原子层沉积系统

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原子层沉积系统相关的厂商

  • 公司名称(现用名):北京维意真空技术应用有限责任公司公司名称(曾用名):北京科立方真空技术应用有限公司覆盖区域:北京、天津、河北 北京维意真空技术应用有限责任公司,原名北京科立方真空技术应用有限公司,创立于2013年,位于中国首都北京密云经济技术开发区,主体经营分为真空配件销售、真空设备定制、浅蓝纳米科技三个部分,是北京从事真空产品设计、制造、销售、维修、保养于一体的专业性的公司,公司拥有一支专业、优秀的产品技术工程师和维修技术工程师,具有丰富的行业经验,同时还与北京工业大学联合研发等离子体增强化学气相沉积系统,与北京交通大学联合研发原子层沉积系统,满足高校、研究所的教学、科研使用,同时减少相关进口设备的市场占有率,并力争创造外汇,打出中国创造的名牌! 我们的客户遍布北京各高校和研究院所、部分军工单位和电力试验所、各级的材料、物理、化学、纳米等研究领域尖端的实验室,期待您就是我们的下一位客户、朋友! 您的满意微笑是我们一直努力追求的经营目标!技术创新、业务专业、服务诚信是我们一直遵循的经营理念!我们热诚欢迎国内外先进的仪器制造商及科学工作者与我们联系开展各层面的合作,打造成一流的真空系统产品、等离子体增强化学气相沉积系统和原子层沉积系统供应商。
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  • 400-860-5168转3241
    载德半导体技术有限公司是专业的半导体及微电子领域仪器设备供应商,载德所代理的仪器设备广泛用于高校、研究所、半导体高新企业。载德半导体技术有限公司目前代理的主要产品包括: - 霍尔效应测试仪(Hall Effect Measurement System); - 快速退火炉(RTP); - 回流焊炉,真空烧结炉(Reflow Solder System); - 探针台(Probe Station),低温探针台(Cryogenic Probe Station); - 贴片机(Die Bonder),划片机(Scriber),球焊机/锲焊机(Wire Bonder); - 原子层沉积系统(ALD),等离子增强原子层沉积设备(PEALD); - 磁控溅射镀膜机(Sputter),电子束蒸发镀膜机(E-beam Evaporator),热蒸发镀膜机(Thermal Evaporator),脉冲激光沉积系统(PLD) - 低压化学气相沉积系统(LPCVD),等离子增强化学气相沉积系统(PECVD),快速热化学气相沉积系统(RTCVD); - 反应离子刻蚀机(RIE),ICP刻蚀机,等离子体刻蚀机; - 加热台、热板、烤胶台 (Hot Chuck / Hot Plate); - 扫描开尔文探针系统(Kelvin Probe),光反射膜厚仪(Reflectometer); 等等...
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  • 400-860-5168转6134
    南通宏腾微电子技术有限公司(NTHT Semiconductor Technologies Limited)是一家专业的微纳材料、半导体和微电子材料及器件研发仪器及设备的供应商。南通宏腾微电子技术有限公司所销售的仪器设备广泛用于高校、研究所、以及半导体和微电子领域的高科技企业。南通宏腾微电子目前代理的主要产品包括: - 霍尔效应测试仪; - 快速退火炉; - 回流焊炉,共晶炉,钎焊炉,真空烧结炉; - 电子束蒸发镀膜机,热蒸发镀膜机 - 探针台,低温探针台,微探针台; - 金刚石划片机; - 球焊机,锲焊机; - 磁控溅射镀膜机; - 原子层沉积系统,等离子增强原子层沉积设备; - 电化学C-V剖面浓度分析仪(ECV Profiler); - 扫描开尔文探针系统; - 光学膜厚仪;-PECVD\CVD;-脉冲激光沉积系统-PLD-纳米压印;-等离子清洗机、去胶机;-反应离子刻蚀RIE - 光刻机、无掩膜光刻机; - 匀胶机; - 热板,烤胶板; -少子寿命、太阳能模拟器;-NMR-瞬态能谱仪-外延沉积-等离子清洗机光刻胶光刻机(针尖/电子束光刻机EBL,紫外光刻机,激光直写光刻机),镀膜机(磁控溅射机,电子束蒸发机,化学沉积机,微波等离子沉积机,原子层沉积机 等等…
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原子层沉积系统相关的仪器

  • 芬兰PICOSUN公司是ALD技术发明人Tuomo Suntola创立的,与Picosun专家队伍被称为ALD的梦之队。Suntola于1974年发明ALD技术,因此获得半导体行业European SEMI 2004奖。PICOSUN公司凭借其杰出的生产型与科研型产品,于2022年6月加入美国应用材料公司。PICOSUN产品分为科研型与生产型。科研型产品有:标准型PICOSUN™ R-200 Standard,只有热法原子层沉积系统高级型PICOSUN™ R-200 Advanced,有热法原子层沉积系统与等离子体增强原子层沉积系统高级型ALD可以添加前沿的微波等离子体辅助增强模块Microwave Plasma, 这种微波等离子体增强原子层沉积系统在颗粒、薄膜致密性表现更好,同时有可能沉积具有挑战性的一些氮化物薄膜,如氮化硅等。请搜索我司网站联系我们!
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  • ALD/原子层沉积系统 400-860-5168转3855
    原子层沉积技术原子层沉积系统:原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术,具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响,所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性,可以提供卓越的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。原子层沉积系统应用:高介电薄膜疏水涂层钝化层深硅刻蚀铜互连阻挡层薄膜微流控台阶涂层用于催化剂层的单金属涂层的燃料电池ALD-4000原子层沉积系统特点:独立的PC计算机控制的ALD原子层沉积系统Labview软件,具备四级密码控制的用户授权保护功能安全互锁设计,强大的灵活性,可以用于沉积多种薄膜(如:AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等)12”的铝质反应腔体,带有加热腔壁和气动升降顶盖最多7个50ml的加热汽缸,用于前驱体以及反应物,同时带有N2或者Ar作为运载气体的快脉冲加热传输阀ALD-4000原子层沉积系统选配项:NLD-4000系统的选配项包含自动L/UL上下载(用于6”基片)ICP离子源(用于等离子增强的PEALD)臭氧发生器 等等客户定制选项案例:6”晶圆片上的均匀性数据
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  • 原子层沉积系统 400-860-5168转3281
    原子层沉积系统(Atomic Layer Deposition System,ALD)产地:美国 主要产品系列:1.ALD (传统的热原子层沉积);2.PEALD (等离子增强原子层沉积);3.Powder ALD (粉末样品的原子层沉积); 仪器简介:原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD),也称为原子层外延(Atomic Layer Epitaxy,ALE),或原子层化学气相沉积(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition,ALCVD)。原子层沉积是在一个加热反应的衬底上连续引入至少两种气相前驱体源,化学吸附至表面饱和时自动终止,适当的过程温度阻碍了分子在表面的物理吸附。一个基本的原子层沉积循环包括四个步骤:脉冲A,清洗A,脉冲B和清洗B。沉积循环不断重复直至获得所需的薄膜厚度,是制作纳米结构从而形成纳米器件极佳的工具。ALD的优点包括:1. 可以通过控制反应周期数精确控制薄膜的厚度,从而达到原子层厚度精度的薄膜;2. 由于前驱体是饱和化学吸附,保证生成大面积均匀性的薄膜; 3. 可生成极好的三维保形性化学计量薄膜,作为台阶覆盖和纳米孔材料的涂层;4. 可以沉积多组份纳米薄层和混合氧化物;5. 薄膜生长可在低温下进行(室温到400度以下);6. 可广泛适用于各种形状的衬底;7. 原子层沉积生长的金属氧化物薄膜可用于栅极电介质、电致发光显示器绝缘体、电容器电介质和MEMS器件,生长的金属氮化物薄膜适合于扩散势垒。 技术参数:基片尺寸:6英寸、8英寸、12英寸;加热温度:25℃—400℃(可选配更高);均匀性: 2%;前驱体数:4路(可选配6路);兼容性: 可兼容100级超净室;尺寸:950mm x 700mm;ALD及PE-ALD技术; 原子层沉积ALD的应用包括:1) High-K介电材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3);2) 导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN);3) 金属互联结构 (Cu, WN, TaN,Ru, Ir);4) 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5);5) 纳米结构 (All ALD Material);6) 生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN);7) ALD金属 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni);8) 压电层 (ZnO, AlN, ZnS);9) 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) 10) 紫外阻挡层 (ZnO, TiO2) 11) OLED钝化层 (Al2O3) 12) 光子晶体 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5) 13) 防反射滤光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5);14) 电致发光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce) 15) 工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3, ZrO2) 16) 光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO) 17) 传感器 (SnO2, Ta2O5) 18) 磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3, ZrO2, WS2); 目前可以沉积的材料包括:1) 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...2) 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ... 3) 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...4) 金属: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ... 5) 碳化物: TiC, NbC, TaC, ... 6) 复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ... 7) 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...
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原子层沉积系统相关的资讯

  • 原子层沉积系统研制
    table border="1" cellspacing="0" cellpadding="0" width="600"tbodytrtd width="122"p style="line-height: 1.75em "成果名称/p/tdtd width="526" colspan="3"p style="line-height: 1.75em "原子层沉积系统/p/td/trtrtd width="122"p style="line-height: 1.75em "单位名称/p/tdtd width="526" colspan="3"p style="line-height: 1.75em "中科院物理研究所/p/td/trtrtd width="122"p style="line-height: 1.75em "联系人/p/tdtd width="175"p style="line-height: 1.75em "郇庆/p/tdtd width="159"p style="line-height: 1.75em "联系邮箱/p/tdtd width="192"p style="line-height: 1.75em "qhuan_uci@yahoo.com/p/td/trtrtd width="122"p style="line-height: 1.75em "成果成熟度/p/tdtd width="526" colspan="3"p style="line-height: 1.75em "□正在研发 √已有样机 □通过小试 □通过中试 □可以量产/p/td/trtrtd width="122"p style="line-height: 1.75em "合作方式/p/tdtd width="526" colspan="3"p style="line-height: 1.75em "√技术转让 √技术入股 □合作开发 √其他/p/td/trtrtd width="648" colspan="4"p style="line-height: 1.75em "strong成果简介: /strongbr/ /pp style="text-align:center"img src="http://img1.17img.cn/17img/images/201603/insimg/1d453046-e68e-4e65-ab38-25f533935dee.jpg" title="ALD.jpg" width="350" height="261" border="0" hspace="0" vspace="0" style="width: 350px height: 261px "//pp style="line-height: 1.75em " br//pp style="line-height: 1.75em " 原子层沉积(ALD)技术,由于采取自限性的生长模式,因此可以在原子尺度上调控沉积薄膜的厚度,从而形成具有优异的台阶覆盖性和平整性,并可用于制备高深宽比材料和对多孔纳米材料进行修饰。我们自行研制的ALD系统与市场上现有商业化产品相比,具有如下特点:1)复杂完善的管路气路,在自制控制器和软件的配合下,可高度自动化完成生长过程;2)全金属密封,适于各种类型反应;3)圆筒型反应腔体,最高烘烤温度达到350℃,前驱体及载气利用率高;4)特殊设计的样品台,适用于包括粉末样品在内的各类基底;5)可选配四极质谱和石英膜厚检测仪,对反应过程实时监控。/p/td/trtrtd width="648" colspan="4"p style="line-height: 1.75em "strong应用前景: /strongbr/ ALD是一项简单和实用的技术,在微电子、太阳能电池、光子晶体以及催化等许多领域都有广泛的应用前景。我们目前研发的系统主要针对科研应用,国内每年需求量在数十台至上百台。/p/td/tr/tbody/tablepbr//p
  • 一文了解原子层沉积(ALD)技术的原理与特点
    什么是原子层沉积技术原子层沉积技术(ALD)是一种一层一层原子级生长的薄膜制备技术。理想的 ALD 生长过程,通过选择性交替,把不同的前驱体暴露于基片的表面,在表面化学吸附并反应形成沉积薄膜。 20 世纪 60 年代,前苏联的科学家对多层 ALD 涂层工艺之前的技术(与单原子层或双原子层的气相生长和分析相关)进行了研究。后来,芬兰科学家独立开发出一种多循环涂层技术(1974年,由 Tuomo Suntola 教授申请专利)。在俄罗斯,它过去和现在都被称为分子层沉积,而在芬兰,它被称为原子层外延。后来更名为更通用的术语“原子层沉积”,而术语“原子层外延”现在保留用于(高温)外延 ALD。 Part 01.原子层沉积技术基本原理 一个完整的 ALD 生长循环可以分为四个步骤: 1.脉冲第一种前驱体暴露于基片表面,同时在基片表面对第一种前驱体进行化学吸附2.惰性载气吹走剩余的没有反应的前驱体3.脉冲第二种前驱体在表面进行化学反应,得到需要的薄膜材料4.惰性载气吹走剩余的前驱体与反应副产物 原子层沉积( ALD )原理图示 涂层的层数(厚度)可以简单地通过设置连续脉冲的数量来确定。蒸气不会在表面上凝结,因为多余的蒸气在前驱体脉冲之间使用氮气吹扫被排出。这意味着每次脉冲后的涂层会自我限制为一个单层,并且允许其以原子精度涂覆复杂的形状。如果是多孔材料,内部的涂层厚度将与其表面相同!因此,ALD 有着越来越广泛的应用。 Part 02. 原子层沉积技术案例展示 原子层沉积通常涉及 4 个步骤的循环,根据需要重复多次以达到所需的涂层厚度。在生长过程中,表面交替暴露于两种互补的化学前驱体。在这种情况下,将每种前驱体单独送入反应器中。 下文以包覆 Al2O3 为例,使用第一前驱体 Al(CH3)3(三甲基铝,TMA)和第二前驱体 H2O 或氧等离子体进行原子层沉积,详细过程如下:反应过程图示 在每个周期中,执行以下步骤: 01 第一前驱体 TMA 的流动,其吸附在表面上的 OH 基团上并与其反应。通过正确选择前驱体和参数,该反应是自限性的。 Al(CH3)3 + OH = O-Al-(CH3)2 + CH4 02使用 N2 吹扫去除剩余的 Al(CH3)3 和 CH4 03第二前驱体(水或氧气)的流动。H2O(热 ALD)或氧等离子体自由基(等离子体 ALD)的反应会氧化表面并去除表面配体。这种反应也是自限性的。 O-Al-(CH3)2 + H2O = O-Al-OH(2) + (O)2-Al-CH3 + CH4 04使用 N2 吹扫去除剩余的 H2O 和 CH4,继续步骤 1。 由于每个曝光步骤,表面位点饱和为一个单层。一旦表面饱和,由于前驱体化学和工艺条件,就不会发生进一步的反应。 为了防止前驱体在表面以外的任何地方发生反应,从而导致化学气相沉积(CVD),必须通过氮气吹扫将各个步骤分开。 Part 03. 原子层沉积技术的优点 由于原子层沉积技术,与表面形成共价键,有时甚至渗透(聚合物),因此具有出色的附着力,具有低缺陷密度,增强了安全性,易于操作且可扩展,无需超高真空等特点,具有以下优点: 厚度可控且均匀通过控制沉积循环次数,可以实现亚纳米级精度的薄膜厚度控制,具有优异的重复性。大面积厚度均匀,甚至超过米尺寸。 涂层表面光滑完美的 3D 共形性和 100% 阶梯覆盖:在平坦、内部多孔和颗粒周围样品上形成均匀光滑的涂层,涂层的粗糙度非常低,并且完全遵循基材的曲率。该涂层甚至可以生长在基材上的灰尘颗粒下方,从而防止出现针孔。 ALD 涂层的完美台阶覆盖性 适用多类型材料所有类型的物体都可以进行涂层:晶圆、3D 零件、薄膜卷、多孔材料,甚至是从纳米到米尺寸的粉末。且适用于敏感基材的温和沉积工艺,通常不需要等离子体。 可定制材料特性适用于氧化物、氮化物、金属、半导体等的标准且易于复制的配方,可以通过三明治、异质结构、纳米层压材料、混合氧化物、梯度层和掺杂的数字控制来定制材料特性。 宽工艺窗口,且可批量生产对温度或前驱体剂量变化不敏感,易于批量扩展,可以一次性堆叠和涂覆许多基材,并具有完美的涂层厚度均匀性。
  • 采用原子层沉积(ALD)技术的下一代储存技术
    采用原子层沉积(ALD)技术的下一代储存技术 随着人工智能(AI), 深度学习,大数据, game 及 5G移动技术快速发展,导致数据储存量上升,半导体内存被要求低耗化。为解决这个问题目前商用化的有 Dram,Flash Memory(NAND) 等储存技术变更到新一代储存技术为一大难题。为了每秒以千兆,无延迟处理高容量数据以目前的技术很难实现。新一代技术需要像DRAM速度要快,兼具flash memory的关闭电源数据也会保存等特性,还需低耗。目前超越基准储存的新概念半导体储存有 Ferroelectric RAM(FRAM 或 FeRAM), magnetic RMA( MRAM), phase-charge ram(PRAM 或 PCRAM)和 resistive RAM(RRAM) 等都在研发阶段,而且受到关注度也比较高。这些储存技术特点是关闭电源数据也不会丢失的非挥发性(Nonvolitile), 很快的进行switching信息储存。 但因为不能进行长时间switching,内部构造粗糙,不足的高集成度,费用也比较高等原因,仅在特定领域使用。为改善这些,全世界都在用核心的ALD工程来进行研究。采用新一代储存的原子沉积(ALD) 技术fram是储存强诱电体的电极数据,一边储存是0,另外一边储存1为基本构造,和dram相似,但有非挥发性的特点。很长时间pzt材料用于强诱电体,缺点为当厚度变薄的时电极无法维持的问题。最近受到关注的有使用ALD技术,厚度为数nm沉积的 Metal Oxide-doped HFO2, 适用与28nm node的高集成密度。MRAM是自主阻抗储存,根据外部磁气场,磁性层的磁化方向,利用自主阻抗变化显示数据的1, 0。即,磁气场方向一样时表示为 0,不同时表示为1。无高速低电压动作及特性热化,而且集成度也很高。多数研究中用tunnel oxide 适用ALD技术沉积的MgO或 ZnO等。PRAM是利用物质相(phase)变化的非挥发性储存,相从非晶致状态变化到结晶致状态时储存数据。相转移物质使用GST germanium-antimony-tellurium (gst) ,使用ALD技术 step coverage制作了优Xiu的 PRAM储存。rram是绝缘体或半导体的阻抗变化储存。通过氧气空缺,从绝缘物质做成阻抗变化识别0, 1来使用。绝缘物质为通过原子层沉积的SiO2, HFO2,HfAlO, Ta2O5等。许多高校及研究所还在使用原子沉积技术( Lucida Series ALD)进行新一代储存研究得到hen好的结果。原子沉积(ALD)技术大部分用在新一代储存,优点为原子单位厚度调节及均匀性, 步进覆盖好,对于未来新一代储存商用化做到很大贡献。

原子层沉积系统相关的方案

  • 原子层沉积(ALD)在半导体先进制程的应用
    原子层沉积(ALD)是一种可以将物质以单原子膜的形式,一层一层镀在基底表面的先进沉积技术。一个ALD循环包括两个先后进行的半反应。在一定的真空环境下,前驱体和共反应物交替地通入反应腔体,饱和吸附并在衬底表面发生化学反应形成单原子层。每个半反应间通入惰性气体进行清洗,确保完全除去过量的反应物和生成的小分子副产物。理论上,经过一个循环工艺,基底表面便镀上了一层单原子膜。通过增加循环次数,原子层将依次沉积在表面上,形成薄膜。
  • 原子层沉积技术——精准、逐层“3D打印”催化剂!
    原子层沉积技术(ALD),亦称原子层外延技术(ALE),是一种基于有序、表面自饱和反应的化学气相薄膜沉积技术。由于ALD沉积的绝大多数金属和氧化物材料本身就是某些反应中的催化剂,因此ALD在催化领域的应用也很早就引起了人们的关注。此外,作为一种自下而上的新方法,ALD独有的三维共形性、高均匀性、原子级精准控制和低生长温度等特点,如同“3D”打印一般实现了高均一性催化剂的精细可控合成。
  • 等离子增强原子层沉积系统沉积高均匀性和高保型性介电薄膜
    ★超薄,纳米尺度介电薄膜与金属/金属性薄膜是MEMS/NEMS器件、其它IC部件,传感器,光学器件或催化剂关键部件★IC业中的高精度30器件, 如高深宽比沟槽与穿透性硅通孔, ALO工艺是唯可以在这些器件上实现高保形,平整,无缺陷,无针孔的薄膜材料。★可规模化生产的ALO工艺, 几种金属/金属性材料与介电材料: Pt, Ir, Ru, Cu, Ag, Au, TiN, AIN, TiAIN, ln203与Al203.★沉积工艺可选:传统热ALO或者等离子增强ALD。

原子层沉积系统相关的资料

原子层沉积系统相关的试剂

原子层沉积系统相关的论坛

  • 北京正通远恒科技有限公司刚刚发布了原子层沉积系统销售工程师职位,坐标北京,敢不敢来试试?

    [b]职位名称:[/b]原子层沉积系统销售工程师[b]职位描述/要求:[/b]职位要求:1、 本科及硕士以上学历;2、 物理/应用物理、材料/材料物理/材料化学、表面、薄膜等专业背景;具有很强的学习动力与能力,通过学习应能掌握仪器所涉及理论与应用知识。3、 热爱销售工作、积极主动、善于自我激励;4、 为人踏实肯干、诚实守信、有责任感和进取心,善于沟通与交流;5、 英语听、说、读、写能力良好;6、 能适应经常出差;7、具有相关仪器销售经验者优先,欢迎优秀应届毕业生加入。工作职责:1、主要负责所属部门的进口类仪器在所辖区域的销售与技术交流工作,包含材料表征(三维形貌、纳米力学、Zeta电位、混凝土流变、薄膜厚度折射率吸收系数)、分子相互作用等类型仪器,完成公司布置的销售任务;2、熟练掌握进口仪器的相关专业知识,包括:技术原理、应用、产品特点等;3、联系并拜访客户,独立向客户进行Presentation展示,开展技术交流,推进项目进展,完成销售;4、开拓新市场,发展新客户,推广公司的产品和服务;5、维护及增进已有用户关系,及时了解用户的问题及需求,挖掘新的销售机会;6、配合市场部门做好学术会议、展会等的布展工作,提供销售及技术支持;7、制作标书、投标现场谈判、签订技术文件等;8、根据公司计划安排的其他相关工作。[b]公司介绍:[/b] 北京正通远恒科技有限公司成立于2001年,是一家经营欧美和日本等国先进科学测试仪器和设备,并将国外先进技术引入国内的科技服务型企业.经过十年的发展,公司在北京、上海、广州、武汉均设有办事处。 公司用受人尊敬的、专业的方式来经营公司的业务(HONOPROF comes from our philosophy---- doing business in an HONOurable an...[url=https://www.instrument.com.cn/job/user/job/position/58022]查看全部[/url]

  • 北京正通远恒科技有限公司今日正在招聘,原子层沉积系统销售工程师,坐标合肥市,高薪寻找不一样的你!

    [b]职位名称:[/b]原子层沉积系统销售工程师[b]职位描述/要求:[/b]职位要求:1、 本科及以上学历;2、 材料物理,应用物理,微电子,电子工程与信息技术,光学,机械,自动化,仪器仪表等专业;3、 热爱销售工作、积极主动、善于自我激励;4、 为人踏实肯干、诚实守信、有责任感和进取心,善于沟通与交流;5、 英语4级;6、 具有相关仪器销售经验者优先,欢迎优秀应届毕业生加入。岗位职责:1. 负责所辖区域的市场推广和销售服务工作,建立及维护新老客户,保持良好的客户关系;2. 参于公司的市场营销活动,如展会等,积极配合市场部做好新产品的推广任务;3. 制定每月、每周工作计划,努力实现和超越预定销售目标,并及时做好相应工作总结,以便改善下一阶段工作;4. 熟悉销售目标管理流程,能独自制定并追踪销售计划;5. 及时完成公司规定的各项报告及报表;6. 组织和参与对客户的谈判,协调销售合同履行,回收货款。[b]公司介绍:[/b] 北京正通远恒科技有限公司成立于2001年,是一家经营欧美和日本等国先进科学测试仪器和设备,并将国外先进技术引入国内的科技服务型企业.经过十年的发展,公司在北京、上海、广州、武汉均设有办事处。 公司用受人尊敬的、专业的方式来经营公司的业务(HONOPROF comes from our philosophy---- doing business in an HONOurable an...[url=https://www.instrument.com.cn/job/user/job/position/54114]查看全部[/url]

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