-P, UPD-35-IR2-D: 超快 InGaAs 光电探测器,上升时间 35 ps, 带宽 10 GHz, 光谱范围 800 - 1700 nm, 光面或漫反射的入射窗。3.UPD-35-UVIR-P, UPD-35-UVIR-D: 超快 InGaAs PIN 光电探测器, 上升时间 35 ps, 带宽 10 GHz, 光谱范围 350 - 1700 nm, 光面或漫反射的入射窗。4.UPD-50-SP, UPD-50-SD, UPD-50-UD, UPD-50-UP: 超快 Si 光电探测器, 上升时间 50 ps, 下降时间 50 ps, 带宽 7 GHz, 光谱范围 170 - 1100 nm or 320 - 1100 nm, 光面或漫反射的入射窗。5.UPD-100-IR1-P: 超快 Ge 光电探测器, 上升时间 100 ps, 脉宽 (FWHM) 300 ps, 光谱范围 400 - 2000 nm。6.UPD-3N-IR2-P: 超快 InGaAs 光电探测器, 延伸到 2.1 μm, 上升时间 150 ps。7.UPD-5N-IR2-P: 超快 InGaAs 光电探测器, 延伸到2.6 μm,上升时间 200 ps。其他UPD型号及详细参数，请联系德国Alphalas代理商武汉能带科技有限公司咨询。

一,硅 Si 雪崩光电二极管 400-1100nm硅 Si 雪崩光电二极管 400-1100nm,硅 Si 雪崩光电二极管 400-1100nm通用参数产品特点：正照平面型芯片结构高速响应高增益低结电容低噪声产品应用：激光测距激光雷达激光警告技术参数：光电性能（@Ta=22±3℃） 器件型号光谱响应范围(nm)峰值响应波长(nm)响应度λ =905nmφ e =1μWM=100(A/W)暗电流M=100(nA)响应时间λ =905nmR L =50Ω（ns）工作电压温度系数T a =-40℃～85℃（V/℃）总电容M=100f=1MHz（pF）击穿电压I R =10μA（V）典型最大最小最大APD-SI-905-2-TO46400～1100905550.210.60.91.0130220APD-SI-905-5-TO460.411.2APD-SI-905-8-TO460.822.0APD-SI-905-2-LCC30.211.0APD-SI-905-5-LCC30.411.2 结构/最大绝对额定值器件型号封装形式光敏面直径(mm)工作电压(V)工作温度(℃)储存温度(℃)焊接温度(℃)正向电流(mA)耗散功率(mW)APD-SI-905-2-TO46TO-460.230.9×V BR-40～85-45～1002600.25100APD-SI-905-5-TO46TO-460.50APD-SI-905-8-TO46TO-460.80APD-SI-905-2-LCC3LCC30.23APD-SI-905-5-LCC3LCC30.50 产品型号 名称型号描述价格货期硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-2-TO46光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.23mm封装：TO46硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-5-TO46光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.50mm封装：TO46硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-8-TO46光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.80mm封装：TO46硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-2-LCC3光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.23mm封装：LCC3硅雪崩光电二极管 APD-SI-905-5-LCC3光谱响应范围：400-1100nm峰值响应波长：905nm光敏面直径：0.50mm封装：LCC3 典型特性曲线封装外形、尺寸及引脚定义APD-SI-2-2/5/8-TO46（三脚和两脚封装）APD-SI-2-2/5-LCC3等效电路及应用电路注：C 1 －滤波电容，滤除偏置工作电压 V R 的噪声。C 2 －旁路电容，为交流信号提供对地回路。R 1 －限流电阻，防止偏置工作电压 V R 过高时，损坏探测器。R i －取样电阻，将光电流转化为电压信号。定购信息：型号规则【APD-SI-响应波长-光敏面直径-封装形式】二,硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18C30902EH高性能硅雪崩光电二极管(APD)的感光面直径为0.5 mm，适合于生物医学和分析应用。 这种Si APD设计为双扩散“穿透式”结构，可在400和1000 nm之间提供高响应度，以及在所有波长处都极快的上升和下降时间。器件的响应度与最高约800 MHz的调制频率无关。探测器芯片采用经过修改的TO-18封装，密封在平玻璃窗后面。多型号C30902EH/C30902EH-2 C30902SH C30902SH-TC硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18,硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18技术参数C30902和C30921系列用于微光应用的高速固态探测器C30902EH系列雪崩光电二极管非常适合广泛的应用，包括激光雷达、测距、小信号荧光、光子计数和条形码扫描。Excelitas Technologies的C30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“穿透”结构制造。这种结构在400到1000纳米之间提供了高响应度，并且在所有波长上都提供了极快的上升和下降时间。该器件的响应度与高达800 MHz的调制频率无关。探测器芯片密封在一个改进的TO-18封装的平板玻璃窗后面。感光表面的有效直径为0.5 mm。C30921EH封装在TO-18光管中，该光管允许从聚焦点或直径高达0.25 mm的光纤将光有效耦合到探测器。密封的TO-18封装允许光纤与光管端部匹配，以最大限度地减少信号损失，而无需担心危及探测器稳定性。C30902EH-2或C30902SH-2（带内置905nm通带滤波器的密封TO-18封装）和C30902BH（带密封球透镜）构成了C30902系列。C30902SH和C30921SH均选用具有急低噪声和体暗电流的C30902EH和C30921EH光电二极管。它们适用于超微光级应用（光功率小于1 pW），可在增益高达250或更高的正常线性模式（VrVbr）下的光子计数器使用，其中单个光电子可触发约108个载波的雪崩脉冲。在这种模式下，不需要放大器，单光子检测概率可能高达约50%。光子计数在门控和符合技术用于信号检索的情况下也是有利的。主要特征 高量子效率：在830 nm时为77% C30902SH和C30921SH可在盖革模式下运行 C30902EH/SH-2型，带内置905 nm过滤器 C30902BH型，带球形透镜 密封包装 室温下的低噪音 高响应度–内部雪崩增益超过150 光谱响应范围- （10%Q.E.点）400至1000纳米 时间响应–通常为0.5纳秒 宽工作温度范围-40°C至+70°C 符合RoHS标准应用&bull 激光雷达&bull 测距&bull 小信号荧光&bull 光子计数&bull 条形码扫描表1。电光特性测试条件：外壳温度=22&ring C，除非另有规定，请参见下页的注释。。C30902EH/C30902EH-2C30902SHC30902SH-TCDetector TypeC30902BHC30921EHC30902SH-2C30921SHC30902SH-DTCParameterMinTypMaxMinTypMaxMinTypMaxUnits感光区有效直径0.50.50.5mmactive area0.20.20.2mm² 光管特性（C30921）光管数值孔径0.550.55[no units]岩芯折射率（n）1.611.61[no units]芯径0.250.25mmField of view α (see Figure 15)视野α（见图15） 带标准/球形透镜窗口（-2）内置905 nm滤光片 90559055122N/ADegrees带灯管（在空气中） 3333N/AField of view α’ (see Figure 15)带标准窗口/球透镜114114129Degrees（-2）内置905 nm滤光片7878N/A击穿电压, Vbr225225225V反向偏置温度系数，Vr，恒定增益电压0.50.70.90.50.70.90.50.70.9V/&ring C探测器温度（见注2）-TC0&ring C-DTC-20&ring CGain (see note 1)150250250响应度830 nm时（不适用于-2）7077117128128A/Wat 900 nm556592108108A/W量子效率at 830 nm (not applicable for -2)777777%at 900 nm606060%Dark current, id153015301530nA-TC (at 0 °C)2nA-DTC (at -20 °C)1nANoise current, in (see note 3)-TC (at 0 °C)0.230.50.110.2 0.04pA/Ö HzpA/Ö Hz-DTC (at -20 °C)0.02pA/Ö Hz电容1.621.621.62pFRise/Fall time, RL=50 Ω 10% to 90% points 0.5 0.75 0.5 0.75 0.5 0.75 ns90% to 10% points0.50.750.50.750.50.75ns最大驱动电流-TC1.8A-DTC1.4A最大偏置电压-TC0.8V-DTC2.0V5%光子检测时的暗计数率 probability (830 nm)(see Figure 9 and note 4) 5000 150001100 (-TC)250 (-DTC) 15000 cps电压高于Vbr，光子探测概率为5%（830nm）（见图7和注4） 2 2 V5%光子检测时的脉冲比后概率（830nm）（注5）2152%1.在特定直流反向工作电压下，Vop或Vr，随每个装置提供，光斑直径为0.25 mm（C30902EH，SH）或0.10 mm（C30921EH，SH）。在180至250V的电压下运行，设备将满足上述电气特性限制。2.热敏电阻的温度（开尔文）可为使用以下方程式计算：[𝐾 ] = 𝛽 ,项次(𝑅 /𝑟 ∞)式中，R是测量的热敏电阻电阻，单位为Ω ,𝛽 = 3200，R0=5100Ω，T0=298.15 K和r∞ =&minus 𝛽 R e &cong 0.1113表2–最大额定值1.雪崩光电二极管中散粒噪声电流的理论表达式为in=（2q（Ids+（IdbM² +PORM）F）BW）&half ，其中q是电子电荷，Ids是暗表面电流，Idb是暗体电流，F是过量噪声系数，M是增益，PO是器件上的光功率，BW是噪声带宽。对于这些装置，F=0.98（2-1/M）+0.02 M（参考文献：PP Webb，RJ McIntyre，JJ Conradi，“RCA审查”，第35卷第234页，（1974年））。2.C30902SH和C309021SH可在更高的检测概率下运行。（参见盖革模式操作部分）。3.主脉冲后1µ s至60秒发生脉冲后。ParameterSymbolMinMaxUnits储存温度TS-60100°C工作温度Top-4070°CSoldering for 5 seconds (leads only)焊接5秒钟（仅限引线）260°C室温反向电流平均值，连续运行200µ A峰值（1s持续时间，非重复）1mA室温正向电流平均值，连续运行IF550mAmA峰值（1s持续时间，非重复）60mW