仪器信息网 3i讲堂宽禁带半导体原子尺度缺陷的加工、模拟与光谱表征

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451 2021-08-31

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宽禁带半导体原子尺度缺陷的加工、模拟与光谱表征

所属会议:第四届“纳米材料表征与检测技术”主题网络研讨会（2021）

碳化硅SiC、氮化镓、氧化镓和金刚石等第三代半导体是制造高温、高压、高频、大功率半导体器件的优良材料。受原子尺度制造的极限难度挑战，低阻p型SiC和原子尺度色心的制备仍是亟待解决的难题。基于离子注入和飞秒激光加工、原子尺度模拟、变温共聚焦拉曼/荧光光谱等方法，研究了Al离子注入SiC的电学性能，以及SiC硅空位、双空位色心、金刚石色心的加工产率。