报告介绍
高功率密度的氮化镓,具有高工作电压,且能够在高频高带宽下大功率输出,将引领射频功率器件新发展。碳化硅衬底氮化镓是射频器件的“高端”版本,SiC衬底可提供最高功率级别的氮化镓产品,确保在最苛刻的环境下使用。近日,牛津仪器等离子技术推出了使用PlasmaPro 100 Polaris刻蚀系统对碳化硅进行深孔刻蚀的工艺。
本次会议将对此碳化硅深孔刻蚀技术做详细介绍。期待您的参与!
主讲老师
黄承扬
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黄承扬(Young Huang)博士在国立清华大学研究光电技术并取得博士学位。他于2011年起加入牛津仪器从事台湾地区的海外市场营销。黃博士在LED芯片和光学电子化工序领域拥有超过10年的经验。作为现场和实验室应用经理,他负责开发新的应用供需,确保现场客户在应用中获得满意的体验。
黄承扬
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黄承扬(Young Huang)博士在国立清华大学研究光电技术并取得博士学位。他于2011年起加入牛津仪器从事台湾地区的海外市场营销。黃博士在LED芯片和光学电子化工序领域拥有超过10年的经验。作为现场和实验室应用经理,他负责开发新的应用供需,确保现场客户在应用中获得满意的体验。
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