"第三届表面分析技术应用论坛——表面分析技术在新材料研究中的应用"主题网络研讨会特邀专家报告—《表面分析技术在III-V族半导体光电材料器件中的应用》_3i讲堂

中国科学院半导体研究所赵丽霞

【报告人介绍】

赵丽霞，中国科学院半导体研究所研究员，博士生导师，中国科学院大学教授。2005年于英国诺丁汉大学物理天文学院获博士学位；随后到英国剑桥大学材料冶金学院GaN研究中心工作，2007至2009年初在英国FORGE-EUROPA公司工作。2009年5月加入中国科学院半导体研究所，同年入选科学院第一届“引进杰出技术人才”计划。目前主要致力于光通信用新型氮化物光电器件及可靠性方面的研究，先后主持承担科学院、科技部及国家自然科学基金委等10余项国家科研项目。迄今发表学术论文100多篇，SCI引用2300多次，申请发明专利30多项，负责起草国家标准5项，受邀在香山、半导体物理、国际纳米光电等国际国内会议做邀请报告20余次。目前是全国微束分析标准化技术委员会表面化学分析分技术委员会委员；全国二次离子质谱学会议组织委员会委员；北京照明学会第八届计量测试专业委员会副主任。

【报告内容】

《表面分析技术在III-V族半导体光电材料器件中的应用》

以氮化镓和砷化镓为代表的III-V族化合物，都是直接带隙半导体材料，通过掺杂或能带设计可以调控光电等物理特性，在光电领域具有独特优势。表面分析技术常被用于研究半导体材料及器件性能，分析表面形貌、组分、化学态、结构及能带等信息。本次报告，将介绍几个利用表面分析技术在研究III-V半导体光电材料和器件的典型工作。

【报名地址】

https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/BMFXJS/

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